半导体薄膜技术与物理,作者:叶志镇,吕建国,吕斌

《半导体薄膜技术与物理》全面系统地介绍了半导体薄膜的各种制备技术及其相关的物理基础。全书共分十章。第一章概述了真空技术，第二至第八章分别介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相外延、湿化学合成等各种半导体薄膜的沉积技术，第九章介绍了半导体超晶格、量子阱的基本概念和理论，第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术。  TD%&9$F  
《半导体薄膜技术与物理》文字叙述上力求做到深入浅出，内容上深度和宽度相结合，理论和实践相结合，以半导体薄膜技术为重点，结合半导体材料和器件的性能介绍，同时还介绍了半导体薄膜技术与物理领域的新概念、新进展、新成果和新技术。《半导体薄膜技术与物理》具有内容翔实、概念清楚、图文并茂的特点。 f;AI4:#I  
《半导体薄膜技术与物理》读者对象广泛，可作为高等院校材料、物理、电子、化学等学科的研究生或高年级本科生的半导体薄膜技术课程的教材，也可作为从事半导体材料、薄膜材料、光电器件等领域的科研人员、工程技术人员的参考书籍。 p6V#!5Q  
叶志镇，男，1955年5月生于浙江温州。1987年获浙江大学光仪系工学博士学位；毕业后留校工作，1990～1992年留学美国麻省理工学院（MIT）；1994年晋升为教授；1996年选为博导。现为浙江大学材料与化学工程学院副院长、浙江大学纳米中心主任。 1988年进入浙江大学材料系，在硅材料国家重点实验室一直从事半导体薄膜教学科研工作，主要研究方向：Zn0薄膜材料制备、物性调控及光电应用；纳米薄层材料高真空CVD技术研发及应用。现兼任国家自然科学基金委信息科学部评审组成员，全国电子材料专委副主任，全国半导体与集成技术、半导体材料和半导体物理专委委员等。 m'QG{f  
《半导体薄膜技术与物理》共分十章，以叶志镇教授“半导体薄膜技术物理”讲义为基础编撰而成。第一章叙述了真空技术的基本知识；第二章至第八章是《半导体薄膜技术与物理》的核心内容，结合各种半导体材料，详细介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相沉积和湿化学合成等半导体薄膜技术与物理；第九章介绍了超晶格的相关知识，超晶格、量子阱是现代新型半导体器件的基础和关键；第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术，包括发光二极管、薄膜晶体管和紫外探测器。 .+kg1=s  

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第1章 真空技术 M\-[C!h,  
1.1 真空的基本概念 .]s? 01Z  
1.1.1 真空的定义 ZZ  Hjv  
1.1.2 真空度单位 -+Ot'^  
1.1.3 真空区域划分 e^oGiL~  
1.2 真空的获得 k%X $@NP  
1.3 真空度测量 A*~G[KC3(  
1.3.1 热传导真空计 "{\xBX~oM  
1.3.2 热阴极电离真空计 4hc[rN,]  
1.3.3 冷阴极电离真空计 ]YtN6Rq/  
1.4 真空度对薄膜工艺的影响 7e\Jg/FU  
参考文献 :)i,K>y3i  
l i)6^f#  
第2章 蒸发技术 3&CV!+z  
2.1 发展历史与简介 mt$rjk=  
2.2 蒸发的种类 0KT
O)K  
2.2.1 电阻热蒸发 zyhM*eM.7  
2.2.2 电子束蒸发 qajZ~oB{  
2.2.3 高频感应蒸发 vbn=ywz  
2.2.4 激光束蒸发 BGxwPJd  
2.2.5 反应蒸发 T~k@Z  
2.3 蒸发的应用实例 , ^K.
J29  
2.3.1 Cu（In，Ga）Se2薄膜 ^ghYi|kQq  
2.3.2 ITO薄膜 }dpTR
9j=  
参考文献 wU>Fz*  

g(W+[kj)  
第3章 溅射技术 1G7l+6w5~^  
3.1 溅射基本原理 Le:C8^  
3.2 溅射主要参数 |9=A"092{  
3.2.1 溅射闽和溅射产额 EQ ee5}  
3.2.2 溅射粒子的能量和速度 #>("(euXMF  
3.2.3 溅射速率和淀积速率 <g%A2lI  
3.3 溅射装置及工艺 B{R[z%Y  
3.3.1 阴极溅射 rJkJ/9s  
3.3.2 三极溅射和四极溅射 z=) m6\  
3.3.3 射频溅射 Ak,JPzT  
3.3.4 磁控溅射 (Hj[9[=  
3.3.5 反应溅射 A&)2m  
3.4 离子成膜技术 +Wg/O -  
3.4.1 离子镀成膜 M:GpyE
%  
3.4.2 离子束成膜 U 7.kYu  
3.5 溅射技术的应用 @fYVlHT%E  
3.5.1 溅射生长过程 51b%uz  
3.5.2 溅射生长Zno薄膜的性能 NLY=o@<  
参考文献 X!K>.r_Dg  
""jW'%wR  
第4章 化学气相沉积 Qv5fK  
4.1 概述 N|$9v{ j_  
4.2 硅化学气相沉积 ]t~.?)Ad+2  
4.2.1 CVD反应类型 S'8+jY  
4.2.2 CVD热力学分析 NI#]#yM+  
4.2.3 CVD动力学分析 vhbHt_!u&  
4.2.4 不同硅源的外延生长 $

] "M`h  
4.2.5 成核 bf0,3~G,P  
4.2.6 掺杂 O*GF/ R8B  
4.2.7 外延层质量 4r7F8*z  
4.2.8 生长工艺 \.}T_,I  
4.3 CVD技术的种类 &TBF
t;  
4.3.1 常压CVD babL.Ua8o  
4.3.2 低压CVD j!>P7 8  
4.3.3 超高真空CVD E&zf<Y  
4.4 能量增强CVD技术 CTW\Dt5
 
4.4.1 等离子增强CVD Qgj# k  
4.4.2 光增强CVD yy=hCjQ)  
4.5 卤素输运法 S xJ&5q  
4.5.1 氯化物法 :>{!%-1Z  
4.5.2 氢化物法 lbda/Zx  
4.6 MOCVD技术 d/ ^IL*O  
4.6.1 MOCVD简介 Hs'~)
T  
4.6.2 MOCVD生长GaAs mdEJ'];AH  
4.6.3 MOCVD生长GaN t_jn-Idcf  
4.6.4 MOCVD生长ZnO HTT&T9]  
4.7 特色CVD技术 :vb5J33U  
4.7.1 选择外延CVD技术 6!"wiM"]  
4.7.2 原子层外延 o& FOp'  
参考文献 "H[K3  
yiQ?p:DM  
第5章 脉冲激光沉积
wpM2{NTP  
5.1 脉冲激光沉积概述 zp;!HP;/=  
5.2 PLD的基本原理 UgGa]b[9A  
5.2.1 激光与靶的相互作用 xj;:B( i  
5.2.2 烧蚀物的传输 IS&qFi}W|W  
5.2.3 烧蚀粒子在衬底上的沉积 IU"  
5.3 颗粒物的抑制 "ktuq\a@  
5.4 PLD在Ⅱ-Ⅵ族化合物薄膜中的应用 XQ}J4J~Vm  
5.4.1 ZnO薄膜的PLD生长 bh1$ A  
5.4.2 其他Ⅱ-Ⅵ族化合物的PLD生长 z1Bi#
/i  
参考文献 AE}cHBwZE  
g~y0,0'j1\  
第6章 分子束外延 ]5"k%v|  
6.1 引言 "u7[[.P)  
6.2 分子束外延的原理和特点 ;yomaAr  
6.3 外延生长设备 &~P4yI;,  
6.4 分子束外延生长硅 N9_* {HOy  
6.4.1 表面制备 j+gx
n_E  
6.4.2 外延生长 oL@-<;zKO  
6.4.3 掺杂 cDY)QUmi  
6.4.4 外延膜的质量诊断 9KU&M"Yq&i  
6.5 分子束外延生长Ⅲ-V族化合物半导体材料和结构 !6'N-b1  
6.5.1 MBE生长GaAs tJ6@Ot  
6.5.2 MBE生长InAs／GaAs H

KrENk  
6.5.3 MBE生长GaN
}4YzP 4  
6.6 分子束外延生长Ⅱ一Ⅵ族化合物半导体材料和结构 /%& d:  
6.6.1 HgCdTe材料 ?Tc#[B  
6.6.2 CdTe／Si的外延生长 (0NffM1  
6.6.3 HgCdTe／Si的外延生长 Q 84t=  
6.6.4 ZnSe、ZnTe />S^`KSTM  
6.6.5 ZnO薄膜 jG[Vp b  
6.7 分子束外延生长其他半导体材料和结构 a ~v$ bNu  
6.7.1 SiC：材料 0qJ (RB  
6.7.2 生长小尺寸Ge／Si量子点 6h>#;M  
6.7.3 生长有机半导体薄膜 B[@q.n  
参考文献 SUUNC06V  
+-@n}xb@  
第7章 液相外延 RhE~Rwbx  
7.1 液相外延生长的原理 |X8?B=  
7.1.1 液相外延基本概况 6]?%1HSi  
7.1.2 硅液相外延生长的原理 h+1|.d  
7.2 液相外延生长方法和设备 ~JXz  
7.3 液相外延生长的特点 zkRAul32|  
7.4 液相外延的应用实例 \s*M5oN]]  
7.4.1 硅材料 /9R0}4i7  
7.4.2 Ⅲ-V族化合物半导体材料 fIoc)T  
7.4.3 碲镉汞（Hgl-rCdrTe）材料 H]/~ #a  
7.4.4 SiC材料 3 ,>M-F  
参考文献 OZxJDg  
ur}'Y^0iR  
第8章 湿化学制备方法 T/'z,,Y  
8.1 溶胶-凝胶技术 *<xu3){:c  
 8${n}}  
第9章 半导体超晶格和量子阱 f#!+l1GV  
第10章 半导体器件制备技术 -"I$$C  
参考文献 +^Xf:r` G  
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