半导体器件导论,影印版,作者:(美)尼曼

发布:cyqdesign 2010-01-31 21:48 阅读:3774
半导体器件导论》(影印版)还尽量保持了原书的主要优点:(1)注重基本概念和方法。《半导体器件导论》(影印版)从内容的整体编排到具体章节的叙述,都体现了突出物理概念、强调基本分析方法的指导思想。书中的数学推导和物理分析融为一体,得出的结论不仅对理解物理概念十分重要,而且经得起反复推敲。书中还采用了大量非常清晰的插图,帮助读者更好地理解基本概念。(2)可读性强,便于自学。全书脉络清楚,说理透彻,易于读者理解和掌握。每一章的开头都有引言,告诉读者可以从本章学到什么,应该掌握什么;每一章中都有例题和读者自测题;每一章的最后还有总结、复习提纲和大量习题(其中包含一些采用计算机进行模拟计算的练习题)。通过举例和练习加深读者对基本概念的理解是《半导体器件导论》(影印版)突出的特点。 !.mMO_4}  
《半导体器件导论》(影印版)是美国新墨西哥大学电机与计算机工程系Neamen教授所著的“SereicorlductorPhysics and Devices,3rd edition”一书的改进版本。 #r; ' AG  
与原书相比,《半导体器件导论》(影印版)更好地将固体晶格结构、量子力学入门知识、固体的量子理论以及半导体物理和半导体器件有机地结合在一起。利用《半导体器件导论》(影印版),学生只需要具有高等数学和大学普通物理的基础,用一个学期就可以系统地学习到半导体器件的基本理论,从而为进入微电子学研究领域打下一个良好的基础。这一特点也是目前国内出版的同类教材很难达到的。 IC>OxYg*  
A.m#wY8  
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市场价:¥69.00 SlI0p&2,  
优惠价:¥55.20 为您节省:13.80元 (80折) Wq8Uq}~_g  
zr%lBHuW  
w1EYXe  
Preface xvii MCU{@ \?Xf  
CHAPTER 1 Lz2 AWqR  
The Crystal Structure of Solids 9VdVom|e  
1.0 Preview 1 l@nkR&4[  
1.1 Semiconductor Materials 2 "| V{@)!t  
1.2 Types of Solids 3 g4 _DEBh  
1.3 Space Lattices 4 vr2tIKvpn  
1.3.1 Primitive and Unit Cell 4 %>}6>nT#  
1.3.2 Basic Crystal Structures 6 oqHI`Tu  
1.3.3 Crystal Planes and Miller Indices hN$6Kx>{  
1.3.4 The Diamond Structure 13 g![]R-$  
1.4 Atomic Bonding 15 #>dfP"}&,  
1.5 Imperfections and Impurities in Solids 17 7yxZe4~|#  
1.5.1 Imperfections in Solids 17 kPF[E5  
1.5.2 Impurities in Solids 18 :)X?ML?  
1.6 Growth of Semiconductor Materials 19 f sAgXv  
1.6.1 Growth from a Melt 20 :Eq=wbAw  
1.6.2 Epitaxial Growth 22 w<-8cvNhiz  
1.7 Device Fabrication Techniques: 1iEZ9J?  
Oxidation 23 nJ |O,*`O  
1.8 Summary 25 bvzeU n  
Problems 27 $w`QQ^\  
CHAPTER 2 S',i  
Theory of Solids 31 S/v+7oT  
2.0 Preview 31 7$x~}*u  
2.1 Principles of Quantum Mechanics 32 q}*"0r  
2.1.1 Energy Quanta 32 O79;tA<k  
2.1.2 Wave-Particle Duality Principle 34 1[o] u:m9U  
2.2 Energy Quantization and Probability Concepts 36 B) J.(k`p  
2.2.1 Physical Meaning of the Wave Function 36 My0h9'K  
2.2.2 The One-Electron Atom 37 SC)4u l%  
2.2.3 Periodic Table 40 P|YBCH  
2.3 Energy-Band Theory 41 <n< @ O5  
2.3.1 Formation of Energy Bands 41 ~,KAJ7O_  
2.3.2 The Energy Band and the Bond Model 45 YG$2ySkDhE  
2.3.3 Charge Carriers——Electrons and Holes 47 _;",7bT80  
2.3.4 Effective Mass 49 Rq~\Yf+Pm  
2.3.5 Metals, Insulators, and Semiconductors 50 }C.M4{a\  
2.3.6 The k-Space Diagram 52 |2(z<b&y=  
2,4 Density of States Function 55 "I?sz)pxG  
2.5 Statistical Mechanics 57 WH2?_U-8h  
2.5.1 Statistical Laws 57 !/, 6+2Ru  
2.5.2 The Fermi-Dirac Distribution Function (-Rh%ZHH  
and the Fermi Energy 58 rMAH YH9  
2.5.3 Maxwell-Boltzmann Approximation 62 L {(\k$>'  
2.6 Summary 64 ) \Mwv&k1  
Problems 65 pe=Ou0  
CHAPTER 3 YJ_`[LnL  
The Semiconductor in Equilibrium 70  Hi#'h  
3.0 Preview 70 peqoLeJI  
3.1 Charge Carriers in Semiconductors 71 aZ^P*|_K3  
3.1.1 Equilibrium Distribution of Electrons and Holes 72 !U.Xb6  
3.1.2 The no and Po Equations 74 fI(u-z~,  
3.1.3 The Intrinsic Carrier Concentration 79 z)"7qqA  
3.1.4 The Intrinsic Fermi-Level Position 82 9k=-8@G9  
3.2 Dopant Atoms and Energy Levels 83 '0x`Oh&PK  
3.2.1 Qualitative Description 83 &\8.y2=9p  
3.2.2 Ionization Energy 86 l4u@0;6P  
3.2.3 Group III-V Semiconductors 88 &RP!9{F<  
3.3 Carrier Distributions in the Extrinsic Semiconductor 89 Q>f^*FyOw<  
3.3.1 Equilibrium Distribution of Electrons and Holes 89 q#wg2  
…… }Zu2GU$6  
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关键词: 半导体器件
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