半导体器件导论,影印版,作者:(美)尼曼

发布:cyqdesign 2010-01-31 21:48 阅读:3746
半导体器件导论》(影印版)还尽量保持了原书的主要优点:(1)注重基本概念和方法。《半导体器件导论》(影印版)从内容的整体编排到具体章节的叙述,都体现了突出物理概念、强调基本分析方法的指导思想。书中的数学推导和物理分析融为一体,得出的结论不仅对理解物理概念十分重要,而且经得起反复推敲。书中还采用了大量非常清晰的插图,帮助读者更好地理解基本概念。(2)可读性强,便于自学。全书脉络清楚,说理透彻,易于读者理解和掌握。每一章的开头都有引言,告诉读者可以从本章学到什么,应该掌握什么;每一章中都有例题和读者自测题;每一章的最后还有总结、复习提纲和大量习题(其中包含一些采用计算机进行模拟计算的练习题)。通过举例和练习加深读者对基本概念的理解是《半导体器件导论》(影印版)突出的特点。 H<Hrwy~  
《半导体器件导论》(影印版)是美国新墨西哥大学电机与计算机工程系Neamen教授所著的“SereicorlductorPhysics and Devices,3rd edition”一书的改进版本。 U{}!y3[wK  
与原书相比,《半导体器件导论》(影印版)更好地将固体晶格结构、量子力学入门知识、固体的量子理论以及半导体物理和半导体器件有机地结合在一起。利用《半导体器件导论》(影印版),学生只需要具有高等数学和大学普通物理的基础,用一个学期就可以系统地学习到半导体器件的基本理论,从而为进入微电子学研究领域打下一个良好的基础。这一特点也是目前国内出版的同类教材很难达到的。 U@?6*,b(.  
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市场价:¥69.00 E=k w)<X2  
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(]XbPW  
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Preface xvii IA2GUnUhu  
CHAPTER 1 7]s%r ya  
The Crystal Structure of Solids G?/c/rG  
1.0 Preview 1  w;+ br  
1.1 Semiconductor Materials 2 +T2HE\  
1.2 Types of Solids 3 B+Z13;}B  
1.3 Space Lattices 4 k2p'G')H  
1.3.1 Primitive and Unit Cell 4 HIGNRm  
1.3.2 Basic Crystal Structures 6 q^*6C[G B  
1.3.3 Crystal Planes and Miller Indices 'gDe3@ci!  
1.3.4 The Diamond Structure 13 4P%m>[   
1.4 Atomic Bonding 15 xnbsg!`;7W  
1.5 Imperfections and Impurities in Solids 17 @rwU 1T33  
1.5.1 Imperfections in Solids 17 DjwQ`MA  
1.5.2 Impurities in Solids 18 {6O0.}q]&  
1.6 Growth of Semiconductor Materials 19  so fu  
1.6.1 Growth from a Melt 20 8%ik853`  
1.6.2 Epitaxial Growth 22 P'tMu6+)  
1.7 Device Fabrication Techniques: Pz@/|&]  
Oxidation 23 K%gP5>y*9>  
1.8 Summary 25 =VSkl;(O  
Problems 27 /.$L"u  
CHAPTER 2 c@(1:,R  
Theory of Solids 31 ~+HoSXu@E  
2.0 Preview 31 ~;unpym'  
2.1 Principles of Quantum Mechanics 32 %!y89x=E  
2.1.1 Energy Quanta 32 j[XYj6*d  
2.1.2 Wave-Particle Duality Principle 34 CCqT tp  
2.2 Energy Quantization and Probability Concepts 36 _faJB@a_  
2.2.1 Physical Meaning of the Wave Function 36 w!`Umll2  
2.2.2 The One-Electron Atom 37 xmr|'}Pt[  
2.2.3 Periodic Table 40 +.@c{5J<  
2.3 Energy-Band Theory 41 "K?Q  
2.3.1 Formation of Energy Bands 41 ntGq" o  
2.3.2 The Energy Band and the Bond Model 45 y94kX:q  
2.3.3 Charge Carriers——Electrons and Holes 47 K\&o2lo]  
2.3.4 Effective Mass 49 Q\9K2=4  
2.3.5 Metals, Insulators, and Semiconductors 50 |s=`w8p  
2.3.6 The k-Space Diagram 52 zZ=$O-&%  
2,4 Density of States Function 55 _ 08];M|  
2.5 Statistical Mechanics 57 3.vgukkk5  
2.5.1 Statistical Laws 57 aFY u}kl  
2.5.2 The Fermi-Dirac Distribution Function nbmc[!PwG  
and the Fermi Energy 58 =_PvrB2'  
2.5.3 Maxwell-Boltzmann Approximation 62  &?+WXL>  
2.6 Summary 64 EGS%C%>l/o  
Problems 65 hz\WZ^  
CHAPTER 3 <o0~H  
The Semiconductor in Equilibrium 70 I:$"E% >=  
3.0 Preview 70 +\`rmI  
3.1 Charge Carriers in Semiconductors 71 M"U OgS  
3.1.1 Equilibrium Distribution of Electrons and Holes 72 M35Ax],:^  
3.1.2 The no and Po Equations 74 6I|A- h  
3.1.3 The Intrinsic Carrier Concentration 79 #?&0D>E?k  
3.1.4 The Intrinsic Fermi-Level Position 82 8h.V4/?  
3.2 Dopant Atoms and Energy Levels 83 {TAw)!R~  
3.2.1 Qualitative Description 83 1R*=.i%W  
3.2.2 Ionization Energy 86 Y=2Un).&  
3.2.3 Group III-V Semiconductors 88 C1QV[bJK  
3.3 Carrier Distributions in the Extrinsic Semiconductor 89 EJm4xkYLj1  
3.3.1 Equilibrium Distribution of Electrons and Holes 89 c Zvf"cIs  
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关键词: 半导体器件
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