半导体器件导论,影印版,作者:(美)尼曼

《半导体器件导论》(影印版)还尽量保持了原书的主要优点：(1)注重基本概念和方法。《半导体器件导论》(影印版)从内容的整体编排到具体章节的叙述，都体现了突出物理概念、强调基本分析方法的指导思想。书中的数学推导和物理分析融为一体，得出的结论不仅对理解物理概念十分重要，而且经得起反复推敲。书中还采用了大量非常清晰的插图，帮助读者更好地理解基本概念。(2)可读性强，便于自学。全书脉络清楚，说理透彻，易于读者理解和掌握。每一章的开头都有引言，告诉读者可以从本章学到什么，应该掌握什么；每一章中都有例题和读者自测题；每一章的最后还有总结、复习提纲和大量习题(其中包含一些采用计算机进行模拟计算的练习题)。通过举例和练习加深读者对基本概念的理解是《半导体器件导论》(影印版)突出的特点。 |oR#j `  
《半导体器件导论》(影印版)是美国新墨西哥大学电机与计算机工程系Neamen教授所著的“SereicorlductorPhysics and Devices，3rd edition”一书的改进版本。 7/dp_I}cO  
与原书相比，《半导体器件导论》(影印版)更好地将固体晶格结构、量子力学入门知识、固体的量子理论以及半导体物理和半导体器件有机地结合在一起。利用《半导体器件导论》(影印版)，学生只需要具有高等数学和大学普通物理的基础，用一个学期就可以系统地学习到半导体器件的基本理论，从而为进入微电子学研究领域打下一个良好的基础。这一特点也是目前国内出版的同类教材很难达到的。 ZpZoOdjslV  

图片:daolun.jpg

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Preface xvii r<'B\.#tp>  
CHAPTER 1 |lh&l<=(f  
The Crystal Structure of Solids 1:4u]$@E  
1.0 Preview 1 QG09=GQ  
1.1 Semiconductor Materials 2 cp
x:4R,  
1.2 Types of Solids 3 zvT8r(<n}  
1.3 Space Lattices 4 cd4HbSp  
1.3.1 Primitive and Unit Cell 4 q[c^`5  
1.3.2 Basic Crystal Structures 6 0I*{CVTQj  
1.3.3 Crystal Planes and Miller Indices 'N/u<`)  
1.3.4 The Diamond Structure 13
;p:CrFv  
1.4 Atomic Bonding 15 th+LScOX  
1.5 Imperfections and Impurities in Solids 17 }L>0}H  
1.5.1 Imperfections in Solids 17 EH]qYF.  
1.5.2 Impurities in Solids 18 T!>sL=uf  
1.6 Growth of Semiconductor Materials 19 cq8JpSB(  
1.6.1 Growth from a Melt 20 {-yw@Kq  
1.6.2 Epitaxial Growth 22 P} Y .  
1.7 Device Fabrication Techniques: K pmq C$  
Oxidation 23 o1[[!~8e  
1.8 Summary 25 svMu85z  
Problems 27 J n'SGR  
CHAPTER 2 mh#_lbe'  
Theory of Solids 31 8aW<lu  
2.0 Preview 31 i \@a&tw  
2.1 Principles of Quantum Mechanics 32 JY$;m3h  
2.1.1 Energy Quanta 32 l@>@2CB  
2.1.2 Wave-Particle Duality Principle 34 Lo}zT-F  
2.2 Energy Quantization and Probability Concepts 36 C%"aj^u  
2.2.1 Physical Meaning of the Wave Function 36 !~Kg_*IT  
2.2.2 The One-Electron Atom 37 ~P"o
_b6,k  
2.2.3 Periodic Table 40 {G{>Qa|  
2.3 Energy-Band Theory 41 }zrapL"9X  
2.3.1 Formation of Energy Bands 41 4C9k0]k2  
2.3.2 The Energy Band and the Bond Model 45 _Pn 1n  
2.3.3 Charge Carriers——Electrons and Holes 47 U
Fyk%#L  
2.3.4 Effective Mass 49 |^OK@KdL1  
2.3.5 Metals, Insulators, and Semiconductors 50 LVJn2t^  
2.3.6 The k-Space Diagram 52 I~,bZA  
2,4 Density of States Function 55 4 Z&KR<2Z  
2.5 Statistical Mechanics 57 Jl ?_GX}ZY  
2.5.1 Statistical Laws 57 M} Mgz  
2.5.2 The Fermi-Dirac Distribution Function j-t"  
and the Fermi Energy 58 y_2B
@cj  
2.5.3 Maxwell-Boltzmann Approximation 62 </_.+c [  
2.6 Summary 64 ;G*)7fi  
Problems 65 Bx|h)e9  
CHAPTER 3 5)ooE  
The Semiconductor in Equilibrium 70 Cw~fP[5XMF  
3.0 Preview 70 <A&Zl&^1  
3.1 Charge Carriers in Semiconductors 71 .$ HE  
3.1.1 Equilibrium Distribution of Electrons and Holes 72 2j$~lI  
3.1.2 The no and Po Equations 74 WpC9(AX5g  
3.1.3 The Intrinsic Carrier Concentration 79 2g;Id.i>  
3.1.4 The Intrinsic Fermi-Level Position 82 STz@^A  
3.2 Dopant Atoms and Energy Levels 83 ?)7UqVyq  
3.2.1 Qualitative Description 83 ~Sx\>wBlc  
3.2.2 Ionization Energy 86 CM)
V^k*  
3.2.3 Group III-V Semiconductors 88 ,vuC0
{C^  
3.3 Carrier Distributions in the Extrinsic Semiconductor 89 UtHloq
(r  
3.3.1 Equilibrium Distribution of Electrons and Holes 89 >C`#4e?}  
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