半导体器件导论,影印版,作者:(美)尼曼

《半导体器件导论》(影印版)还尽量保持了原书的主要优点：(1)注重基本概念和方法。《半导体器件导论》(影印版)从内容的整体编排到具体章节的叙述，都体现了突出物理概念、强调基本分析方法的指导思想。书中的数学推导和物理分析融为一体，得出的结论不仅对理解物理概念十分重要，而且经得起反复推敲。书中还采用了大量非常清晰的插图，帮助读者更好地理解基本概念。(2)可读性强，便于自学。全书脉络清楚，说理透彻，易于读者理解和掌握。每一章的开头都有引言，告诉读者可以从本章学到什么，应该掌握什么；每一章中都有例题和读者自测题；每一章的最后还有总结、复习提纲和大量习题(其中包含一些采用计算机进行模拟计算的练习题)。通过举例和练习加深读者对基本概念的理解是《半导体器件导论》(影印版)突出的特点。 m|:_]/*qE  
《半导体器件导论》(影印版)是美国新墨西哥大学电机与计算机工程系Neamen教授所著的“SereicorlductorPhysics and Devices，3rd edition”一书的改进版本。 TG+VEL |T  
与原书相比，《半导体器件导论》(影印版)更好地将固体晶格结构、量子力学入门知识、固体的量子理论以及半导体物理和半导体器件有机地结合在一起。利用《半导体器件导论》(影印版)，学生只需要具有高等数学和大学普通物理的基础，用一个学期就可以系统地学习到半导体器件的基本理论，从而为进入微电子学研究领域打下一个良好的基础。这一特点也是目前国内出版的同类教材很难达到的。 T3pmVl  

图片:daolun.jpg

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Preface xvii *UmI]E{g3(  
CHAPTER 1 DFd%9*N  
The Crystal Structure of Solids 4y'OMRy  
1.0 Preview 1 L>a  
1.1 Semiconductor Materials 2 ~(IB0=A{v  
1.2 Types of Solids 3 dOoKLry  
1.3 Space Lattices 4 MvWaB  
1.3.1 Primitive and Unit Cell 4 iIq)~e/ Z  
1.3.2 Basic Crystal Structures 6 qQsku;C?i  
1.3.3 Crystal Planes and Miller Indices 6N;wqn  
1.3.4 The Diamond Structure 13 P}TI q#  
1.4 Atomic Bonding 15 PX n;C/  
1.5 Imperfections and Impurities in Solids 17 K/3)g9Z&io  
1.5.1 Imperfections in Solids 17 E7Y`|nT  
1.5.2 Impurities in Solids 18 ZO)S`W  
1.6 Growth of Semiconductor Materials 19 eZdu2.;<  
1.6.1 Growth from a Melt 20 HsHB!mQV  
1.6.2 Epitaxial Growth 22 ]5$eAYq  
1.7 Device Fabrication Techniques: a8i]]1Blz  
Oxidation 23 0 rXxRQ  
1.8 Summary 25 24)(5!:"  
Problems 27 U
]vYV  
CHAPTER 2 J<dVTxK12  
Theory of Solids 31 >ey\jDr#O  
2.0 Preview 31 8$ma;U d  
2.1 Principles of Quantum Mechanics 32 I9mvte  
2.1.1 Energy Quanta 32 P3nb2.  
2.1.2 Wave-Particle Duality Principle 34 X'`~s}vGO  
2.2 Energy Quantization and Probability Concepts 36 Qkd<sxL  
2.2.1 Physical Meaning of the Wave Function 36 IS#FiH  
2.2.2 The One-Electron Atom 37 :xh?eN&  
2.2.3 Periodic Table 40 bV$)!]V  
2.3 Energy-Band Theory 41 'F_8j
;  
2.3.1 Formation of Energy Bands 41 i]|Yg$  
2.3.2 The Energy Band and the Bond Model 45 8rMX9qTO@  
2.3.3 Charge Carriers——Electrons and Holes 47 UF<uU-C"  
2.3.4 Effective Mass 49 K,boVFs  
2.3.5 Metals, Insulators, and Semiconductors 50 pm\x~3jHs  
2.3.6 The k-Space Diagram 52 LK, bO|  
2,4 Density of States Function 55 E gal4  
2.5 Statistical Mechanics 57 IuOgxm~Y  
2.5.1 Statistical Laws 57 )6Ny1x+  
2.5.2 The Fermi-Dirac Distribution Function bX*Hi#J~A  
and the Fermi Energy 58 { Q`QX`#  
2.5.3 Maxwell-Boltzmann Approximation 62 =}v}my3y"  
2.6 Summary 64  mi)LP?q  
Problems 65 c=L2%XPP  
CHAPTER 3 }2uI?i8  
The Semiconductor in Equilibrium 70 u9}
1)9  
3.0 Preview 70 ,^x4sA[/  
3.1 Charge Carriers in Semiconductors 71 6
C-/`>m  
3.1.1 Equilibrium Distribution of Electrons and Holes 72 lmxr oHE  
3.1.2 The no and Po Equations 74 20iq2  
3.1.3 The Intrinsic Carrier Concentration 79 -x'z XvWZ  
3.1.4 The Intrinsic Fermi-Level Position 82 v}tag#f5>?  
3.2 Dopant Atoms and Energy Levels 83 yI ld75
S`  
3.2.1 Qualitative Description 83 DVK)2La  
3.2.2 Ionization Energy 86 /u0' 6V  
3.2.3 Group III-V Semiconductors 88 tvu!< dxZ  
3.3 Carrier Distributions in the Extrinsic Semiconductor 89 |pmZ.r  
3.3.1 Equilibrium Distribution of Electrons and Holes 89 `xywho%/Y  
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