半导体器件导论,影印版,作者:(美)尼曼

《半导体器件导论》(影印版)还尽量保持了原书的主要优点：(1)注重基本概念和方法。《半导体器件导论》(影印版)从内容的整体编排到具体章节的叙述，都体现了突出物理概念、强调基本分析方法的指导思想。书中的数学推导和物理分析融为一体，得出的结论不仅对理解物理概念十分重要，而且经得起反复推敲。书中还采用了大量非常清晰的插图，帮助读者更好地理解基本概念。(2)可读性强，便于自学。全书脉络清楚，说理透彻，易于读者理解和掌握。每一章的开头都有引言，告诉读者可以从本章学到什么，应该掌握什么；每一章中都有例题和读者自测题；每一章的最后还有总结、复习提纲和大量习题(其中包含一些采用计算机进行模拟计算的练习题)。通过举例和练习加深读者对基本概念的理解是《半导体器件导论》(影印版)突出的特点。 ]>T4\?aC  
《半导体器件导论》(影印版)是美国新墨西哥大学电机与计算机工程系Neamen教授所著的“SereicorlductorPhysics and Devices，3rd edition”一书的改进版本。 I[g;p8jr  
与原书相比，《半导体器件导论》(影印版)更好地将固体晶格结构、量子力学入门知识、固体的量子理论以及半导体物理和半导体器件有机地结合在一起。利用《半导体器件导论》(影印版)，学生只需要具有高等数学和大学普通物理的基础，用一个学期就可以系统地学习到半导体器件的基本理论，从而为进入微电子学研究领域打下一个良好的基础。这一特点也是目前国内出版的同类教材很难达到的。 .$~zxd#zo  

图片:daolun.jpg

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EmFL %++V  
Preface xvii NpLO_-  
CHAPTER 1 2Y-NxW^]  
The Crystal Structure of Solids 'Z{_ws  
1.0 Preview 1 $kD;*v=  
1.1 Semiconductor Materials 2 6aMG!_jC  
1.2 Types of Solids 3 , b;WCWm  
1.3 Space Lattices 4 WUfPLY_c(  
1.3.1 Primitive and Unit Cell 4 W!=X_  
1.3.2 Basic Crystal Structures 6 PgMU|O7To  
1.3.3 Crystal Planes and Miller Indices #=V[vbTY  
1.3.4 The Diamond Structure 13 EG;y@\]  
1.4 Atomic Bonding 15 RASPOc/]   
1.5 Imperfections and Impurities in Solids 17 ed\umQ]  
1.5.1 Imperfections in Solids 17 h,!`2_&UQ  
1.5.2 Impurities in Solids 18 zu52]$Vj  
1.6 Growth of Semiconductor Materials 19 p~bx  
1.6.1 Growth from a Melt 20 I|eYeJ3  
1.6.2 Epitaxial Growth 22 XhEJF !  
1.7 Device Fabrication Techniques: [!'fE#"a  
Oxidation 23 ,)beK*Iw  
1.8 Summary 25 }\Ri:&?  
Problems 27 6-6ha7]s  
CHAPTER 2 u+_6V  
Theory of Solids 31 xk\n F0z  
2.0 Preview 31 Z^_-LX:%  
2.1 Principles of Quantum Mechanics 32 \YMe&[C:o  
2.1.1 Energy Quanta 32 d:&=|k
Kw  
2.1.2 Wave-Particle Duality Principle 34 U5!~@XjG>  
2.2 Energy Quantization and Probability Concepts 36 kh5VuXpe  
2.2.1 Physical Meaning of the Wave Function 36 wRsh@I<  
2.2.2 The One-Electron Atom 37 ra]lC7<H  
2.2.3 Periodic Table 40 yc:y}"  
2.3 Energy-Band Theory 41 (5\VOCT>4%  
2.3.1 Formation of Energy Bands 41 }Y
`D^z~  
2.3.2 The Energy Band and the Bond Model 45 MIx,#]C&  
2.3.3 Charge Carriers——Electrons and Holes 47 P g.j]  
2.3.4 Effective Mass 49 ~[
ZRE @  
2.3.5 Metals, Insulators, and Semiconductors 50 .tQeOZW'  
2.3.6 The k-Space Diagram 52 4mM?RGWv
 
2,4 Density of States Function 55 lFT` WO  
2.5 Statistical Mechanics 57 v
iXt]
0  
2.5.1 Statistical Laws 57 nd3n'b  
2.5.2 The Fermi-Dirac Distribution Function ve&"x Nz<  
and the Fermi Energy 58 C(!A% >  
2.5.3 Maxwell-Boltzmann Approximation 62 nA4PY]  
2.6 Summary 64 1wTPT,k  
Problems 65 (@nEe?  
CHAPTER 3 RIV + _}R  
The Semiconductor in Equilibrium 70 O+ghw1/  
3.0 Preview 70 @F/yc
  
3.1 Charge Carriers in Semiconductors 71 <!G%P4)  
3.1.1 Equilibrium Distribution of Electrons and Holes 72 'J1
!P:tJ  
3.1.2 The no and Po Equations 74 cD JeYduK  
3.1.3 The Intrinsic Carrier Concentration 79 e?yrx6  
3.1.4 The Intrinsic Fermi-Level Position 82 mi'3ibCG  
3.2 Dopant Atoms and Energy Levels 83 rZ:-%#Q4  
3.2.1 Qualitative Description 83 3Q:HzqG  
3.2.2 Ionization Energy 86 45aFH}w:  
3.2.3 Group III-V Semiconductors 88 W:S?_JM  
3.3 Carrier Distributions in the Extrinsic Semiconductor 89 hj+iB,8  
3.3.1 Equilibrium Distribution of Electrons and Holes 89 Y:#nk.}>  
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