半导体器件导论,影印版,作者:(美)尼曼

《半导体器件导论》(影印版)还尽量保持了原书的主要优点：(1)注重基本概念和方法。《半导体器件导论》(影印版)从内容的整体编排到具体章节的叙述，都体现了突出物理概念、强调基本分析方法的指导思想。书中的数学推导和物理分析融为一体，得出的结论不仅对理解物理概念十分重要，而且经得起反复推敲。书中还采用了大量非常清晰的插图，帮助读者更好地理解基本概念。(2)可读性强，便于自学。全书脉络清楚，说理透彻，易于读者理解和掌握。每一章的开头都有引言，告诉读者可以从本章学到什么，应该掌握什么；每一章中都有例题和读者自测题；每一章的最后还有总结、复习提纲和大量习题(其中包含一些采用计算机进行模拟计算的练习题)。通过举例和练习加深读者对基本概念的理解是《半导体器件导论》(影印版)突出的特点。 %Q=rm!Syv  
《半导体器件导论》(影印版)是美国新墨西哥大学电机与计算机工程系Neamen教授所著的“SereicorlductorPhysics and Devices，3rd edition”一书的改进版本。 SB:z[kfz|  
与原书相比，《半导体器件导论》(影印版)更好地将固体晶格结构、量子力学入门知识、固体的量子理论以及半导体物理和半导体器件有机地结合在一起。利用《半导体器件导论》(影印版)，学生只需要具有高等数学和大学普通物理的基础，用一个学期就可以系统地学习到半导体器件的基本理论，从而为进入微电子学研究领域打下一个良好的基础。这一特点也是目前国内出版的同类教材很难达到的。 a
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Preface xvii +.v+Opp,  
CHAPTER 1 L+lX
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The Crystal Structure of Solids w6ck wn,  
1.0 Preview 1 A~;.9{6J[t  
1.1 Semiconductor Materials 2 ?z3|^oU~d  
1.2 Types of Solids 3 W]D+[mpgK  
1.3 Space Lattices 4 [KMS/'; ]  
1.3.1 Primitive and Unit Cell 4 Hn]6re  
1.3.2 Basic Crystal Structures 6 z3M6<.K  
1.3.3 Crystal Planes and Miller Indices ,nWZJ&B  
1.3.4 The Diamond Structure 13 ^vZu[m  
1.4 Atomic Bonding 15 
E?jb?  
1.5 Imperfections and Impurities in Solids 17 Gw#z:gX2  
1.5.1 Imperfections in Solids 17 S-79
uo  
1.5.2 Impurities in Solids 18 Pa{b
kr  
1.6 Growth of Semiconductor Materials 19 FX+^S?x.  
1.6.1 Growth from a Melt 20 0xV[C4E[6  
1.6.2 Epitaxial Growth 22 4rypT-%^;  
1.7 Device Fabrication Techniques: <U}2
5AR  
Oxidation 23 :eBp`dmn  
1.8 Summary 25 LbnF8tj}h  
Problems 27 ~g *`E!2  
CHAPTER 2 JY9hD;`6y  
Theory of Solids 31 ,UfB{BW  
2.0 Preview 31 R+Rb[,m  
2.1 Principles of Quantum Mechanics 32 zc1~q  
2.1.1 Energy Quanta 32 ze`qf%  
2.1.2 Wave-Particle Duality Principle 34 ah!fQLMH  
2.2 Energy Quantization and Probability Concepts 36 ;nb>IL  
2.2.1 Physical Meaning of the Wave Function 36 OQ _wsAA  
2.2.2 The One-Electron Atom 37 *jl_,0g]  
2.2.3 Periodic Table 40 R/&C}6Gn  
2.3 Energy-Band Theory 41 :Ek3]`q#  
2.3.1 Formation of Energy Bands 41 ;_1>nXh  
2.3.2 The Energy Band and the Bond Model 45 mZ.E;X& ,*  
2.3.3 Charge Carriers——Electrons and Holes 47 nVk]Qe  
2.3.4 Effective Mass 49 ,]=Qgn  
2.3.5 Metals, Insulators, and Semiconductors 50 TzrU |D?  
2.3.6 The k-Space Diagram 52 X6oY-4O  
2,4 Density of States Function 55 *4 Kc "M  
2.5 Statistical Mechanics 57 9z(h8H  
2.5.1 Statistical Laws 57 e0<L^|S  
2.5.2 The Fermi-Dirac Distribution Function DO? bJ01  
and the Fermi Energy 58 u_S>`I  
2.5.3 Maxwell-Boltzmann Approximation 62 hF-
X8$[  
2.6 Summary 64 q?oJ=]m"  
Problems 65 nHB`<B  
CHAPTER 3 4\Cb4jq%/  
The Semiconductor in Equilibrium 70 G/8G`teAZ  
3.0 Preview 70 :w4I+*]  
3.1 Charge Carriers in Semiconductors 71 JmVha!<
qk  
3.1.1 Equilibrium Distribution of Electrons and Holes 72 |Vc:o_n7  
3.1.2 The no and Po Equations 74 CYC6:g|)  
3.1.3 The Intrinsic Carrier Concentration 79 WR>2t&;E  
3.1.4 The Intrinsic Fermi-Level Position 82 Gp))1
b';  
3.2 Dopant Atoms and Energy Levels 83 l7GLN1#m  
3.2.1 Qualitative Description 83 mQt?d?6  
3.2.2 Ionization Energy 86 A\<WnG>xjP  
3.2.3 Group III-V Semiconductors 88 3WF6bJN  
3.3 Carrier Distributions in the Extrinsic Semiconductor 89 :6Sb3w5h  
3.3.1 Equilibrium Distribution of Electrons and Holes 89 _:l<4u!  
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