半导体器件导论,影印版,作者:(美)尼曼

《半导体器件导论》(影印版)还尽量保持了原书的主要优点：(1)注重基本概念和方法。《半导体器件导论》(影印版)从内容的整体编排到具体章节的叙述，都体现了突出物理概念、强调基本分析方法的指导思想。书中的数学推导和物理分析融为一体，得出的结论不仅对理解物理概念十分重要，而且经得起反复推敲。书中还采用了大量非常清晰的插图，帮助读者更好地理解基本概念。(2)可读性强，便于自学。全书脉络清楚，说理透彻，易于读者理解和掌握。每一章的开头都有引言，告诉读者可以从本章学到什么，应该掌握什么；每一章中都有例题和读者自测题；每一章的最后还有总结、复习提纲和大量习题(其中包含一些采用计算机进行模拟计算的练习题)。通过举例和练习加深读者对基本概念的理解是《半导体器件导论》(影印版)突出的特点。 Q#$dp  
《半导体器件导论》(影印版)是美国新墨西哥大学电机与计算机工程系Neamen教授所著的“SereicorlductorPhysics and Devices，3rd edition”一书的改进版本。 5HbPS%^.  
与原书相比，《半导体器件导论》(影印版)更好地将固体晶格结构、量子力学入门知识、固体的量子理论以及半导体物理和半导体器件有机地结合在一起。利用《半导体器件导论》(影印版)，学生只需要具有高等数学和大学普通物理的基础，用一个学期就可以系统地学习到半导体器件的基本理论，从而为进入微电子学研究领域打下一个良好的基础。这一特点也是目前国内出版的同类教材很难达到的。 }JWk?  

图片:daolun.jpg

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Preface xvii gI~jf- w  
CHAPTER 1 Rh#TR"  
The Crystal Structure of Solids n1)m(,{  
1.0 Preview 1 R_DZJV O  
1.1 Semiconductor Materials 2 B,dKpz;kFg  
1.2 Types of Solids 3 O/Wc@Ln  
1.3 Space Lattices 4 G@n%P~  
1.3.1 Primitive and Unit Cell 4 W%7m3/d  
1.3.2 Basic Crystal Structures 6 [R[Suf  
1.3.3 Crystal Planes and Miller Indices AJH-V 6  
1.3.4 The Diamond Structure 13 B\!.o=<h  
1.4 Atomic Bonding 15 }h)[>I(  
1.5 Imperfections and Impurities in Solids 17 ]hkway  
1.5.1 Imperfections in Solids 17 *[_>d.i  
1.5.2 Impurities in Solids 18 eqE%ofW  
1.6 Growth of Semiconductor Materials 19 5zBsulRt  
1.6.1 Growth from a Melt 20 rRZ ,X%  
1.6.2 Epitaxial Growth 22 6|:]2S  
1.7 Device Fabrication Techniques: @=[S
sS  
Oxidation 23 APksY!  
1.8 Summary 25 DV/P/1E  
Problems 27 FLekyJmw~  
CHAPTER 2 
OW<5,h  
Theory of Solids 31 U8KEg)Msk  
2.0 Preview 31 *m sW4|=^2  
2.1 Principles of Quantum Mechanics 32 /\9X0a2h|E  
2.1.1 Energy Quanta 32 VXAgp6  
2.1.2 Wave-Particle Duality Principle 34 az]S&\i7T  
2.2 Energy Quantization and Probability Concepts 36 VFMg$qv|_  
2.2.1 Physical Meaning of the Wave Function 36 COK7 i^  
2.2.2 The One-Electron Atom 37 UujFZg[-P9  
2.2.3 Periodic Table 40 ^CwzAB  
2.3 Energy-Band Theory 41 :bgi*pR{  
2.3.1 Formation of Energy Bands 41 \/9uS.Kw  
2.3.2 The Energy Band and the Bond Model 45 ^4yFLqrC  
2.3.3 Charge Carriers——Electrons and Holes 47 @kLpK  
2.3.4 Effective Mass 49 MW+]w~7_Q  
2.3.5 Metals, Insulators, and Semiconductors 50 7Jm9,4]  
2.3.6 The k-Space Diagram 52 WVf>>E^1  
2,4 Density of States Function 55 8Mq] V v  
2.5 Statistical Mechanics 57 LPk85E  
2.5.1 Statistical Laws 57 3RP}lb  
2.5.2 The Fermi-Dirac Distribution Function n'JwT! A  
and the Fermi Energy 58 q<b;xx  
2.5.3 Maxwell-Boltzmann Approximation 62 pFg9-xd%  
2.6 Summary 64 XoaBX2  
Problems 65 H{P"$zj`l  
CHAPTER 3 "rr,P0lgX  
The Semiconductor in Equilibrium 70 Bk1Q.Un  
3.0 Preview 70 P$\vD^  
3.1 Charge Carriers in Semiconductors 71 \~z
Tc_  
3.1.1 Equilibrium Distribution of Electrons and Holes 72 U:E:"  
3.1.2 The no and Po Equations 74 :R<n{%~  
3.1.3 The Intrinsic Carrier Concentration 79 4PEJ}BW  
3.1.4 The Intrinsic Fermi-Level Position 82 KutR l$,
 
3.2 Dopant Atoms and Energy Levels 83 C/+8lA6NV  
3.2.1 Qualitative Description 83 fmvv q1G&  
3.2.2 Ionization Energy 86 w7"Z@$fs  
3.2.3 Group III-V Semiconductors 88 Ov)rsi
 
3.3 Carrier Distributions in the Extrinsic Semiconductor 89 % ;2x.  
3.3.1 Equilibrium Distribution of Electrons and Holes 89 3D k W  
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