半导体器件导论,影印版,作者:(美)尼曼

《半导体器件导论》(影印版)还尽量保持了原书的主要优点：(1)注重基本概念和方法。《半导体器件导论》(影印版)从内容的整体编排到具体章节的叙述，都体现了突出物理概念、强调基本分析方法的指导思想。书中的数学推导和物理分析融为一体，得出的结论不仅对理解物理概念十分重要，而且经得起反复推敲。书中还采用了大量非常清晰的插图，帮助读者更好地理解基本概念。(2)可读性强，便于自学。全书脉络清楚，说理透彻，易于读者理解和掌握。每一章的开头都有引言，告诉读者可以从本章学到什么，应该掌握什么；每一章中都有例题和读者自测题；每一章的最后还有总结、复习提纲和大量习题(其中包含一些采用计算机进行模拟计算的练习题)。通过举例和练习加深读者对基本概念的理解是《半导体器件导论》(影印版)突出的特点。 #!\g5 ')mC  
《半导体器件导论》(影印版)是美国新墨西哥大学电机与计算机工程系Neamen教授所著的“SereicorlductorPhysics and Devices，3rd edition”一书的改进版本。 "}PaMR]  
与原书相比，《半导体器件导论》(影印版)更好地将固体晶格结构、量子力学入门知识、固体的量子理论以及半导体物理和半导体器件有机地结合在一起。利用《半导体器件导论》(影印版)，学生只需要具有高等数学和大学普通物理的基础，用一个学期就可以系统地学习到半导体器件的基本理论，从而为进入微电子学研究领域打下一个良好的基础。这一特点也是目前国内出版的同类教材很难达到的。 IfoeHAWX  

图片:daolun.jpg

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Preface xvii ' }rUbJo  
CHAPTER 1 TD+V.}  
The Crystal Structure of Solids CuPZ0  
1.0 Preview 1 6\(wU?m'/  
1.1 Semiconductor Materials 2 @bdGV#*d  
1.2 Types of Solids 3 r8XY"<
  
1.3 Space Lattices 4 XGZ1a/x;s  
1.3.1 Primitive and Unit Cell 4 rmc0dm&l]  
1.3.2 Basic Crystal Structures 6 kS[xwbE  
1.3.3 Crystal Planes and Miller Indices Le"$ksu>  
1.3.4 The Diamond Structure 13 HT/zcd)}#  
1.4 Atomic Bonding 15 KFHn)+*"  
1.5 Imperfections and Impurities in Solids 17 0|8c2{9X,  
1.5.1 Imperfections in Solids 17 +)Tt\Q%7  
1.5.2 Impurities in Solids 18 Klh7&HzR  
1.6 Growth of Semiconductor Materials 19 Z
^9;sb,x  
1.6.1 Growth from a Melt 20 O3#4B!J$E  
1.6.2 Epitaxial Growth 22 I,D24W4l  
1.7 Device Fabrication Techniques: w> `3{MTQ  
Oxidation 23 A?8f 6  
1.8 Summary 25 >6 [{\uPK  
Problems 27 l)`bm/k]V  
CHAPTER 2 ZRO   
Theory of Solids 31 W0eb9g`s  
2.0 Preview 31 *+h2,Z('a  
2.1 Principles of Quantum Mechanics 32 Cul^b_UmP#  
2.1.1 Energy Quanta 32 cYyv iR59#  
2.1.2 Wave-Particle Duality Principle 34 $O,$KAC  
2.2 Energy Quantization and Probability Concepts 36 #/t^?$8\\  
2.2.1 Physical Meaning of the Wave Function 36 #(-V^T  
2.2.2 The One-Electron Atom 37 {ScilT  
2.2.3 Periodic Table 40 dK,j|  
2.3 Energy-Band Theory 41
o~H4<ayy  
2.3.1 Formation of Energy Bands 41 &AH@|$!E  
2.3.2 The Energy Band and the Bond Model 45 bb[.Kvq5  
2.3.3 Charge Carriers——Electrons and Holes 47 Be"D0=<  
2.3.4 Effective Mass 49 UOH2I+@V  
2.3.5 Metals, Insulators, and Semiconductors 50 cP63q|[[  
2.3.6 The k-Space Diagram 52 \;&9h1?Mn  
2,4 Density of States Function 55 /\_`Pkd3m  
2.5 Statistical Mechanics 57 :9q=o|T6D  
2.5.1 Statistical Laws 57 QPgM<ns  
2.5.2 The Fermi-Dirac Distribution Function ;>Y,b4B;  
and the Fermi Energy 58 j K?GB  
2.5.3 Maxwell-Boltzmann Approximation 62 *[@lp7  
2.6 Summary 64 @U'I_`LL  
Problems 65 .)|r!X  
CHAPTER 3 fdGls`H  
The Semiconductor in Equilibrium 70 #+V-65v  
3.0 Preview 70 sL]KBux  
3.1 Charge Carriers in Semiconductors 71 x9R_KLN:;  
3.1.1 Equilibrium Distribution of Electrons and Holes 72 gJ cf~@s  
3.1.2 The no and Po Equations 74 Y s[JxP  
3.1.3 The Intrinsic Carrier Concentration 79 $J&wwP[  
3.1.4 The Intrinsic Fermi-Level Position 82 ^yg`U(  
3.2 Dopant Atoms and Energy Levels 83 =8[4gM+  
3.2.1 Qualitative Description 83 :Lqz`  
3.2.2 Ionization Energy 86 #rM/  
3.2.3 Group III-V Semiconductors 88 , A?o  
3.3 Carrier Distributions in the Extrinsic Semiconductor 89 %k @"*  
3.3.1 Equilibrium Distribution of Electrons and Holes 89 c*$&MCh  
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