半导体器件导论,影印版,作者:(美)尼曼

《半导体器件导论》(影印版)还尽量保持了原书的主要优点：(1)注重基本概念和方法。《半导体器件导论》(影印版)从内容的整体编排到具体章节的叙述，都体现了突出物理概念、强调基本分析方法的指导思想。书中的数学推导和物理分析融为一体，得出的结论不仅对理解物理概念十分重要，而且经得起反复推敲。书中还采用了大量非常清晰的插图，帮助读者更好地理解基本概念。(2)可读性强，便于自学。全书脉络清楚，说理透彻，易于读者理解和掌握。每一章的开头都有引言，告诉读者可以从本章学到什么，应该掌握什么；每一章中都有例题和读者自测题；每一章的最后还有总结、复习提纲和大量习题(其中包含一些采用计算机进行模拟计算的练习题)。通过举例和练习加深读者对基本概念的理解是《半导体器件导论》(影印版)突出的特点。 7*sB"_U2  
《半导体器件导论》(影印版)是美国新墨西哥大学电机与计算机工程系Neamen教授所著的“SereicorlductorPhysics and Devices，3rd edition”一书的改进版本。 u!O)\m-  
与原书相比，《半导体器件导论》(影印版)更好地将固体晶格结构、量子力学入门知识、固体的量子理论以及半导体物理和半导体器件有机地结合在一起。利用《半导体器件导论》(影印版)，学生只需要具有高等数学和大学普通物理的基础，用一个学期就可以系统地学习到半导体器件的基本理论，从而为进入微电子学研究领域打下一个良好的基础。这一特点也是目前国内出版的同类教材很难达到的。 C`fQ` RL\  

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Preface xvii N)QW$iw9  
CHAPTER 1 >6c{CYuT  
The Crystal Structure of Solids MZ0 J/@(  
1.0 Preview 1 GE|V^_|i  
1.1 Semiconductor Materials 2 p &A3l  
1.2 Types of Solids 3 9BP-Iet  
1.3 Space Lattices 4 2gA6$s7  
1.3.1 Primitive and Unit Cell 4 2vynz,^ET  
1.3.2 Basic Crystal Structures 6 )gZ yW  
1.3.3 Crystal Planes and Miller Indices uKK+V6}!kj  
1.3.4 The Diamond Structure 13 `On%1%k8  
1.4 Atomic Bonding 15 ]`LMy
t0  
1.5 Imperfections and Impurities in Solids 17 YM-,L-HMA  
1.5.1 Imperfections in Solids 17 y:mXv<g  
1.5.2 Impurities in Solids 18 GujmBb  
1.6 Growth of Semiconductor Materials 19 PAJt M  
1.6.1 Growth from a Melt 20 o<Q~pd#Ip,  
1.6.2 Epitaxial Growth 22 )Zox;}WK+  
1.7 Device Fabrication Techniques: Uo# Pe@ieQ  
Oxidation 23 Bx)4B
PaN  
1.8 Summary 25 @I9A"4Im  
Problems 27 yN9/'c~  
CHAPTER 2 }}<^fM  
Theory of Solids 31 _G@)Bj^*  
2.0 Preview 31 fnB[b[  
2.1 Principles of Quantum Mechanics 32 Y-v6xUc{F  
2.1.1 Energy Quanta 32 C1hp2CW$5/  
2.1.2 Wave-Particle Duality Principle 34 MGK%F#PM  
2.2 Energy Quantization and Probability Concepts 36 R,8;GS42  
2.2.1 Physical Meaning of the Wave Function 36 29:] cL(5  
2.2.2 The One-Electron Atom 37 Pa+%H]vB  
2.2.3 Periodic Table 40 W;Ct[Y8m  
2.3 Energy-Band Theory 41 `#R[x7bA1  
2.3.1 Formation of Energy Bands 41 A|7%j0T  
2.3.2 The Energy Band and the Bond Model 45 N^v"n*M0|  
2.3.3 Charge Carriers——Electrons and Holes 47 L\aG.\  
2.3.4 Effective Mass 49 eot%Th?[  
2.3.5 Metals, Insulators, and Semiconductors 50 =XVw{\#9 b  
2.3.6 The k-Space Diagram 52 UZz/v#y~  
2,4 Density of States Function 55 vr"O9L w  
2.5 Statistical Mechanics 57 xQ%N% `  
2.5.1 Statistical Laws 57 !#3v<_]#d  
2.5.2 The Fermi-Dirac Distribution Function ',P$m&
z  
and the Fermi Energy 58 P`^nNX]x+,  
2.5.3 Maxwell-Boltzmann Approximation 62 XkDIP4v%  
2.6 Summary 64 /V0[Urc@  
Problems 65 }"Clv/
3_  
CHAPTER 3  Z/RSZ-  
The Semiconductor in Equilibrium 70 a[I :^S  
3.0 Preview 70 .kcyw>T`I  
3.1 Charge Carriers in Semiconductors 71 5<YV`T{5Kl  
3.1.1 Equilibrium Distribution of Electrons and Holes 72 ~wvu7  
3.1.2 The no and Po Equations 74 &.F]-1RN[  
3.1.3 The Intrinsic Carrier Concentration 79 \,D>zF  
3.1.4 The Intrinsic Fermi-Level Position 82 uVN2}3!)Y  
3.2 Dopant Atoms and Energy Levels 83 GCZx-zD~>  
3.2.1 Qualitative Description 83 Ir#]p9:x  
3.2.2 Ionization Energy 86  0~4Ww=#  
3.2.3 Group III-V Semiconductors 88 ^,}1^?*  
3.3 Carrier Distributions in the Extrinsic Semiconductor 89 |h%=a8  
3.3.1 Equilibrium Distribution of Electrons and Holes 89 H%pD9'q~  
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