半导体器件导论,影印版,作者:(美)尼曼

《半导体器件导论》(影印版)还尽量保持了原书的主要优点：(1)注重基本概念和方法。《半导体器件导论》(影印版)从内容的整体编排到具体章节的叙述，都体现了突出物理概念、强调基本分析方法的指导思想。书中的数学推导和物理分析融为一体，得出的结论不仅对理解物理概念十分重要，而且经得起反复推敲。书中还采用了大量非常清晰的插图，帮助读者更好地理解基本概念。(2)可读性强，便于自学。全书脉络清楚，说理透彻，易于读者理解和掌握。每一章的开头都有引言，告诉读者可以从本章学到什么，应该掌握什么；每一章中都有例题和读者自测题；每一章的最后还有总结、复习提纲和大量习题(其中包含一些采用计算机进行模拟计算的练习题)。通过举例和练习加深读者对基本概念的理解是《半导体器件导论》(影印版)突出的特点。 DxFmsjX[L  
《半导体器件导论》(影印版)是美国新墨西哥大学电机与计算机工程系Neamen教授所著的“SereicorlductorPhysics and Devices，3rd edition”一书的改进版本。 8%@![$q<g  
与原书相比，《半导体器件导论》(影印版)更好地将固体晶格结构、量子力学入门知识、固体的量子理论以及半导体物理和半导体器件有机地结合在一起。利用《半导体器件导论》(影印版)，学生只需要具有高等数学和大学普通物理的基础，用一个学期就可以系统地学习到半导体器件的基本理论，从而为进入微电子学研究领域打下一个良好的基础。这一特点也是目前国内出版的同类教材很难达到的。 Q=,6W:j  

图片:daolun.jpg

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Preface xvii TQ/EH~Sz  
CHAPTER 1 U/W<Sa\`  
The Crystal Structure of Solids E=H>|FgS  
1.0 Preview 1 g[NmVY-o  
1.1 Semiconductor Materials 2 b6mSPH@  
1.2 Types of Solids 3 \-]zXKl2k  
1.3 Space Lattices 4 e;*GbXd|  
1.3.1 Primitive and Unit Cell 4 =02$Dwr  
1.3.2 Basic Crystal Structures 6 :"vW;$1 }  
1.3.3 Crystal Planes and Miller Indices 4dEfXrMf  
1.3.4 The Diamond Structure 13 #K:!s<_"  
1.4 Atomic Bonding 15 B#|c$s{  
1.5 Imperfections and Impurities in Solids 17 bvxol\7;  
1.5.1 Imperfections in Solids 17 /tG0"
1{  
1.5.2 Impurities in Solids 18 JJHfg)  
1.6 Growth of Semiconductor Materials 19 _+OnH!G0  
1.6.1 Growth from a Melt 20 -KuC31s_W  
1.6.2 Epitaxial Growth 22 QgR3kc^7/  
1.7 Device Fabrication Techniques: Q.]$t 2J  
Oxidation 23 Y#/mE!&  
1.8 Summary 25 z154lY}K  
Problems 27 Z}8khNCYr  
CHAPTER 2 *&=sL  
Theory of Solids 31 ^5MPK@)c,/  
2.0 Preview 31 zF)&o}  
2.1 Principles of Quantum Mechanics 32 o4^|n1vN  
2.1.1 Energy Quanta 32 )U?5O$M;lE  
2.1.2 Wave-Particle Duality Principle 34 sU|\? pJ  
2.2 Energy Quantization and Probability Concepts 36 JB <GV-l  
2.2.1 Physical Meaning of the Wave Function 36 >-%}'iz+  
2.2.2 The One-Electron Atom 37 i40'U?eG~6  
2.2.3 Periodic Table 40 U '$W$()p  
2.3 Energy-Band Theory 41 @(m+B\  
2.3.1 Formation of Energy Bands 41 `X:o]t@  
2.3.2 The Energy Band and the Bond Model 45 K&\ q6bU  
2.3.3 Charge Carriers——Electrons and Holes 47 .Wr
%l$~  
2.3.4 Effective Mass 49 b-`=
^ny)K  
2.3.5 Metals, Insulators, and Semiconductors 50 }Ai_peO0a  
2.3.6 The k-Space Diagram 52 =o!1}'1}}  
2,4 Density of States Function 55 Fv<^\q  
2.5 Statistical Mechanics 57 :rBPgrt  
2.5.1 Statistical Laws 57 m\0Xh*  
2.5.2 The Fermi-Dirac Distribution Function 5}+&Em":  
and the Fermi Energy 58 Mur)'  
2.5.3 Maxwell-Boltzmann Approximation 62 N4xCZb  
2.6 Summary 64 H;~Lv;,g,  
Problems 65 |h7 d#V>  
CHAPTER 3 YV{^2)^  
The Semiconductor in Equilibrium 70 SyB2A\A  
3.0 Preview 70 }%T8?d]  
3.1 Charge Carriers in Semiconductors 71 ]SO-NR  
3.1.1 Equilibrium Distribution of Electrons and Holes 72 '1 }ybSG  
3.1.2 The no and Po Equations 74 X%Lhu6F  
3.1.3 The Intrinsic Carrier Concentration 79 z>6hK:27  
3.1.4 The Intrinsic Fermi-Level Position 82 j6JK4{  
3.2 Dopant Atoms and Energy Levels 83 &tJ!cTA.-  
3.2.1 Qualitative Description 83 LwI A4$d  
3.2.2 Ionization Energy 86 O7Z?y*  
3.2.3 Group III-V Semiconductors 88 UqA<rW  
3.3 Carrier Distributions in the Extrinsic Semiconductor 89 f i_'Ny>#  
3.3.1 Equilibrium Distribution of Electrons and Holes 89 t++ a  
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