半导体器件导论,影印版,作者:(美)尼曼

《半导体器件导论》(影印版)还尽量保持了原书的主要优点：(1)注重基本概念和方法。《半导体器件导论》(影印版)从内容的整体编排到具体章节的叙述，都体现了突出物理概念、强调基本分析方法的指导思想。书中的数学推导和物理分析融为一体，得出的结论不仅对理解物理概念十分重要，而且经得起反复推敲。书中还采用了大量非常清晰的插图，帮助读者更好地理解基本概念。(2)可读性强，便于自学。全书脉络清楚，说理透彻，易于读者理解和掌握。每一章的开头都有引言，告诉读者可以从本章学到什么，应该掌握什么；每一章中都有例题和读者自测题；每一章的最后还有总结、复习提纲和大量习题(其中包含一些采用计算机进行模拟计算的练习题)。通过举例和练习加深读者对基本概念的理解是《半导体器件导论》(影印版)突出的特点。 K>vl o/#!  
《半导体器件导论》(影印版)是美国新墨西哥大学电机与计算机工程系Neamen教授所著的“SereicorlductorPhysics and Devices，3rd edition”一书的改进版本。 c]Gs{V]\  
与原书相比，《半导体器件导论》(影印版)更好地将固体晶格结构、量子力学入门知识、固体的量子理论以及半导体物理和半导体器件有机地结合在一起。利用《半导体器件导论》(影印版)，学生只需要具有高等数学和大学普通物理的基础，用一个学期就可以系统地学习到半导体器件的基本理论，从而为进入微电子学研究领域打下一个良好的基础。这一特点也是目前国内出版的同类教材很难达到的。 %19~9Tw  

图片:daolun.jpg

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Preface xvii [Rub  
CHAPTER 1 ]zVQL_%,  
The Crystal Structure of Solids P>u2""c  
1.0 Preview 1 >]anTF`d  
1.1 Semiconductor Materials 2 V)Oot|  
1.2 Types of Solids 3 NC!B-3?x  
1.3 Space Lattices 4 qLN\>Z,3;  
1.3.1 Primitive and Unit Cell 4 H>D sAHS  
1.3.2 Basic Crystal Structures 6 :-#7j} R&  
1.3.3 Crystal Planes and Miller Indices cuH5f}oc  
1.3.4 The Diamond Structure 13 pY-!NoES  
1.4 Atomic Bonding 15 BKO^ux%  
1.5 Imperfections and Impurities in Solids 17 Q|P M6ta  
1.5.1 Imperfections in Solids 17 `q\F C[W  
1.5.2 Impurities in Solids 18 8\9W:D@"x  
1.6 Growth of Semiconductor Materials 19 7FkiT
  
1.6.1 Growth from a Melt 20 @67GVPcxl  
1.6.2 Epitaxial Growth 22 n|?sNM<J3  
1.7 Device Fabrication Techniques: s0]ZE\`H>  
Oxidation 23 X.>~DT%0Lm  
1.8 Summary 25 %z.V$2  
Problems 27 y`8U0TE3R  
CHAPTER 2 *z6A ~U  
Theory of Solids 31 v(R^LqE  
2.0 Preview 31 +|b#|>6  
2.1 Principles of Quantum Mechanics 32 K|\0jd)N  
2.1.1 Energy Quanta 32 \D'mo  
2.1.2 Wave-Particle Duality Principle 34 Gh.?6kuh  
2.2 Energy Quantization and Probability Concepts 36 TghT{h@  
2.2.1 Physical Meaning of the Wave Function 36 wLiPkW  
2.2.2 The One-Electron Atom 37 6W  
2.2.3 Periodic Table 40 l%('5oz@\  
2.3 Energy-Band Theory 41 !SE  
2.3.1 Formation of Energy Bands 41 5 (!F
Q  
2.3.2 The Energy Band and the Bond Model 45 d&L  
2.3.3 Charge Carriers——Electrons and Holes 47 H"A@Q.'  
2.3.4 Effective Mass 49 ~3Pp}eO~V  
2.3.5 Metals, Insulators, and Semiconductors 50 6iXV  
2.3.6 The k-Space Diagram 52 '5*&  
2,4 Density of States Function 55 O"|d~VQ  
2.5 Statistical Mechanics 57 9015PEO  
2.5.1 Statistical Laws 57 R\X;`ptT  
2.5.2 The Fermi-Dirac Distribution Function : O@(Sv  
and the Fermi Energy 58 8+7*> FD)1  
2.5.3 Maxwell-Boltzmann Approximation 62 ns~bz-n  
2.6 Summary 64 )g?jHm-p\  
Problems 65 zt9A-% \R  
CHAPTER 3 ~N}Zr$D  
The Semiconductor in Equilibrium 70 v!DK.PZbi  
3.0 Preview 70 =bP<cC=3b  
3.1 Charge Carriers in Semiconductors 71 A'uaR?  
3.1.1 Equilibrium Distribution of Electrons and Holes 72 mJd8?d  
3.1.2 The no and Po Equations 74 THX% z `  
3.1.3 The Intrinsic Carrier Concentration 79 5M9o(Z\AF  
3.1.4 The Intrinsic Fermi-Level Position 82 jj;TS%  
3.2 Dopant Atoms and Energy Levels 83 Ake l
.&  
3.2.1 Qualitative Description 83 OAFxf,b  
3.2.2 Ionization Energy 86 ZwY mR=  
3.2.3 Group III-V Semiconductors 88 Il>o60u1  
3.3 Carrier Distributions in the Extrinsic Semiconductor 89 Y1>OhHuN  
3.3.1 Equilibrium Distribution of Electrons and Holes 89 c;]^aaQ+>  
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