半导体器件导论,影印版,作者:(美)尼曼

发布:cyqdesign 2010-01-31 21:48 阅读:3768
半导体器件导论》(影印版)还尽量保持了原书的主要优点:(1)注重基本概念和方法。《半导体器件导论》(影印版)从内容的整体编排到具体章节的叙述,都体现了突出物理概念、强调基本分析方法的指导思想。书中的数学推导和物理分析融为一体,得出的结论不仅对理解物理概念十分重要,而且经得起反复推敲。书中还采用了大量非常清晰的插图,帮助读者更好地理解基本概念。(2)可读性强,便于自学。全书脉络清楚,说理透彻,易于读者理解和掌握。每一章的开头都有引言,告诉读者可以从本章学到什么,应该掌握什么;每一章中都有例题和读者自测题;每一章的最后还有总结、复习提纲和大量习题(其中包含一些采用计算机进行模拟计算的练习题)。通过举例和练习加深读者对基本概念的理解是《半导体器件导论》(影印版)突出的特点。 sOb=+u$$9  
《半导体器件导论》(影印版)是美国新墨西哥大学电机与计算机工程系Neamen教授所著的“SereicorlductorPhysics and Devices,3rd edition”一书的改进版本。 Fsi;[be$A  
与原书相比,《半导体器件导论》(影印版)更好地将固体晶格结构、量子力学入门知识、固体的量子理论以及半导体物理和半导体器件有机地结合在一起。利用《半导体器件导论》(影印版),学生只需要具有高等数学和大学普通物理的基础,用一个学期就可以系统地学习到半导体器件的基本理论,从而为进入微电子学研究领域打下一个良好的基础。这一特点也是目前国内出版的同类教材很难达到的。 :211T&B%A_  
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市场价:¥69.00 <4,LTB]9-  
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P&.-c _  
E*G {V j  
Preface xvii 8h'*[-]70u  
CHAPTER 1 *)xjMTJ%  
The Crystal Structure of Solids S<Od`I  
1.0 Preview 1 ||^+(  
1.1 Semiconductor Materials 2 :/~TV   
1.2 Types of Solids 3 {}DoRp q=  
1.3 Space Lattices 4 ;JV(!8[  
1.3.1 Primitive and Unit Cell 4 bv9nDNPD4  
1.3.2 Basic Crystal Structures 6 :=e"D;5  
1.3.3 Crystal Planes and Miller Indices y\@INA^  
1.3.4 The Diamond Structure 13 w7`09oJm  
1.4 Atomic Bonding 15 9`Zwa_Tni  
1.5 Imperfections and Impurities in Solids 17 ? uu,w  
1.5.1 Imperfections in Solids 17 u)9YRMl  
1.5.2 Impurities in Solids 18 +Vw]DLWR  
1.6 Growth of Semiconductor Materials 19 \SyG#.$  
1.6.1 Growth from a Melt 20 HMl M!Xk?  
1.6.2 Epitaxial Growth 22 :e!3-#H  
1.7 Device Fabrication Techniques: i>{.Y};  
Oxidation 23 g\Akf  
1.8 Summary 25 $9rQ w1#e  
Problems 27 ePscSMx&  
CHAPTER 2 Sgq" 3(+%,  
Theory of Solids 31 Bhg,P.7  
2.0 Preview 31 -n~%v0D8c  
2.1 Principles of Quantum Mechanics 32 O%*:fd,o-  
2.1.1 Energy Quanta 32 ++Fv )KY@  
2.1.2 Wave-Particle Duality Principle 34 3F?_{A  
2.2 Energy Quantization and Probability Concepts 36 0@/C5 v  
2.2.1 Physical Meaning of the Wave Function 36 `L7Cf&W\l8  
2.2.2 The One-Electron Atom 37 /j"aOLL|  
2.2.3 Periodic Table 40 ,u^%[ejH  
2.3 Energy-Band Theory 41 Qv;q*4_  
2.3.1 Formation of Energy Bands 41 {VT**o  
2.3.2 The Energy Band and the Bond Model 45 /0(c-Dv  
2.3.3 Charge Carriers——Electrons and Holes 47 >TG#  
2.3.4 Effective Mass 49 "9O8#i<Nr  
2.3.5 Metals, Insulators, and Semiconductors 50 h )h%y)1  
2.3.6 The k-Space Diagram 52 SdNxSD$Q  
2,4 Density of States Function 55 9"cyZO  
2.5 Statistical Mechanics 57 8c5=Px2\  
2.5.1 Statistical Laws 57 sOhKMz  
2.5.2 The Fermi-Dirac Distribution Function CS\8ej}y  
and the Fermi Energy 58 d5#z\E??  
2.5.3 Maxwell-Boltzmann Approximation 62 Tl L\&n.$  
2.6 Summary 64 9=.7[-6i9  
Problems 65 N ,nvAM  
CHAPTER 3 #Q$e%VJ(c1  
The Semiconductor in Equilibrium 70 VYnB&3 %DF  
3.0 Preview 70 79Ur1-]/  
3.1 Charge Carriers in Semiconductors 71 &?Z<"+B8S  
3.1.1 Equilibrium Distribution of Electrons and Holes 72 a^7QHYJ6  
3.1.2 The no and Po Equations 74 g4&f2D5  
3.1.3 The Intrinsic Carrier Concentration 79 j9f[){m`  
3.1.4 The Intrinsic Fermi-Level Position 82 eqk.+~^  
3.2 Dopant Atoms and Energy Levels 83 yi*EE%  
3.2.1 Qualitative Description 83 lu;gmWz  
3.2.2 Ionization Energy 86 5V8`-yO9  
3.2.3 Group III-V Semiconductors 88 O:Wd ,3_  
3.3 Carrier Distributions in the Extrinsic Semiconductor 89 }fL ]}&  
3.3.1 Equilibrium Distribution of Electrons and Holes 89 ,:% h`P_  
……  GjyTM  
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关键词: 半导体器件
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