半导体器件导论,影印版,作者:(美)尼曼

《半导体器件导论》(影印版)还尽量保持了原书的主要优点：(1)注重基本概念和方法。《半导体器件导论》(影印版)从内容的整体编排到具体章节的叙述，都体现了突出物理概念、强调基本分析方法的指导思想。书中的数学推导和物理分析融为一体，得出的结论不仅对理解物理概念十分重要，而且经得起反复推敲。书中还采用了大量非常清晰的插图，帮助读者更好地理解基本概念。(2)可读性强，便于自学。全书脉络清楚，说理透彻，易于读者理解和掌握。每一章的开头都有引言，告诉读者可以从本章学到什么，应该掌握什么；每一章中都有例题和读者自测题；每一章的最后还有总结、复习提纲和大量习题(其中包含一些采用计算机进行模拟计算的练习题)。通过举例和练习加深读者对基本概念的理解是《半导体器件导论》(影印版)突出的特点。 G_,9h!e  
《半导体器件导论》(影印版)是美国新墨西哥大学电机与计算机工程系Neamen教授所著的“SereicorlductorPhysics and Devices，3rd edition”一书的改进版本。 j"aY\cLr t  
与原书相比，《半导体器件导论》(影印版)更好地将固体晶格结构、量子力学入门知识、固体的量子理论以及半导体物理和半导体器件有机地结合在一起。利用《半导体器件导论》(影印版)，学生只需要具有高等数学和大学普通物理的基础，用一个学期就可以系统地学习到半导体器件的基本理论，从而为进入微电子学研究领域打下一个良好的基础。这一特点也是目前国内出版的同类教材很难达到的。 "Dc\w@`E 0  

图片:daolun.jpg

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Preface xvii URg;e M#  
CHAPTER 1 Uzc p  
The Crystal Structure of Solids au/LoO#6Ro  
1.0 Preview 1 gmgri  
1.1 Semiconductor Materials 2 Xt$P!~Lu  
1.2 Types of Solids 3 -2>s#/%  
1.3 Space Lattices 4 EP>Lh7E9n  
1.3.1 Primitive and Unit Cell 4 R=<::2_Y96  
1.3.2 Basic Crystal Structures 6 hliO/3g  
1.3.3 Crystal Planes and Miller Indices dJQK|/  
1.3.4 The Diamond Structure 13 ViMl{3  
1.4 Atomic Bonding 15 "
DfjUk  
1.5 Imperfections and Impurities in Solids 17 >]ZE<.  
1.5.1 Imperfections in Solids 17 Us!ZQ#pP  
1.5.2 Impurities in Solids 18 ]Y!Fz<-;P  
1.6 Growth of Semiconductor Materials 19 l U4 I*  
1.6.1 Growth from a Melt 20 m-ibS:  
1.6.2 Epitaxial Growth 22 }LKD9U5;8  
1.7 Device Fabrication Techniques: FQ1B%u|  
Oxidation 23 a:`<=^:4,  
1.8 Summary 25 mH
0OW  
Problems 27 ~:o$}`mW  
CHAPTER 2
D}lqd Ja  
Theory of Solids 31 /4 OmnE;  
2.0 Preview 31 C;K+ITlJ  
2.1 Principles of Quantum Mechanics 32 .%e>>U>F  
2.1.1 Energy Quanta 32 q5=,\S3=  
2.1.2 Wave-Particle Duality Principle 34 (a8iCci:   
2.2 Energy Quantization and Probability Concepts 36 r|DIf28MIq  
2.2.1 Physical Meaning of the Wave Function 36 SA&(%f1d  
2.2.2 The One-Electron Atom 37 B["+7\c<~  
2.2.3 Periodic Table 40 R=D}([pi  
2.3 Energy-Band Theory 41 CEaAtAM  
2.3.1 Formation of Energy Bands 41 $p4e8j[EJ  
2.3.2 The Energy Band and the Bond Model 45 qlYi:uygY  
2.3.3 Charge Carriers——Electrons and Holes 47 P5oS 1iu*  
2.3.4 Effective Mass 49 *A
Q3RA8  
2.3.5 Metals, Insulators, and Semiconductors 50 ?k
QY ^pU  
2.3.6 The k-Space Diagram 52 V|kN 1 A  
2,4 Density of States Function 55 zIu/!aw  
2.5 Statistical Mechanics 57 6QbDU[  
2.5.1 Statistical Laws 57 @KU;'th  
2.5.2 The Fermi-Dirac Distribution Function >yXhP6  
and the Fermi Energy 58 zhd1)lgY  
2.5.3 Maxwell-Boltzmann Approximation 62 CJ%'VijhD  
2.6 Summary 64 +$nNYD  
Problems 65 N>"L2E=z$|  
CHAPTER 3 u/6if9B  
The Semiconductor in Equilibrium 70 QOY
MT(j  
3.0 Preview 70 O65`KOPn  
3.1 Charge Carriers in Semiconductors 71 +h+ 7Q'k  
3.1.1 Equilibrium Distribution of Electrons and Holes 72 ?O#,{ZZf=  
3.1.2 The no and Po Equations 74 N\B&|;-V  
3.1.3 The Intrinsic Carrier Concentration 79 [J}eNprg  
3.1.4 The Intrinsic Fermi-Level Position 82 $w{d4")  
3.2 Dopant Atoms and Energy Levels 83 h8 N|m0W  
3.2.1 Qualitative Description 83 [~ 2m*Q  
3.2.2 Ionization Energy 86 P-gjSE|yh  
3.2.3 Group III-V Semiconductors 88 G$V=\60a-  
3.3 Carrier Distributions in the Extrinsic Semiconductor 89 tlUh8os  
3.3.1 Equilibrium Distribution of Electrons and Holes 89 XX%K_p`&Z  
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