半导体器件导论,影印版,作者:(美)尼曼

发布:cyqdesign 2010-01-31 21:48 阅读:3784
半导体器件导论》(影印版)还尽量保持了原书的主要优点:(1)注重基本概念和方法。《半导体器件导论》(影印版)从内容的整体编排到具体章节的叙述,都体现了突出物理概念、强调基本分析方法的指导思想。书中的数学推导和物理分析融为一体,得出的结论不仅对理解物理概念十分重要,而且经得起反复推敲。书中还采用了大量非常清晰的插图,帮助读者更好地理解基本概念。(2)可读性强,便于自学。全书脉络清楚,说理透彻,易于读者理解和掌握。每一章的开头都有引言,告诉读者可以从本章学到什么,应该掌握什么;每一章中都有例题和读者自测题;每一章的最后还有总结、复习提纲和大量习题(其中包含一些采用计算机进行模拟计算的练习题)。通过举例和练习加深读者对基本概念的理解是《半导体器件导论》(影印版)突出的特点。 !DUg"o3G>  
《半导体器件导论》(影印版)是美国新墨西哥大学电机与计算机工程系Neamen教授所著的“SereicorlductorPhysics and Devices,3rd edition”一书的改进版本。 5Z1Do^  
与原书相比,《半导体器件导论》(影印版)更好地将固体晶格结构、量子力学入门知识、固体的量子理论以及半导体物理和半导体器件有机地结合在一起。利用《半导体器件导论》(影印版),学生只需要具有高等数学和大学普通物理的基础,用一个学期就可以系统地学习到半导体器件的基本理论,从而为进入微电子学研究领域打下一个良好的基础。这一特点也是目前国内出版的同类教材很难达到的。 iYQy#kO  
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市场价:¥69.00 1*, ~1!>  
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Nb9V/2c;V  
Preface xvii o/[yA3^  
CHAPTER 1 Fh4w0u*Q  
The Crystal Structure of Solids I%b:Z  
1.0 Preview 1 _wJ#jJz2  
1.1 Semiconductor Materials 2 W]Y!ZfGnN  
1.2 Types of Solids 3 ?UhAjtYIS  
1.3 Space Lattices 4 D}/.;]w<[&  
1.3.1 Primitive and Unit Cell 4 LOG*K;v3  
1.3.2 Basic Crystal Structures 6 =v`&iL~m  
1.3.3 Crystal Planes and Miller Indices e^Wv*OD'  
1.3.4 The Diamond Structure 13 Tvw2py q  
1.4 Atomic Bonding 15 adr^6n6 v  
1.5 Imperfections and Impurities in Solids 17 CZ%"Pqy&1L  
1.5.1 Imperfections in Solids 17 #YYvc`9  
1.5.2 Impurities in Solids 18 ao5yW;^y  
1.6 Growth of Semiconductor Materials 19 )n[Mh!mn  
1.6.1 Growth from a Melt 20 wQS w&G  
1.6.2 Epitaxial Growth 22 >Pd23TsN  
1.7 Device Fabrication Techniques: $>s@T(  
Oxidation 23 LmdV@gR  
1.8 Summary 25 [_G0kiI}W"  
Problems 27 FT<*  
CHAPTER 2 Gz5@1CF  
Theory of Solids 31 f#Oz("d  
2.0 Preview 31 MC)W?  
2.1 Principles of Quantum Mechanics 32 0bL=l0N$W  
2.1.1 Energy Quanta 32 !4.^@^L|\  
2.1.2 Wave-Particle Duality Principle 34 uqeWdj*Y  
2.2 Energy Quantization and Probability Concepts 36 g UAPjR  
2.2.1 Physical Meaning of the Wave Function 36  %!h+  
2.2.2 The One-Electron Atom 37 92_H!m/  
2.2.3 Periodic Table 40 ssbyvzQ  
2.3 Energy-Band Theory 41 'n.9qxY;  
2.3.1 Formation of Energy Bands 41 A8/4:>Is  
2.3.2 The Energy Band and the Bond Model 45 OL"5A18;M  
2.3.3 Charge Carriers——Electrons and Holes 47 /Z_ [)PTH  
2.3.4 Effective Mass 49 \~j(ui|  
2.3.5 Metals, Insulators, and Semiconductors 50 ]@T `q R  
2.3.6 The k-Space Diagram 52 E1w XG  
2,4 Density of States Function 55 ?G<I N)  
2.5 Statistical Mechanics 57 < io8 b|A  
2.5.1 Statistical Laws 57 _\[JMhd}  
2.5.2 The Fermi-Dirac Distribution Function '=Y~Ir+  
and the Fermi Energy 58 ):EXh#  
2.5.3 Maxwell-Boltzmann Approximation 62 $^ dk>Hj>4  
2.6 Summary 64 YVp0}m  
Problems 65 <Py/uF|  
CHAPTER 3 (uz!:dkvx  
The Semiconductor in Equilibrium 70 1vudT&  
3.0 Preview 70 b>._ r&.  
3.1 Charge Carriers in Semiconductors 71 leJd) {  
3.1.1 Equilibrium Distribution of Electrons and Holes 72 .JKaC>oX  
3.1.2 The no and Po Equations 74 BQf+1 Ly&  
3.1.3 The Intrinsic Carrier Concentration 79 @CUDD{1o  
3.1.4 The Intrinsic Fermi-Level Position 82 /UyE- "S  
3.2 Dopant Atoms and Energy Levels 83 8gm[Q[  
3.2.1 Qualitative Description 83 yvwcXNXR@  
3.2.2 Ionization Energy 86 (W/UR9x)|d  
3.2.3 Group III-V Semiconductors 88 Ap9w H[H  
3.3 Carrier Distributions in the Extrinsic Semiconductor 89 =B%e0M  
3.3.1 Equilibrium Distribution of Electrons and Holes 89 '2{o_<m  
…… ee` =B  
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关键词: 半导体器件
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