半导体器件导论,影印版,作者:(美)尼曼

发布:cyqdesign 2010-01-31 21:48 阅读:3804
半导体器件导论》(影印版)还尽量保持了原书的主要优点:(1)注重基本概念和方法。《半导体器件导论》(影印版)从内容的整体编排到具体章节的叙述,都体现了突出物理概念、强调基本分析方法的指导思想。书中的数学推导和物理分析融为一体,得出的结论不仅对理解物理概念十分重要,而且经得起反复推敲。书中还采用了大量非常清晰的插图,帮助读者更好地理解基本概念。(2)可读性强,便于自学。全书脉络清楚,说理透彻,易于读者理解和掌握。每一章的开头都有引言,告诉读者可以从本章学到什么,应该掌握什么;每一章中都有例题和读者自测题;每一章的最后还有总结、复习提纲和大量习题(其中包含一些采用计算机进行模拟计算的练习题)。通过举例和练习加深读者对基本概念的理解是《半导体器件导论》(影印版)突出的特点。 -zK>{)Z=q  
《半导体器件导论》(影印版)是美国新墨西哥大学电机与计算机工程系Neamen教授所著的“SereicorlductorPhysics and Devices,3rd edition”一书的改进版本。 9^*RK6  
与原书相比,《半导体器件导论》(影印版)更好地将固体晶格结构、量子力学入门知识、固体的量子理论以及半导体物理和半导体器件有机地结合在一起。利用《半导体器件导论》(影印版),学生只需要具有高等数学和大学普通物理的基础,用一个学期就可以系统地学习到半导体器件的基本理论,从而为进入微电子学研究领域打下一个良好的基础。这一特点也是目前国内出版的同类教材很难达到的。 Iy)1(upM  
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市场价:¥69.00 KM&P5}  
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J4qk^1m.  
S*l/ Sa@  
Preface xvii Cmx<>7fN  
CHAPTER 1 ,:Px(=d4  
The Crystal Structure of Solids jIKg* @  
1.0 Preview 1 tw4,gW  
1.1 Semiconductor Materials 2 JC'3x9_<z  
1.2 Types of Solids 3 3,p!Fun:r  
1.3 Space Lattices 4 ~(GvjB/C8  
1.3.1 Primitive and Unit Cell 4 I"&cr>\  
1.3.2 Basic Crystal Structures 6 )"TVR{I%B  
1.3.3 Crystal Planes and Miller Indices =z}PR1X!  
1.3.4 The Diamond Structure 13 H&s`Xr  
1.4 Atomic Bonding 15 YKe&Ph.  
1.5 Imperfections and Impurities in Solids 17 ~<k>07  
1.5.1 Imperfections in Solids 17 a8xvK;`  
1.5.2 Impurities in Solids 18 x}2nn)fdZ  
1.6 Growth of Semiconductor Materials 19 *(x.egORd  
1.6.1 Growth from a Melt 20 SGKAx<U  
1.6.2 Epitaxial Growth 22 *<\ `"C;  
1.7 Device Fabrication Techniques: c|<F8 n  
Oxidation 23 &[yC M!  
1.8 Summary 25 4&E"{d >  
Problems 27 EC,,l'%a|/  
CHAPTER 2 [P}Bq6;p  
Theory of Solids 31 CDJ@Tdp  
2.0 Preview 31 her>L3G-E  
2.1 Principles of Quantum Mechanics 32 U)dcemQY  
2.1.1 Energy Quanta 32 59nRk}^$se  
2.1.2 Wave-Particle Duality Principle 34 !w7/G  
2.2 Energy Quantization and Probability Concepts 36 u-~ec{oBu  
2.2.1 Physical Meaning of the Wave Function 36 HD<$0M|  
2.2.2 The One-Electron Atom 37 fV+a0=Z  
2.2.3 Periodic Table 40 hT%fM3|,e  
2.3 Energy-Band Theory 41 %Za}q]?  
2.3.1 Formation of Energy Bands 41 eX\v;~W*  
2.3.2 The Energy Band and the Bond Model 45 .$~3RjM  
2.3.3 Charge Carriers——Electrons and Holes 47 M[I=N  
2.3.4 Effective Mass 49 3?E7\\/R  
2.3.5 Metals, Insulators, and Semiconductors 50 wai3g-`  
2.3.6 The k-Space Diagram 52 pCkMm)2g!  
2,4 Density of States Function 55 KaEaJ  
2.5 Statistical Mechanics 57 <HnJD/g  
2.5.1 Statistical Laws 57 ; 8[VCU:  
2.5.2 The Fermi-Dirac Distribution Function +VVn@=&?  
and the Fermi Energy 58 Q7y' 0s  
2.5.3 Maxwell-Boltzmann Approximation 62 D@p{EH  
2.6 Summary 64 fDYTupKXH  
Problems 65 POk5+^  
CHAPTER 3 R\cx-h*  
The Semiconductor in Equilibrium 70 TJYhgna  
3.0 Preview 70 v,n 8$,  
3.1 Charge Carriers in Semiconductors 71 *Y8 5ev q  
3.1.1 Equilibrium Distribution of Electrons and Holes 72 RV]#Bg*[#  
3.1.2 The no and Po Equations 74 =b66H]h?  
3.1.3 The Intrinsic Carrier Concentration 79 I{w(`[Nxw*  
3.1.4 The Intrinsic Fermi-Level Position 82 YXo?(T..  
3.2 Dopant Atoms and Energy Levels 83 (?A c`H  
3.2.1 Qualitative Description 83 "PMJh3q  
3.2.2 Ionization Energy 86 l|+$4 Nb2  
3.2.3 Group III-V Semiconductors 88 _L=-z*a\  
3.3 Carrier Distributions in the Extrinsic Semiconductor 89 ;):;H?WS|A  
3.3.1 Equilibrium Distribution of Electrons and Holes 89 '-myOM7  
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关键词: 半导体器件
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