半导体器件导论,影印版,作者:(美)尼曼

发布:cyqdesign 2010-01-31 21:48 阅读:3802
半导体器件导论》(影印版)还尽量保持了原书的主要优点:(1)注重基本概念和方法。《半导体器件导论》(影印版)从内容的整体编排到具体章节的叙述,都体现了突出物理概念、强调基本分析方法的指导思想。书中的数学推导和物理分析融为一体,得出的结论不仅对理解物理概念十分重要,而且经得起反复推敲。书中还采用了大量非常清晰的插图,帮助读者更好地理解基本概念。(2)可读性强,便于自学。全书脉络清楚,说理透彻,易于读者理解和掌握。每一章的开头都有引言,告诉读者可以从本章学到什么,应该掌握什么;每一章中都有例题和读者自测题;每一章的最后还有总结、复习提纲和大量习题(其中包含一些采用计算机进行模拟计算的练习题)。通过举例和练习加深读者对基本概念的理解是《半导体器件导论》(影印版)突出的特点。 :)i,K>y3i  
《半导体器件导论》(影印版)是美国新墨西哥大学电机与计算机工程系Neamen教授所著的“SereicorlductorPhysics and Devices,3rd edition”一书的改进版本。 Il Qk W<  
与原书相比,《半导体器件导论》(影印版)更好地将固体晶格结构、量子力学入门知识、固体的量子理论以及半导体物理和半导体器件有机地结合在一起。利用《半导体器件导论》(影印版),学生只需要具有高等数学和大学普通物理的基础,用一个学期就可以系统地学习到半导体器件的基本理论,从而为进入微电子学研究领域打下一个良好的基础。这一特点也是目前国内出版的同类教材很难达到的。 zjh:jrv~  
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2Z%n "z68  
Preface xvii ^lt2,x   
CHAPTER 1 qZ'2M.;  
The Crystal Structure of Solids lg8@^Pm$r;  
1.0 Preview 1 :"MHmm=uU8  
1.1 Semiconductor Materials 2 /,\U*'-  
1.2 Types of Solids 3 tjt^R$[@  
1.3 Space Lattices 4 Kei0>hBi  
1.3.1 Primitive and Unit Cell 4 [^s;Ggi9  
1.3.2 Basic Crystal Structures 6 +<.o,3  
1.3.3 Crystal Planes and Miller Indices ]WYV  
1.3.4 The Diamond Structure 13 CgmAxcK  
1.4 Atomic Bonding 15 LWm1j:0  
1.5 Imperfections and Impurities in Solids 17 ?&-1(&  
1.5.1 Imperfections in Solids 17 Jx~H4y=z  
1.5.2 Impurities in Solids 18 8toOdh  
1.6 Growth of Semiconductor Materials 19 &3Yj2 Fw  
1.6.1 Growth from a Melt 20 l cHf\~  
1.6.2 Epitaxial Growth 22 C\;l)h_{  
1.7 Device Fabrication Techniques: h x&"fe  
Oxidation 23 )WbWp4  
1.8 Summary 25 }x\#ul)  
Problems 27 "3\y~<8%'  
CHAPTER 2 ; cvMNU$fN  
Theory of Solids 31 8-NycG&)  
2.0 Preview 31 hPSMPbI  
2.1 Principles of Quantum Mechanics 32 &Ap9h# dK  
2.1.1 Energy Quanta 32 \c CH/  
2.1.2 Wave-Particle Duality Principle 34 ((+XzV>  
2.2 Energy Quantization and Probability Concepts 36 ~HhB@G!3  
2.2.1 Physical Meaning of the Wave Function 36 tiE|%jOzt  
2.2.2 The One-Electron Atom 37 +^+'.xQ  
2.2.3 Periodic Table 40 Y|Q(JX  
2.3 Energy-Band Theory 41 Fz';H  
2.3.1 Formation of Energy Bands 41 3a.!9R>  
2.3.2 The Energy Band and the Bond Model 45 zmGHI! tP  
2.3.3 Charge Carriers——Electrons and Holes 47 F5RL+rU(h  
2.3.4 Effective Mass 49 't}\U&L.{  
2.3.5 Metals, Insulators, and Semiconductors 50 4r7F8*z  
2.3.6 The k-Space Diagram 52 Jh0Grq  
2,4 Density of States Function 55 G(.G>8pf  
2.5 Statistical Mechanics 57 o=_7KWOA  
2.5.1 Statistical Laws 57 (87| :{  
2.5.2 The Fermi-Dirac Distribution Function ioD8-  
and the Fermi Energy 58 T2S_> #."l  
2.5.3 Maxwell-Boltzmann Approximation 62 i7-~"g  
2.6 Summary 64 OU/}cu  
Problems 65 } LS8q  
CHAPTER 3 38p"lT  
The Semiconductor in Equilibrium 70 Hz GwO^tbK  
3.0 Preview 70 =Q40]>bpx  
3.1 Charge Carriers in Semiconductors 71 &{.IUg  
3.1.1 Equilibrium Distribution of Electrons and Holes 72 BP@tI|  
3.1.2 The no and Po Equations 74 e' o2PW  
3.1.3 The Intrinsic Carrier Concentration 79 9>w~B|/  
3.1.4 The Intrinsic Fermi-Level Position 82 RB+Jp  
3.2 Dopant Atoms and Energy Levels 83 Au'y(KB  
3.2.1 Qualitative Description 83 ;&O?4?@4  
3.2.2 Ionization Energy 86 HvG %##  
3.2.3 Group III-V Semiconductors 88 d-B+s%>D  
3.3 Carrier Distributions in the Extrinsic Semiconductor 89 2$5">%?  
3.3.1 Equilibrium Distribution of Electrons and Holes 89 d,Aa8I  
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关键词: 半导体器件
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