《
半导体器件导论》(影印版)还尽量保持了原书的主要优点:(1)注重基本概念和方法。《半导体器件导论》(影印版)从内容的整体编排到具体章节的叙述,都体现了突出
物理概念、强调基本分析方法的指导思想。书中的数学推导和物理分析融为一体,得出的结论不仅对理解物理概念十分重要,而且经得起反复推敲。书中还采用了大量非常清晰的插图,帮助读者更好地理解基本概念。(2)可读性强,便于自学。全书脉络清楚,说理透彻,易于读者理解和掌握。每一章的开头都有引言,告诉读者可以从本章学到什么,应该掌握什么;每一章中都有例题和读者自测题;每一章的最后还有总结、复习提纲和大量
习题(其中包含一些采用计算机进行模拟计算的练习题)。通过举例和练习加深读者对基本概念的理解是《半导体器件导论》(影印版)突出的特点。
mr6 ~8I 《半导体器件导论》(影印版)是美国新墨西哥大学电机与计算机工程系Neamen教授所著的“SereicorlductorPhysics and Devices,3rd edition”一书的改进版本。
X%Lhu6F 与原书相比,《半导体器件导论》(影印版)更好地将固体晶格结构、量子力学入门知识、固体的量子理论以及半导体物理和半导体器件有机地结合在一起。利用《半导体器件导论》(影印版),学生只需要具有高等数学和大学普通物理的基础,用一个学期就可以系统地学习到半导体器件的基本理论,从而为进入微
电子学研究领域打下一个良好的基础。这一特点也是目前国内出版的同类教材很难达到的。
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r'bPSu,
OpNxd]"T ~~B`\!n7 Preface xvii
oOAn 5t@ CHAPTER 1
u alpm#GU The Crystal Structure of Solids
FYLBaN 1.0 Preview 1
EL$"/ptE 1.1 Semiconductor Materials 2
}Z,x F` 1.2 Types of Solids 3
m-v0=+~& 1.3 Space Lattices 4
V?zCON 1.3.1 Primitive and Unit Cell 4
?=dp]E{ 1.3.2 Basic Crystal Structures 6
4%GwCEnS 1.3.3 Crystal Planes and Miller Indices
jY +u OH 1.3.4 The Diamond Structure 13
PsMp&~^ 1.4 Atomic Bonding 15
<b,oF]+;z 1.5 Imperfections and Impurities in Solids 17
QF74' 1.5.1 Imperfections in Solids 17
Qf
.ASC 1.5.2 Impurities in Solids 18
)ZQ>h{}D 1.6 Growth of Semiconductor Materials 19
C]bre^q 1.6.1 Growth from a Melt 20
y!kU0 1.6.2 Epitaxial Growth 22
m+a\NXWR?N 1.7 Device Fabrication Techniques:
( Ev=kO Oxidation 23
J6C/`)+w 1.8 Summary 25
|b+ZKRW Problems 27
MV?#g-5 CHAPTER 2
^aONuG9 Theory of Solids 31
? koIZ 2.0 Preview 31
h6(\ tRd!\ 2.1 Principles of Quantum Mechanics 32
z#|tcHVFT 2.1.1 Energy Quanta 32
5{Oq* | 2.1.2 Wave-Particle Duality Principle 34
7/969h^s 2.2 Energy Quantization and Probability Concepts 36
tYk!Y/O} 2.2.1 Physical Meaning of the Wave Function 36
/n3Qcht 2.2.2 The One-Electron Atom 37
r1A<XP|1?I 2.2.3 Periodic Table 40
]=28s
*@ 2.3 Energy-Band Theory 41
?heg_~P 2.3.1 Formation of Energy Bands 41
GD-cP5$ 2.3.2 The Energy Band and the Bond Model 45
_)%Sz"g^Ix 2.3.3 Charge Carriers——Electrons and Holes 47
4c'F.0^ 2.3.4 Effective Mass 49
Q{:=z6& 2.3.5 Metals, Insulators, and Semiconductors 50
Re<@.d 2.3.6 The k-Space Diagram 52
c.eUlr_{ 2,4 Density of States Function 55
>At* jg48 2.5 Statistical Mechanics 57
"2=v:\~= 2.5.1 Statistical Laws 57
r^v1_u,1I 2.5.2 The Fermi-Dirac Distribution Function
-FGM>~x and the Fermi Energy 58
Ef]<0Tm]: 2.5.3 Maxwell-Boltzmann Approximation 62
/_D_W,#P 2.6 Summary 64
'o]kOp@q Problems 65
Iy#=Nq= CHAPTER 3
@j`gxM_-O The Semiconductor in Equilibrium 70
oB$c-!& 3.0 Preview 70
\n>7T*iM& 3.1 Charge Carriers in Semiconductors 71
uefrE53 3.1.1 Equilibrium Distribution of Electrons and Holes 72
35KRJY# 3.1.2 The no and Po Equations 74
V]5MIiNl 3.1.3 The Intrinsic Carrier Concentration 79
$}8@?>-w 3.1.4 The Intrinsic Fermi-Level Position 82
yBl9 a-2A 3.2 Dopant Atoms and Energy Levels 83
%5ovW<E: 3.2.1 Qualitative Description 83
v
vzP t.ag 3.2.2 Ionization Energy 86
!I jU *c@ 3.2.3 Group III-V Semiconductors 88
7SJbrOL4Q- 3.3 Carrier Distributions in the Extrinsic Semiconductor 89
wM1&_%N 3.3.1 Equilibrium Distribution of Electrons and Holes 89
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