半导体器件导论,影印版,作者:(美)尼曼

发布:cyqdesign 2010-01-31 21:48 阅读:3797
半导体器件导论》(影印版)还尽量保持了原书的主要优点:(1)注重基本概念和方法。《半导体器件导论》(影印版)从内容的整体编排到具体章节的叙述,都体现了突出物理概念、强调基本分析方法的指导思想。书中的数学推导和物理分析融为一体,得出的结论不仅对理解物理概念十分重要,而且经得起反复推敲。书中还采用了大量非常清晰的插图,帮助读者更好地理解基本概念。(2)可读性强,便于自学。全书脉络清楚,说理透彻,易于读者理解和掌握。每一章的开头都有引言,告诉读者可以从本章学到什么,应该掌握什么;每一章中都有例题和读者自测题;每一章的最后还有总结、复习提纲和大量习题(其中包含一些采用计算机进行模拟计算的练习题)。通过举例和练习加深读者对基本概念的理解是《半导体器件导论》(影印版)突出的特点。 96 q_ K84K  
《半导体器件导论》(影印版)是美国新墨西哥大学电机与计算机工程系Neamen教授所著的“SereicorlductorPhysics and Devices,3rd edition”一书的改进版本。 D7lK30  
与原书相比,《半导体器件导论》(影印版)更好地将固体晶格结构、量子力学入门知识、固体的量子理论以及半导体物理和半导体器件有机地结合在一起。利用《半导体器件导论》(影印版),学生只需要具有高等数学和大学普通物理的基础,用一个学期就可以系统地学习到半导体器件的基本理论,从而为进入微电子学研究领域打下一个良好的基础。这一特点也是目前国内出版的同类教材很难达到的。 r@v,T8  
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[Sr,h0h6  
Preface xvii {["\.ZS|  
CHAPTER 1 t]y D-3'l&  
The Crystal Structure of Solids so"$m  
1.0 Preview 1 IE;~?W"  
1.1 Semiconductor Materials 2 YP.5fq:  
1.2 Types of Solids 3 [`{Z}q&  
1.3 Space Lattices 4 wfU7G[  
1.3.1 Primitive and Unit Cell 4 5mJJU  
1.3.2 Basic Crystal Structures 6 ),UX4%K=  
1.3.3 Crystal Planes and Miller Indices PZE0}>z  
1.3.4 The Diamond Structure 13 l)Pu2!Ic  
1.4 Atomic Bonding 15 u.mJQDTH  
1.5 Imperfections and Impurities in Solids 17 DF1I[b=]  
1.5.1 Imperfections in Solids 17 bSfpbo4(  
1.5.2 Impurities in Solids 18 `tHvD=`m.  
1.6 Growth of Semiconductor Materials 19 _A+s)]}  
1.6.1 Growth from a Melt 20 uJFdbBDSh  
1.6.2 Epitaxial Growth 22 =U#dJ^4P  
1.7 Device Fabrication Techniques: X 9p.gXF  
Oxidation 23 D2](da:]8)  
1.8 Summary 25 f|h|q_<;  
Problems 27 !n* +(lZ  
CHAPTER 2 p[hZ@f(z  
Theory of Solids 31 kSR\RuY*  
2.0 Preview 31 LV\DBDM  
2.1 Principles of Quantum Mechanics 32 d]:I(9K  
2.1.1 Energy Quanta 32 gCioq.  
2.1.2 Wave-Particle Duality Principle 34 o*DN4oa)  
2.2 Energy Quantization and Probability Concepts 36 Y%PwktQm  
2.2.1 Physical Meaning of the Wave Function 36 zA$k0p  
2.2.2 The One-Electron Atom 37 :bz}c48%  
2.2.3 Periodic Table 40 e?7& M  
2.3 Energy-Band Theory 41 P%{^i]  
2.3.1 Formation of Energy Bands 41 >#hO).`C  
2.3.2 The Energy Band and the Bond Model 45 }._eIx"  
2.3.3 Charge Carriers——Electrons and Holes 47 Pa{%\dsv  
2.3.4 Effective Mass 49 RRRCS]y7$t  
2.3.5 Metals, Insulators, and Semiconductors 50 jUSmq m'  
2.3.6 The k-Space Diagram 52 S/D^  
2,4 Density of States Function 55 FrTi+& <  
2.5 Statistical Mechanics 57 {DU`[:SQZg  
2.5.1 Statistical Laws 57 2.%.Z_k)  
2.5.2 The Fermi-Dirac Distribution Function V'kX)$  
and the Fermi Energy 58 [x9KVd ^d  
2.5.3 Maxwell-Boltzmann Approximation 62 ny`#%Vs  
2.6 Summary 64 o$w_Es]Ma  
Problems 65 H*[ M\gN$  
CHAPTER 3 R{ a"Y$  
The Semiconductor in Equilibrium 70 2Ou[u#H  
3.0 Preview 70 _9=Yvc=  
3.1 Charge Carriers in Semiconductors 71 Ezr:1 GJ  
3.1.1 Equilibrium Distribution of Electrons and Holes 72 H-~6Z",1  
3.1.2 The no and Po Equations 74 ^:#D0[  
3.1.3 The Intrinsic Carrier Concentration 79 Zrvz;p@~  
3.1.4 The Intrinsic Fermi-Level Position 82 e6d<dXx  
3.2 Dopant Atoms and Energy Levels 83 J@4Bf  
3.2.1 Qualitative Description 83 ~ vJ,`?  
3.2.2 Ionization Energy 86 B?4boF?~  
3.2.3 Group III-V Semiconductors 88 bsB*533  
3.3 Carrier Distributions in the Extrinsic Semiconductor 89 ,wIONDnLZ  
3.3.1 Equilibrium Distribution of Electrons and Holes 89 byT h/H  
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关键词: 半导体器件
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