半导体器件导论,影印版,作者:(美)尼曼

《半导体器件导论》(影印版)还尽量保持了原书的主要优点：(1)注重基本概念和方法。《半导体器件导论》(影印版)从内容的整体编排到具体章节的叙述，都体现了突出物理概念、强调基本分析方法的指导思想。书中的数学推导和物理分析融为一体，得出的结论不仅对理解物理概念十分重要，而且经得起反复推敲。书中还采用了大量非常清晰的插图，帮助读者更好地理解基本概念。(2)可读性强，便于自学。全书脉络清楚，说理透彻，易于读者理解和掌握。每一章的开头都有引言，告诉读者可以从本章学到什么，应该掌握什么；每一章中都有例题和读者自测题；每一章的最后还有总结、复习提纲和大量习题(其中包含一些采用计算机进行模拟计算的练习题)。通过举例和练习加深读者对基本概念的理解是《半导体器件导论》(影印版)突出的特点。 /NUu^ N  
《半导体器件导论》(影印版)是美国新墨西哥大学电机与计算机工程系Neamen教授所著的“SereicorlductorPhysics and Devices，3rd edition”一书的改进版本。 H+npe'm_Z  
与原书相比，《半导体器件导论》(影印版)更好地将固体晶格结构、量子力学入门知识、固体的量子理论以及半导体物理和半导体器件有机地结合在一起。利用《半导体器件导论》(影印版)，学生只需要具有高等数学和大学普通物理的基础，用一个学期就可以系统地学习到半导体器件的基本理论，从而为进入微电子学研究领域打下一个良好的基础。这一特点也是目前国内出版的同类教材很难达到的。 I<!,_$:  

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Preface xvii tUhr gc  
CHAPTER 1 !m?W+z~J  
The Crystal Structure of Solids 5!qLJmd=  
1.0 Preview 1 ,U=7#Cf!  
1.1 Semiconductor Materials 2 rq|>z.  
1.2 Types of Solids 3 DEt;$>tl 5  
1.3 Space Lattices 4 7
'RU\0QG  
1.3.1 Primitive and Unit Cell 4 K}8wCS F  
1.3.2 Basic Crystal Structures 6 9M7Wlx2  
1.3.3 Crystal Planes and Miller Indices \ mg  
1.3.4 The Diamond Structure 13 $!K,5^+  
1.4 Atomic Bonding 15 +t}<e(  
1.5 Imperfections and Impurities in Solids 17 b X4]/4%  
1.5.1 Imperfections in Solids 17 Idr|-s%l6'  
1.5.2 Impurities in Solids 18 eb7~\|9l1i  
1.6 Growth of Semiconductor Materials 19 0pA>w8mh  
1.6.1 Growth from a Melt 20 Y|L]#  
1.6.2 Epitaxial Growth 22 /JmWiBQIn  
1.7 Device Fabrication Techniques: M7c53fz  
Oxidation 23 UQ~gjnb[c  
1.8 Summary 25 $O,IXA  
Problems 27 seA=7c5E  
CHAPTER 2 bix}#M  
Theory of Solids 31 )]{&  
2.0 Preview 31 4_w{
~  
2.1 Principles of Quantum Mechanics 32 PjkjUP  
2.1.1 Energy Quanta 32 w"OeS;#e:  
2.1.2 Wave-Particle Duality Principle 34 crU]P $a  
2.2 Energy Quantization and Probability Concepts 36 ;k8U5=6a  
2.2.1 Physical Meaning of the Wave Function 36 +?uZ~VSl  
2.2.2 The One-Electron Atom 37 E[tEW0ub  
2.2.3 Periodic Table 40 8[d6 s  
2.3 Energy-Band Theory 41 >qci$  
2.3.1 Formation of Energy Bands 41 
M(.Up  
2.3.2 The Energy Band and the Bond Model 45 =EUi|T4:  
2.3.3 Charge Carriers——Electrons and Holes 47 1VB{dgr  
2.3.4 Effective Mass 49 :.?%e{7  
2.3.5 Metals, Insulators, and Semiconductors 50 -}P/<cu:  
2.3.6 The k-Space Diagram 52 $-M
'  
2,4 Density of States Function 55 tV9K5ON  
2.5 Statistical Mechanics 57 i~.9B7hdE  
2.5.1 Statistical Laws 57 ]t;bCD6*  
2.5.2 The Fermi-Dirac Distribution Function T4x[ \v5d  
and the Fermi Energy 58 O],]\M{GL  
2.5.3 Maxwell-Boltzmann Approximation 62 9FmX^t$T  
2.6 Summary 64 9P#<T7
  
Problems 65 rB.LG'GG]  
CHAPTER 3 ThYHVJ[;  
The Semiconductor in Equilibrium 70 HKYJgx  
3.0 Preview 70 %$zX a%A  
3.1 Charge Carriers in Semiconductors 71 z+X DN:  
3.1.1 Equilibrium Distribution of Electrons and Holes 72 )}4xmf@gl  
3.1.2 The no and Po Equations 74 S3&lkN5  
3.1.3 The Intrinsic Carrier Concentration 79 9pq-"?vHY0  
3.1.4 The Intrinsic Fermi-Level Position 82 jmva0K},SE  
3.2 Dopant Atoms and Energy Levels 83 j/w*2+&v  
3.2.1 Qualitative Description 83 {WN??eys,  
3.2.2 Ionization Energy 86 |v= */
e  
3.2.3 Group III-V Semiconductors 88 q|kkdK|N/Y  
3.3 Carrier Distributions in the Extrinsic Semiconductor 89 3<ry/{#%  
3.3.1 Equilibrium Distribution of Electrons and Holes 89 Rx.dM_S  
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