半导体器件导论,影印版,作者:(美)尼曼

《半导体器件导论》(影印版)还尽量保持了原书的主要优点：(1)注重基本概念和方法。《半导体器件导论》(影印版)从内容的整体编排到具体章节的叙述，都体现了突出物理概念、强调基本分析方法的指导思想。书中的数学推导和物理分析融为一体，得出的结论不仅对理解物理概念十分重要，而且经得起反复推敲。书中还采用了大量非常清晰的插图，帮助读者更好地理解基本概念。(2)可读性强，便于自学。全书脉络清楚，说理透彻，易于读者理解和掌握。每一章的开头都有引言，告诉读者可以从本章学到什么，应该掌握什么；每一章中都有例题和读者自测题；每一章的最后还有总结、复习提纲和大量习题(其中包含一些采用计算机进行模拟计算的练习题)。通过举例和练习加深读者对基本概念的理解是《半导体器件导论》(影印版)突出的特点。 PPCZT3c=  
《半导体器件导论》(影印版)是美国新墨西哥大学电机与计算机工程系Neamen教授所著的“SereicorlductorPhysics and Devices，3rd edition”一书的改进版本。 )N QtjB$  
与原书相比，《半导体器件导论》(影印版)更好地将固体晶格结构、量子力学入门知识、固体的量子理论以及半导体物理和半导体器件有机地结合在一起。利用《半导体器件导论》(影印版)，学生只需要具有高等数学和大学普通物理的基础，用一个学期就可以系统地学习到半导体器件的基本理论，从而为进入微电子学研究领域打下一个良好的基础。这一特点也是目前国内出版的同类教材很难达到的。 A@/DGrZX  

图片:daolun.jpg

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Preface xvii ^&t(O1.-  
CHAPTER 1 g;(r@>U.r  
The Crystal Structure of Solids LkFXUt?  
1.0 Preview 1 6p/gvpZ  
1.1 Semiconductor Materials 2 0y4z`rzTn  
1.2 Types of Solids 3 YBg
HX [q  
1.3 Space Lattices 4 4+mawyM  
1.3.1 Primitive and Unit Cell 4 lj"L Q
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1.3.2 Basic Crystal Structures 6 t/cjz/]  
1.3.3 Crystal Planes and Miller Indices ?V_Qa0k  
1.3.4 The Diamond Structure 13 LX.1]T*m`  
1.4 Atomic Bonding 15 6Rn_@_Nn)f  
1.5 Imperfections and Impurities in Solids 17 t#|E.G:=  
1.5.1 Imperfections in Solids 17 _t:cDXj  
1.5.2 Impurities in Solids 18 '3uj6Wq2  
1.6 Growth of Semiconductor Materials 19 zOq~?>Ms6  
1.6.1 Growth from a Melt 20 tkdhT8_  
1.6.2 Epitaxial Growth 22 z;x`dOP  
1.7 Device Fabrication Techniques: >Uvtsj#  
Oxidation 23 Co8b0-Z  
1.8 Summary 25 5=Bj?xb$'  
Problems 27 "fLGXbNQ  
CHAPTER 2 )61CrQiY  
Theory of Solids 31 X|L8s$>  
2.0 Preview 31 =y7]9SOq  
2.1 Principles of Quantum Mechanics 32 U'LO;s04m  
2.1.1 Energy Quanta 32 $P]%Px!x  
2.1.2 Wave-Particle Duality Principle 34 %5RYa<oP  
2.2 Energy Quantization and Probability Concepts 36 c
< gM  
2.2.1 Physical Meaning of the Wave Function 36 ,TU!W|($  
2.2.2 The One-Electron Atom 37 9#%(%s2+  
2.2.3 Periodic Table 40 +7<{yP6wU  
2.3 Energy-Band Theory 41 XzQ=8r>l  
2.3.1 Formation of Energy Bands 41 :EyH'v  
2.3.2 The Energy Band and the Bond Model 45 :5?ti  
2.3.3 Charge Carriers——Electrons and Holes 47 >c7/E  
2.3.4 Effective Mass 49 t; n6Q0  
2.3.5 Metals, Insulators, and Semiconductors 50 #RJy  
2.3.6 The k-Space Diagram 52 sXTt)J  
2,4 Density of States Function 55 4:cbasy  
2.5 Statistical Mechanics 57 L4sN)EI  
2.5.1 Statistical Laws 57 o<-%)#e  
2.5.2 The Fermi-Dirac Distribution Function :LVM'c62c>  
and the Fermi Energy 58 ~PvW+UMLk  
2.5.3 Maxwell-Boltzmann Approximation 62 sVkR7 ^KsG  
2.6 Summary 64 %e7{ke}r  
Problems 65 K_`*ZV{r  
CHAPTER 3 d^ !3bv*h  
The Semiconductor in Equilibrium 70 h. i&[RnX  
3.0 Preview 70 *wp'`3y}  
3.1 Charge Carriers in Semiconductors 71 zx(j6  
3.1.1 Equilibrium Distribution of Electrons and Holes 72 [ H>MeeR  
3.1.2 The no and Po Equations 74 vFb{(gIJ  
3.1.3 The Intrinsic Carrier Concentration 79 YH<F~F _  
3.1.4 The Intrinsic Fermi-Level Position 82 r_xo>y~S  
3.2 Dopant Atoms and Energy Levels 83 kVU|k-?2
  
3.2.1 Qualitative Description 83 /_,
~dt  
3.2.2 Ionization Energy 86 = k3O4gE7  
3.2.3 Group III-V Semiconductors 88 j`BFk>  
3.3 Carrier Distributions in the Extrinsic Semiconductor 89 kRiWNEw  
3.3.1 Equilibrium Distribution of Electrons and Holes 89 V@>?lv(\  
…… ~J<bwF  
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