半导体器件导论,影印版,作者:(美)尼曼

发布:cyqdesign 2010-01-31 21:48 阅读:3801
半导体器件导论》(影印版)还尽量保持了原书的主要优点:(1)注重基本概念和方法。《半导体器件导论》(影印版)从内容的整体编排到具体章节的叙述,都体现了突出物理概念、强调基本分析方法的指导思想。书中的数学推导和物理分析融为一体,得出的结论不仅对理解物理概念十分重要,而且经得起反复推敲。书中还采用了大量非常清晰的插图,帮助读者更好地理解基本概念。(2)可读性强,便于自学。全书脉络清楚,说理透彻,易于读者理解和掌握。每一章的开头都有引言,告诉读者可以从本章学到什么,应该掌握什么;每一章中都有例题和读者自测题;每一章的最后还有总结、复习提纲和大量习题(其中包含一些采用计算机进行模拟计算的练习题)。通过举例和练习加深读者对基本概念的理解是《半导体器件导论》(影印版)突出的特点。  ZC%;5O`  
《半导体器件导论》(影印版)是美国新墨西哥大学电机与计算机工程系Neamen教授所著的“SereicorlductorPhysics and Devices,3rd edition”一书的改进版本。  m^\&v0  
与原书相比,《半导体器件导论》(影印版)更好地将固体晶格结构、量子力学入门知识、固体的量子理论以及半导体物理和半导体器件有机地结合在一起。利用《半导体器件导论》(影印版),学生只需要具有高等数学和大学普通物理的基础,用一个学期就可以系统地学习到半导体器件的基本理论,从而为进入微电子学研究领域打下一个良好的基础。这一特点也是目前国内出版的同类教材很难达到的。 *;(^)Sj4Q  
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[7Q%c!e$*  
3GNcnb  
Preface xvii yM}3u4FG  
CHAPTER 1 P:_bF>r ?  
The Crystal Structure of Solids NiFe#SLA  
1.0 Preview 1 +J85Re `  
1.1 Semiconductor Materials 2 0~EGrEt  
1.2 Types of Solids 3 LzJ`@0RrX  
1.3 Space Lattices 4 #1C]ZV] B  
1.3.1 Primitive and Unit Cell 4 w=CzPNRHH!  
1.3.2 Basic Crystal Structures 6 U{KnjoS  
1.3.3 Crystal Planes and Miller Indices |g >Q3E  
1.3.4 The Diamond Structure 13 h-//v~V)  
1.4 Atomic Bonding 15 |VzXcV-"8)  
1.5 Imperfections and Impurities in Solids 17 2~ 4&4  
1.5.1 Imperfections in Solids 17 c3Gy1#f:#2  
1.5.2 Impurities in Solids 18 }OhSCH'o6  
1.6 Growth of Semiconductor Materials 19 IRdR3X56  
1.6.1 Growth from a Melt 20 0l4f%'f  
1.6.2 Epitaxial Growth 22 -$kIVh  
1.7 Device Fabrication Techniques: Q)y5'u qZ  
Oxidation 23 #?k</~s6M`  
1.8 Summary 25 J2 /19'QE  
Problems 27 a'`?kBK7`U  
CHAPTER 2 MRw4?HqB  
Theory of Solids 31 ;X a N  
2.0 Preview 31 <[D>[  
2.1 Principles of Quantum Mechanics 32 w[D]\>QHa  
2.1.1 Energy Quanta 32 Mvue>)g~>  
2.1.2 Wave-Particle Duality Principle 34 hkyO_ns  
2.2 Energy Quantization and Probability Concepts 36 2NJ\`1HZ\  
2.2.1 Physical Meaning of the Wave Function 36 liG|#ny{  
2.2.2 The One-Electron Atom 37 [= BMvP5  
2.2.3 Periodic Table 40 Bu&9J(J1  
2.3 Energy-Band Theory 41 z;dRzwL  
2.3.1 Formation of Energy Bands 41 6bc\ )n`  
2.3.2 The Energy Band and the Bond Model 45 ;BqCjS%`N  
2.3.3 Charge Carriers——Electrons and Holes 47 jVLJ qWP'!  
2.3.4 Effective Mass 49 %$kd`Rl}  
2.3.5 Metals, Insulators, and Semiconductors 50 k0O5c[ j  
2.3.6 The k-Space Diagram 52 dWQB1Y*N  
2,4 Density of States Function 55 y.I&x#(^  
2.5 Statistical Mechanics 57 *Ti"8^`6  
2.5.1 Statistical Laws 57 <YtjE!2  
2.5.2 The Fermi-Dirac Distribution Function ^iBIp#  
and the Fermi Energy 58 122s 7A  
2.5.3 Maxwell-Boltzmann Approximation 62 4Ngp  -  
2.6 Summary 64 c|`$ h  
Problems 65 GB^`A  
CHAPTER 3 P$0c{B4I  
The Semiconductor in Equilibrium 70 ;x 2o|#`b  
3.0 Preview 70 lZ7 $DGe  
3.1 Charge Carriers in Semiconductors 71 <G|i5/|7  
3.1.1 Equilibrium Distribution of Electrons and Holes 72 r#2Fk &Z9  
3.1.2 The no and Po Equations 74 JB].ht  
3.1.3 The Intrinsic Carrier Concentration 79 z6l'v~\  
3.1.4 The Intrinsic Fermi-Level Position 82 4p-"1 c$  
3.2 Dopant Atoms and Energy Levels 83 I#M>b:"t e  
3.2.1 Qualitative Description 83 {:("oK6w  
3.2.2 Ionization Energy 86 d@1^U9sf  
3.2.3 Group III-V Semiconductors 88 rm9>gKN;#  
3.3 Carrier Distributions in the Extrinsic Semiconductor 89 L'S,=NYXY  
3.3.1 Equilibrium Distribution of Electrons and Holes 89 '8\9@wzv  
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关键词: 半导体器件
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