半导体器件导论,影印版,作者:(美)尼曼

发布:cyqdesign 2010-01-31 21:48 阅读:3476
半导体器件导论》(影印版)还尽量保持了原书的主要优点:(1)注重基本概念和方法。《半导体器件导论》(影印版)从内容的整体编排到具体章节的叙述,都体现了突出物理概念、强调基本分析方法的指导思想。书中的数学推导和物理分析融为一体,得出的结论不仅对理解物理概念十分重要,而且经得起反复推敲。书中还采用了大量非常清晰的插图,帮助读者更好地理解基本概念。(2)可读性强,便于自学。全书脉络清楚,说理透彻,易于读者理解和掌握。每一章的开头都有引言,告诉读者可以从本章学到什么,应该掌握什么;每一章中都有例题和读者自测题;每一章的最后还有总结、复习提纲和大量习题(其中包含一些采用计算机进行模拟计算的练习题)。通过举例和练习加深读者对基本概念的理解是《半导体器件导论》(影印版)突出的特点。 ;nZN}&m   
《半导体器件导论》(影印版)是美国新墨西哥大学电机与计算机工程系Neamen教授所著的“SereicorlductorPhysics and Devices,3rd edition”一书的改进版本。 8"KaW2/%  
与原书相比,《半导体器件导论》(影印版)更好地将固体晶格结构、量子力学入门知识、固体的量子理论以及半导体物理和半导体器件有机地结合在一起。利用《半导体器件导论》(影印版),学生只需要具有高等数学和大学普通物理的基础,用一个学期就可以系统地学习到半导体器件的基本理论,从而为进入微电子学研究领域打下一个良好的基础。这一特点也是目前国内出版的同类教材很难达到的。 Y=tx kN  
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Preface xvii 9Netnzv%  
CHAPTER 1 /.<2I  
The Crystal Structure of Solids Y=YIz>u  
1.0 Preview 1 zpM%L:S  
1.1 Semiconductor Materials 2 9Bw.Ih[Z  
1.2 Types of Solids 3 ! C|VX,w  
1.3 Space Lattices 4 zcE[wM  
1.3.1 Primitive and Unit Cell 4 Sz#dld Mz  
1.3.2 Basic Crystal Structures 6 *9I/h~I  
1.3.3 Crystal Planes and Miller Indices \\9$1yg   
1.3.4 The Diamond Structure 13 5V"g,]'Nd  
1.4 Atomic Bonding 15 P8=!/L2?  
1.5 Imperfections and Impurities in Solids 17 |A%Jx__  
1.5.1 Imperfections in Solids 17 A0`#n|(Ad!  
1.5.2 Impurities in Solids 18 Z+]Uw   
1.6 Growth of Semiconductor Materials 19 /`vn/X^?^  
1.6.1 Growth from a Melt 20 _pe_w{V-b6  
1.6.2 Epitaxial Growth 22 w0!4@  
1.7 Device Fabrication Techniques: b$k|D)_|  
Oxidation 23 ( S=RFd  
1.8 Summary 25 R0_O/o+{  
Problems 27 [6{o13mCWE  
CHAPTER 2 YNV4'  
Theory of Solids 31 >4@/x{{  
2.0 Preview 31 4g}'/  
2.1 Principles of Quantum Mechanics 32 E0-<-w3'  
2.1.1 Energy Quanta 32 Uth H  
2.1.2 Wave-Particle Duality Principle 34 sfw lv^  
2.2 Energy Quantization and Probability Concepts 36 I|oS`iLl$  
2.2.1 Physical Meaning of the Wave Function 36 ^;=L|{Xl  
2.2.2 The One-Electron Atom 37 NsY D~n  
2.2.3 Periodic Table 40 6x8P}?  
2.3 Energy-Band Theory 41 E3==gYCe*  
2.3.1 Formation of Energy Bands 41 JLFZy\  
2.3.2 The Energy Band and the Bond Model 45 /yn%0Wish  
2.3.3 Charge Carriers——Electrons and Holes 47 ne (zGJd  
2.3.4 Effective Mass 49 z-X_O32  
2.3.5 Metals, Insulators, and Semiconductors 50 1?j[ '~aE  
2.3.6 The k-Space Diagram 52 !Ey=  
2,4 Density of States Function 55 Q>[Xm)jr:  
2.5 Statistical Mechanics 57  a }m>  
2.5.1 Statistical Laws 57 kvo V?<!  
2.5.2 The Fermi-Dirac Distribution Function x{.+i'  
and the Fermi Energy 58 DpZO$5.Ec+  
2.5.3 Maxwell-Boltzmann Approximation 62 vl67Xtk4  
2.6 Summary 64 1*o=I-nOa  
Problems 65 j|/4V  
CHAPTER 3 M7JQw/,xs  
The Semiconductor in Equilibrium 70 ^^C@W?.z  
3.0 Preview 70 JX!@j3  
3.1 Charge Carriers in Semiconductors 71 DbH"e  
3.1.1 Equilibrium Distribution of Electrons and Holes 72 ^w(~gQ6|mP  
3.1.2 The no and Po Equations 74 'gQ0=6(\  
3.1.3 The Intrinsic Carrier Concentration 79 aF (L_  
3.1.4 The Intrinsic Fermi-Level Position 82 ~R!M.gY[rK  
3.2 Dopant Atoms and Energy Levels 83 B=p6p f  
3.2.1 Qualitative Description 83 2V6kCy@V  
3.2.2 Ionization Energy 86 4`M7 3k0  
3.2.3 Group III-V Semiconductors 88 wTw)GV4  
3.3 Carrier Distributions in the Extrinsic Semiconductor 89 *eLKD_D`!C  
3.3.1 Equilibrium Distribution of Electrons and Holes 89 HZDeQx`*s  
…… ]dj W^C]94  
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关键词: 半导体器件
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