半导体器件导论,影印版,作者:(美)尼曼

《半导体器件导论》(影印版)还尽量保持了原书的主要优点：(1)注重基本概念和方法。《半导体器件导论》(影印版)从内容的整体编排到具体章节的叙述，都体现了突出物理概念、强调基本分析方法的指导思想。书中的数学推导和物理分析融为一体，得出的结论不仅对理解物理概念十分重要，而且经得起反复推敲。书中还采用了大量非常清晰的插图，帮助读者更好地理解基本概念。(2)可读性强，便于自学。全书脉络清楚，说理透彻，易于读者理解和掌握。每一章的开头都有引言，告诉读者可以从本章学到什么，应该掌握什么；每一章中都有例题和读者自测题；每一章的最后还有总结、复习提纲和大量习题(其中包含一些采用计算机进行模拟计算的练习题)。通过举例和练习加深读者对基本概念的理解是《半导体器件导论》(影印版)突出的特点。 zg}#X6\G<_  
《半导体器件导论》(影印版)是美国新墨西哥大学电机与计算机工程系Neamen教授所著的“SereicorlductorPhysics and Devices，3rd edition”一书的改进版本。 (fqU73  
与原书相比，《半导体器件导论》(影印版)更好地将固体晶格结构、量子力学入门知识、固体的量子理论以及半导体物理和半导体器件有机地结合在一起。利用《半导体器件导论》(影印版)，学生只需要具有高等数学和大学普通物理的基础，用一个学期就可以系统地学习到半导体器件的基本理论，从而为进入微电子学研究领域打下一个良好的基础。这一特点也是目前国内出版的同类教材很难达到的。 qh~$AJ9sB  

图片:daolun.jpg

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Preface xvii -`cNRd0n  
CHAPTER 1 tNf_,]u  
The Crystal Structure of Solids nN'>>'@>  
1.0 Preview 1 4R}$P1 E  
1.1 Semiconductor Materials 2 &iTTal.6  
1.2 Types of Solids 3 boeIO\2}P0  
1.3 Space Lattices 4 M`D`-vv  
1.3.1 Primitive and Unit Cell 4 WF_24Mw  
1.3.2 Basic Crystal Structures 6 ?{]"UnyVE*  
1.3.3 Crystal Planes and Miller Indices XjFaP {  
1.3.4 The Diamond Structure 13 Nm{J=`  
1.4 Atomic Bonding 15 jJ7"9  
1.5 Imperfections and Impurities in Solids 17 o>^@s4t  
1.5.1 Imperfections in Solids 17 ?mbI6fYv  
1.5.2 Impurities in Solids 18 p)c"xaTP#F  
1.6 Growth of Semiconductor Materials 19 3gQ2wP*K  
1.6.1 Growth from a Melt 20 :G4)edw
e  
1.6.2 Epitaxial Growth 22 W<\*5oB%H  
1.7 Device Fabrication Techniques: /4>|6l=  
Oxidation 23 (.~,I+Cz'  
1.8 Summary 25 GswV/V+u  
Problems 27 LL%s$>c65A  
CHAPTER 2 OI)U c .  
Theory of Solids 31 :F.eyA|#@G  
2.0 Preview 31 Hdda/?{b  
2.1 Principles of Quantum Mechanics 32 WNp-V02l  
2.1.1 Energy Quanta 32 rd ]dDG  
2.1.2 Wave-Particle Duality Principle 34 7<zI'^l  
2.2 Energy Quantization and Probability Concepts 36 S<o\.&J  
2.2.1 Physical Meaning of the Wave Function 36 %df[8eX{  
2.2.2 The One-Electron Atom 37 &`B Tw1u  
2.2.3 Periodic Table 40 9Itj@ps  
2.3 Energy-Band Theory 41 >jRH<|Az  
2.3.1 Formation of Energy Bands 41 seS)`@n  
2.3.2 The Energy Band and the Bond Model 45 rodr@  
2.3.3 Charge Carriers——Electrons and Holes 47 #@Rtb\9  
2.3.4 Effective Mass 49 nV_[40KP_  
2.3.5 Metals, Insulators, and Semiconductors 50 9RQw6rL  
2.3.6 The k-Space Diagram 52 +kM*BCPYE  
2,4 Density of States Function 55 115zvW  
2.5 Statistical Mechanics 57 @u1mC\
G  
2.5.1 Statistical Laws 57 ;@/vKA3l.  
2.5.2 The Fermi-Dirac Distribution Function uu
f+M-P  
and the Fermi Energy 58 %Hpz^<`  
2.5.3 Maxwell-Boltzmann Approximation 62 8C4v  
2.6 Summary 64 zuYz"-(L  
Problems 65 *3h!&.zm  
CHAPTER 3 ~+anI  
The Semiconductor in Equilibrium 70 MB"<^ZX  
3.0 Preview 70 te b/  
3.1 Charge Carriers in Semiconductors 71 F2C v,&'  
3.1.1 Equilibrium Distribution of Electrons and Holes 72 .ZVo0  
3.1.2 The no and Po Equations 74 ;hkzL_' E)  
3.1.3 The Intrinsic Carrier Concentration 79 j9O"!9$vQ  
3.1.4 The Intrinsic Fermi-Level Position 82 4^{~MgQWK+  
3.2 Dopant Atoms and Energy Levels 83 Vbp`Rm1?  
3.2.1 Qualitative Description 83 _Bq[c  
3.2.2 Ionization Energy 86 U,tWLX$@  
3.2.3 Group III-V Semiconductors 88 X@^"@  
3.3 Carrier Distributions in the Extrinsic Semiconductor 89 1J[|Ow  
3.3.1 Equilibrium Distribution of Electrons and Holes 89 ct@i]}"`  
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