半导体器件导论,影印版,作者:(美)尼曼

《半导体器件导论》(影印版)还尽量保持了原书的主要优点：(1)注重基本概念和方法。《半导体器件导论》(影印版)从内容的整体编排到具体章节的叙述，都体现了突出物理概念、强调基本分析方法的指导思想。书中的数学推导和物理分析融为一体，得出的结论不仅对理解物理概念十分重要，而且经得起反复推敲。书中还采用了大量非常清晰的插图，帮助读者更好地理解基本概念。(2)可读性强，便于自学。全书脉络清楚，说理透彻，易于读者理解和掌握。每一章的开头都有引言，告诉读者可以从本章学到什么，应该掌握什么；每一章中都有例题和读者自测题；每一章的最后还有总结、复习提纲和大量习题(其中包含一些采用计算机进行模拟计算的练习题)。通过举例和练习加深读者对基本概念的理解是《半导体器件导论》(影印版)突出的特点。 A'aYH`j  
《半导体器件导论》(影印版)是美国新墨西哥大学电机与计算机工程系Neamen教授所著的“SereicorlductorPhysics and Devices，3rd edition”一书的改进版本。 ~KYA{^`*  
与原书相比，《半导体器件导论》(影印版)更好地将固体晶格结构、量子力学入门知识、固体的量子理论以及半导体物理和半导体器件有机地结合在一起。利用《半导体器件导论》(影印版)，学生只需要具有高等数学和大学普通物理的基础，用一个学期就可以系统地学习到半导体器件的基本理论，从而为进入微电子学研究领域打下一个良好的基础。这一特点也是目前国内出版的同类教材很难达到的。 RF}R~m9]  

图片:daolun.jpg

LGh#  
;$vVYC  
市场价：¥69.00 3!op'X!  
优惠价：¥55.20 为您节省：13.80元 (80折) GJ\bZ"vDo  
OUhlQq\  
6 \?GY  
Preface xvii eRm*+l|?  
CHAPTER 1 =F% <W7  
The Crystal Structure of Solids {
nMCU{*k  
1.0 Preview 1 g;~$xXn  
1.1 Semiconductor Materials 2 2WS Wfh  
1.2 Types of Solids 3 Mtaky=l8~I  
1.3 Space Lattices 4 *|OUd7P:hU  
1.3.1 Primitive and Unit Cell 4 ]E|E4K6g  
1.3.2 Basic Crystal Structures 6 }XD=N#p@z  
1.3.3 Crystal Planes and Miller Indices XMF#l]P  
1.3.4 The Diamond Structure 13 ?aQVaw&L!7  
1.4 Atomic Bonding 15 bg2r  
1.5 Imperfections and Impurities in Solids 17 JMfv|>=  
1.5.1 Imperfections in Solids 17 gm$<U9L\v  
1.5.2 Impurities in Solids 18 +^q-v-  
1.6 Growth of Semiconductor Materials 19 *QT7\ht3  
1.6.1 Growth from a Melt 20 8iPA^b|sz{  
1.6.2 Epitaxial Growth 22 %_(^BZd  
1.7 Device Fabrication Techniques: q}]z8 L  
Oxidation 23 JSoInR1E  
1.8 Summary 25 )_kU,RvZ  
Problems 27 !jg< S>S5  
CHAPTER 2 )0\D1IFJ  
Theory of Solids 31 WM0-F@_  
2.0 Preview 31 lQL/I[}  
2.1 Principles of Quantum Mechanics 32 H on,-<  
2.1.1 Energy Quanta 32 7yal  T.  
2.1.2 Wave-Particle Duality Principle 34 ~X-v@a  
2.2 Energy Quantization and Probability Concepts 36 3 jghV?I{T  
2.2.1 Physical Meaning of the Wave Function 36 LYuMR,7E  
2.2.2 The One-Electron Atom 37 CN6b982&  
2.2.3 Periodic Table 40 V8G.KA "  
2.3 Energy-Band Theory 41 g6h=Q3
@  
2.3.1 Formation of Energy Bands 41 f9HoQDFsM  
2.3.2 The Energy Band and the Bond Model 45 #.2} t0*]5  
2.3.3 Charge Carriers——Electrons and Holes 47 !]MGIh#u  
2.3.4 Effective Mass 49 "d*-
k R  
2.3.5 Metals, Insulators, and Semiconductors 50 z>HM$n`YD  
2.3.6 The k-Space Diagram 52 au+a7~0~  
2,4 Density of States Function 55 \98|.EG  
2.5 Statistical Mechanics 57 L-|u=c-6  
2.5.1 Statistical Laws 57 L,3%}_  
2.5.2 The Fermi-Dirac Distribution Function JD~]aoH  
and the Fermi Energy 58 C}71SlN'M  
2.5.3 Maxwell-Boltzmann Approximation 62 -yMD9b  
2.6 Summary 64 ]x@36Ok)A  
Problems 65 #Wt1Ph_;  
CHAPTER 3 k^%F4d3z@C  
The Semiconductor in Equilibrium 70 ={I(i6  
3.0 Preview 70 v
"sN K  
3.1 Charge Carriers in Semiconductors 71 ~V/?/J$  
3.1.1 Equilibrium Distribution of Electrons and Holes 72 rs@qC>_C0  
3.1.2 The no and Po Equations 74 {;={abj  
3.1.3 The Intrinsic Carrier Concentration 79 ,ysn7Y{Y  
3.1.4 The Intrinsic Fermi-Level Position 82 gFxaUrZA  
3.2 Dopant Atoms and Energy Levels 83 Cp]q>lM"  
3.2.1 Qualitative Description 83 T*#<p;  
3.2.2 Ionization Energy 86 ~g&Gi)je  
3.2.3 Group III-V Semiconductors 88 -V52?Hq
  
3.3 Carrier Distributions in the Extrinsic Semiconductor 89 \; zix(N[5  
3.3.1 Equilibrium Distribution of Electrons and Holes 89 t.]e8=dE  
…… ;h4w<OqcM  
市场价：¥69.00 b(_PV#@$  
优惠价：¥55.20 为您节省：13.80元 (80折) -P'c0I9z