半导体器件导论,影印版,作者:(美)尼曼

发布:cyqdesign 2010-01-31 21:48 阅读:3569
半导体器件导论》(影印版)还尽量保持了原书的主要优点:(1)注重基本概念和方法。《半导体器件导论》(影印版)从内容的整体编排到具体章节的叙述,都体现了突出物理概念、强调基本分析方法的指导思想。书中的数学推导和物理分析融为一体,得出的结论不仅对理解物理概念十分重要,而且经得起反复推敲。书中还采用了大量非常清晰的插图,帮助读者更好地理解基本概念。(2)可读性强,便于自学。全书脉络清楚,说理透彻,易于读者理解和掌握。每一章的开头都有引言,告诉读者可以从本章学到什么,应该掌握什么;每一章中都有例题和读者自测题;每一章的最后还有总结、复习提纲和大量习题(其中包含一些采用计算机进行模拟计算的练习题)。通过举例和练习加深读者对基本概念的理解是《半导体器件导论》(影印版)突出的特点。 q- Qws0\v.  
《半导体器件导论》(影印版)是美国新墨西哥大学电机与计算机工程系Neamen教授所著的“SereicorlductorPhysics and Devices,3rd edition”一书的改进版本。 CQ`(,F3(  
与原书相比,《半导体器件导论》(影印版)更好地将固体晶格结构、量子力学入门知识、固体的量子理论以及半导体物理和半导体器件有机地结合在一起。利用《半导体器件导论》(影印版),学生只需要具有高等数学和大学普通物理的基础,用一个学期就可以系统地学习到半导体器件的基本理论,从而为进入微电子学研究领域打下一个良好的基础。这一特点也是目前国内出版的同类教材很难达到的。 \\qg2yI  
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RFC;1+Jn  
Preface xvii #J!? :(m:  
CHAPTER 1 t>fB@xHBB  
The Crystal Structure of Solids _#O?g=1  
1.0 Preview 1 54{"ni 2a  
1.1 Semiconductor Materials 2 twtDyo(\  
1.2 Types of Solids 3  {5udol5?  
1.3 Space Lattices 4 ~c^-DAgB  
1.3.1 Primitive and Unit Cell 4 agYK aM1N  
1.3.2 Basic Crystal Structures 6 z!+<m<  
1.3.3 Crystal Planes and Miller Indices !D3}5A1,  
1.3.4 The Diamond Structure 13 "!tB";n  
1.4 Atomic Bonding 15 b{rmxtx  
1.5 Imperfections and Impurities in Solids 17 taQ[>x7b  
1.5.1 Imperfections in Solids 17 ge[i&,.&z  
1.5.2 Impurities in Solids 18 %&XX*& q  
1.6 Growth of Semiconductor Materials 19 zEW:Xe)  
1.6.1 Growth from a Melt 20 M\&~Dmd  
1.6.2 Epitaxial Growth 22 )rj mJ  
1.7 Device Fabrication Techniques: CnH R&`  
Oxidation 23 >I?Mi{'a  
1.8 Summary 25 + joE  
Problems 27 [ q&J"dt  
CHAPTER 2 .y/b$|d,  
Theory of Solids 31 dx}/#jMa  
2.0 Preview 31 qt(:bEr^6b  
2.1 Principles of Quantum Mechanics 32 \bOjb\ w$  
2.1.1 Energy Quanta 32 AG7}$O.  
2.1.2 Wave-Particle Duality Principle 34 ?C:fP`j:  
2.2 Energy Quantization and Probability Concepts 36 F4x7;?W{*  
2.2.1 Physical Meaning of the Wave Function 36 hYn'uL^~[  
2.2.2 The One-Electron Atom 37 x]oQl^ F  
2.2.3 Periodic Table 40 / aG>we  
2.3 Energy-Band Theory 41 ,NEs{! T  
2.3.1 Formation of Energy Bands 41 !5j3gr ~  
2.3.2 The Energy Band and the Bond Model 45 GZEonCk[&  
2.3.3 Charge Carriers——Electrons and Holes 47 h'~- K`  
2.3.4 Effective Mass 49 yV/ J(  
2.3.5 Metals, Insulators, and Semiconductors 50 }i&dZTBGW  
2.3.6 The k-Space Diagram 52 )VMBo6:+  
2,4 Density of States Function 55 I_G>W3  
2.5 Statistical Mechanics 57 NE3wui1 V  
2.5.1 Statistical Laws 57 prN(V1O  
2.5.2 The Fermi-Dirac Distribution Function C|\^uR0  
and the Fermi Energy 58 1H =wl =K  
2.5.3 Maxwell-Boltzmann Approximation 62 Wk?|BR]O  
2.6 Summary 64 e:LZs0  
Problems 65 IWqxT?*  
CHAPTER 3 0:'jU  
The Semiconductor in Equilibrium 70 ?d<:V.1U@  
3.0 Preview 70 k6'#  
3.1 Charge Carriers in Semiconductors 71 wLSZL  
3.1.1 Equilibrium Distribution of Electrons and Holes 72 d7J[.^\  
3.1.2 The no and Po Equations 74 m->%8{L  
3.1.3 The Intrinsic Carrier Concentration 79 -]\E}Ti  
3.1.4 The Intrinsic Fermi-Level Position 82 S}^s 5ztm  
3.2 Dopant Atoms and Energy Levels 83 =t$mbI   
3.2.1 Qualitative Description 83 4Qel;  
3.2.2 Ionization Energy 86 :ECK $Cu  
3.2.3 Group III-V Semiconductors 88 Y-q@~v Z]  
3.3 Carrier Distributions in the Extrinsic Semiconductor 89 BhW]Oq&  
3.3.1 Equilibrium Distribution of Electrons and Holes 89 s~Wu0%])Q  
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关键词: 半导体器件
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