半导体制造技术,作者:(美国)Michael Quirk,(美国)Julian Serda

半导体制造技术,作者:(美国)Michael Quirk,(美国)Julian Serda,译者:韩郑生,合著者:海潮和徐秋霞等. -FrK'!\  
《半导体制造技术》详细追述了半导体发展的历史并吸收了当今最新技术资料，学术界和工业界对《半导体制造技术》的评价都很高。全书共分20章，根据应用于半导体制造的主要技术分类来安排章节，包括与半导体制造相关的基础技术信息；总体流程图的工艺模型概况，用流程图将硅片制造的主要领域连接起来；具体讲解每一个主要工艺；集成电路装配和封装的后部工艺概况。此外，各章为读者提供了关于质量测量和故障排除的问题，这些都是会在硅片制造中遇到的实际问题。 L>lxkq8!Q  
半导体制造技术》旨在介绍半导体集成电路产业中的新工具和技术，以便提高读者在工作过程中理解与使用相同或类似工具的能力。全书在细节上覆盖了用于亚0.25um（O.18um及以下）工艺的新技术，通过描述早期的工具和工艺来阐明现代技术的发展。书中包括铜互连、化学机械平坦化（CMP）、低K介质工艺、浅槽隔离（STl）、深紫外化学放大光刻胶、步进与扫描系统、具有双大马士革的铜金属化等。书中还解释了产业变化漫长历史中的所有工艺和设备，以及工艺需求和设备性能的技术关系，并给出了设备潜在性能与最佳制造所需工艺参数之间的折中。 m
R|']^!SE  
《半导体制造技术》主要特点： )`2ncb   
在工艺章节（第10章至第18章）中讨论了关于设备和工艺的质量测量及故障排除等问题，在硅片制造中会遇到这些问题 {DE4PE`  
全书通过大量生动的图表和具体翔实的数据来解释技术性内容，为读者提供了视觉支持，以掌握抽象的概念和原理 TkIiO>  
每章最后有小结、关键术语、相关设备供应商网站和复习题 m 0Uu2Z4  
附录中给出了关于安全性和技术信息等颇有价值的内容 x7i,jMR  

图片:bdti.jpg

hpq\  
A;e"_$yt8  
市场价：¥59.00 b(adM3MP  
优惠价：¥43.70 为您节省：15.30元 (74折) F>?~4y,b7  
xa967Ki9"  
1c*:" k  
第1章 半导体产业介绍 Fh&USn"  
目标 #iRd2Qj%  
1.1 引言 FuAs$;  
1.2 产业的发展 sp_19u  
1.3 电路集成 b/tcD r  
1.4 集成电路制造 :OqEkh"$#  
1.5 半导体趋势 P%d3fFzK  
1.6 电子时代 a=sd&](_  
1.7 在半导体制造业中的职业 MM&qLAa"f  
1.8 小结
Xi~I<&  
#%/Jr 52<  
第2章 半导体材料特性 HIvSh6|0p  
目标 e:.D^GFi  
2.1 引言 *ozXilO  
2.2 原子结构 mZ0_^  
2.3 周期表 aU#r`D@0  
2.4 材料分类 OLGMy5  
2.5 硅 J/rF4=j%xy  
2.6 可选择的半导体材料 W@+ge]9m&  
2.7 小结 q9\(<<f|  
H2+V1J=  
第3章 器件技术 %/}d'WJR  
目标 1M?Sl?+j  
3.1 引言 q AsTiT6r  
3.2 电路类型
n<eK\w  
3.3 无源元件结构 T:!H^  
3.4 有源元件结构 er@.<Dc  
3.5 CMOS器件的闩锁效应 <d[GGkY]=  
3.6 集成电路产品 K]^Jl0  
3.7 小结 II\}84U2 .  
:>jzL8  
第4章 硅和硅片制备 [t*-s1cq  
目标 d7Z$/ $  
4.1 引言 A>)W6|m|  
4.2 半导体级硅 Y+EwBg)co  
4.3 晶体结构 _+Uf5,.5yU  
4.4 晶向 #?Ob->v  
4.5 单晶硅生长 #9A*BbY  
4.6 硅中的晶体缺陷 mAe)Hy %  
4.7 硅征制备 :Z6l)R+V  
4.8 质量测量 ~!e(e2  
4.9 外延层 =7S\
-{  
4.10 小结 yJ(ITJE_Z  
BtQqUk#L2  
第5章 半导体制造中的化学品 S@ItgG?X  
目标 <[17&F0  
5.1 引言 5X^`qUSv  
5.2 物质形态 +('=RyoT  
5.3 材料的属性 g{hbq[>X]  
5.4 工艺用化学品 #* 8^ar<  
5.5 小结 x139Ckn  
vfh\X1Ui}  
第6章 硅片制造中的沾污控制 G.^^zmsM`  
目标 ~S0T+4$  
6.1 引言 vs*@)'n0}  
6.2 沾污的类型 iUS?xKN$~-  
6.3 沾污的源与控制 i>=y3x"  
6.4 硅片湿法清洗 yq` ,)  
6.5 小结 )2F%^<gZ#  
7[M@;$  
第7章 测量学和缺陷检查 v5L#H=P  
目标 P_Exh]P  
7.1 引言 .zJZ*\2ob  
7.2 集成电路测量学 Oz=!EG|N  
7.3 质量测量 }5u;'>$  
7.4 分析设备 = Fwzm^}6  
7.5 小结 ,(kaC.Em  
%:Zp7O2UB'  
第8章 工艺腔内的气体控制 tSiQrI  
目标 D ~NWP%H  
8.1 引言 ro^T L  
8.2 真空 ?T>NvKF  
8.3 真空泵 :]`JcJ  
8.4 工艺腔内的气流 QhPpo#^  
8.5 残气分析器 +F^X1  
8.6 等离子体 oXGP6#  
8.7 工艺腔的结构 J*qo3aJjE  
8.8 小结 #3-
hE  
JL?|NV-  
第9章 集成电路制造工艺概况 p49T3V  
目标 *35o$P4
6  
9.1 引言 Bh6lK}9
  
9.2 CMOS工艺流程 5pq9x4&  
9.3 CMOS制作步骤 ;Y$d!an0  
9.4 小结 ?M04 cvm  
t=dZM}wj_\  
第10章 氧化 1<wolTf  
目标 m8&
XW2S  
10.1 引言 'WoB\y569  
10.2 氧化膜
2*0n#" L  
10.3 热氧化生长 .u;'eVH)a}  
10.4 高温炉设备 6`)Ss5jzk  
10.5 卧式与立式炉 w6'8L s  
10.6 氧化工艺 C,5Erb/  
10.7 质量测量 Cta!"=\  
10.8 氧化检查及故障排除 PML84*K -  
10.9 小结 2Zi&=Zj"  
T!Uf PfEI  
第11章 淀积 CdiL{zH\3  
目标 zfUkHL6  
11.1 引言 fq0[7Yb  
11.2 膜淀积 s *<T5Z  
11.3 化学气相淀积 =L}$#Y8?  
11.4 CVD淀积系统 .%mjE'  
11.5 介质及其性能 "C9.pdP\8  
11.6 旋涂绝缘介 f
{#Mc  
11.7 外延 6 ZVD<C:\  
11.8 CVD质量测量 ]w9syz8X  
11.9 CVD检查及故障排除 Td![Id  
11.1 0小结 jp-]];:aPJ  
`O}bPwa{>  
第12章 金属化 ,9/s`o  
目标 Y^uYc}  
12.1 引言 0
"=}d y  
12.2 金属类型 Rj,M|9Y)o  
12.3 金属淀积系统 CV6W)B%Se  
12.4 金属化方案 )jN fQ!?/  
12.5 金属化质量测量 x:IY6 l  
12.6 金属化检查及故障排除 ZQrgYeQl"  
12.7 小结 ?a-}1A{  
lV2MRxI  
第13章 光刻：气相成底膜到软烘 |c!lZo/  
目标 &bS!>_9  
13.1 引言 $a+)v#?,  
13.2 光刻工艺 :a9$f8*b  
13.3 光刻工艺的8个基本步骤 58_aI?~>>  
13.4 气相成底膜处理 F6#U31Q=  
13.5 旋转涂胶 $6\W8v  
13.6 软烘 ^b(>Bg)T  
13.7 光刻胶质量测量 [KwwhI@3  
13.8 光刻胶检查及故障排除 .ZOyZnr Z  
13.9 小结 \)9R
1zp/x  
%q,^A+
=  
第14章 光刻：对准和曝光 @7<m.?A!  
目标 eFCXjM  
14.1 引言 =;HmU.Uek%  
14.2 光学光刻 7S9Q{
 
14.3 光刻设备 u+uu?.bM  
14.4 混合和匹配 YiPp#0T[Gx  
14.5 对准和曝光质量测量 p=J9N-EM  
14.6 对准和曝光检查及故障排除 8rsv8OO  
14.7 小结 sOW,hpNW  
q9"~sCH  
第15章 光刻：光刻胶显影和先进的光刻技术 $~*d.  
目标 &:)e  
15.1 引言 VR0#"  
15.2 曝光后烘焙 j\8'P9~%  
15.3 显影 tc<t%]c  
15.4 坚膜 _a,XL<9I  
15.5 显影检查 YJ^TO\4WM  
15.6 先进的光刻技术 dbLxm!;(  
15.7 显影质量测量 S~DY1e54GF  
15.8 显影检查及故障排除 o] 7U;W  
15.9 小结 j>OB<4?.+  

)z?Kq0  
第16章 刻蚀 ;]^JUmxU[d  
目标 >w=xGb7  
16.1 引言 C\dlQQ  
16.2 刻蚀参数 rfNt  
16.3 干法刻蚀 vmXY}Ul  
16.4 等离子体刻蚀反应器 &vp0zYd+v  
16.5 干法刻蚀的应用 ~0>{PD$@  
16.6 湿法腐蚀 o<-+y\J8K  
16.7 刻蚀技术的发展历程 0Ti>PR5M  
16.8 去除光刻胶 lCyp&b#(L  
16.9 刻蚀检查 &Wup 7  
16.1 0刻蚀质量测量 RycO8z*p  
16.1 1干法刻蚀检查及故障排除 L"6@3  
16.1 2小结 AFSFXPl "  
/aB9pD+%  
第17章 离子注入 5&r2a}K  
目标 &j7l
#Urq  
17.1 引言 VgNt  
17.2 扩散 +>5 "fs$Y  
17.3 离子注入 RFu]vFff  
17.4 离子注入机  Dk fw*Oo  
17.5 离子注入在工艺集成中的发展趋势 Aq{m42EAj  
17.6 离子注入质量测量 _9Ig`?<>I  
17.7 离子注入检查及故障排除 JZQ$*K  
17.8 小结 }f6x>  
9b
T,=b;  
第18章 化学机械平坦化 IczEddt@'  
目标 o;JBe"1  
18.1 引言 '4A8\&lQO  
18.2 传统的平坦化技术 J)n g,i  
18.3 化学机械平坦化 KV0e^c;  
18.4 CMP应用 JPk3T.qp  
18.5 CMP质量测量 WiL~b =fT  
18.6 CMP检查及故障排除 5\tYs=>b<  
18.7 小结 w`VmN}pR  
2'J.$ h3  
第19章 硅片测试 \?fl%r2  
目标 7j&l2Z  
19.1 引言 D] 2+<;>`>  
19.2 硅片测试 um&e.V)N  
19.3 测试质量测量 "FaG5X(  
19.4 测试检查及故障排除 q6{%vd  
19.5 小结 1p&?MxLN-a  
qhpq\[U6in  
第20章 装配与封装 9bXU!l[  
目标 s/Wg^(&M  
20.1 引言 zq]V6.]J  
20.2 传统装配 "O|fX\}5  
20.3 传统封装 _ #l b\  
20.4 先进的装配与封装 (vjQF$Hp  
20.5 封装与装配质量测量 9#6ilF:F  
20.6 集成电路封装检查及故障排除 |_~BV&g,N  
20.7 小结 j>R7OGg'  
附录A 化学品及安全性 wR/i+,K  
附录B 净化间的沾污控制 mcDW&jwQ  
附录C 单位 Z#;ieI\  
附录D 作为氧化层厚度函数的颜色 D
l/UZ@8pl  
附录E 光刻胶化学的概要 V|HSIJ#J  
附录F 刻蚀化学 v-[|7Pg}Z  
术语表 k=bv!T_o  
…… >e-XZ2>Sj  
市场价：¥59.00 QbqLj>-AJ  
优惠价：¥43.70 为您节省：15.30元 (74折) :eQxdi'