半导体制造技术,作者:(美国)Michael Quirk,(美国)Julian Serda

半导体制造技术,作者:(美国)Michael Quirk,(美国)Julian Serda,译者:韩郑生,合著者:海潮和徐秋霞等. Ep3I*bQ Y  
《半导体制造技术》详细追述了半导体发展的历史并吸收了当今最新技术资料，学术界和工业界对《半导体制造技术》的评价都很高。全书共分20章，根据应用于半导体制造的主要技术分类来安排章节，包括与半导体制造相关的基础技术信息；总体流程图的工艺模型概况，用流程图将硅片制造的主要领域连接起来；具体讲解每一个主要工艺；集成电路装配和封装的后部工艺概况。此外，各章为读者提供了关于质量测量和故障排除的问题，这些都是会在硅片制造中遇到的实际问题。 #)O^aac29  
半导体制造技术》旨在介绍半导体集成电路产业中的新工具和技术，以便提高读者在工作过程中理解与使用相同或类似工具的能力。全书在细节上覆盖了用于亚0.25um（O.18um及以下）工艺的新技术，通过描述早期的工具和工艺来阐明现代技术的发展。书中包括铜互连、化学机械平坦化（CMP）、低K介质工艺、浅槽隔离（STl）、深紫外化学放大光刻胶、步进与扫描系统、具有双大马士革的铜金属化等。书中还解释了产业变化漫长历史中的所有工艺和设备，以及工艺需求和设备性能的技术关系，并给出了设备潜在性能与最佳制造所需工艺参数之间的折中。 )c532 y  
《半导体制造技术》主要特点： [\&2&  
在工艺章节（第10章至第18章）中讨论了关于设备和工艺的质量测量及故障排除等问题，在硅片制造中会遇到这些问题 @|e we.r  
全书通过大量生动的图表和具体翔实的数据来解释技术性内容，为读者提供了视觉支持，以掌握抽象的概念和原理 Qraa0]56  
每章最后有小结、关键术语、相关设备供应商网站和复习题 *eI{g  
附录中给出了关于安全性和技术信息等颇有价值的内容 "{zqXM}:C  

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第1章 半导体产业介绍 <2~DI0pp(  
目标 ew]G@66  
1.1 引言 m!=5Q S3Z  
1.2 产业的发展 1qBE|PwBp  
1.3 电路集成 q+cD  
1.4 集成电路制造 G\^<MR|  
1.5 半导体趋势 Mc$rsqDz  
1.6 电子时代 I&<'A[vHl  
1.7 在半导体制造业中的职业 a2/Mf   
1.8 小结 nq~fH(QY  
Gl[1K/,*  
第2章 半导体材料特性 qVH.I6)  
目标 9<3fH J?vq  
2.1 引言 l}&2A*c.  
2.2 原子结构 4t3>`x 7  
2.3 周期表 34nfL: y  
2.4 材料分类 IreY8.FND  
2.5 硅 @]p{%"$  
2.6 可选择的半导体材料 #&1gVkvp  
2.7 小结 Q>cEG"  
?e,:x ]\L  
第3章 器件技术 p(K^Zc  
目标 )d2:r 07a  
3.1 引言 1}+b4"7]  
3.2 电路类型 M^>l>?#rl  
3.3 无源元件结构 &0fV;%N  
3.4 有源元件结构 XODp[+xEEt  
3.5 CMOS器件的闩锁效应 S4-jFD)U  
3.6 集成电路产品 w~Nat7nD  
3.7 小结 nHRk2l|  
xE
eHQ7J  
第4章 硅和硅片制备 S.q0L  
目标 $Sa7N%D  
4.1 引言 Ih4$MG6QC  
4.2 半导体级硅 Upcx@
zJ  
4.3 晶体结构 !hHX8TD^J  
4.4 晶向 6a_U[-a9;  
4.5 单晶硅生长 MUGoW;}v)  
4.6 硅中的晶体缺陷 oe0YxSauL  
4.7 硅征制备 }^j8<  
4.8 质量测量  Lo5pn  
4.9 外延层 )jg*u}u 0  
4.10 小结 NL;sn"  
P#`M8k  
第5章 半导体制造中的化学品 OEXa}K#  
目标 A1`6+8}o;b  
5.1 引言 <5P*uZ  
5.2 物质形态 &K(y%ieIJ  
5.3 材料的属性 dUl"w`3  
5.4 工艺用化学品 Z @ef2y;  
5.5 小结 wu`+KUx  
>]C/ Q6  
第6章 硅片制造中的沾污控制 $5&~gHc,  
目标 I,HtW),  
6.1 引言 V\opC6*L_e  
6.2 沾污的类型 !H{>c@i  
6.3 沾污的源与控制 O:pg+o&  
6.4 硅片湿法清洗 DT)][V^w  
6.5 小结 k;2.g$)W[c  
<>Dw8?O  
第7章 测量学和缺陷检查 YRr,{[e  
目标 $xq04ejJ  
7.1 引言 d_0(;'
 
7.2 集成电路测量学 UK1)U)*+  
7.3 质量测量 .:B>xg~2  
7.4 分析设备 DHx&%]r;D  
7.5 小结 P8|ANe1 v  
AI#.+PrC{/  
第8章 工艺腔内的气体控制 "5O>egt  
目标 EltCtfm`  
8.1 引言 qSG0TWD!pq  
8.2 真空 }4H}*P>+  
8.3 真空泵 "#-iD  
8.4 工艺腔内的气流 )*{B_[  
8.5 残气分析器 +`>E_+
Mp  
8.6 等离子体 xpo^\E?2  
8.7 工艺腔的结构 8"g+ k`PRy  
8.8 小结 47Bg[  
F4WX$;1  
第9章 集成电路制造工艺概况 JtxVF!v  
目标 R8eBIJ/@_  
9.1 引言 -C}"1|P!  
9.2 CMOS工艺流程 rqdN%=C  
9.3 CMOS制作步骤 y 5=rr3%v  
9.4 小结 S
E@TY32T  
!Ko>   
第10章 氧化 g1"ZpD  
目标 d|7LCW+HW  
10.1 引言 Q^nfD  
10.2 氧化膜 i8-Y,&>V  
10.3 热氧化生长 v1X[/\;U  
10.4 高温炉设备 6 R})KIG  
10.5 卧式与立式炉 CI-za !
T  
10.6 氧化工艺 jgG9?w)|u  
10.7 质量测量 !K}W.yv,  
10.8 氧化检查及故障排除 s@7hoU-+  
10.9 小结 =BE
!  
US"g>WLwJ  
第11章 淀积 G)t-W%D&  
目标 ty rP[y  
11.1 引言 xS5 -m6/  
11.2 膜淀积 j|K;Yi  
11.3 化学气相淀积 3o?eUwI}  
11.4 CVD淀积系统 >dm9YfQ  
11.5 介质及其性能 eI2HTFyT  
11.6 旋涂绝缘介 #{J~ km/  
11.7 外延 nK?S2/o#A  
11.8 CVD质量测量 'ROz|iJ  
11.9 CVD检查及故障排除 GN! R<9  
11.1 0小结 y_Urzgm(  
r~f;g9I  
第12章 金属化 z |~+0  
目标 >
c<xy>N  
12.1 引言 0;">ETh=  
12.2 金属类型 4m91XD  
12.3 金属淀积系统 0D '^:  
12.4 金属化方案 7Vh  
12.5 金属化质量测量 x< 2]UB`  
12.6 金属化检查及故障排除 I#O"<0 *r  
12.7 小结 0!0e$!8l  
jI*@&3  
第13章 光刻：气相成底膜到软烘 4W*o:Y!  
目标 m[3c,Axl7  
13.1 引言 uyB2   
13.2 光刻工艺 &,jUaC5I  
13.3 光刻工艺的8个基本步骤 OQKg/1  
13.4 气相成底膜处理 37a1O>A  
13.5 旋转涂胶 nYZ6'Iwi'  
13.6 软烘 pFNU~y'Kf  
13.7 光刻胶质量测量 C5I7\9F)  
13.8 光刻胶检查及故障排除 !ae?EJm"  
13.9 小结 ~Hub\kn
 
`VO;\s$5j  
第14章 光刻：对准和曝光 L@6]~[JvP  
目标 Aixe?A_x  
14.1 引言 -wV2 79^b  
14.2 光学光刻 *Ic^9njt  
14.3 光刻设备 GAYn*'<  
14.4 混合和匹配 rnhLv$  
14.5 对准和曝光质量测量 K2xHXziQ  
14.6 对准和曝光检查及故障排除 \ Voly  
14.7 小结 &DGz/o  
2v4K3O60G  
第15章 光刻：光刻胶显影和先进的光刻技术 }kvix{  
目标 2xO[ ?fR  
15.1 引言 Qr~!YPK\  
15.2 曝光后烘焙 FVrB#Hw~  
15.3 显影 # M/n\em"X  
15.4 坚膜 7:uz{xPK6  
15.5 显影检查 E\s1p:%  
15.6 先进的光刻技术 5yoi;$~}_0  
15.7 显影质量测量 IA.7If&k  
15.8 显影检查及故障排除 >(igVaZ>  
15.9 小结 e8xq`:4Y
 
S8/~'<out  
第16章 刻蚀 "ckK{kS4~  
目标 cw 2!V@  
16.1 引言 ij-'M{f  
16.2 刻蚀参数 CV"}(1T  
16.3 干法刻蚀
q/I( e  
16.4 等离子体刻蚀反应器 *|\bS "  
16.5 干法刻蚀的应用 sa o&  
16.6 湿法腐蚀 mL`8COA  
16.7 刻蚀技术的发展历程 {X(nn.GpC  
16.8 去除光刻胶 w$f_z*/  
16.9 刻蚀检查 6X h7Bx1  
16.1 0刻蚀质量测量 L k nK  
16.1 1干法刻蚀检查及故障排除 W)Y`8&,  
16.1 2小结

1%B9xLq  
4uoZw3O  
第17章 离子注入 m6BUKX\m  
目标 :+jg311}  
17.1 引言 oOI0q_bf  
17.2 扩散 _^GBfM.  
17.3 离子注入 /Ls|'2J<$  
17.4 离子注入机 Bj\ x  
17.5 离子注入在工艺集成中的发展趋势 $aJay]F  
17.6 离子注入质量测量 |f$+|9Q?  
17.7 离子注入检查及故障排除 U3:|!CC)T  
17.8 小结 i:jXh9+  
+yfUB8Xw  
第18章 化学机械平坦化 }a5TY("d9H  
目标 v; #y^O  
18.1 引言 >KrI}>!9r  
18.2 传统的平坦化技术 |wuTw|  
18.3 化学机械平坦化 ma*#*4  
18.4 CMP应用 h]&  
18.5 CMP质量测量 w@,p`  
18.6 CMP检查及故障排除 \D z? h  
18.7 小结 aanS^t0  
QlMLWi  
第19章 硅片测试 us|Hb  
目标 sd%)g<t  
19.1 引言 d9TTAa
f  
19.2 硅片测试 (jU_lsG  
19.3 测试质量测量 A? B+  
19.4 测试检查及故障排除 Q<V1`e  
19.5 小结 6?M/71
 
5"57F88Y1  
第20章 装配与封装 (nB[aM  
目标 SceHdx(]  
20.1 引言 y-.{){uaD  
20.2 传统装配 |-S!)iG1V  
20.3 传统封装 _w?!Mu  
20.4 先进的装配与封装 w"[T  
20.5 封装与装配质量测量 Sq,>^|v4&e  
20.6 集成电路封装检查及故障排除 s1cu5eCt  
20.7 小结 t6+W  
附录A 化学品及安全性 xP_%d,  
附录B 净化间的沾污控制 y'^U4# (  
附录C 单位 rMIX{K)'f  
附录D 作为氧化层厚度函数的颜色 l@GJcCufE  
附录E 光刻胶化学的概要 &\6},
JN  
附录F 刻蚀化学 -( p%+`  
术语表 !6X6_ +}M  
…… !~?/D  
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