薄膜厚度测量---激光椭偏仪

发布:myjoy88 2010-01-13 17:44 阅读:3968
Multiple Angle Laser Ellipsometer 多入射角激光椭圆偏振仪 R=M"g|U6  
产品特点: xml@]N*D#E  
精度、高稳定性 4d&#NP  
快速、高精度样品校正 n8(B%KF  
快速测量、操作简便 r fqw/o  
多角度测量 ^NJ]~h{n$  
样品可水平或垂直放置 e&[gde(  
一体化集成设计 rkhQoYZ[  
椭圆偏振法简称椭偏法,是一种先进的测量薄膜纳米级厚度的方法。椭偏法的基本原理由于数学处理上的困难,直到本世纪40年代计算机出现以后才发展起来。椭偏法的测量经过几十年来的不断改进,已从手动进入到全自动、变入射角、变波长和实时监测,极大地促进了纳米技术的发展。椭偏法的测量精度很高(比一般的干涉法高一至二个数量级),测量灵敏度也很高(可探测生长中的薄膜小于0.1nm的厚度变化)。 利用椭偏法可以测量薄膜的厚度和折射率,也可以测定材料的吸收系数或金属的复折射率等光学参数。因此,椭偏法在半导体材料、光学、化学、生物学和医学等领域有着广泛的应用。 =`2nv0%2  
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产品说明: =4GJYhj  
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多入射角激光椭圆偏振仪EM01-633用于对纳米层构样品的薄膜厚度和632.8nm波长下的折射率n及吸收系数k进行快速、高精度、高准确度的测量。可用于表征: K/RQ-xd4  
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1) 单层纳米薄膜; {zoUU  
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2) 多层纳米层构膜系; g*b 4N _  
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3) 块状材料(基底) #.O,JG#H  
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4)透明薄膜 qGMM3a)Q  
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EM01-633操作简单、测量快速、精度高、准确度高、稳定性好,尤其适合于科研和工业产品环境中的新品研发及质量监控。EM01-633应用领域涉及纳米薄膜的诸多领域,如微电子、半导体、生命科学、电化学、显示技术、磁介质、金属处理等。此外,高灵敏测量使得它亦可对太阳能电池等非理想的、产生杂散光的粗糙表面进行测量。 U$a Eby.  
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EM01-633多角度激光椭偏仪带有针对太阳能电池的测量组件,改组件被设计用于满足晶体硅电池表面氧化硅薄膜的测量需要,可以提供出色的灵敏度、精确度和重复性 <%eY>E  
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产品性能简介: y e!Bfz>  
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高稳定性的He-Ne激光光源、高精度的采样方法,以及低噪声探测技术,保证了系统的高稳定性和高准确度; =jD[A>3I  
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样品位置校准可以保证样品调整到最佳的高度和倾斜度,从而获得最佳优信号,没有位置校准很难保证样品在合适位置,信号不能调整到最佳输出状态,测量的重复性和准确定都很难保证。 0 eZfHW&  
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高灵敏度探测器更适合于绒面太阳能电池片的弱信号测试,可以提高信噪比,保证测量结果的稳定和正确。 K%LDOVE8e  
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采用补偿器技术可测量的△范围为0-360度,没有死角,可确定△的正负号,并可计算出偏振因子P的值,P值可从侧面评估测量结果;针对太阳能电池绒面特征,测量时P值越接近1表明测量结果可靠性越高;没有补偿器的仪器当△在0度或180度附近的测量精度非常低,也就是有两个测量死角,在测量50nm以下薄膜时折射率误差较大,当然也无法计算偏振因子P的值,也就无从判断结果的可靠性。  [+$l/dag  
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耗材是仪器长期使用的耗费品,并会带来进一步的资金投入,EM01-PV采用了伺服电机来直接带动器件旋转,定位精度高,基本没有损耗,采用皮带传动会有打滑引起的测试稳定性问题,并周期性的带来更换的费用和不便。 <'A>7M~h?*  
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高精度的光学自准直望远技术,保证了快速、高精度的样品校正; sh.xp8^)^>  
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稳定的结构设计、可靠的样品位置校准,结合先进的采样技术,保证了在单入射角度下的快速、稳定测量; m1_?xU  
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分立式的多入射角位置选择,可应用于复杂样品的和绝对厚度的测量; q0WW^jwQ  
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仪器适应性的结构设计,保证了样品可水平放置或垂直放置,方便进行液相池中的样品测试; ZCPK{Ru QE  
Wu)ATs}  
一体化集成式的仪器结构设计,使得系统操作简单、整体稳定性提高,并节省空间; xrx{8pf  
eux _tyC  
专用软件中预定义了当前一些常见的应用(如半导体、微电子、生命科学等),可方便用户。 992;~lBu  
b3b 4'l   
内置模型数据库,免费的软件升级 J#*Uf>5NY  
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规格及主要技术指标: THH rGvb  
Wm:3_C +j  
EM01技术指标: "FQh^+  
"M6a_rZ2W  
激光波长 632.8nm(He-Ne laser)
激光稳定性 0.1%(rms)
ψ和Δ的精度 δ(ψ) = 0.08°,δ(Δ) = 0.008°(入射角度为90°)
膜层厚度精度 0.05nm(对于Si基底上65nm的SiO2膜层)
重复性 0.05nm(对于Si基底上65nm的SiO2膜层)
折射率精度1x10-3(对于Si基底上65nm的SiO2膜层)
结构 PSCA
激光光束直径 1mm
入射角度 手动选择,范围40°-90°,步进5°
样品方位调整 三维平移调节:±25mm(X-Y-Z) I^Ichn  
二维俯仰调节:±4° !s,<h U#  
光学自准直望远系统监视
最大样品尺寸 Φ170mm
单次测量时间 200ms
推荐测量范围 0-2000nm
外形尺寸(长x宽x高)980x660x430mm (入射角为90º时)
etf ft8  
dec-kevin@163.com
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最新评论

小青0228 2011-09-06 11:12
有没有详细资料啊
元小忠 2012-10-31 18:13
算是广告贴吗?
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