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半导体激光器的设计和工艺 .*EOVo
9S  
黄永箴 nE]~E xr  
中国科学院半导体所，光电子研发中心 wRXn9  
集成光电子国家重点实验室 POqRHuFq  
Jt-XmGULB  
一. 半导体激光器的基本结构 +}c|O+6g  
1.半导体双异质结构 :]B% >*;}  
2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) Y7*(_P3/  
3. 侧模控制(基侧模) Z:_m}Ya|  
4.横模控制 e;A^.\SP  
5. 动态单模半导体激光器 ^MW\t4pZ  
6. 波长可调谐半导体激光器 )Lc<;=w'9  
7.长波长VCSEL的进展 #*yM2H"7,;  
8.微腔激光器和光子晶体 9N~8s6Ob  
9.半导体激光器材料的选择 F!OOrW]p0  
Y )u_nn'[  
二.半导体光波导 )(h&Q? Ar  
1. 平板波导的模式，TE和TM模 z:Xj_ `p  
2. 光限制因子和模式增益 r#_7]_
3  
3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 pu/m8  
4. 半导体激光器镜面反射系数 `e'G.@  
5. DFB激光器的藕合模理论 .sd B3x
 
6. DFB半导体激光器的一维模拟 qDby!^ryc  
7. 等效折射率近似 -`zG_]=-  
8. 数值模拟 -"~
L2f"?  
)"
(V*Z  
三.半导体中的光跃迁和增益 *.kj]BoO  
1. 费米分布函数及跃迁速率 P$p@5hl  
2. 电子波函数及跃迁矩阵元 sg3h i"Im  
3.简约态密度及增益谱 gCv"9j<j
 
4.模式的自发辐射速率 %B#hb<7}  
5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 $.oOG"u0]  
6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 ;Y Dv.I  
7.增益谱峰值的近似表达式 xGKfej9  
2}^+]5  
四. 速率方程和动态效应 b7,  
1．单模速率方程及基本物理量 t{_!Z(Rt5)  
2．稳态输出 -'80>[}q/  
3. 共振频率和3dB带宽 f!5F]qP>-  
4. 载流子输运效应对带宽影响 Dz[566UD  
5. 开启延迟时间 :f
xWz%t  
6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 wENzlXeOP  
7. 自发辐射引起的噪声 |'ZN!2u  
8. 相对强度噪声 >j&1?M2C  
9. 模式线宽 'n~fR]
h}  
10. 多模速率方程 |.1qy,|!X  
E9^(0\Z I  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 n`P`yb\f$  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 uVN.=  
3.激光器寿命 $ I#7dJ"*  
4.激光器阈值电流的温度特性 i4h

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原来重复了，大家去：http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。