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半导体激光器的设计和工艺 Hb3+ $vJ^ 黄永箴 q9RCXo>Y+1 中国科学院半导体所， 光电子研发中心 +b.qzgH>r 集成光电子国家重点实验室 Ey 77]\ .-;K$'YG 一. 半导体 激光器的基本结构 `MgR/@%hr 1.半导体双异质结构 6EhRCl 2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) @xJ qG" 3. 侧模控制(基侧模) %6}S'yL 4.横模控制 v2dCk n / 5. 动态单模半导体激光器 8=!M0i 6. 波长可调谐半导体激光器 |i"A!r W 7.长波长VCSEL的进展 .#uRJo%8 8.微腔激光器和光子 晶体 WYQJ +z5 9.半导体激光器材料的选择 2sjP": L!3AiAnr 二.半导体光波导 ~(tZW 1. 平板波导的模式，TE和TM模 SzR0Mu3uK 2. 光限制因子和模式增益 :".:Wd 3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 22\Buk}? 4. 半导体激光器镜面反射系数 )EYsqj 5. DFB激光器的藕合模理论 z= -u89] 6. DFB半导体激光器的一维模拟 p;:tzH\l 7. 等效折射率近似 Bo?uw i 8. 数值模拟 ^CTgo,uf6H TR rO- 三.半导体中的光跃迁和增益 m D:d, ,~ 1. 费米分布函数及跃迁速率 $V~r*#$. 2. 电子波函数及跃迁矩阵元 o$m64l 3.简约态密度及增益谱 BBw `8! 4.模式的自发辐射速率 kL^;^!Nt 5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 !Y-MUZ$f 6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 5+G W% U/ 7.增益谱峰值的近似表达式 xTX\% s| %5*gsgeI 四. 速率方程和动态效应 PGMu6$ 1．单模速率方程及基本物理量 |H5){ 2V>K 2．稳态输出 Z~8Xp 3. 共振频率和3dB带宽 R:B-4 4. 载流子输运效应对带宽影响 1 ,o C:N 5. 开启延迟时间 ]DdD
FLM 6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 MC/$:PV 7. 自发辐射引起的噪声 {o7ib w=E) 8. 相对强度噪声 A6}M F 9. 模式线宽 0\wMlV`F 10. 多模速率方程 /`0*!sN*5 P"_x/C(]@J 五.半导体激光器的基本工艺和特性 BD,JBu] 1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 z-uJ+SA 3.激光器寿命 _%!C;`3Y 4.激光器阈值电流的温度特性 {$>*~.Wu rx'},[b]3 原来重复了，大家去：http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。
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