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半导体激光器的设计和工艺 @?d?e+B  
黄永箴 M8zE3;5  
中国科学院半导体所，光电子研发中心 QPV@'.2m  
集成光电子国家重点实验室 \gd6Yx^[  
jE*Ff&]%m  
一. 半导体激光器的基本结构 pw;r 25   
1.半导体双异质结构 ^Xa*lR 3  
2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) OM{Dq|  
3. 侧模控制(基侧模) O4N-_Kfp/  
4.横模控制 0 {,h.:  
5. 动态单模半导体激光器 FT4l$g7"  
6. 波长可调谐半导体激光器 ArL-rJ{}  
7.长波长VCSEL的进展 A!4VjE>  
8.微腔激光器和光子晶体 ,{+6$h3  
9.半导体激光器材料的选择 %Zu
Ll(  
Ge0Lb+<G  
二.半导体光波导 {wv&t R;  
1. 平板波导的模式，TE和TM模 f)U6p  
2. 光限制因子和模式增益 u{P~zyx  
3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 |=u96G~N  
4. 半导体激光器镜面反射系数 cyHU\!Z*Zq  
5. DFB激光器的藕合模理论 5y}BCY2=/  
6. DFB半导体激光器的一维模拟 Otxa<M+"  
7. 等效折射率近似 Mlwdha0  
8. 数值模拟 ke^d8Z.  
,S0UY):(A  
三.半导体中的光跃迁和增益 ?DRR+n _  
1. 费米分布函数及跃迁速率 =+4 _j  
2. 电子波函数及跃迁矩阵元 /:KQAM0  
3.简约态密度及增益谱 jOv~!7T  
4.模式的自发辐射速率 :~i+tD  
5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 2md.S$V$,  
6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 gZ*hkKN6  
7.增益谱峰值的近似表达式 N|$5/bV  
NFV_+{X\  
四. 速率方程和动态效应 %}ixgs7*c0  
1．单模速率方程及基本物理量 ^6#-yDZC@  
2．稳态输出 ]$|st^Q  
3. 共振频率和3dB带宽 A9iQ{l  
4. 载流子输运效应对带宽影响 T$IUKR  
5. 开启延迟时间 8 #Fh>  
6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 %b9fW  
7. 自发辐射引起的噪声 La]4/=a  
8. 相对强度噪声 4ODX5If  
9. 模式线宽 T1bFxim#b  
10. 多模速率方程 El+Ft.7  
P|8e%P  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 FTbtAlqh<  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 5Fh8*8u6hL  
3.激光器寿命 2$3kKY6$e  
4.激光器阈值电流的温度特性 =nw0# '  
(qbc;gBy  
原来重复了，大家去：http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。