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半导体激光器的设计和工艺 uEi!P2zN  
黄永箴 sa#"@j)  
中国科学院半导体所，光电子研发中心 n1ED _9  
集成光电子国家重点实验室 |ntJ+  
x:2[E-  
一. 半导体激光器的基本结构 N{9<Tf*  
1.半导体双异质结构 J)fS2Ni+  
2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) _ _)Z Q  
3. 侧模控制(基侧模) ;C"J5RA  
4.横模控制 F}01ikXDb'  
5. 动态单模半导体激光器 X2e|[MWkp  
6. 波长可调谐半导体激光器 If&p$pAH?  
7.长波长VCSEL的进展 &erNVD5o  
8.微腔激光器和光子晶体 +bO{UC[  
9.半导体激光器材料的选择 MW$9,[  
d;;=s=j  
二.半导体光波导 kDv)g  
1. 平板波导的模式，TE和TM模 J5o"JRJ"  
2. 光限制因子和模式增益 2h
px%H  
3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 &1[5b8H;+  
4. 半导体激光器镜面反射系数 7CIje=u.q  
5. DFB激光器的藕合模理论 J`mp8?;%  
6. DFB半导体激光器的一维模拟 rzTyHK[  
7. 等效折射率近似 }%1E9u  
8. 数值模拟 1_p'0lFe  
+.R-a+y3  
三.半导体中的光跃迁和增益 A!f0AEA,  
1. 费米分布函数及跃迁速率 Rxli;blzi  
2. 电子波函数及跃迁矩阵元 SUVr&S6Nk  
3.简约态密度及增益谱 iK#{#ebAoW  
4.模式的自发辐射速率 ry< P LRN  
5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 |(V%(_s  
6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 y1'/@A1  
7.增益谱峰值的近似表达式 ~xJD3Qf  

;I7Z*'5!  
四. 速率方程和动态效应 AHA*yC  
1．单模速率方程及基本物理量 8r|LFuI  
2．稳态输出 *@ o3{0[Z  
3. 共振频率和3dB带宽 UF{2Gx  
4. 载流子输运效应对带宽影响 {l6]O  
5. 开启延迟时间 qQ_B[?+W  
6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 9BY b{<0tS  
7. 自发辐射引起的噪声 g<C})84y3  
8. 相对强度噪声 LH_2oJ\  
9. 模式线宽 5[R}MhLZ  
10. 多模速率方程 0I_;?i  
/Yh([P>  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 i!HGM=f  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 _NkN3f5 1L  
3.激光器寿命 }n=NHHtJ  
4.激光器阈值电流的温度特性 B'
;Ob  
qb<gh D=j  
原来重复了，大家去：http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。