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半导体激光器的设计和工艺 MTq/ 黄永箴 abCxB^5VL 中国科学院半导体所, 光电子研发中心 GDb Vy)& 集成光电子国家重点实验室 RS#C4NG *_P'> V#p 一. 半导体 激光器的基本结构 nwzyL`kF 1.半导体双异质结构 Vol}wc 2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) ,6o tm 3. 侧模控制(基侧模) H}q$6WE 4.横模控制 :G]t=vr1 5. 动态单模半导体激光器 ?b"'w 6. 波长可调谐半导体激光器 nyxoa/ 7.长波长VCSEL的进展 IVa6?f6H_ 8.微腔激光器和光子 晶体 LOr( HgyC 9.半导体激光器材料的选择 B79~-,Yh m&z(2yb1 二.半导体光波导 ~N7;.
3 7 1. 平板波导的模式,TE和TM模 t*dq*(3"c 2. 光限制因子和模式增益 URt+MTU[ 3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 ;),,Hk 4. 半导体激光器镜面反射系数 r'lANl-v 5. DFB激光器的藕合模理论 YK5(o KFN 6. DFB半导体激光器的一维模拟 ZE=
Yn~XM 7. 等效折射率近似 /5Vv5d/Z4! 8. 数值模拟 5:#|Op N (_6JQn 三.半导体中的光跃迁和增益 id" l" 1. 费米分布函数及跃迁速率 jQ7-M4qO/ 2. 电子波函数及跃迁矩阵元 a5/Dz&>j6 3.简约态密度及增益谱 #?,"/Btq 4.模式的自发辐射速率 tR2%oT>h 5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 lL
50PU 6.能带,跃迁矩阵元和增益谱数值结果 =''b `T$ 7.增益谱峰值的近似表达式 |.$7.8g nLC5FA7< 四. 速率方程和动态效应 wAJ=rRI 1.单模速率方程及基本物理量 B|8|f(tsSa 2.稳态输出 [LUqF?K& 3. 共振频率和3dB带宽 iq^;c syKb 4. 载流子输运效应对带宽影响 B(5>H2 5. 开启延迟时间 <M}O&?N
8x 6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 Hs_7oy|P 7. 自发辐射引起的噪声 +@H{H2J 4 8. 相对强度噪声 &FJr?hY% 9. 模式线宽 -yTIv*y 10. 多模速率方程 UX<)hvKj mdo$d-d& 五.半导体激光器的基本工艺和特性 4tx6h<L#s 1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 #!%zf{(C+ 3.激光器寿命 k#7A@Vb 4.激光器阈值电流的温度特性 A zp!;+ n3qRt 原来重复了,大家去:http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。
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