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半导体激光器的设计和工艺 sn2r>m3  
黄永箴 OE5X8DqQe  
中国科学院半导体所，光电子研发中心 Cb+P7[X-  
集成光电子国家重点实验室 cF-Jc}h  
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一. 半导体激光器的基本结构 t- !h X/  
1.半导体双异质结构 K lPm=  
2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) YmdsI+DbIu  
3. 侧模控制(基侧模) y-D>xV
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4.横模控制 Y}85J:q]  
5. 动态单模半导体激光器 Q
f/j:  
6. 波长可调谐半导体激光器 e-&L\M  
7.长波长VCSEL的进展 B/kcb
(5v  
8.微腔激光器和光子晶体 fp`U?S6  
9.半导体激光器材料的选择 wn&[1gBxM  
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二.半导体光波导 IEKMa  
1. 平板波导的模式，TE和TM模 s{b0#[  
2. 光限制因子和模式增益 P?-d[zLA  
3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 H57jBD  
4. 半导体激光器镜面反射系数 X`8Y[Vb3}  
5. DFB激光器的藕合模理论 FjK Ke7  
6. DFB半导体激光器的一维模拟 c%o5E%  
7. 等效折射率近似 _Y}^%eFw  
8. 数值模拟 w@<<zItSo  
BBaHMsr  
三.半导体中的光跃迁和增益 O~7p^i}  
1. 费米分布函数及跃迁速率 !pE>O-| K  
2. 电子波函数及跃迁矩阵元 }xpe  
3.简约态密度及增益谱 @B}&62T  
4.模式的自发辐射速率 |:`?A3^m#  
5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 PX+"" #  
6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 j@kRv@  
7.增益谱峰值的近似表达式 &utS\-;G  
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四. 速率方程和动态效应 PW(_yB;  
1．单模速率方程及基本物理量 P}w^9=;S  
2．稳态输出 7$E2/@f  
3. 共振频率和3dB带宽 BxW||O|_N"  
4. 载流子输运效应对带宽影响 0TuNA\Ug+  
5. 开启延迟时间 7`j|tb-  
6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 S^_JC  
7. 自发辐射引起的噪声 *<#]&2I  
8. 相对强度噪声 <"j"h=tm}  
9. 模式线宽 8trm`?>  
10. 多模速率方程 NK*:w *SOI  
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五.半导体激光器的基本工艺和特性 z{<q0.^EFh  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 U O{xpY  
3.激光器寿命 see'!CjVo2  
4.激光器阈值电流的温度特性 5VY%o8xXa  
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原来重复了，大家去：http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。