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半导体激光器的设计和工艺 3TCRCz  
黄永箴 ti%RE:*  
中国科学院半导体所，光电子研发中心 ,G}i:7  
集成光电子国家重点实验室 kD;pj3o&"2  
2
yg6hR  
一. 半导体激光器的基本结构 7mdd}L^h Z  
1.半导体双异质结构 ARf{hiV6Wt  
2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) F{a;=h#@Q  
3. 侧模控制(基侧模) TbNH{w|p  
4.横模控制 #6ePwd  
5. 动态单模半导体激光器 ^5
Lk}<utw  
6. 波长可调谐半导体激光器 hPNMp@Nm6  
7.长波长VCSEL的进展 I-r+1gty  
8.微腔激光器和光子晶体 lTq"j?#E]m  
9.半导体激光器材料的选择 300w\9fn&  
<C(o0u&/  
二.半导体光波导 ;XawEG7" U  
1. 平板波导的模式，TE和TM模 X)~wB7_0G  
2. 光限制因子和模式增益 r#4/~a5i~  
3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 UWKgf? _  
4. 半导体激光器镜面反射系数 rq8 d}wj  
5. DFB激光器的藕合模理论 C[ mTVxd  
6. DFB半导体激光器的一维模拟 PgK7CG7G  
7. 等效折射率近似 _7;:*'>a4  
8. 数值模拟 p+V#86(3  
"t.`/4R2w  
三.半导体中的光跃迁和增益 =gQ9>An  
1. 费米分布函数及跃迁速率 -GCo`PR?b  
2. 电子波函数及跃迁矩阵元 Su2{nNC>  
3.简约态密度及增益谱 6
^'BTd  
4.模式的自发辐射速率 wTa u.Bo  
5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 Yjjh}R#  
6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 ]1<GZ`  
7.增益谱峰值的近似表达式 \/Mx|7<  
aU_Hl+;  
四. 速率方程和动态效应 u7[}pf$}  
1．单模速率方程及基本物理量 mvZ#FF1,J  
2．稳态输出 8;DDCop 8L  
3. 共振频率和3dB带宽 ?![[la+f  
4. 载流子输运效应对带宽影响 kzRJzJquP  
5. 开启延迟时间 6j<!W+~G  
6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 PT6]qS'1  
7. 自发辐射引起的噪声 <R /\nYXz  
8. 相对强度噪声 b[<R
cM{r}  
9. 模式线宽 \4>,L_O  
10. 多模速率方程 !&rd#ZBn  
l,4O  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 -U=Ci  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 "GK9Y  
3.激光器寿命 ]oB
~8d  
4.激光器阈值电流的温度特性 ;Nj9,Va(t  
w]0@V}}u$o  
原来重复了，大家去：http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。