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半导体激光器的设计和工艺 8h|M!/&2  
黄永箴 4qt+uNe!  
中国科学院半导体所，光电子研发中心 ;hwzYXWF  
集成光电子国家重点实验室 ^
Hg/P8q  
7R,qDp S  
一. 半导体激光器的基本结构 F.<L> G7{1  
1.半导体双异质结构 f ba&`  
2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) &|b4\uj9  
3. 侧模控制(基侧模) I5qM.@%zB  
4.横模控制 bhD ~4Rz  
5. 动态单模半导体激光器 ;WD,x:>blO  
6. 波长可调谐半导体激光器 ?6f7ld5  
7.长波长VCSEL的进展 :Hk_8J  
8.微腔激光器和光子晶体 DzC Df@TB"  
9.半导体激光器材料的选择 C/G]v*MBQ  
:&qhJtGo  
二.半导体光波导 o)&"Rf  
1. 平板波导的模式，TE和TM模 llq*T"
7  
2. 光限制因子和模式增益 #{$1z;i?f  
3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 *YtB )6j  
4. 半导体激光器镜面反射系数 ;L~p|sF  
5. DFB激光器的藕合模理论 URA0ey`  
6. DFB半导体激光器的一维模拟 K
lN/\N\  
7. 等效折射率近似 :"<e0wDu[  
8. 数值模拟 @QdnjX
II*  
l4vTU=  
三.半导体中的光跃迁和增益 *%\mZ,s"  
1. 费米分布函数及跃迁速率 2no$+4+z  
2. 电子波函数及跃迁矩阵元 XWUP=D~  
3.简约态密度及增益谱 o0ZBi|U\4  
4.模式的自发辐射速率 Izn T|l^  
5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 QXVC\@  
6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 NvJV</l6A  
7.增益谱峰值的近似表达式 *%!M4&  
6Ps.
E  
四. 速率方程和动态效应 FI"HJwAs  
1．单模速率方程及基本物理量 sI,W%I':d  
2．稳态输出 $DebXxJw0l  
3. 共振频率和3dB带宽 rp's
 
4. 载流子输运效应对带宽影响 pu9^e4B9  
5. 开启延迟时间 V.6)0fKZW  
6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 mR%FqaN_  
7. 自发辐射引起的噪声 E.`6oX\L|  
8. 相对强度噪声 s5D:  
9. 模式线宽 z.oU4c
 
10. 多模速率方程 |=6_ xRyr  
$*f?&U]k  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 yNCEz/4  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 _=EKXE)&}  
3.激光器寿命 FhkkWWL  
4.激光器阈值电流的温度特性 ]$A(9Pn"  
SZhOm  
原来重复了，大家去：http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。