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半导体激光器的设计和工艺 EQ~I'#m7  
黄永箴 g[<uwknf  
中国科学院半导体所，光电子研发中心 _Fvsi3d/  
集成光电子国家重点实验室 B)d@RAk  
ZArf;&8  
一. 半导体激光器的基本结构 % NwoU%q  
1.半导体双异质结构 :\T_'Shq  
2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) %w%zv2d  
3. 侧模控制(基侧模) $YR{f[+L w  
4.横模控制 Xa\]ua_  
5. 动态单模半导体激光器 Cj=J;^vf  
6. 波长可调谐半导体激光器 "lb\c  
7.长波长VCSEL的进展 #|D:f~"d3  
8.微腔激光器和光子晶体 g&8.A(  
9.半导体激光器材料的选择 Ae3#>[]{  
p!V)55J*  
二.半导体光波导 vKV{ $|  
1. 平板波导的模式，TE和TM模 '4Y*-!9  
2. 光限制因子和模式增益 'j
wTGT5x  
3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 )S"o{N3B  
4. 半导体激光器镜面反射系数 \!6t  
5. DFB激光器的藕合模理论 fY2l.H\f  
6. DFB半导体激光器的一维模拟 l9,w>]s  
7. 等效折射率近似
uof0Oc.  
8. 数值模拟 -kt1t@O  
ob)D{4B'  
三.半导体中的光跃迁和增益 A'w2GC{.  
1. 费米分布函数及跃迁速率 uFa-QG^Y{  
2. 电子波函数及跃迁矩阵元 SwQOFE/Dv~  
3.简约态密度及增益谱 A` oa|k!U  
4.模式的自发辐射速率 EzwF`3RjK  
5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 \>_eEZ5  
6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 ]*;RHy9  
7.增益谱峰值的近似表达式 e1Dj0s?i~K  
H==X0  
四. 速率方程和动态效应 9 ?[4i'  
1．单模速率方程及基本物理量 i$2MjFC-  
2．稳态输出 "otr+.{`*  
3. 共振频率和3dB带宽 )E_!rR  
4. 载流子输运效应对带宽影响 !k ;[^>  
5. 开启延迟时间 1j8/4:  
6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 thR|h+B  
7. 自发辐射引起的噪声 +lW+H12  
8. 相对强度噪声 
GWVEIZ  
9. 模式线宽 15RI(BN  
10. 多模速率方程 ~ly`u  
D]3bwoFo&u  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 h:eN>yW  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 *(>F'>F1"  
3.激光器寿命 s2kGU^]y  
4.激光器阈值电流的温度特性 noWRYS%  
99=[>Ck)G  
原来重复了，大家去：http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。