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半导体激光器的设计和工艺 D|)_c1g  
黄永箴 Qw2-Vv4!"  
中国科学院半导体所，光电子研发中心 s) U1U6O  
集成光电子国家重点实验室 EMO{u  
/"D,gn1S*  
一. 半导体激光器的基本结构 "J+L]IC?AD  
1.半导体双异质结构 9AhA"+?  
2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) 8b]4uI<  
3. 侧模控制(基侧模) 7afG4 (<k  
4.横模控制 6}I X{nQI  
5. 动态单模半导体激光器 KqJln)7  
6. 波长可调谐半导体激光器 PaQ
lQ#  
7.长波长VCSEL的进展 &-Ch>:[  
8.微腔激光器和光子晶体 )SJM:E  
9.半导体激光器材料的选择 "%D"h  
3WQa^'u  
二.半导体光波导 j]kgdAq>  
1. 平板波导的模式，TE和TM模 "zY~*3d  
2. 光限制因子和模式增益 8\P,2RSnt  
3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 $zCCeRP  
4. 半导体激光器镜面反射系数 L%Zr3Ct  
5. DFB激光器的藕合模理论 ddKP3}  
6. DFB半导体激光器的一维模拟 \ .#Y  
7. 等效折射率近似 &gr 8;O:0  
8. 数值模拟 rD <T  
|}:}14ty  
三.半导体中的光跃迁和增益 Oo;]j)z  
1. 费米分布函数及跃迁速率 X[dfms;H  
2. 电子波函数及跃迁矩阵元 !;&\n3-W  
3.简约态密度及增益谱 tkHmH/'7  
4.模式的自发辐射速率 B2]52Fg-"  
5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 8,IF%Z+LI  
6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 i*:QbMb  
7.增益谱峰值的近似表达式 )r{Wj*u  
e`={_R{N  
四. 速率方程和动态效应 1T|")D  
1．单模速率方程及基本物理量 "*<vE7  
2．稳态输出 CUH u=  
3. 共振频率和3dB带宽 w%qnH e9  
4. 载流子输运效应对带宽影响 RN)XIf$@_  
5. 开启延迟时间 lmHQ"z 3G  
6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 ~HGSA(  
7. 自发辐射引起的噪声 hzM;{g>t  
8. 相对强度噪声 7O*Sg2B  
9. 模式线宽 'J} ?'{.  
10. 多模速率方程 +ho=0>  
k;cX,*DIn  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 zuN(~>YH  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 WZ6{9/%:  
3.激光器寿命 ,5Wu  
4.激光器阈值电流的温度特性 bR"4:b>K  
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原来重复了，大家去：http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。