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半导体激光器的设计和工艺 s?Lx\?T  
黄永箴 eS#kDa/ %  
中国科学院半导体所，光电子研发中心 ?tzJ7PJ~B  
集成光电子国家重点实验室 I(^pIe-  
v.iHgh  
一. 半导体激光器的基本结构 aa|u*afWQ  
1.半导体双异质结构 )/HbmtXqI  
2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) gu?e%]X3  
3. 侧模控制(基侧模) <P
LQY  
4.横模控制 d}D%%noIu  
5. 动态单模半导体激光器 MoAie|MKe  
6. 波长可调谐半导体激光器 /{1sU}k-  
7.长波长VCSEL的进展 TF]bmM})0  
8.微腔激光器和光子晶体 X0:V5 e  
9.半导体激光器材料的选择 ~6{iQZa1Y  
/x%h@Cn!  
二.半导体光波导 z<_&4)2{  
1. 平板波导的模式，TE和TM模 OaTnQ|*  
2. 光限制因子和模式增益 jej.!f:H  
3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 HQp\0NC]  
4. 半导体激光器镜面反射系数 u<L<o2  
5. DFB激光器的藕合模理论 0gRj3al(  
6. DFB半导体激光器的一维模拟 l7h6R$7; 0  
7. 等效折射率近似 -VZn`6%s  
8. 数值模拟 *y+N-uq  
TxJoN]Z.  
三.半导体中的光跃迁和增益 oW}nr<G{
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1. 费米分布函数及跃迁速率 vHJOpQmt~  
2. 电子波函数及跃迁矩阵元 _+!@c6k)ra  
3.简约态密度及增益谱 ./]xn  
4.模式的自发辐射速率 is~"yE7  
5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 [T |P|\M  
6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 mpr_AL!ZO~  
7.增益谱峰值的近似表达式 4nsc`Hu  
2xLEB&  
四. 速率方程和动态效应 jz,K>   
1．单模速率方程及基本物理量 }VU^ 8
D  
2．稳态输出 7xF)\um  
3. 共振频率和3dB带宽 qt(+X  
4. 载流子输运效应对带宽影响 O]4v\~@-j  
5. 开启延迟时间 r` B(ucE  
6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 ol0i^d*9F  
7. 自发辐射引起的噪声 e{EC#%x_  
8. 相对强度噪声 A%[e<vj9  
9. 模式线宽 4,,DA2^!  
10. 多模速率方程 >jU25"XI[  
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五.半导体激光器的基本工艺和特性 c"O4=[N: ;  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 z*a-=w0  
3.激光器寿命 vp32}zeD  
4.激光器阈值电流的温度特性 /!#A'#Z  
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原来重复了，大家去：http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。