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半导体激光器的设计和工艺 Q sCheHP  
黄永箴 ~dTrf>R8M  
中国科学院半导体所，光电子研发中心 z5*'{t)  
集成光电子国家重点实验室 K`fuf=  
6A+nS=  
一. 半导体激光器的基本结构 $}<e|3_  
1.半导体双异质结构 _ *Pf  
2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) -k"/X8  
3. 侧模控制(基侧模) 5MJS ~(  
4.横模控制 z[qDkL  
5. 动态单模半导体激光器 oV78Hq6  
6. 波长可调谐半导体激光器 $c(nF01  
7.长波长VCSEL的进展 wgGl[_)  
8.微腔激光器和光子晶体 G mA< g  
9.半导体激光器材料的选择 ^RIl  
&E5g3lf  
二.半导体光波导 ,UF_`|  
1. 平板波导的模式，TE和TM模 .V8La
uz8  
2. 光限制因子和模式增益 N6i Q8P-  
3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 b,1ePS  
4. 半导体激光器镜面反射系数 D_zZXbNc  
5. DFB激光器的藕合模理论 lA8`l>I  
6. DFB半导体激光器的一维模拟 )irEM  
7. 等效折射率近似 JYHl,HH#z  
8. 数值模拟 ~q25Yx9W@  
((M>s&\y*Y  
三.半导体中的光跃迁和增益 oj+hQ+>  
1. 费米分布函数及跃迁速率 T</F 0su|  
2. 电子波函数及跃迁矩阵元 _u QOHwn  
3.简约态密度及增益谱 :&."ttf=  
4.模式的自发辐射速率 28d'7El$  
5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 =]0&i]z[.  
6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 /hyN;.hpOO  
7.增益谱峰值的近似表达式 i?^L/
b`H  
v"Es*-{B  
四. 速率方程和动态效应 |Ds1  
1．单模速率方程及基本物理量 fVpMx4&F   
2．稳态输出 D2~*&'4y  
3. 共振频率和3dB带宽 >}6%#CAf  
4. 载流子输运效应对带宽影响 Qh\60f>0  
5. 开启延迟时间 6i3$CW  
6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 kc&U'&RgY  
7. 自发辐射引起的噪声 'm kLCS  
8. 相对强度噪声 2`=7_v  
9. 模式线宽 YS"=yye3e  
10. 多模速率方程 9CD_os\h  
Y`a3tO=Pd  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 z!9-
:  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 ln dx"prW  
3.激光器寿命 *b\t#meS&  
4.激光器阈值电流的温度特性 7WZ+T"O{I  
o|["SYIf  
原来重复了，大家去：http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。