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半导体激光器的设计和工艺 P}4&J ^  
黄永箴 2W+~{3[#  
中国科学院半导体所，光电子研发中心 h:fiUCw  
集成光电子国家重点实验室 _*~F1% d  
aMI;;iL^  
一. 半导体激光器的基本结构 ox&5}&\  
1.半导体双异质结构 _=$~l^Y[  
2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) l>\EkUT  
3. 侧模控制(基侧模) t2,II\Kl  
4.横模控制 .{ v$;g  
5. 动态单模半导体激光器 k3bQ32()  
6. 波长可调谐半导体激光器 B''yW{  
7.长波长VCSEL的进展 r(r(&NU  
8.微腔激光器和光子晶体 TKnWhB/J  
9.半导体激光器材料的选择 &>qUT]w  
5qrD~D'  
二.半导体光波导 JwMRquQv  
1. 平板波导的模式，TE和TM模 9\"\7S/Z  
2. 光限制因子和模式增益 GDLi?3q  
3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 <)Z
QRE@  
4. 半导体激光器镜面反射系数 <%^/uS  
5. DFB激光器的藕合模理论 U =J5lo  
6. DFB半导体激光器的一维模拟 Mqr]e#"o  
7. 等效折射率近似 qy|bOl  
8. 数值模拟 5[;[Te9=S  
Zbnxs.i!  
三.半导体中的光跃迁和增益 +Q+O$-a<  
1. 费米分布函数及跃迁速率 "5N4 of 8  
2. 电子波函数及跃迁矩阵元 65aYH4"  
3.简约态密度及增益谱 Ke4oLF2
 
4.模式的自发辐射速率 ^ =C>  
5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果  ]~;*9`:  
6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 lfAy$qP"}  
7.增益谱峰值的近似表达式 ,g?ny<#o  
=G}a%)?As\  
四. 速率方程和动态效应 1NP  
1．单模速率方程及基本物理量 A"S"La%"  
2．稳态输出 9(]_so24,  
3. 共振频率和3dB带宽 GXZ="3W |  
4. 载流子输运效应对带宽影响 ^\v]Ltd  
5. 开启延迟时间 7(2}Vs!5  
6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 =OK#5r[UV  
7. 自发辐射引起的噪声 LGL;3EI  
8. 相对强度噪声 . Z&5TK4I  
9. 模式线宽 QjLU@?&  
10. 多模速率方程 \ZRII<k5)  
1te^dh:Vp  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 $tu  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 L<V20d9
  
3.激光器寿命 OmuE l>  
4.激光器阈值电流的温度特性 | +;ZC y  
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原来重复了，大家去：http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。