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半导体激光器的设计和工艺 B9]bv] 黄永箴 TmJXkR.5 中国科学院半导体所， 光电子研发中心 ^_uCSA'X 集成光电子国家重点实验室 p-,Bq!aG$ -K6y#O@@ 一. 半导体 激光器的基本结构 V/yj.aA*@ 1.半导体双异质结构 MZ>Q Rf 2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) BxB B]( 3. 侧模控制(基侧模) rf]x5%ij 4.横模控制 a&B@F]+ 5. 动态单模半导体激光器 t_ \&LMD 6. 波长可调谐半导体激光器 c;88Wb<|W 7.长波长VCSEL的进展 wM! dz& 8.微腔激光器和光子 晶体 V2$M`|E 9.半导体激光器材料的选择 (SByN7[g b ?B <.d8i 二.半导体光波导 4TSkm`iR 1. 平板波导的模式，TE和TM模 1+qP7 3a^ 2. 光限制因子和模式增益 X5+$:jq& 3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 N: 5 N}am 4. 半导体激光器镜面反射系数 dyB@q h~H 5. DFB激光器的藕合模理论 LXf| n 6. DFB半导体激光器的一维模拟 j)#GoU=w 7. 等效折射率近似 i_av_ I- 8. 数值模拟 }l_8~ /9 f 0*_& rP 三.半导体中的光跃迁和增益 Qki?
>j" 1. 费米分布函数及跃迁速率 593!;2/@ 2. 电子波函数及跃迁矩阵元 0+A MN- 3.简约态密度及增益谱 *TPWLR ^ 4.模式的自发辐射速率 D0h 6j0r 5 5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 8[:G/8VI 6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 ~ iq=J5IN# 7.增益谱峰值的近似表达式 #{J+BWP\o o 80x@ &A: 四. 速率方程和动态效应 -0<ZN(?| 1．单模速率方程及基本物理量 l/A! ofc#) 2．稳态输出 N3w y][bo 3. 共振频率和3dB带宽 R 0 -Y2v 4. 载流子输运效应对带宽影响
#p-\Y7f 5. 开启延迟时间 o Va [ 6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 :0Fc E,1 7. 自发辐射引起的噪声 G^#? ~ 8. 相对强度噪声 mB%m<Zo\U 9. 模式线宽 ..=lM:13| 10. 多模速率方程 %Lq}5zB 8#HQ05q> 五.半导体激光器的基本工艺和特性 9f sc>9 1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 V6'k\5| _ 3.激光器寿命 }sp?@C,Z 4.激光器阈值电流的温度特性 ,_K :DSiB +^* b]"[ 原来重复了，大家去：http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。
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