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半导体激光器的设计和工艺 BByCMY  
黄永箴 [BM*oEFPB*  
中国科学院半导体所，光电子研发中心 1zftrX~v!X  
集成光电子国家重点实验室 -h#mn2U~3r  
+Llo81j&  
一. 半导体激光器的基本结构 C5W>W4EM  
1.半导体双异质结构 JN'cXZJPn  
2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) ; |L<:x/  
3. 侧模控制(基侧模) W0XF~  
4.横模控制 Kmz7c|  
5. 动态单模半导体激光器 FJNF%a)x2I  
6. 波长可调谐半导体激光器 ~]'pY  
7.长波长VCSEL的进展 F7MzCZvu  
8.微腔激光器和光子晶体 la <npX  
9.半导体激光器材料的选择 \}_Yd8  
:q#K} /  
二.半导体光波导 EE=
3  
1. 平板波导的模式，TE和TM模 Vp}
^NNYf  
2. 光限制因子和模式增益 N^w'Hw0  
3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 Q;u SWt<{  
4. 半导体激光器镜面反射系数 k(%QIJH  
5. DFB激光器的藕合模理论 7v7G[n  
6. DFB半导体激光器的一维模拟 {g6Qv-  
7. 等效折射率近似 {/<6v. v  
8. 数值模拟 sC"}8+[)S3  
>dzsQ^Nj  
三.半导体中的光跃迁和增益 RthT\%R  
1. 费米分布函数及跃迁速率 xJs
;v  
2. 电子波函数及跃迁矩阵元 j'0r'  
3.简约态密度及增益谱 "YU{Fkl#j  
4.模式的自发辐射速率 SC &~s
$P;  
5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 ;8
{cA_&  
6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 lb*8G  
7.增益谱峰值的近似表达式 "xRBE\B
 
F^k.is  
四. 速率方程和动态效应 sJ z@7.  
1．单模速率方程及基本物理量 $2~\eG=u H  
2．稳态输出 IJIzXU  
3. 共振频率和3dB带宽 >q~l21dUi  
4. 载流子输运效应对带宽影响 w$Ot{i|$(  
5. 开启延迟时间 AJ^#eY5  
6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 )yK[Zb[  
7. 自发辐射引起的噪声 8qEK+yi,  
8. 相对强度噪声 cLY c6  
9. 模式线宽 ;Xvp6.:  
10. 多模速率方程 b6(p  
dq1:s1  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 {<>K]P~wD  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 X|D!VX>#!  
3.激光器寿命 JwnQ0 e  
4.激光器阈值电流的温度特性 )6KMHG  
gk[{2HgN  
原来重复了，大家去：http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。