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半导体激光器的设计和工艺 17nONhh  
黄永箴 CI };$4W~  
中国科学院半导体所，光电子研发中心 _Bh ^<D-  
集成光电子国家重点实验室 2Xt$KF,?  
p+F{iMC  
一. 半导体激光器的基本结构 JWuF ?<+k  
1.半导体双异质结构 9(PQ7}  
2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) s$s]D\N  
3. 侧模控制(基侧模) xxN=,p  
4.横模控制 Mk-Rl  
5. 动态单模半导体激光器 B.-1wZl  
6. 波长可调谐半导体激光器 
0WjPo  
7.长波长VCSEL的进展 %j3*j  
8.微腔激光器和光子晶体 ;P{HePs=)  
9.半导体激光器材料的选择 .Y"H{|]Mnh  
x3JX}yCX  
二.半导体光波导 )fo9Qwe  
1. 平板波导的模式，TE和TM模 *Q@%<R  
2. 光限制因子和模式增益 }LaRa.3  
3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 nz=X/J6  
4. 半导体激光器镜面反射系数 Z,~EH  
5. DFB激光器的藕合模理论 n2JwZ?  
6. DFB半导体激光器的一维模拟
BWbM$@'x  
7. 等效折射率近似 `n# {}%  
8. 数值模拟
'01ifA^  
;c-J)Ky  
三.半导体中的光跃迁和增益 _;Q1PgT  
1. 费米分布函数及跃迁速率 JDyP..Dt  
2. 电子波函数及跃迁矩阵元 ,c%>M^d  
3.简约态密度及增益谱 WzC_M>_  
4.模式的自发辐射速率 ~9OART='  
5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 )4hb%U  
6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 i5>]$j1/  
7.增益谱峰值的近似表达式 86s.qPB0  
)rTV}Hk  
四. 速率方程和动态效应 .7ZV:m  
1．单模速率方程及基本物理量 eJ+uP,$  
2．稳态输出 c teUKK.|)  
3. 共振频率和3dB带宽 eAkjpc  
4. 载流子输运效应对带宽影响 d
JZMzn  
5. 开启延迟时间 Wn(pz)+Y  
6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 iY /N%T;  
7. 自发辐射引起的噪声 MVGznf?  
8. 相对强度噪声 VFZ_Vw  
9. 模式线宽 Qz+hS\yx  
10. 多模速率方程 6w d0"  
#)aUKFX  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 4v"9I(  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 [dK
5kO  
3.激光器寿命 1CkBfK  
4.激光器阈值电流的温度特性 _`/:gkZS  
1]L 0r  
原来重复了，大家去：http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。