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半导体激光器的设计和工艺Hb3+$vJ^ 黄永箴q9RCXo>Y+1 中国科学院半导体所,光电子 研发中心+b.qzgH>r 集成光电子国家重点实验室Ey77]\   .-;K$'YG 一. 半导体激光器 的基本结构`MgR/@%hr 1.半导体双异质结构6EhRCl 2.Fabry-Perot谐振腔(纵模)@xJ	qG" 3. 侧模控制(基侧模)%6}S'yL 4.横模控制v2dCkn	/ 5. 动态单模半导体激光器8=!M0i 6. 波长 可调谐半导体激光器|i"A!rW 7.长波长VCSEL的进展.#uRJo%8 8.微腔激光器和光子晶体 WYQJ+z5 9.半导体激光器材料的选择2sjP":   L!3AiAnr 二.半导体光波导~(tZW 1. 平板波导的模式,TE和TM模SzR0Mu3uK 2. 光限制因子和模式增益:".:Wd 3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布22\Buk}? 4. 半导体激光器镜面反射系数)EYsqj 5. DFB激光器的藕合模理论z= -u89] 6. DFB半导体激光器的一维模拟p;:tzH\l 7. 等效折射率近似Bo?uwi 8. 数值模拟^CTgo,uf6H   TR rO- 三.半导体中的光跃迁和增益mD:d,,~ 1. 费米分布函数及跃迁速率$V~r*#$. 2. 电子波函数及跃迁矩阵元o$m64l 3.简约态密度及增益谱BBw`8! 4.模式的自发辐射速率kL^;^!Nt 5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果!Y-MUZ$f 6.能带,跃迁矩阵元和增益谱数值结果5+GW%U/ 7.增益谱峰值的近似表达式xTX\%s|   %5*gsgeI 四. 速率方程和动态效应PGMu6$ 1.单模速率方程及基本物理量|H5){ 2V>K 2.稳态输出Z~8Xp 3. 共振频率和3dB带宽R:B-4 4. 载流子输运效应对带宽影响1	,o C:N 5. 开启延迟时间]DdD
FLM 6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾MC/$:PV 7. 自发辐射引起的噪声{o7ibw=E) 8. 相对强度噪声A6}M F 9. 模式线宽0\wMlV`F 10. 多模速率方程/`0*!sN*5   P"_x/C(]@J 五.半导体激光器的基本工艺和特性BD,JBu] 1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性z-uJ+SA 3.激光器寿命_%!C;`3Y 4.激光器阈值电流的温度特性{$>*~.Wu   rx'},[b]3  原来重复了,大家去:http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。 |