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半导体激光器的设计和工艺 n{4&('NRFP  
黄永箴 &??(EA3  
中国科学院半导体所，光电子研发中心 2Y 6/,W  
集成光电子国家重点实验室 E6)FYz7x  
1%EY!14G+  
一. 半导体激光器的基本结构 j?w7X?1(  
1.半导体双异质结构 vGm;en   
2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) _?q\tyf3  
3. 侧模控制(基侧模) F;q I^{m2  
4.横模控制 %*}JDx#@  
5. 动态单模半导体激光器 Fdc
bmQ  
6. 波长可调谐半导体激光器 Zpu>T2Tp  
7.长波长VCSEL的进展 VJ_E]}H  
8.微腔激光器和光子晶体 Qt>yRt  
9.半导体激光器材料的选择 f+<-Jc  
2vj)3%:7#E  
二.半导体光波导 8{?Oi'-|0  
1. 平板波导的模式，TE和TM模 %HYC-TF#  
2. 光限制因子和模式增益 8(Z*Vz uu  
3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 P7u5Ykc*  
4. 半导体激光器镜面反射系数 hC6$>tl  
5. DFB激光器的藕合模理论 C8&)-v|  
6. DFB半导体激光器的一维模拟 k(VA5upCs  
7. 等效折射率近似 {R1jysGtD  
8. 数值模拟 6"_FjS3Sl  
;PS[VdV  
三.半导体中的光跃迁和增益 *vBcT.|,  
1. 费米分布函数及跃迁速率 []LNNO],X  
2. 电子波函数及跃迁矩阵元 {Qw,L;R  
3.简约态密度及增益谱  KsUsj3J  
4.模式的自发辐射速率 (''`Ce  
5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 "me Jn/  
6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 b;x^>(It  
7.增益谱峰值的近似表达式 Y=}b/[s6;  
/5yWvra  
四. 速率方程和动态效应 ]^Q`CiKd  
1．单模速率方程及基本物理量 Q3oVl^q  
2．稳态输出 PkG+`N  
3. 共振频率和3dB带宽 b,318R8+G  
4. 载流子输运效应对带宽影响 FirmzB Il5  
5. 开启延迟时间 X.T.^}=  
6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 KtV_DjH:  
7. 自发辐射引起的噪声 "2=v?,'t  
8. 相对强度噪声 <[a9"G7  
9. 模式线宽 yiI&>J))  
10. 多模速率方程 GD*6tk;5/  
2I>CA[qp  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 6Ajiz_~U  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 LClPAbr  
3.激光器寿命 2V F|T'h  
4.激光器阈值电流的温度特性 X8*q[@$  
C{Npipd}v  
原来重复了，大家去：http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。