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半导体激光器的设计和工艺 cY!Pv 黄永箴 GK6~~ga= 中国科学院半导体所, 光电子研发中心 \ 6taC 集成光电子国家重点实验室 *=O3kUoL WaX!y$/z 一. 半导体 激光器的基本结构 cna%;f. 1.半导体双异质结构 \goiW;b 2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) nZYO}bv\ 3. 侧模控制(基侧模) 4!ZT_q 4.横模控制 PS!or!m 5. 动态单模半导体激光器 #$U/*~m $ 6. 波长可调谐半导体激光器 WyB^b-QmDh 7.长波长VCSEL的进展 @6!Myez' 8.微腔激光器和光子 晶体 4k{xo~+%, 9.半导体激光器材料的选择 Z-}A"n eFy
{VpO+ 二.半导体光波导 R $dNdd9m 1. 平板波导的模式,TE和TM模 nRX'J5Q
m< 2. 光限制因子和模式增益 GHi'ek <?^ 3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 WCqa[=v)t 4. 半导体激光器镜面反射系数 7;.Iat9gMf 5. DFB激光器的藕合模理论 :!$+dr(d 6. DFB半导体激光器的一维模拟 ^g2Vz4u 7. 等效折射率近似 -+2A@kmEJ 8. 数值模拟 <f)T*E^5% x@)cj 三.半导体中的光跃迁和增益 NTK9`#SA 1. 费米分布函数及跃迁速率 f#I#24)RH 2. 电子波函数及跃迁矩阵元 `25<;@ 3.简约态密度及增益谱 ][//G|9 4.模式的自发辐射速率 iM1E**WCtv 5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 805oV(- 6.能带,跃迁矩阵元和增益谱数值结果 &>Z;>6J, 7.增益谱峰值的近似表达式 hZo f e `JWY9% 四. 速率方程和动态效应 +_*iF5\ 1.单模速率方程及基本物理量 3;uLBuZOCN 2.稳态输出 z wwJyy%/ 3. 共振频率和3dB带宽 # Rs5W 4. 载流子输运效应对带宽影响 QAl4w)F 5. 开启延迟时间 Ms3GvPsgv 6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 Ed_Fx' 7. 自发辐射引起的噪声 <dXeP/1w` 8. 相对强度噪声 B=r+
m;( 9. 模式线宽 F_/ra?WVH 10. 多模速率方程 W"t^t|H'~ \fvm6$ rZ^ 五.半导体激光器的基本工艺和特性 T.%yeJiE 1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 eqOT@~H 3.激光器寿命 >s.y1Vg~C 4.激光器阈值电流的温度特性 "?iyvzo <wd;W;B 原来重复了,大家去:http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。
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