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半导体激光器的设计和工艺 S<>e(x3g]  
黄永箴 LHacHv  
中国科学院半导体所，光电子研发中心 Zj},VB*T  
集成光电子国家重点实验室 ['c:n?  
|e9}G,1  
一. 半导体激光器的基本结构 Og,,s{
\  
1.半导体双异质结构 {
~Cqb7  
2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) 'rg$%M*(  
3. 侧模控制(基侧模) 3*;{C|]S  
4.横模控制 n,0}K+}  
5. 动态单模半导体激光器 1 t#Tp$  
6. 波长可调谐半导体激光器 K=~h1qV:  
7.长波长VCSEL的进展 lP@9%L  
8.微腔激光器和光子晶体 >g

 F  
9.半导体激光器材料的选择 nyMA%9,B  
eag$i.^aS  
二.半导体光波导 <oR Nd3d  
1. 平板波导的模式，TE和TM模 vI+PL(T@  
2. 光限制因子和模式增益 Q0r_+0[7j  
3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 l&C%oW  
4. 半导体激光器镜面反射系数 ;bZ)q  
5. DFB激光器的藕合模理论 :H?p^d e  
6. DFB半导体激光器的一维模拟 {o]OxqE@  
7. 等效折射率近似 a.gu  
8. 数值模拟 ad"&c*m[  
`*~:nvU  
三.半导体中的光跃迁和增益 7f`jl/   
1. 费米分布函数及跃迁速率 & XrV[d[>  
2. 电子波函数及跃迁矩阵元 `j<'*v zo  
3.简约态密度及增益谱 uxR_(~8  
4.模式的自发辐射速率 q
V(Plt%  
5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 rL%xl,cn<  
6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 [szwPNQ_  
7.增益谱峰值的近似表达式 Pajr`gU  
=XYfzR  
四. 速率方程和动态效应 2x`# f0[  
1．单模速率方程及基本物理量 )kdPA
w  
2．稳态输出 {~=[d`t  
3. 共振频率和3dB带宽 =,(Ba'  
4. 载流子输运效应对带宽影响 R!,RZ?|v  
5. 开启延迟时间 7gJ`G@
y  
6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 |_ ;-~bmb  
7. 自发辐射引起的噪声 RJg# A`  
8. 相对强度噪声 ~fS#)X3 D  
9. 模式线宽 s~TYzfA  
10. 多模速率方程 NcPzmW{#;g  
V#Wd  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 3"<{YEj8U  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 N-5lILuJJ  
3.激光器寿命 Pl 5+Oo  
4.激光器阈值电流的温度特性 >u6kT\|^C  
1*=[% d7  
原来重复了，大家去：http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。