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半导体激光器的设计和工艺  ;xry  
黄永箴 S B'.   
中国科学院半导体所，光电子研发中心 X1" `0r3  
集成光电子国家重点实验室 HPt"  
7v=Nh  
一. 半导体激光器的基本结构 =o5hD,>e  
1.半导体双异质结构 U` bvv'38#  
2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) 3S <5s}  
3. 侧模控制(基侧模) 8{h:z 9]J  
4.横模控制 2I#fwsb  
5. 动态单模半导体激光器 A\ LTAp(I  
6. 波长可调谐半导体激光器 /Wzic+v<>  
7.长波长VCSEL的进展 Va !HcG1^:  
8.微腔激光器和光子晶体 J6f;dF^  
9.半导体激光器材料的选择 #_Tceq5  
uK t>6DN.  
二.半导体光波导 ]Oe#S"-Oo  
1. 平板波导的模式，TE和TM模 M)-+j{<  
2. 光限制因子和模式增益 fe&K2C%bm  
3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 9]d$G$Kv9  
4. 半导体激光器镜面反射系数 OcIJT1  
5. DFB激光器的藕合模理论 1UmV&  
6. DFB半导体激光器的一维模拟 +]I7)  
7. 等效折射率近似 Ig S.U  
8. 数值模拟 k^ID  
i1
2iB+q  
三.半导体中的光跃迁和增益 ;O.U-s  
1. 费米分布函数及跃迁速率 P$w0.XZa  
2. 电子波函数及跃迁矩阵元 JQ0KXS Nr  
3.简约态密度及增益谱 %>pglI  
4.模式的自发辐射速率 pU}>}  
5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 kgYa0 e5  
6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 *6=[Hmygi  
7.增益谱峰值的近似表达式 ~KrzJp=5F  
T!J\Dm-  
四. 速率方程和动态效应  "X}!j>-  
1．单模速率方程及基本物理量 6Zkus20  
2．稳态输出 *4WOmsj  
3. 共振频率和3dB带宽 \N7 E!
82  
4. 载流子输运效应对带宽影响 9 ?h)U|J?G  
5. 开启延迟时间 ?p6+?\H  
6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 jJg 'Y:K9q  
7. 自发辐射引起的噪声 <A!v'Y  
8. 相对强度噪声 |J~;yO SD  
9. 模式线宽 szWh#O5=  
10. 多模速率方程 9\|3Gm_  
+ PGfQN  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 >Rx^@yQ!+z  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 Elm/T]6  
3.激光器寿命 hPhN7E03  
4.激光器阈值电流的温度特性 du`],/ 6  
Xgop1  
原来重复了，大家去：http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。