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半导体激光器的设计和工艺 v803@9@ 黄永箴 q#RUL!WF7U 中国科学院半导体所， 光电子研发中心 f3Zm_zxj 集成光电子国家重点实验室 I d6H~; =P}ob eY 一. 半导体 激光器的基本结构 >/@wht4- j 1.半导体双异质结构 '
U]\]Wp 2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) fhGI 3. 侧模控制(基侧模) 3K2B7loD)~ 4.横模控制 ws1io. 5. 动态单模半导体激光器 Y.XNA]| 6. 波长可调谐半导体激光器 N8hiv' 3 7.长波长VCSEL的进展 }H^h ~E 8.微腔激光器和光子 晶体 #NU@7Q[4 9.半导体激光器材料的选择 c2Q KI~\x U($bR |%D 二.半导体光波导 !&'GWQY{( 1. 平板波导的模式，TE和TM模 s!WGs_1@ 2. 光限制因子和模式增益 <'n'>@ 3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 `1}WQS 4. 半导体激光器镜面反射系数 T_\Nvzb} 5. DFB激光器的藕合模理论 =' !E; 6. DFB半导体激光器的一维模拟 ,%)O/{p_ 7. 等效折射率近似 [{iPosQWj 8. 数值模拟 '%Cc!63t* +,7nsWV 三.半导体中的光跃迁和增益 O+iNR9O 1. 费米分布函数及跃迁速率 ?4k/V6n@y 2. 电子波函数及跃迁矩阵元 lZ5LHUzP 3.简约态密度及增益谱 %r E:5) 4.模式的自发辐射速率 _C`&(? } 5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 ;Gc,-BDFw 6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 #`Af 7.增益谱峰值的近似表达式 J,iS<lV_ =VC"X ?N 四. 速率方程和动态效应 /b&ka&|t
1．单模速率方程及基本物理量 ,7HlYPec 2．稳态输出 m*bTELb 3. 共振频率和3dB带宽 (G1KMy 4. 载流子输运效应对带宽影响 dC'8orFG+ 5. 开启延迟时间 EM2=g9y 6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 E?v9c>c 7. 自发辐射引起的噪声 h^QLv OuR 8. 相对强度噪声 `!,"">5 9. 模式线宽 \#50;
8VJ 10. 多模速率方程 Nxm^jPM 0 +56N}MAs 五.半导体激光器的基本工艺和特性 Z
" mqH 1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 t=l@(%O 0_ 3.激光器寿命 /penB[ 1i 4.激光器阈值电流的温度特性 =EJ8J;y_f hs;YMUA" 原来重复了，大家去：http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。
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