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半导体激光器的设计和工艺 .Rb4zLYL*w  
黄永箴 f8f|'v|  
中国科学院半导体所，光电子研发中心 )Dcee@/7S  
集成光电子国家重点实验室 xKT;1(Mk  
O=u.J
8S2  
一. 半导体激光器的基本结构 *JWPt(bnI  
1.半导体双异质结构 Z]OX6G  
2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) ,M\/[_:  
3. 侧模控制(基侧模) Z#GR)
jb+  
4.横模控制 R^K:hKQ
 
5. 动态单模半导体激光器 TP`"x}ACa?  
6. 波长可调谐半导体激光器 B]>rcjD  
7.长波长VCSEL的进展 wA87|YK8*  
8.微腔激光器和光子晶体 3 "|A5>Vo  
9.半导体激光器材料的选择 V* ,u;*  
?J"Y4,{  
二.半导体光波导 ^<aj~0v  
1. 平板波导的模式，TE和TM模 OJ7
y  
2. 光限制因子和模式增益 grDz7\i:  
3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 )9!J $q  
4. 半导体激光器镜面反射系数 a7]Z_Gk  
5. DFB激光器的藕合模理论 +J !1z  
6. DFB半导体激光器的一维模拟 d%1Vby  
7. 等效折射率近似 6x@]b>W  
8. 数值模拟 'f.
5hX(Y  
J=#9eW  
三.半导体中的光跃迁和增益 !:D,|k\m  
1. 费米分布函数及跃迁速率 Mi[,-8Sk  
2. 电子波函数及跃迁矩阵元 y8|}bd<Sr  
3.简约态密度及增益谱 I=8M
Lv  
4.模式的自发辐射速率  8KzH -  
5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 bWB&8&p  
6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 1| xKb(_l  
7.增益谱峰值的近似表达式 G?+]BIiL  
EmV ZqW  
四. 速率方程和动态效应 w6l56CB`  
1．单模速率方程及基本物理量 *x.gPG  
2．稳态输出 sDy~<$l?  
3. 共振频率和3dB带宽 pzDz@lAwR  
4. 载流子输运效应对带宽影响 :*Z@UY   
5. 开启延迟时间 8w3Wy<}y  
6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 2u}ns8wn  
7. 自发辐射引起的噪声 e" p5hpl  
8. 相对强度噪声 @N\ Ht'f  
9. 模式线宽 []H0{a2{<  
10. 多模速率方程 XP@&I[J3sI  
Dr#V^"Dte  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 X*M--*0q'  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 /^[K  
3.激光器寿命 v/G^yZa  
4.激光器阈值电流的温度特性 Ozc9yy!%  
M`@Es#s  
原来重复了，大家去：http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。