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半导体激光器的设计和工艺 wCkkfTO  
黄永箴 )+ S"`  
中国科学院半导体所，光电子研发中心 2O4UytN  
集成光电子国家重点实验室 Ot(EDa9}IJ  
ofN|%g /  
一. 半导体激光器的基本结构 6KV&E8Gn  
1.半导体双异质结构 '1bdBx\<.  
2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) <iL+/^#  
3. 侧模控制(基侧模) Kr8p:$D};  
4.横模控制 dp+wwNe  
5. 动态单模半导体激光器 Amz7j8zJ  
6. 波长可调谐半导体激光器 "ua/65cq9  
7.长波长VCSEL的进展 WT!%FQ9  
8.微腔激光器和光子晶体 & {B,m%G  
9.半导体激光器材料的选择
cT."  
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二.半导体光波导 ,A_itRHH  
1. 平板波导的模式，TE和TM模 _{-GR-  
2. 光限制因子和模式增益  }/M ~  
3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 7+?  
4. 半导体激光器镜面反射系数 )LnH
m  
5. DFB激光器的藕合模理论 II),m8G  
6. DFB半导体激光器的一维模拟 ?2Bp^3ytJ  
7. 等效折射率近似 `qX'9e3VP+  
8. 数值模拟 ^2Op?J  
CM7j^t  
三.半导体中的光跃迁和增益 '9i:b]Hru  
1. 费米分布函数及跃迁速率 e}7qZ^  
2. 电子波函数及跃迁矩阵元 h/PWi<R i  
3.简约态密度及增益谱 5$N4<Lo7  
4.模式的自发辐射速率 :#b[gWl0Ru  
5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 u\>Ed
9^  
6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 /k7`TUK  
7.增益谱峰值的近似表达式 S[*e K Z  
<y~`J`-  
四. 速率方程和动态效应 a*=\-;HaZ  
1．单模速率方程及基本物理量 q"fK"H-j  
2．稳态输出 $zDW)%nAX  
3. 共振频率和3dB带宽 d4gl V`%.  
4. 载流子输运效应对带宽影响 Z@j0J[s  
5. 开启延迟时间 
DUY#RJf  
6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 {s4:V=J  
7. 自发辐射引起的噪声 G4ZeO:r  
8. 相对强度噪声 l6a,:*_  
9. 模式线宽 {8b6A~/  
10. 多模速率方程 6rdm=8WFA  
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五.半导体激光器的基本工艺和特性 2}+V3/  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 Y#C=ku  
3.激光器寿命 YAd.i@^  
4.激光器阈值电流的温度特性 d0IHl!X  
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原来重复了，大家去：http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。