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半导体激光器的设计和工艺 vc%=V^)N7U  
黄永箴 fK|P144   
中国科学院半导体所，光电子研发中心 ni$;"RGC  
集成光电子国家重点实验室 0gRm LX  
8-B6D~i  
一. 半导体激光器的基本结构 ;,lFocGv  
1.半导体双异质结构 ,Dab(  
2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) 0^3n#7m;K  
3. 侧模控制(基侧模) "IHFme@^  
4.横模控制 K+\2cf?bU  
5. 动态单模半导体激光器 6Vgxfic  
6. 波长可调谐半导体激光器 Na>w~  
7.长波长VCSEL的进展 b+`qGJrej  
8.微腔激光器和光子晶体 ]T<tkvcI  
9.半导体激光器材料的选择 "c.@4#/_  
Z'UhJuD5  
二.半导体光波导 {TXfi'\  
1. 平板波导的模式，TE和TM模 vRh)o1u)  
2. 光限制因子和模式增益 cJE4uL<  
3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 3a?|}zr4  
4. 半导体激光器镜面反射系数 ]f~!Qk!I7r  
5. DFB激光器的藕合模理论
)DGJr/)  
6. DFB半导体激光器的一维模拟 x7xMSy  
7. 等效折射率近似 704_ehrlE  
8. 数值模拟 EK&";(x2(  
 RnSll-  
三.半导体中的光跃迁和增益 *C);IdhK%y  
1. 费米分布函数及跃迁速率 $0gGRCCG;  
2. 电子波函数及跃迁矩阵元 I~GHx5Dk  
3.简约态密度及增益谱 Ft^X[5G4L  
4.模式的自发辐射速率 Vx{   
5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 99tUw'w  
6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 WMa`!Q  
7.增益谱峰值的近似表达式 J4x|Afp  
T/FZn{I  
四. 速率方程和动态效应 VAo`R9^D#  
1．单模速率方程及基本物理量 lc3N i<3v  
2．稳态输出 Gs\D`|3=  
3. 共振频率和3dB带宽 :='I>Gn  
4. 载流子输运效应对带宽影响 dT0>\9ZNr  
5. 开启延迟时间 kl1/(  
6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 naM~>N  
7. 自发辐射引起的噪声 O!t=,F1j  
8. 相对强度噪声 _pmo 6O  
9. 模式线宽 R.?PD$;_M  
10. 多模速率方程 |/ji
'Bh  
^/VnRpU  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 UxxX8N  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 ==UYjbuU  
3.激光器寿命 SOZs!9oi  
4.激光器阈值电流的温度特性  =W&m{F96  
7GTDe'T  
原来重复了，大家去：http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。