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半导体激光器的设计和工艺 0.MB;gm: 黄永箴 K #3^GB3P 中国科学院半导体所， 光电子研发中心 r!r08y f 集成光电子国家重点实验室 HqGI. l*Cul VX 一. 半导体 激光器的基本结构 OC ! {8MR 1.半导体双异质结构 pdu1 kL 2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) $LP(\T([ 3. 侧模控制(基侧模) 2&6D`{"P 4.横模控制 &RR;'wLoQT 5. 动态单模半导体激光器 hf`y_H+\7 6. 波长可调谐半导体激光器 cV i _#9u" 7.长波长VCSEL的进展 fu7x,b0p 8.微腔激光器和光子 晶体 xP8/1wd. 9.半导体激光器材料的选择 t]xz7 VQ Gb')a/ 二.半导体光波导 "x$@^ 1. 平板波导的模式，TE和TM模 ZCCCuB 2. 光限制因子和模式增益 D#GuF~-F!R 3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 vo/x`F'ib 4. 半导体激光器镜面反射系数 kQ\GVI11? 5. DFB激光器的藕合模理论 ib,`0=0= O 6. DFB半导体激光器的一维模拟 qq)5)S 7. 等效折射率近似 +17! v_4^ 8. 数值模拟 3.Fko<D4jD rwWOhD)RU 三.半导体中的光跃迁和增益 =?]`Xo,v~ 1. 费米分布函数及跃迁速率 @ &jR^` Y. 2. 电子波函数及跃迁矩阵元 _Sjj|j 3.简约态密度及增益谱 2d ts}G 4.模式的自发辐射速率 Q%CrB>|@ 5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 | W@ ~mrO 6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 Zpd-ob 7.增益谱峰值的近似表达式 ; _%zf5;' 8\J$\Edv 四. 速率方程和动态效应 w1Bkz\95 1．单模速率方程及基本物理量 :3F [!y3b 2．稳态输出 ~/^fdGr 3. 共振频率和3dB带宽 %! ` %21 4. 载流子输运效应对带宽影响 y&\4Wr9m 5. 开启延迟时间 f]*;O+8$LN 6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 QPuc{NcB> 7. 自发辐射引起的噪声 N8]DzE0% 8. 相对强度噪声 Y[*. ^l._ 9. 模式线宽 &XNt/bK -? 10. 多模速率方程 @( R=4LL {OG1' m6=/ 五.半导体激光器的基本工艺和特性 nJ2B*(S'v. 1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 le:}M M 3.激光器寿命
(N/u@ M 4.激光器阈值电流的温度特性 r'noB<| e ru:"c^W:[ 原来重复了，大家去：http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。
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