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半导体激光器的设计和工艺 eJ
;a}{ 4% 黄永箴 f`W)Z$fN5 中国科学院半导体所， 光电子研发中心 7TU(~]Z 集成光电子国家重点实验室 \?_M_5Nb e0z(l/UB 一. 半导体 激光器的基本结构 [:BD9V 1.半导体双异质结构 *ufVZzP( 2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) ?se\?q 3. 侧模控制(基侧模) UTS.o#d 4.横模控制 wl.a|~- 5. 动态单模半导体激光器 ^:cc3wt'3[ 6. 波长可调谐半导体激光器 cp_<y )__ 7.长波长VCSEL的进展 <y2HzBC 8.微腔激光器和光子 晶体 ;@<Rh^g] 9.半导体激光器材料的选择 T 0e- X ^B? brH} 二.半导体光波导 % B^BN|r 1. 平板波导的模式，TE和TM模 E'
_6v 2. 光限制因子和模式增益 UbDpSfub 3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 4Q17vCC*n 4. 半导体激光器镜面反射系数 E (.~[-K4 5. DFB激光器的藕合模理论 KD* xFap 6. DFB半导体激光器的一维模拟 L/c`t7 7. 等效折射率近似 HD_ #-M 8. 数值模拟 i9+qU +R2+?v6 三.半导体中的光跃迁和增益 l.Q.G<ol 1. 费米分布函数及跃迁速率 f`K[oCfu 2. 电子波函数及跃迁矩阵元 {oftZ Xwf 3.简约态密度及增益谱 s1>d)2lX 4.模式的自发辐射速率 /e;E+
5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 3C
gmZ7[ 6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 Ud& '*, 7.增益谱峰值的近似表达式 &V(;zy4(R $W;f9k@C! 四. 速率方程和动态效应 92(P~Sdv 1．单模速率方程及基本物理量 f\vMdY 2．稳态输出 ( yK@(euG 3. 共振频率和3dB带宽 ) #l&BV5 4. 载流子输运效应对带宽影响 tjg?zlj 5. 开启延迟时间 g#%Egb1 6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 LsxRK5 7. 自发辐射引起的噪声 QAzwNXE+ 8. 相对强度噪声 VOSq%hB 9. 模式线宽 gvFs$X*^: 10. 多模速率方程 ]4onY > -2B3 xIZJ 五.半导体激光器的基本工艺和特性 S|
| OSxZ 1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 /hSEm.< 3.激光器寿命 lOy1vw' 4.激光器阈值电流的温度特性 aQ*?L
l |,Kk#`lW<f 原来重复了，大家去：http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。
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