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半导体激光器的设计和工艺 5 (Lw-_y#  
黄永箴 'S_OOzpC  
中国科学院半导体所，光电子研发中心 fd{75J5%  
集成光电子国家重点实验室 *Vbf;=Mb  
J<"=c z$  
一. 半导体激光器的基本结构 H%LoI)w  
1.半导体双异质结构 "~1{|lj|)  
2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) @B@`V F  
3. 侧模控制(基侧模) =N62 ){{  
4.横模控制 r~K5jL%z9  
5. 动态单模半导体激光器 KI@OEy  
6. 波长可调谐半导体激光器 ")'9:c  
7.长波长VCSEL的进展 @>r3=s.Q  
8.微腔激光器和光子晶体 DLigpid  
9.半导体激光器材料的选择 @O!BQ^'hk#  
~HFqAOr  
二.半导体光波导 Ihd{@6m  
1. 平板波导的模式，TE和TM模 {Dc{e5K  
2. 光限制因子和模式增益 eHQS\n  
3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 k10g %K4g  
4. 半导体激光器镜面反射系数 I%^Bl:M  
5. DFB激光器的藕合模理论 6.!aJJLN  
6. DFB半导体激光器的一维模拟 )p$a1\~m  
7. 等效折射率近似 B<p-
qPR K  
8. 数值模拟  {"RUiL^  
n=z=%T6  
三.半导体中的光跃迁和增益 }{R?i,j(  
1. 费米分布函数及跃迁速率
mMNT.a
 
2. 电子波函数及跃迁矩阵元 ^^9O9
]  
3.简约态密度及增益谱 n A<#A  
4.模式的自发辐射速率 gB3Tz(!  
5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 T{A_]2 G  
6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 Q7!";ol2  
7.增益谱峰值的近似表达式 (~6D`g`B  
TrYt(F{t  
四. 速率方程和动态效应 :t7M'BSm2z  
1．单模速率方程及基本物理量 d)R7#HLZ7  
2．稳态输出 wWI1%#__|o  
3. 共振频率和3dB带宽 U_&v|2o#3  
4. 载流子输运效应对带宽影响 j3Sz+kOf,  
5. 开启延迟时间
|7pi9  
6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 \l_U+d,qq  
7. 自发辐射引起的噪声 qg`8f?  
8. 相对强度噪声 W$>AK_Y}  
9. 模式线宽 xJ);P.  
10. 多模速率方程 F>H5 ww9E  
`W*b?e|H1  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 pzQWr*5a  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 [z2jR(+`U  
3.激光器寿命 /c&;WlE/n  
4.激光器阈值电流的温度特性 WZ A8D0[  
CJ~gE"  
原来重复了，大家去：http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。