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半导体激光器的设计和工艺 QjIn0MJ)Xm  
黄永箴 i"_@iN0N  
中国科学院半导体所，光电子研发中心 .%"s| D  
集成光电子国家重点实验室 W'xJh0o  
`;c{E%qeq  
一. 半导体激光器的基本结构 ):L ; P)  
1.半导体双异质结构 c e\|eN[  
2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) 6Trtulm  
3. 侧模控制(基侧模) fxOa(mt  
4.横模控制 ^o8o  
5. 动态单模半导体激光器 x|=]Xxco  
6. 波长可调谐半导体激光器 b%TLvV 9F  
7.长波长VCSEL的进展 `zP{E T_Y  
8.微腔激光器和光子晶体 W1!Nq`  
9.半导体激光器材料的选择 =>mx>R`S  
!7>~=n_,L.  
二.半导体光波导 Z(|'zAb^  
1. 平板波导的模式，TE和TM模 + e3{J_  
2. 光限制因子和模式增益 $&ZN%o3  
3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 +oRBSAg-  
4. 半导体激光器镜面反射系数 05ZF>`g*  
5. DFB激光器的藕合模理论 xgQ&'&7l  
6. DFB半导体激光器的一维模拟 \:5M
0  
7. 等效折射率近似 S2\|bs7;J,  
8. 数值模拟 P 5_l&  
oD8X]R, H  
三.半导体中的光跃迁和增益 GE!fh1[[u  
1. 费米分布函数及跃迁速率 "Nh}_jO  
2. 电子波函数及跃迁矩阵元 Oh'C[  
3.简约态密度及增益谱 r^Mu`*x*  
4.模式的自发辐射速率 JW2~ G!@  
5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 mM;5UPbZ  
6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 T\OpPSYbl  
7.增益谱峰值的近似表达式 JBMJR  
}{SpV  
四. 速率方程和动态效应 nsjrzO79L8  
1．单模速率方程及基本物理量 Y7GHIzX  
2．稳态输出 n1Fp$9%  
3. 共振频率和3dB带宽 v2KK%Qy  
4. 载流子输运效应对带宽影响 ZD#{h J-  
5. 开启延迟时间 I=c}6  
6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 +6;1.5Tc  
7. 自发辐射引起的噪声 yk0#byW`  
8. 相对强度噪声 C#oH7o+_.  
9. 模式线宽 \2OjIEQ
Q  
10. 多模速率方程 7\<}378/^  
>mCS`D8  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 ,1ceNF#o
L  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 +2 x|j>  
3.激光器寿命 /DE`>eJY  
4.激光器阈值电流的温度特性 "8*5!anu-  
E%e2$KfD  
原来重复了，大家去：http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。