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半导体激光器的设计和工艺 xLfv:Rp 黄永箴 .2s^8 g O 中国科学院半导体所， 光电子研发中心 DIJmISk 集成光电子国家重点实验室 y,bD i9*| !
h92dH 一. 半导体 激光器的基本结构 upX@8WxR 1.半导体双异质结构 |~PaCw8-ge 2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) 6As%<g= 3. 侧模控制(基侧模) xA`j:zn'j 4.横模控制 uGm?e]7Hx< 5. 动态单模半导体激光器 ?%Ww3cU+J 6. 波长可调谐半导体激光器 .!Kqcz% A 7.长波长VCSEL的进展 Uw!d;YQm 8.微腔激光器和光子 晶体 cG%X}ZV5 9.半导体激光器材料的选择 H8=:LF pOh<I {r1 二.半导体光波导 ) xK W 1. 平板波导的模式，TE和TM模 nh"dPE7^ 2. 光限制因子和模式增益 hQlyqTP|2 3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 E!BzE_|i 4. 半导体激光器镜面反射系数 $EEn] y
5. DFB激光器的藕合模理论 o)]O 6. DFB半导体激光器的一维模拟 </1]eDnU 7. 等效折射率近似 E|+<m! 8. 数值模拟 FOsxId[f9 < (B|g&A 三.半导体中的光跃迁和增益 o*ucw3s> 1. 费米分布函数及跃迁速率 xplV6 q` 2. 电子波函数及跃迁矩阵元 9qgs*]J 3.简约态密度及增益谱 p>#q* eU5 4.模式的自发辐射速率 %u_dxp x 5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 Dln1 R[ 6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 d3S Me 7.增益谱峰值的近似表达式 CC;^J-h/ \=]`X2Ld 四. 速率方程和动态效应 } p?6 7y/ 1．单模速率方程及基本物理量 I|qhj* _C 2．稳态输出 -A=3W3:C 3. 共振频率和3dB带宽 8 H3u" 4. 载流子输运效应对带宽影响 '$EyVu! 5. 开启延迟时间 /&_q"y9 6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 zS U,le 7. 自发辐射引起的噪声 {
0&l*@c& 8. 相对强度噪声 ,<)D3K< 9. 模式线宽 j"aY\cLr t 10. 多模速率方程 BV
}CmU&DA E_D Q.!U!o 五.半导体激光器的基本工艺和特性 c:&8B/ 1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 &q9= 0So4\ 3.激光器寿命 nk7>iK!i 4.激光器阈值电流的温度特性 x kax F",TP,X 原来重复了，大家去：http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。
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