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半导体激光器的设计和工艺 D4_D{\xhO  
黄永箴 #~nI^ ggW  
中国科学院半导体所，光电子研发中心 8> Gp #T  
集成光电子国家重点实验室 3
vDV   
yv,90+k  
一. 半导体激光器的基本结构 >pz/wTOi  
1.半导体双异质结构 ;sb0,2YyP  
2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) lkB
ab$S)  
3. 侧模控制(基侧模) IC7n;n9  
4.横模控制 >KC*xa"  
5. 动态单模半导体激光器 h1J-AfV  
6. 波长可调谐半导体激光器  ,8@@r7  
7.长波长VCSEL的进展
|(Io(e  
8.微腔激光器和光子晶体 BYP,}yzA  
9.半导体激光器材料的选择 *9*6n\~aI  
@zSoPDYv,  
二.半导体光波导 LKztGfy  
1. 平板波导的模式，TE和TM模 l0Y(9(M@  
2. 光限制因子和模式增益 DH@*O
z-  
3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 -x5^>+Y4  
4. 半导体激光器镜面反射系数 7?b'"X"  
5. DFB激光器的藕合模理论 BB=%tz`B  
6. DFB半导体激光器的一维模拟 QR<IHE{~8  
7. 等效折射率近似 7vgz=- MZ#  
8. 数值模拟 DS-Kot(k(z  
XgU]Ktl  
三.半导体中的光跃迁和增益 m &c8@-T  
1. 费米分布函数及跃迁速率 6SW:'u|90  
2. 电子波函数及跃迁矩阵元 *T*MLD]Q  
3.简约态密度及增益谱 >e"1a/2%>&  
4.模式的自发辐射速率 g7#_a6  
5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 'N0d==aI  
6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 Bglh}_X  
7.增益谱峰值的近似表达式 
LR'F/.Dx  
m`E8gVC  
四. 速率方程和动态效应 rn U2EL  
1．单模速率方程及基本物理量 KYd2=P6  
2．稳态输出 `[/BG)4  
3. 共振频率和3dB带宽 f`P%aX'cBQ  
4. 载流子输运效应对带宽影响 `fc2vaSH =  
5. 开启延迟时间 ,]1K^UeZ  
6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 8x[q[  
7. 自发辐射引起的噪声 /3'>MRzR  
8. 相对强度噪声 \*1pFX#  
9. 模式线宽 G)iV  
10. 多模速率方程 Q_qc_IcM y  
-i7W|X"  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 ^~8l|d_  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 @R(6w{h9  
3.激光器寿命 Sh}AGNE'  
4.激光器阈值电流的温度特性 T'0Ot
3m`  
s3Y \,9\  
原来重复了，大家去：http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。