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半导体激光器的设计和工艺 Nbb2wr9A  
黄永箴 7A"v:e  
中国科学院半导体所，光电子研发中心 F4DJM
L-(  
集成光电子国家重点实验室 ,{2= nb[  
vR4omB{  
一. 半导体激光器的基本结构 \c4D|
7\=  
1.半导体双异质结构 9 iV_  
2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) `G:I|=#w  
3. 侧模控制(基侧模) o@sL/5,  
4.横模控制 &oxHVZJ  
5. 动态单模半导体激光器 Ubm]V{7  
6. 波长可调谐半导体激光器 2@,rIve  
7.长波长VCSEL的进展 g&I
|@$\  
8.微腔激光器和光子晶体 "</A)y&  
9.半导体激光器材料的选择 =z!/:M  
{uN-bl?o  
二.半导体光波导 T~8kKw  
1. 平板波导的模式，TE和TM模 Y_nl9}&+C0  
2. 光限制因子和模式增益 P
&IS$FC.\  
3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 P,@/ap7J  
4. 半导体激光器镜面反射系数 yT|44 D2j  
5. DFB激光器的藕合模理论 S SfNI>  
6. DFB半导体激光器的一维模拟 ?7uK:'8  
7. 等效折射率近似 4Z.Dz@.c(  
8. 数值模拟 GIhX2EvAS  
4*'ZabDD  
三.半导体中的光跃迁和增益 hc*tQ2
 
1. 费米分布函数及跃迁速率
EV@yJ]  
2. 电子波函数及跃迁矩阵元 I%l2_hs0V  
3.简约态密度及增益谱 bbT1p:RF  
4.模式的自发辐射速率 L~Y^O`c  
5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 (_]D\g~  
6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 @MP;/o+  
7.增益谱峰值的近似表达式 o.(Gja4  
A1n4R  
四. 速率方程和动态效应 k)9+;bKQQ  
1．单模速率方程及基本物理量 KAgxIz!^-1  
2．稳态输出 wZVLpF+7  
3. 共振频率和3dB带宽 L7[f-cK2:  
4. 载流子输运效应对带宽影响 liMw(F2  
5. 开启延迟时间 @r=,: 'Mt  
6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 &"(zK"O  
7. 自发辐射引起的噪声 ~r_2V$sC2  
8. 相对强度噪声 ;3XOk+  
9. 模式线宽 i.{.koH<  
10. 多模速率方程 2~R%_r+<  
'61>.u:2  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 86);0EBX  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 !v8](UI8-  
3.激光器寿命 =b, m31  
4.激光器阈值电流的温度特性 L;WFHIE  
yKy )%i  
原来重复了，大家去：http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。