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半导体激光器的设计和工艺 ykC3Z<pI. 黄永箴 ddgDq0N1j 中国科学院半导体所, 光电子研发中心 OkC.e')Vx 集成光电子国家重点实验室 r:sa|+ byI"
? 一. 半导体 激光器的基本结构 !/,oQoG 1.半导体双异质结构 \lg
^rfj 2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) -Mr_Ao`E 3. 侧模控制(基侧模) |pHlBzHj 4.横模控制 K^!#;,0 5. 动态单模半导体激光器 _S) K+C|@ 6. 波长可调谐半导体激光器 &KMI C 7.长波长VCSEL的进展 N'y<<tTA 8.微腔激光器和光子 晶体 ~B[e*|d 9.半导体激光器材料的选择 -Y524
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>WH)+a 二.半导体光波导 y`j_]qvt 1. 平板波导的模式,TE和TM模 ~g!!#ad 2. 光限制因子和模式增益 h2'6W) 3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 6
5zx< 4. 半导体激光器镜面反射系数 62ru%<x= 5. DFB激光器的藕合模理论 v9 \n=Z 6. DFB半导体激光器的一维模拟 i1x4$} 7. 等效折射率近似 z*T41;b 8. 数值模拟 m%.4OXX"& K1X-<5]{ 三.半导体中的光跃迁和增益 =+_nVO* 1. 费米分布函数及跃迁速率 /}1|'?P 2. 电子波函数及跃迁矩阵元 B!mHO*g 3.简约态密度及增益谱 j)/Vtf 4.模式的自发辐射速率 pmP~1=3 5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 ;>2- 6.能带,跃迁矩阵元和增益谱数值结果 K\ Wzh; 7.增益谱峰值的近似表达式 5
Y&`Z J 29grb P 四. 速率方程和动态效应 _xAru9=n^ 1.单模速率方程及基本物理量 9iT9ZfaW 2.稳态输出 }-:B`:K& 3. 共振频率和3dB带宽 (LsVd2AbR 4. 载流子输运效应对带宽影响 tC'#dU`=qY 5. 开启延迟时间 k(G6` dY 6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 EPW4
h/I 7. 自发辐射引起的噪声 3~fi#{ 8. 相对强度噪声 <SJ6<' 9. 模式线宽 1^^{;R7N 10. 多模速率方程 D,=~7/g z(c8] Wu# 五.半导体激光器的基本工艺和特性 I+Fy)=DO9 1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 7Wef[N\x 3.激光器寿命 a)W|gx6Y 4.激光器阈值电流的温度特性 8/p ]'BLf nY MtK 原来重复了,大家去:http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。
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