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半导体激光器的设计和工艺 75Bn p9  
黄永箴 :^QV,d<C  
中国科学院半导体所，光电子研发中心 RKs
_k`N0  
集成光电子国家重点实验室 ;rCCkA6  
JKXIxw>q  
一. 半导体激光器的基本结构 nM$-L.dG  
1.半导体双异质结构 W89J]#v)k  
2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) b;mpZ|T.  
3. 侧模控制(基侧模) NlG!_D"(y  
4.横模控制 \gZjq]3  
5. 动态单模半导体激光器 l_q1h]/   
6. 波长可调谐半导体激光器 Si#XF[/  
7.长波长VCSEL的进展 h7]>b'H  
8.微腔激光器和光子晶体 xdsF! Zb  
9.半导体激光器材料的选择 &
19z|Id  
OHF:
E44k  
二.半导体光波导 y3V47J2o  
1. 平板波导的模式，TE和TM模 ol4!#4Y&{  
2. 光限制因子和模式增益 7 Uu  
3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 C\[g>_J  
4. 半导体激光器镜面反射系数 g
'eJN  
5. DFB激光器的藕合模理论 )i.\q  
6. DFB半导体激光器的一维模拟 ?=Z0N&}[  
7. 等效折射率近似 7XIG ne%v  
8. 数值模拟 \l;H!y[  
v".u#G'u  
三.半导体中的光跃迁和增益 eY$Q}BcW  
1. 费米分布函数及跃迁速率 l]e7  
2. 电子波函数及跃迁矩阵元 dI8y}EbE~  
3.简约态密度及增益谱 !3at(+4  
4.模式的自发辐射速率 g!;
Hv  
5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 oxqD/fY  
6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 j\@|oW0  
7.增益谱峰值的近似表达式 b9Ix*
!Y  
A832z`  
四. 速率方程和动态效应 7\;gd4Ua1  
1．单模速率方程及基本物理量 &_c5C  
2．稳态输出 G|]39/OO3{  
3. 共振频率和3dB带宽 J 9k~cz  
4. 载流子输运效应对带宽影响 3WdANR  
5. 开启延迟时间 .mS'c#~5Y  
6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 {?'c|\n Li  
7. 自发辐射引起的噪声 !g-19at  
8. 相对强度噪声 {~d8
_%:b  
9. 模式线宽 o[eIwGxZ  
10. 多模速率方程 d5B96;3  
nR~L$Wu5_a  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 G@n%P~  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 W%7m3/d  
3.激光器寿命 [R[Suf  
4.激光器阈值电流的温度特性 AJH-V 6  
B\!.o=<h  
原来重复了，大家去：http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。