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半导体激光器的设计和工艺 zgq_0w~X  
黄永箴 A<YZBR_  
中国科学院半导体所，光电子研发中心 a!0?L0_W&  
集成光电子国家重点实验室 48~m=mI  
L6rs9su=7  
一. 半导体激光器的基本结构 k[r./xEv+t  
1.半导体双异质结构 O)U$Ef  
2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) RXx?/\~yd;  
3. 侧模控制(基侧模) sh
Dt&_n  
4.横模控制 I7
G\X#,iz  
5. 动态单模半导体激光器 6wpND|cT  
6. 波长可调谐半导体激光器 ?G>5 D`V  
7.长波长VCSEL的进展 TN |{
P  
8.微腔激光器和光子晶体 YA;8uMqh;  
9.半导体激光器材料的选择 WnJLX ^;  
 &aevR^f+  
二.半导体光波导 f1
]AfH#  
1. 平板波导的模式，TE和TM模 zNsL^;uT  
2. 光限制因子和模式增益 DX%8.@  
3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 Ghq'k:K,  
4. 半导体激光器镜面反射系数 +3o)L?:g  
5. DFB激光器的藕合模理论 St3(1mApl  
6. DFB半导体激光器的一维模拟 *(\;}JF-  
7. 等效折射率近似 .~A"Wyu\  
8. 数值模拟 *nsnX/e(-  
2LxVt@_R!%  
三.半导体中的光跃迁和增益 ~kj(s>xP  
1. 费米分布函数及跃迁速率 :`>+f.)  
2. 电子波函数及跃迁矩阵元 S"KTL*9D  
3.简约态密度及增益谱 -EkDG]my  
4.模式的自发辐射速率 Z'>eT)  
5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 5cNzG4z  
6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 K&D}!.~/  
7.增益谱峰值的近似表达式 [BZ(p  
l6`d48U
 
四. 速率方程和动态效应 -4^@)~Y  
1．单模速率方程及基本物理量 VI|DMx   
2．稳态输出 /qkIoF2  
3. 共振频率和3dB带宽 vZ nO  
4. 载流子输运效应对带宽影响 L1Cn  
5. 开启延迟时间 !{]v='   
6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 vn%U;}  
7. 自发辐射引起的噪声 XM@-Y&c$A  
8. 相对强度噪声 yz2oS|0'  
9. 模式线宽 aD/,c1  
10. 多模速率方程 8F\Msx  
P"PeLB9K  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 HyX4ob[X  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 DT(Zv2  
3.激光器寿命 %*Z2Gef?H  
4.激光器阈值电流的温度特性 $L#Z
?76v  
-< dMD_  
原来重复了，大家去：http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。