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半导体激光器的设计和工艺 K<@[_W+  
黄永箴 o {=qC:b  
中国科学院半导体所，光电子研发中心 {8^Gs^c c  
集成光电子国家重点实验室 *:=];1O  
I86e&"40  
一. 半导体激光器的基本结构 uP{;*E3?  
1.半导体双异质结构 LXHwX*`Y  
2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) )t|^Nuj
8  
3. 侧模控制(基侧模) cI*KRC
U  
4.横模控制 cPpu  
5. 动态单模半导体激光器 JN9^fR09G  
6. 波长可调谐半导体激光器 H
Qq`pG%m6  
7.长波长VCSEL的进展 n,t6v5>88  
8.微腔激光器和光子晶体 79)A%@YHQQ  
9.半导体激光器材料的选择 _9D|u<D  
3g4e']t  
二.半导体光波导 u5Qp/ag?N  
1. 平板波导的模式，TE和TM模  f>.4-a?  
2. 光限制因子和模式增益 a @6^8B?w;  
3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 X'cf&>h  
4. 半导体激光器镜面反射系数 K!3{M!B  
5. DFB激光器的藕合模理论 m)s xotgXf  
6. DFB半导体激光器的一维模拟 \Ut6;  
7. 等效折射率近似 p/r~n'g$  
8. 数值模拟 -#hK|1]  
`5~7IPl3  
三.半导体中的光跃迁和增益 4\p$4Hs}  
1. 费米分布函数及跃迁速率 /&CUspb  
2. 电子波函数及跃迁矩阵元 >@^<S_KVh  
3.简约态密度及增益谱 G49Ng|qn  
4.模式的自发辐射速率 D9ANm"#  
5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 |y.zocBj  
6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 {tPnj_|n<  
7.增益谱峰值的近似表达式 _1sP.0 t  
|5W8Q|>%  
四. 速率方程和动态效应 i-`,/e~XT  
1．单模速率方程及基本物理量 nz^nptw  
2．稳态输出 h~ $&  
3. 共振频率和3dB带宽 
AlO,o[0  
4. 载流子输运效应对带宽影响 #C4|@7w%  
5. 开启延迟时间 )AOPiC$jL  
6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 ;t}'X[U  
7. 自发辐射引起的噪声 brntE:  
8. 相对强度噪声 y =R aJm  
9. 模式线宽 :3v9h^|+  
10. 多模速率方程 L^lS^P  
h%' N hV  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 /mc*Hc8R8  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 0A.PD rM:  
3.激光器寿命 :AZp}  
4.激光器阈值电流的温度特性 pDGT@qJ  
j~epbl)pC  
原来重复了，大家去：http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。