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半导体激光器的设计和工艺 S:Xs'0K_ 黄永箴 5;
f\0<- 中国科学院半导体所, 光电子研发中心 YN^jm 集成光电子国家重点实验室 [$:@X V( *gSO&O= 一. 半导体 激光器的基本结构 `vEqj v 1.半导体双异质结构 d
Uz<1^L 2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) !aeNq82 3. 侧模控制(基侧模) ysth{[<5F3 4.横模控制 Xu%d,T$G 5. 动态单模半导体激光器 3kw}CaZ6 6. 波长可调谐半导体激光器 jZ#UUnR% 7.长波长VCSEL的进展 ?#ihJt, 8.微腔激光器和光子 晶体 u:5IjOb2^ 9.半导体激光器材料的选择 y< ud('D >)sqh ~P 二.半导体光波导 UT;4U;a,m 1. 平板波导的模式,TE和TM模 qb$_xIQpDL 2. 光限制因子和模式增益 5G oK"F0i 3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 >;}]pI0T 4. 半导体激光器镜面反射系数 J!<#Nc 5. DFB激光器的藕合模理论 :B^mV{~
6. DFB半导体激光器的一维模拟 Q
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7. 等效折射率近似 #^;s<YZ` 8. 数值模拟 U#"WrWj ` U#Po_hq 三.半导体中的光跃迁和增益 %O_t`wz 1. 费米分布函数及跃迁速率 *o2#eI 2. 电子波函数及跃迁矩阵元 I4ctxMVP 3.简约态密度及增益谱 V^vLN[8_\ 4.模式的自发辐射速率 /.)2d8, 5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 U%,;N\:_ 6.能带,跃迁矩阵元和增益谱数值结果 _Z.;u0Zp8 7.增益谱峰值的近似表达式 ;"SZ} z.j4tc9F/5 四. 速率方程和动态效应 p_gA/. v= 1.单模速率方程及基本物理量 ~zj"OG"zOw 2.稳态输出 a+'}XEhSC: 3. 共振频率和3dB带宽 6d};|#} 4. 载流子输运效应对带宽影响 w Oj88J) 5. 开启延迟时间 ;YM]K R; 6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 ? KF=W 7. 自发辐射引起的噪声 %A=|'6)k2 8. 相对强度噪声 :r-.r"[m- 9. 模式线宽 -O /T?H 10. 多模速率方程 *@~`d*d p4y6R4kyT 五.半导体激光器的基本工艺和特性 e@yx}:]h 1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 sU0Stg8&b 3.激光器寿命 Vp\80D& 4.激光器阈值电流的温度特性 MyqiBGTb q>P[n z% 原来重复了,大家去:http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。
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