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半导体激光器的设计和工艺 ~;TV74~rr  
黄永箴 Q-:Ah:/  
中国科学院半导体所，光电子研发中心 FU^Y{sbDg  
集成光电子国家重点实验室 #T Z!#,q  
=":@Foa  
一. 半导体激光器的基本结构 ,I("x2  
1.半导体双异质结构 nIG[{gGX  
2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) Wnb)*pPP  
3. 侧模控制(基侧模) K~P76jAe$  
4.横模控制 kg zwlKK  
5. 动态单模半导体激光器 )x y9X0  
6. 波长可调谐半导体激光器 UzXDi#Ky  
7.长波长VCSEL的进展 4
GEjW4E  
8.微腔激光器和光子晶体 <<i=+ed8eP  
9.半导体激光器材料的选择 W=q?tD~V  
?SBh^/zf  
二.半导体光波导 w;@`Yi.WQ  
1. 平板波导的模式，TE和TM模 4&#vU(-H  
2. 光限制因子和模式增益 77)OW$G  
3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 ^!N;F"  
4. 半导体激光器镜面反射系数 y[TaM9<  
5. DFB激光器的藕合模理论 =9#i<te  
6. DFB半导体激光器的一维模拟 !$g(&  
7. 等效折射率近似 s9^"wN YQ  
8. 数值模拟 T9aTEsA[U  
e&r+w!  
三.半导体中的光跃迁和增益 >?H_A  
1. 费米分布函数及跃迁速率 3 ATN?V@  
2. 电子波函数及跃迁矩阵元 `PXoJ
l  
3.简约态密度及增益谱 :/n ?4K^  
4.模式的自发辐射速率 LX&=uv%-^  
5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 0b!fWS?,k0  
6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 1',+&2)oj  
7.增益谱峰值的近似表达式 I$rW[l2  
Yqq$kln  
四. 速率方程和动态效应 }s8*QfK>  
1．单模速率方程及基本物理量 Z3&XTsq  
2．稳态输出 M)bC%(xJ  
3. 共振频率和3dB带宽 ',v0vyO8  
4. 载流子输运效应对带宽影响 3/]f4D{MMY  
5. 开启延迟时间 X7(rg W8  
6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 So3,Z'z=  
7. 自发辐射引起的噪声 F5b]/;|  
8. 相对强度噪声 ^v()iF !  
9. 模式线宽 aC $h_  
10. 多模速率方程 bYRQI=gW':  
4c493QOd  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 67EDkknt  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 *R1d4|/G  
3.激光器寿命 y0W`E/1t  
4.激光器阈值电流的温度特性 /0'fcjOaQ  
5cv, >{~5  
原来重复了，大家去：http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。