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半导体激光器的设计和工艺 6%&RDrn 黄永箴 qr~=S 中国科学院半导体所, 光电子研发中心 6+;B2;*3 集成光电子国家重点实验室 PN&;3z Z $_P*Bk) 一. 半导体 激光器的基本结构 u(`,7 o " 1.半导体双异质结构 WO=,NQOw 2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) vKvT7Zxc 3. 侧模控制(基侧模) +UTs2*H/^ 4.横模控制 4Nx]*\\ 5. 动态单模半导体激光器 %!;6h^@ 6. 波长可调谐半导体激光器 %bs~%6) 7.长波长VCSEL的进展 DE^ @b+6 8.微腔激光器和光子 晶体 ~!Q\\_ 9.半导体激光器材料的选择 -#ta/*TT: mq(*4KFWJ2 二.半导体光波导 XtV=Gr8" 1. 平板波导的模式,TE和TM模 Dm.tYG 2. 光限制因子和模式增益 lVmm`q6n9 3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 jcT 4. 半导体激光器镜面反射系数 )G">7cg;t 5. DFB激光器的藕合模理论 iq!u}# x_ 6. DFB半导体激光器的一维模拟 dGrm1w 7. 等效折射率近似 FojsI< 8. 数值模拟 \D]H>i$ F9SkEf]99 三.半导体中的光跃迁和增益 dgIEc]#pH 1. 费米分布函数及跃迁速率 h 'F\9t 2. 电子波函数及跃迁矩阵元 @]EJbiGv 3.简约态密度及增益谱 3]iBX`Ni 4.模式的自发辐射速率 y_=},a 5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 _Zq2 <: 6.能带,跃迁矩阵元和增益谱数值结果 ^q uv`d 7.增益谱峰值的近似表达式 Ak\w)!?s A+N%A]2 四. 速率方程和动态效应 }Z~& XL= 1.单模速率方程及基本物理量 _qPd)V6yb 2.稳态输出 d1`us G" 3. 共振频率和3dB带宽 6IVa(; 4. 载流子输运效应对带宽影响 `XJU$c 5. 开启延迟时间 }4; \sY 6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 ezC2E/# 7. 自发辐射引起的噪声 Zu$30&U 8. 相对强度噪声 wV9[Jl\Z 9. 模式线宽 `oxs;;P 10. 多模速率方程 &mM[q'V <L72nwcK 五.半导体激光器的基本工艺和特性 UqP %S$9 1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 #hOAG_a, 3.激光器寿命 B[]v[q< 4.激光器阈值电流的温度特性 zuR F6?un #Zm%U_$< 原来重复了,大家去:http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。
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