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半导体激光器的设计和工艺 ykC3Z<pI.  
黄永箴 ddgDq0N1j  
中国科学院半导体所，光电子研发中心 OkC.e')Vx  
集成光电子国家重点实验室 r:sa|+  
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一. 半导体激光器的基本结构 !/,oQoG  
1.半导体双异质结构 \lg ^rfj  
2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) -Mr_Ao`E  
3. 侧模控制(基侧模) |pHlBzHj  
4.横模控制 K^!#;,0  
5. 动态单模半导体激光器 _S) K+C|@  
6. 波长可调谐半导体激光器 &KMI C  
7.长波长VCSEL的进展 N'y<<tTA
 
8.微腔激光器和光子晶体 ~B[e*|d  
9.半导体激光器材料的选择 -Y524   
, >WH)+a  
二.半导体光波导 y`j_]qvt  
1. 平板波导的模式，TE和TM模 ~g!!#ad  
2. 光限制因子和模式增益 h2'6W)  
3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 6 5zx<  
4. 半导体激光器镜面反射系数 62ru%<x=  
5. DFB激光器的藕合模理论 v9 \n=Z  
6. DFB半导体激光器的一维模拟 i1x4$}  
7. 等效折射率近似 z*T41;b  
8. 数值模拟 m%.4OXX"&  
K1X-<5]{  
三.半导体中的光跃迁和增益 =+_nVO*  
1. 费米分布函数及跃迁速率 /}1|'?P  
2. 电子波函数及跃迁矩阵元 B!mHO*g  
3.简约态密度及增益谱 j)/Vtf  
4.模式的自发辐射速率 pmP~1=3  
5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 ;>2-  
6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 K\ Wzh;  
7.增益谱峰值的近似表达式 5 Y&`ZJ  
29grbP  
四. 速率方程和动态效应 _xAru9=n^  
1．单模速率方程及基本物理量 9iT9ZfaW  
2．稳态输出 }-:B`:K&  
3. 共振频率和3dB带宽 (LsVd2Ab
R  
4. 载流子输运效应对带宽影响 tC'#dU`=qY  
5. 开启延迟时间 k(G6` dY  
6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 EPW4
h/I  
7. 自发辐射引起的噪声 3~fi#{  
8. 相对强度噪声 <SJ6<'  
9. 模式线宽 1^^{;R7N  
10. 多模速率方程 D,=~7/g  
z(c8]Wu#  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 I+Fy)=DO9  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性
7Wef[N\x  
3.激光器寿命 a)W|gx6Y  
4.激光器阈值电流的温度特性 8/p ]'BLf  
nY MtK  
原来重复了，大家去：http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。