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半导体激光器的设计和工艺 }BU%<5CQ 黄永箴 d^nO&it 中国科学院半导体所, 光电子研发中心 `|>]P"9yp 集成光电子国家重点实验室 }T(=tfv@ I:/|{:5 一. 半导体 激光器的基本结构 YVa,?&i=N 1.半导体双异质结构 KJ32L 2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) \%Y`>x. 3. 侧模控制(基侧模) ?%$O7_ThvA 4.横模控制 }|2A6^FH. 5. 动态单模半导体激光器 ]r3/hDRDL@ 6. 波长可调谐半导体激光器 }xt^}:D 7.长波长VCSEL的进展 )1B?<4 8.微腔激光器和光子 晶体 %LP4RZ 9.半导体激光器材料的选择 6q8}8;STTY J^yqu{ 二.半导体光波导 }DM W,+3 1. 平板波导的模式,TE和TM模 {[tmz;C 2. 光限制因子和模式增益 X>yDj]*4P 3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 ukEJ D3i 4. 半导体激光器镜面反射系数 SyI~iW#Y1 5. DFB激光器的藕合模理论 ;YY<KuT 6. DFB半导体激光器的一维模拟 i6k6l% 7. 等效折射率近似 8Cp@k= 8. 数值模拟 95~bM;TVr #J3o~,t< 三.半导体中的光跃迁和增益 VnkhY 1. 费米分布函数及跃迁速率 }:c~5whN 2. 电子波函数及跃迁矩阵元 qMVuFwPhi 3.简约态密度及增益谱 7r'_p$ 4.模式的自发辐射速率 G^nG^HTo5 5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 "*D9.LyM 6.能带,跃迁矩阵元和增益谱数值结果 9%|skTgIqH 7.增益谱峰值的近似表达式 hvO$ f.i t?-a JU 四. 速率方程和动态效应 [(_,\:L${ 1.单模速率方程及基本物理量 /"st
sF 2.稳态输出 JD0s0>q_ 3. 共振频率和3dB带宽 c}n66qJF5 4. 载流子输运效应对带宽影响 \9OKf|#j 5. 开启延迟时间 L-E?1qhP> 6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 y*X.DS 1(w 7. 自发辐射引起的噪声 EG qu-WBS 8. 相对强度噪声 2bTS,N/> 9. 模式线宽 X)hpbHa 10. 多模速率方程 <a$!S !Whx^B: 五.半导体激光器的基本工艺和特性 2;"vF9WMm 1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 +`gU{e,p 3.激光器寿命 ZT*}KJm 4.激光器阈值电流的温度特性 }JST(d& CKZEX*mPC 原来重复了,大家去:http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。
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