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半导体激光器的设计和工艺 "2:#
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黄永箴 .PCbGPbk  
中国科学院半导体所，光电子研发中心 Gb.}af#v  
集成光电子国家重点实验室 R8|FqBs  
/S9n!H:MT  
一. 半导体激光器的基本结构 p3B_NsXVZ  
1.半导体双异质结构 qxHsmGV  
2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) y(j vl|z[  
3. 侧模控制(基侧模) <U}2
5AR  
4.横模控制 :eBp`dmn  
5. 动态单模半导体激光器 LbnF8tj}h  
6. 波长可调谐半导体激光器 }<q=Zq+  
7.长波长VCSEL的进展 3=_to7]  
8.微腔激光器和光子晶体 m@yx6[E#  
9.半导体激光器材料的选择 2\#
~%D>[  
MNX-D0`g  
二.半导体光波导 YVO~0bX:  
1. 平板波导的模式，TE和TM模 \r}*<CRr6  
2. 光限制因子和模式增益 LufZ,  
3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 KA."[dVa  
4. 半导体激光器镜面反射系数 RohD.`D  
5. DFB激光器的藕合模理论 8u Z4[  
6. DFB半导体激光器的一维模拟 V6b)  
7. 等效折射率近似 Ws[d.El  
8. 数值模拟 [[
Usrbf  
30h1)nQ$h}  
三.半导体中的光跃迁和增益 J|b:Zo9<f"  
1. 费米分布函数及跃迁速率 GEAVc9V  
2. 电子波函数及跃迁矩阵元 u &{|f  
3.简约态密度及增益谱 _LLE~nUK"/  
4.模式的自发辐射速率 BtP*R,>  
5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 cKAZWON8;v  
6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 9R|B 5.  
7.增益谱峰值的近似表达式 0.!Q4bhD  
\JGRd8S[  
四. 速率方程和动态效应 (<#Ns W!z  
1．单模速率方程及基本物理量 +e)RT<  
2．稳态输出 @3>nVa  
3. 共振频率和3dB带宽 nb|"dK|  
4. 载流子输运效应对带宽影响 |)Sx"B)  
5. 开启延迟时间 m}nA-*  
6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 }{e7wqS$&,  
7. 自发辐射引起的噪声 4JjO.H  
8. 相对强度噪声 zyFbu=d|O:  
9. 模式线宽 ,lw<dB@7"5  
10. 多模速率方程 ^i~'aq  
rVx?Yo1F'  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 *!+?%e{;b  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 {%z}CTf#  
3.激光器寿命 %i`YJ  
4.激光器阈值电流的温度特性 ^ P=CoLFa  
LL=nMoS  
原来重复了，大家去：http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。