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半导体激光器的设计和工艺 .Z2zv*
黄永箴 d$;1%rRj8 中国科学院半导体所, 光电子研发中心 +YNN$i 集成光电子国家重点实验室 W3HTQGV R|,F C' 一. 半导体 激光器的基本结构 *.2[bQL@v 1.半导体双异质结构 @5)THYAx4 2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) !ot$ Q 3. 侧模控制(基侧模) RPh8n4&(" 4.横模控制 ~t,-y*= 5. 动态单模半导体激光器 O\5q_>] 6. 波长可调谐半导体激光器 @Q%g#N 7.长波长VCSEL的进展 R3<2Z0lqy 8.微腔激光器和光子 晶体 8YLS/dN0 w 9.半导体激光器材料的选择 8K;wX%_, &UV=<Az{ 二.半导体光波导 Nm;V9*5 1. 平板波导的模式,TE和TM模 8A,="YIt 2. 光限制因子和模式增益 AgU 7U/yk 3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 J=OWXL!<a 4. 半导体激光器镜面反射系数 -|/kg7IO\ 5. DFB激光器的藕合模理论 -gzY~a 6. DFB半导体激光器的一维模拟 $1ZFkw 7. 等效折射率近似 n?EL\B 8. 数值模拟 *
SHQ[L4{ wfJ["
q 三.半导体中的光跃迁和增益 "KhVS 1. 费米分布函数及跃迁速率 U*R 2. 电子波函数及跃迁矩阵元 Q|1X|_hs 3.简约态密度及增益谱 *9?T?S|^$F 4.模式的自发辐射速率 a=%QckR* 5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 .o_?n.H'& 6.能带,跃迁矩阵元和增益谱数值结果 q*36/I 7.增益谱峰值的近似表达式 Fu/{*4 M%#H>X\/ 四. 速率方程和动态效应 -y1t;yU.L 1.单模速率方程及基本物理量 rf:CB&u 2.稳态输出 ^;xO-;q 3. 共振频率和3dB带宽 !P"=57d}"l 4. 载流子输运效应对带宽影响 +P//p$pE 5. 开启延迟时间 &qP@WFl 6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 I8]q~Q<-P 7. 自发辐射引起的噪声 7K\H_YY8# 8. 相对强度噪声 =w/S{yC
9. 模式线宽 ="Edt+a)t 10. 多模速率方程 lDd8dT-Q. H{4/~Z 五.半导体激光器的基本工艺和特性 cz6\qSh\, 1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 "v9i;Ba>+ 3.激光器寿命 ZR|cZH1}C 4.激光器阈值电流的温度特性 r!,/~~mT jh*aD=y 原来重复了,大家去:http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。
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