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半导体激光器的设计和工艺 H*0g*(  
黄永箴 zCA8}](C^  
中国科学院半导体所，光电子研发中心 $(0<T<\  
集成光电子国家重点实验室 @|ZUyat  
!E00I0W-h  
一. 半导体激光器的基本结构 ,mCf{V]#  
1.半导体双异质结构 /#:
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2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) B3[X{n$px  
3. 侧模控制(基侧模) W2$rC5|  
4.横模控制 #>_fYj
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5. 动态单模半导体激光器 d!&LpODI]*  
6. 波长可调谐半导体激光器 W6EEC<$JL  
7.长波长VCSEL的进展 im:[ViR {  
8.微腔激光器和光子晶体 q\!"FDOl4  
9.半导体激光器材料的选择 Dqwd=$2%  
]!P6Z?  
二.半导体光波导 5M)B  
1. 平板波导的模式，TE和TM模 ^_G#JJ\@$  
2. 光限制因子和模式增益 ~v/` `s  
3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 qx >Z@o
 
4. 半导体激光器镜面反射系数 CP"5E?dcK  
5. DFB激光器的藕合模理论 MxGQM>  
6. DFB半导体激光器的一维模拟 zN+jn
  
7. 等效折射率近似 >yVrIko  
8. 数值模拟 x?0(K=h,  
u\xrC\Ka  
三.半导体中的光跃迁和增益 0VR,I{<.{  
1. 费米分布函数及跃迁速率 t*BCpC}  
2. 电子波函数及跃迁矩阵元 UDcr5u eKn  
3.简约态密度及增益谱 9_&]7ABV  
4.模式的自发辐射速率 GP^^ K  
5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 A9DF
ZZ0  
6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 si]MQ\i+  
7.增益谱峰值的近似表达式 {ByKTx&  
'X&"(M  
四. 速率方程和动态效应 ~]W @+\l  
1．单模速率方程及基本物理量 E'8XXV^I?P  
2．稳态输出 'S v V10$5  
3. 共振频率和3dB带宽 Bgsi$2hI  
4. 载流子输运效应对带宽影响 /N/jwLr  
5. 开启延迟时间 V~o'L#a  
6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 Z$Qwn  
7. 自发辐射引起的噪声 r`)'Kd  
8. 相对强度噪声 DBvozTsF~  
9. 模式线宽 $'*{&/
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10. 多模速率方程 ^eRbp?H*T  
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五.半导体激光器的基本工艺和特性 yg|yoL'g  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 Vn/FW?d7  
3.激光器寿命 /k\)q  
4.激光器阈值电流的温度特性 W Kd:O
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原来重复了，大家去：http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。