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半导体激光器的设计和工艺 iOb7g@=  
黄永箴 =23@"ji@D  
中国科学院半导体所，光电子研发中心 (^g XO  
集成光电子国家重点实验室 uCuB>x&  
bE2O[B  
一. 半导体激光器的基本结构 %t!S 7UD  
1.半导体双异质结构 m||9,z-  
2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) (>x05
nh  
3. 侧模控制(基侧模) ^^B_z|;Aa  
4.横模控制
,1Z([R*  
5. 动态单模半导体激光器 -gba&B+D"  
6. 波长可调谐半导体激光器 ]sVWQj  
7.长波长VCSEL的进展 &s?uMWR  
8.微腔激光器和光子晶体 hjFht+j
1  
9.半导体激光器材料的选择 X?< L<:.  
SVn@q|N  
二.半导体光波导 kb/BEJ  
1. 平板波导的模式，TE和TM模 HOPy&Fp  
2. 光限制因子和模式增益 5%fWX'mS  
3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 GU@#\3  
4. 半导体激光器镜面反射系数 yx4pQL7  
5. DFB激光器的藕合模理论 N#e9w3Rli  
6. DFB半导体激光器的一维模拟 2@z.ory.  
7. 等效折射率近似 G![4K#~NM  
8. 数值模拟 jg{2Sxf!c  
u'_}4qhCC;  
三.半导体中的光跃迁和增益 zP2X}VLMo  
1. 费米分布函数及跃迁速率 !|u?z%  
2. 电子波函数及跃迁矩阵元 6
hYz^}2g  
3.简约态密度及增益谱 M | "'`zc  
4.模式的自发辐射速率 ['pO=ho  
5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 2;:p H3  
6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 a9{NAyl<oo  
7.增益谱峰值的近似表达式 u "k< N|.3  
Dr%wab"yy  
四. 速率方程和动态效应 T=M##`jP%  
1．单模速率方程及基本物理量 _<sN54  
2．稳态输出 o}/|"(K  
3. 共振频率和3dB带宽 D
QXcf*R  
4. 载流子输运效应对带宽影响 .f-=gZ* *  
5. 开启延迟时间 Kn@#5MC rU  
6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 >8OY6wb  
7. 自发辐射引起的噪声 UdnRsp9S  
8. 相对强度噪声 KZZY9  
9. 模式线宽 =G^'wwpv(  
10. 多模速率方程 _FE uQ9E  
M_ %-A  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 N5sVRL"7  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 2Zuo).2a.  
3.激光器寿命 v)_FiY QQ6  
4.激光器阈值电流的温度特性 nC%qdzT  
(Ll'j0]k>  
原来重复了，大家去：http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。