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半导体激光器的设计和工艺 =}%Q}aPp 黄永箴 `k -|G2 中国科学院半导体所， 光电子研发中心 ^!Tq(t5V 集成光电子国家重点实验室 &sooXKlv | [sl"\3) 一. 半导体 激光器的基本结构 =%d.wH?dZ/ 1.半导体双异质结构 &#;lmYyaui 2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) ,VZ<r5NT 3. 侧模控制(基侧模) 5P[urOvV 4.横模控制 {yM@3v ~ 5. 动态单模半导体激光器 k1fX-2H 6. 波长可调谐半导体激光器 /0r6/ _5-. 7.长波长VCSEL的进展 7!J BF{,= 8.微腔激光器和光子 晶体 bd&N f2 9.半导体激光器材料的选择 VgO.in^q ?:3rVfO 二.半导体光波导 87rHW@\]( 1. 平板波导的模式，TE和TM模 x\!vr. 2. 光限制因子和模式增益 p /gf 3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 22Oe~W ; 4. 半导体激光器镜面反射系数 n 9Ktn} 5. DFB激光器的藕合模理论 #kp +e)F 6. DFB半导体激光器的一维模拟 YJ>P+e\o9 7. 等效折射率近似 vk<4P;A(G 8. 数值模拟 KMXd FSb4RuD9 三.半导体中的光跃迁和增益 wu3p2#-Z 1. 费米分布函数及跃迁速率 OE2r2ad 2. 电子波函数及跃迁矩阵元 8aI^vP"7`= 3.简约态密度及增益谱 -H$C3V3] 4.模式的自发辐射速率 ,f$ftn\~j/ 5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 W];l[D<S* 6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 T^S $|d 7.增益谱峰值的近似表达式 6*s:I& V82hk0*j 四. 速率方程和动态效应 |3Bms d/3 1．单模速率方程及基本物理量 aK-- D2@}i 2．稳态输出 q{pa _ 3. 共振频率和3dB带宽 i!+0''i{# 4. 载流子输运效应对带宽影响 |H;+9( 5. 开启延迟时间 LzD,]{CC5 6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 Q1P=A:*]9 7. 自发辐射引起的噪声 @"n]v)[4 8. 相对强度噪声 I[P_j`aE 9. 模式线宽 RP%FMb}nt 10. 多模速率方程 ]%+T+ zg(Y x<=R?4@rq 五.半导体激光器的基本工艺和特性 k;
ned 1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 j`%a2 3.激光器寿命 } ^WmCX2a 4.激光器阈值电流的温度特性 ;]_h")4"c ?L6pB]l8b 原来重复了，大家去：http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。
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