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半导体激光器的设计和工艺 K<@[_W+ 黄永箴 o {=qC: b 中国科学院半导体所, 光电子研发中心 {8^Gs^c
c 集成光电子国家重点实验室 *:=];1O I86e&"40 一. 半导体 激光器的基本结构 uP{;*E3? 1.半导体双异质结构 LXHwX*`Y 2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) )t|^Nuj8 3. 侧模控制(基侧模) cI*KRCU 4.横模控制 cPpu 5. 动态单模半导体激光器 JN9^fR09G 6. 波长可调谐半导体激光器 HQq`pG%m6 7.长波长VCSEL的进展 n,t6v5>88 8.微腔激光器和光子 晶体 79)A%@YHQQ 9.半导体激光器材料的选择 _9D|u<D 3g4e']t 二.半导体光波导 u5Qp/ag?N 1. 平板波导的模式,TE和TM模 f>.4-a? 2. 光限制因子和模式增益 a
@6^8B?w; 3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 X'cf&>h 4. 半导体激光器镜面反射系数 K!3{M!B 5. DFB激光器的藕合模理论 m)s
xotgXf 6. DFB半导体激光器的一维模拟 \Ut6; 7. 等效折射率近似 p/r~n'g$ 8. 数值模拟 -#hK|1] `5~7IPl3 三.半导体中的光跃迁和增益 4\p$4Hs} 1. 费米分布函数及跃迁速率 /&CUspb 2. 电子波函数及跃迁矩阵元 >@^<S_KVh 3.简约态密度及增益谱 G49Ng|qn 4.模式的自发辐射速率 D9ANm"# 5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 |y.zocBj 6.能带,跃迁矩阵元和增益谱数值结果 {tPnj_|n< 7.增益谱峰值的近似表达式 _ 1sP.0 t |5W8Q|>% 四. 速率方程和动态效应 i-`,/e~XT 1.单模速率方程及基本物理量 nz^nptw 2.稳态输出 h~ $& 3. 共振频率和3dB带宽 AlO,o[0 4. 载流子输运效应对带宽影响 #C4|@7w% 5. 开启延迟时间 )AOPiC$jL 6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 ;t}'X[U 7. 自发辐射引起的噪声 brntE: 8. 相对强度噪声 y =R
aJm 9. 模式线宽 :3v9h^|+ 10. 多模速率方程 L^lS^P h%'
N hV 五.半导体激光器的基本工艺和特性 /mc*Hc8R8 1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 0A.PD rM: 3.激光器寿命 :AZp} 4.激光器阈值电流的温度特性 pDGT@qJ j~epbl)pC 原来重复了,大家去:http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。
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