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半导体激光器的设计和工艺 {`: != 黄永箴
`@p*1 中国科学院半导体所, 光电子研发中心 ~b+>o 集成光电子国家重点实验室 4 ClW*l {974m` 5 一. 半导体 激光器的基本结构 z')'8155 1.半导体双异质结构 gaJS6*P# 2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) #f[yp=uI: 3. 侧模控制(基侧模) 6^~&sA 4.横模控制 %n(
s;/_ 5. 动态单模半导体激光器 q>Y_I<;'g 6. 波长可调谐半导体激光器 ? in&/ZrB 7.长波长VCSEL的进展 Qtk'^Fc 8.微腔激光器和光子 晶体 >0> M@s 9.半导体激光器材料的选择 DQ,Q yV }MoCUN)I 二.半导体光波导 GovGh? X#x 1. 平板波导的模式,TE和TM模 Dv$xP)./ 2. 光限制因子和模式增益 j"f]pzg& 3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 0j3j/={|.1 4. 半导体激光器镜面反射系数 '+`CwB2 5. DFB激光器的藕合模理论 5ewQjwW0 6. DFB半导体激光器的一维模拟 ;$86.2S>B 7. 等效折射率近似 k|w6&k3 8. 数值模拟 /GEqU^
B Rq;R{a 三.半导体中的光跃迁和增益 0ya_[\
1. 费米分布函数及跃迁速率 &We'omq 2. 电子波函数及跃迁矩阵元 w=OT^d 9n 3.简约态密度及增益谱 aFhsRE?YC= 4.模式的自发辐射速率 k%hif8y 5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 D@mDhhK_ 6.能带,跃迁矩阵元和增益谱数值结果 8,%y`tUn>u 7.增益谱峰值的近似表达式 ~=}56yxl[ vq x;FAqZ 四. 速率方程和动态效应 olh|.9Kdj} 1.单模速率方程及基本物理量 :V`q;g 2.稳态输出 jLZ+HYyG9 3. 共振频率和3dB带宽 M[N|HsI8? 4. 载流子输运效应对带宽影响 HgbJsv$ 5. 开启延迟时间 7pkc*@t 6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 yfYAA*S!z 7. 自发辐射引起的噪声 n}a# b%e 8. 相对强度噪声 j'~xe3j 9. 模式线宽 bE0cW'6r 10. 多模速率方程 xJ,V!N V<+d o|@F 五.半导体激光器的基本工艺和特性 Dj?95Z,r 1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 HAP9XC(F] 3.激光器寿命 qxk1Rzm?x 4.激光器阈值电流的温度特性 D_'Zucq aY6]NpT 原来重复了,大家去:http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。
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