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半导体激光器的设计和工艺 I7Eg$J&  
黄永箴 y1AS^'  
中国科学院半导体所，光电子研发中心 4%]{46YnK  
集成光电子国家重点实验室 4u&l@BUr  
nh8h?&q|  
一. 半导体激光器的基本结构 r8> q*0~s  
1.半导体双异质结构 3NJH"amk  
2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) TfxKvol'  
3. 侧模控制(基侧模) !C+25vup  
4.横模控制 EfUo<E  
5. 动态单模半导体激光器 8uu:e<PLv  
6. 波长可调谐半导体激光器 hFjW.~B  
7.长波长VCSEL的进展 r94BEC 2  
8.微腔激光器和光子晶体 [AGm%o=)  
9.半导体激光器材料的选择 ~KNxAxyVi  
D0-e,)G}V,  
二.半导体光波导 p75w^  
1. 平板波导的模式，TE和TM模 U
nMDdJ\  
2. 光限制因子和模式增益 C[s*Na-  
3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 8q0 .yhb  
4. 半导体激光器镜面反射系数 k |Lm;g  
5. DFB激光器的藕合模理论 :,u+[0-S  
6. DFB半导体激光器的一维模拟 SVpe^iQ]1\  
7. 等效折射率近似 <zUmcZ  
8. 数值模拟 :V"}"{(6  
+Rvj]vd}&  
三.半导体中的光跃迁和增益 !Zwl9DX3  
1. 费米分布函数及跃迁速率 &0lNj@/  
2. 电子波函数及跃迁矩阵元 un\^Wmbw  
3.简约态密度及增益谱 jc?Hip'  
4.模式的自发辐射速率 VT9$&\)>O  
5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 Jv?e?U  
6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 rm cy-}e  
7.增益谱峰值的近似表达式 KOxD%bX_  
[WK_Vh{  
四. 速率方程和动态效应 mB,7YZv  
1．单模速率方程及基本物理量 mPu5%%  
2．稳态输出 urN&."c  
3. 共振频率和3dB带宽 k^L (q\D  
4. 载流子输运效应对带宽影响 k~gQn:.Cx  
5. 开启延迟时间 y>o#Hq&qM  
6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 [J];  
7. 自发辐射引起的噪声 *kIJv?%_}  
8. 相对强度噪声 b 9?w _  
9. 模式线宽 [ wROIvV  
10. 多模速率方程 Gmwn:  
byMO&Lb*  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 6lhVwgy3A  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 }6KL  
3.激光器寿命 3646.i[D  
4.激光器阈值电流的温度特性 ;L`'xFo>>  
Md~mI8  
原来重复了，大家去：http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。