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半导体激光器的设计和工艺 yVKl%GO  
黄永箴 mxpw4  
中国科学院半导体所，光电子研发中心 tt6GtYrC 1  
集成光电子国家重点实验室 <{YzmN\Z  
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一. 半导体激光器的基本结构 r%$\Na''  
1.半导体双异质结构 ofI,[z3  
2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) V)u#=OS  
3. 侧模控制(基侧模) N K@6U_/W  
4.横模控制 =@h
Cc  
5. 动态单模半导体激光器 O69TU[Vn  
6. 波长可调谐半导体激光器 .*W7Z8!e  
7.长波长VCSEL的进展 !\Cu J5U  
8.微腔激光器和光子晶体 z/p^C~|}  
9.半导体激光器材料的选择 Zn
uRy:  
MJH>rsTQ  
二.半导体光波导 @`^Z5n.4  
1. 平板波导的模式，TE和TM模 \F+".X#jh  
2. 光限制因子和模式增益 zF? 6"  
3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 6o(.zk`d  
4. 半导体激光器镜面反射系数 J*:_3Wsy  
5. DFB激光器的藕合模理论 eIf-7S]m  
6. DFB半导体激光器的一维模拟 ' eWG v  
7. 等效折射率近似 j+gh*\:q  
8. 数值模拟 hKnV
=Ha(  
7:JGrO  
三.半导体中的光跃迁和增益 $GhL-sqm  
1. 费米分布函数及跃迁速率 *&+zI$u(  
2. 电子波函数及跃迁矩阵元 ;'[?H0Jw'  
3.简约态密度及增益谱 %@q2  
4.模式的自发辐射速率 .vi0DuD6  
5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 fwUF5Y  
6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 F/:%YR;  
7.增益谱峰值的近似表达式 yB{1&S5C  
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四. 速率方程和动态效应 J^PFhu  
1．单模速率方程及基本物理量 pQ4HX)<P  
2．稳态输出 CEzdH!nP  
3. 共振频率和3dB带宽 [;:ocy  
4. 载流子输运效应对带宽影响 FBzsM7]j  
5. 开启延迟时间 pY%KI  
6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 =n@\m<  
7. 自发辐射引起的噪声 V;Ln|._/t  
8. 相对强度噪声 f3.oc9G  
9. 模式线宽 CalWJ  
10. 多模速率方程 Q?`s4P)14o  
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五.半导体激光器的基本工艺和特性 BmYX8j]  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 txX>zR*)  
3.激光器寿命 $d.Dk4.ed  
4.激光器阈值电流的温度特性 N{M25ucAHl  
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原来重复了，大家去：http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。