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半导体激光器的设计和工艺 /K9Tn 黄永箴 Q_F8u!qrZ 中国科学院半导体所, 光电子研发中心 z\8Kz ]n~ 集成光电子国家重点实验室 n15F4DnP Vn6 g(:\w 一. 半导体 激光器的基本结构 PI#xRKt 1.半导体双异质结构 >8nRP%r[5, 2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) bi bjFg 3. 侧模控制(基侧模) jR#g>MDKB 4.横模控制 iC`K$LY4W 5. 动态单模半导体激光器 Xj&fWuA 6. 波长可调谐半导体激光器 q]Cmaf ( 7.长波长VCSEL的进展 V\"x#uB 8.微腔激光器和光子 晶体 &!#a^d+` 0 9.半导体激光器材料的选择 +tNu8M@xFo wYJ. F 二.半导体光波导 uf (`I 1. 平板波导的模式,TE和TM模 *;wPAQE 2. 光限制因子和模式增益 T,,,+gPx 3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 "3A.x1uQ 4. 半导体激光器镜面反射系数 :Uf\r
`a9 5. DFB激光器的藕合模理论 Ax4nx!W, 6. DFB半导体激光器的一维模拟 V&E)4KBOs 7. 等效折射率近似 Yqy7__vm 8. 数值模拟 %+U.zd$ ?A/+DRQ( 三.半导体中的光跃迁和增益 ((TiBCF4 1. 费米分布函数及跃迁速率 HgP9evz,0 2. 电子波函数及跃迁矩阵元 7c9-MP) 3.简约态密度及增益谱 YT6<1-E# 4.模式的自发辐射速率 pzP~,cdf 5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 #N?EPV$ 6.能带,跃迁矩阵元和增益谱数值结果 s('<ms 7.增益谱峰值的近似表达式 lz?F ,]. J)iy6{0" 四. 速率方程和动态效应 C#`VVtei 1.单模速率方程及基本物理量 NuKktQd 2.稳态输出 K%ltB& 3. 共振频率和3dB带宽 , [xDNl[Y| 4. 载流子输运效应对带宽影响 -9)<[>: 5. 开启延迟时间 _6"!y
]Q 6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 j_VTa/ 7. 自发辐射引起的噪声 |T~C($9 8. 相对强度噪声 gN|[n.W4 9. 模式线宽 Gk0f#; 10. 多模速率方程 <GI{`@5C ;H5PiSq;z 五.半导体激光器的基本工艺和特性 Q<.847 ) 1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 <o8j+G)K# 3.激光器寿命 j'#M'W3@ 4.激光器阈值电流的温度特性 BD+V{x}P L$^ya%2 原来重复了,大家去:http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。
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