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半导体激光器的设计和工艺 -yg7;ff  
黄永箴 o4WDh@d5S  
中国科学院半导体所，光电子研发中心 K(|}dl:  
集成光电子国家重点实验室 f6p/5]=J26  
y
f,z$CR  
一. 半导体激光器的基本结构 +ZX{>:vo   
1.半导体双异质结构 qe\5m.k  
2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) A@u@ift  
3. 侧模控制(基侧模) 7xR\kL.,  
4.横模控制 ;9#KeA _  
5. 动态单模半导体激光器 0"SU_jQzv  
6. 波长可调谐半导体激光器 fV~[;e;U.  
7.长波长VCSEL的进展 6L
~n.5B~o  
8.微腔激光器和光子晶体 CvdN"k  
9.半导体激光器材料的选择 B<C&xDRZ0  
Ho]su?  
二.半导体光波导 iURe([@  
1. 平板波导的模式，TE和TM模 6S{l'!s'  
2. 光限制因子和模式增益 +w~oH=  
3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 Y4YJJYvD  
4. 半导体激光器镜面反射系数 }-`4DHgq  
5. DFB激光器的藕合模理论 T> p&$]OG  
6. DFB半导体激光器的一维模拟 !n%j)`0M  
7. 等效折射率近似 E*lx
Vua  
8. 数值模拟 +cRn%ioVi  
ptaKf4P^r  
三.半导体中的光跃迁和增益 R@2X3s:  
1. 费米分布函数及跃迁速率 V VCZ9MVJ  
2. 电子波函数及跃迁矩阵元 "Y.y:Vv;  
3.简约态密度及增益谱 \)Cl%Em  
4.模式的自发辐射速率 [-x7_=E#  
5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 47B&s   
6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 |l!aB(NW  
7.增益谱峰值的近似表达式 Z30A{6}  
*K;~!P  
四. 速率方程和动态效应 {c0`Um3&>  
1．单模速率方程及基本物理量 ss-D(K"  
2．稳态输出 "Yy n/  
3. 共振频率和3dB带宽 6w77YTJ  
4. 载流子输运效应对带宽影响 "Rl}VeDY  
5. 开启延迟时间 i@'dH3-kO  
6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 W_ZJ0GuE(  
7. 自发辐射引起的噪声 F:ELPs4"  
8. 相对强度噪声 wKHBAW[i]  
9. 模式线宽 Ir]
\|t  
10. 多模速率方程 :gC#hmm^  
:v 4]D4\o  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 j+YJbL v  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 WEpoBP CL  
3.激光器寿命 Hx:;@_gq  
4.激光器阈值电流的温度特性 B/C,.?Or  
R}ecc  
原来重复了，大家去：http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。