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半导体激光器的设计和工艺
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黄永箴 *v%y;^{k[/  
中国科学院半导体所，光电子研发中心 1["i,8zB  
集成光电子国家重点实验室 *H!BThft4  
Q/g!h}>(.  
一. 半导体激光器的基本结构 >B6*`3v  
1.半导体双异质结构 3YMqp~4  
2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) *47/BLys<  
3. 侧模控制(基侧模) JU17]gQ  
4.横模控制 lqfTF  
5. 动态单模半导体激光器 R=~%kt_n  
6. 波长可调谐半导体激光器 # >k|^*\  
7.长波长VCSEL的进展 V;eaQ  
8.微腔激光器和光子晶体 !dT+cZsf  
9.半导体激光器材料的选择 Xqw}O2QQ1  
_^W;J/He  
二.半导体光波导 JlYZ\  
1. 平板波导的模式，TE和TM模 OjhX:{"59  
2. 光限制因子和模式增益 _tHhS@  
3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 yx Om=V  
4. 半导体激光器镜面反射系数 nYSe0w  
5. DFB激光器的藕合模理论 /<)Vd  
6. DFB半导体激光器的一维模拟 m%6VwV7U  
7. 等效折射率近似 A'#d:lOA  
8. 数值模拟 fHd[8{;P:  
<<!fA><W  
三.半导体中的光跃迁和增益 OTF/Pu$  
1. 费米分布函数及跃迁速率 '^TeV=  
2. 电子波函数及跃迁矩阵元 /K|(O^nw  
3.简约态密度及增益谱 p{5m5x  
4.模式的自发辐射速率 sQ`G'<!  
5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 @dv8 F "v  
6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 2{?]W/&fS  
7.增益谱峰值的近似表达式 f|,Kh1{e  
9:p-F+  
四. 速率方程和动态效应 Y'iI_cg  
1．单模速率方程及基本物理量 yMWh#[phH  
2．稳态输出 2 `>a(  
3. 共振频率和3dB带宽 ]qqgEZ1!Y  
4. 载流子输运效应对带宽影响 cTGd<  
5. 开启延迟时间 36{GZDGQ  
6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 Wu 0:X*>}p  
7. 自发辐射引起的噪声 ./ {79  
8. 相对强度噪声 $.vm n,:.  
9. 模式线宽 V<UChD)N`  
10. 多模速率方程 \'Ae,q|w  
vu0Ue  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 > T*`Y0P  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 \Wfw\x0.  
3.激光器寿命 ASHU0v  
4.激光器阈值电流的温度特性 Z$/76  
T)gulP  
原来重复了，大家去：http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。