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半导体激光器的设计和工艺 5`QfysR5  
黄永箴 \Rw^&;\1  
中国科学院半导体所，光电子研发中心 P! P` MX  
集成光电子国家重点实验室 c~={A  
,xutI  
一. 半导体激光器的基本结构 ir5e
R}H  
1.半导体双异质结构 =N2@H5+7  
2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) 2RdpVNx\y  
3. 侧模控制(基侧模) s
>k4G  
4.横模控制 hyY^$p+  
5. 动态单模半导体激光器 SduUXHk
 
6. 波长可调谐半导体激光器 . |`)k  
7.长波长VCSEL的进展 AD>/#Ul  
8.微腔激光器和光子晶体 p7L6~IN  
9.半导体激光器材料的选择 9t
7 e~&R  
gX(8V*os^  
二.半导体光波导 ]d*O>Pm  
1. 平板波导的模式，TE和TM模 *fSX3Dk  
2. 光限制因子和模式增益 <
bJ~Ol  
3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 }Qh%Z)  
4. 半导体激光器镜面反射系数 a YY1*^  
5. DFB激光器的藕合模理论 OqX+R4S  
6. DFB半导体激光器的一维模拟 qnzNJ_ `R  
7. 等效折射率近似 z'zC  
8. 数值模拟 F#o{/u?T  
0Qg%48u
 
三.半导体中的光跃迁和增益 U+uIuhz  
1. 费米分布函数及跃迁速率 &<) _7?  
2. 电子波函数及跃迁矩阵元 xEB4oQ5  
3.简约态密度及增益谱 @^`5;JiUk  
4.模式的自发辐射速率 NM1TFs2Y*  
5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 Lve$H(GHT  
6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 1(kd3
qX  
7.增益谱峰值的近似表达式 w_YY~Af  
ZRUAw,T*  
四. 速率方程和动态效应 {h;i x  
1．单模速率方程及基本物理量 4-\4G"4  
2．稳态输出 0qBXL;sE  
3. 共振频率和3dB带宽 >Lz2zlZI  
4. 载流子输运效应对带宽影响 XlGB`P>?KD  
5. 开启延迟时间 Kt_HJ!  
6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 d_98%U+u  
7. 自发辐射引起的噪声 L~_zR>  
8. 相对强度噪声 R xWD>:  
9. 模式线宽 x_EU.924uY  
10. 多模速率方程 5a* Awv}  
tdC kvVE  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 ND5E`Va5R  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 ,aa %{  
3.激光器寿命 *oIKddZh  
4.激光器阈值电流的温度特性 #elaz8 5  
bre6SP@  
原来重复了，大家去：http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。