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半导体激光器的设计和工艺 Zw6UH;5  
黄永箴 H|@R+  
中国科学院半导体所，光电子研发中心 .YOC|\  
集成光电子国家重点实验室 %z1y3I|`[t  
a2Q_K2t  
一. 半导体激光器的基本结构 ,F^Rz.  
1.半导体双异质结构 VaKBS/y"  
2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) F&pJ faig  
3. 侧模控制(基侧模) )/uu~9SFd  
4.横模控制 JSO'. [N  
5. 动态单模半导体激光器 q8 jI y@  
6. 波长可调谐半导体激光器 &\Kp_AR  
7.长波长VCSEL的进展 oY Y?`<N#  
8.微腔激光器和光子晶体 1:{BC2P  
9.半导体激光器材料的选择 6IRzm6d  
1=NP=ZB  
二.半导体光波导 Vm6 0aXm_  
1. 平板波导的模式，TE和TM模 ? }t[  
2. 光限制因子和模式增益 aG&ay3[&
 
3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 |,ws3  
4. 半导体激光器镜面反射系数 Q--Hf$D]H  
5. DFB激光器的藕合模理论 f\cm84  
6. DFB半导体激光器的一维模拟 cow]qe6K  
7. 等效折射率近似 ..u2IdEu  
8. 数值模拟 ^R;Qa#=2  
+2&+Gh.h  
三.半导体中的光跃迁和增益 Dx:2/"v  
1. 费米分布函数及跃迁速率 Wbra*LNU  
2. 电子波函数及跃迁矩阵元 ~m0l_:SF  
3.简约态密度及增益谱 0
{0A,;b  
4.模式的自发辐射速率 b&iJui"7k  
5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 0J \hku\  
6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 .|d2s  
7.增益谱峰值的近似表达式 $)(K7> P  
XH
X$Ur9  
四. 速率方程和动态效应 T1Gy_
G/  
1．单模速率方程及基本物理量 6|{$]<'  
2．稳态输出 ~]Md*F[4*e  
3. 共振频率和3dB带宽 I{rW+<)QGC  
4. 载流子输运效应对带宽影响 >n!,KUu]  
5. 开启延迟时间 &i/QFO7y}  
6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 =A yDVWpE  
7. 自发辐射引起的噪声 ]Sl]G6#Iwv  
8. 相对强度噪声 v8PH(d2{@  
9. 模式线宽 N7}Y\1-8  
10. 多模速率方程 "~-Y'O  
3jaY\(`%h  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 DnY7$']"|  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 gr&Rkuyfv  
3.激光器寿命 -( d,AX  
4.激光器阈值电流的温度特性 OI0tgkG  
R3`Rrj Z  
原来重复了，大家去：http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。