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半导体激光器的设计和工艺 877Kv);  
黄永箴 Y /l~R7  
中国科学院半导体所，光电子研发中心 kv<(N  
集成光电子国家重点实验室 4K,S5^`Gx  
_.SpU`>/f  
一. 半导体激光器的基本结构 ^,` L!3  
1.半导体双异质结构 SUD
~@]N1  
2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) 6I
a[`xuL  
3. 侧模控制(基侧模) <|hrmwk|  
4.横模控制 #It!D5A  
5. 动态单模半导体激光器 chM-YuN|  
6. 波长可调谐半导体激光器 rVp^s/A^;  
7.长波长VCSEL的进展 .p(r|5(b  
8.微腔激光器和光子晶体 :bXTV?#0  
9.半导体激光器材料的选择 ;

Pvnhy  
im F,8'  
二.半导体光波导 \p!m/2  
1. 平板波导的模式，TE和TM模 <]*Jhnx/  
2. 光限制因子和模式增益 ,Qj\_vr@  
3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 iDYm4sY  
4. 半导体激光器镜面反射系数 B)
rBM  
5. DFB激光器的藕合模理论 e1hf{:&/G@  
6. DFB半导体激光器的一维模拟 {~#d_!(  
7. 等效折射率近似 D!i|KI/  
8. 数值模拟 juxAyds  
>2NsBS(  
三.半导体中的光跃迁和增益 (Z8wMy&:  
1. 费米分布函数及跃迁速率 ^=qV)j  
2. 电子波函数及跃迁矩阵元 P1<McQ  
3.简约态密度及增益谱 He&A>bA)z  
4.模式的自发辐射速率 ] ~}~d(  
5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 OK2\2&G  
6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 }&%&0$%  
7.增益谱峰值的近似表达式 ""h%RhcZ\  
P@Vs\wAT  
四. 速率方程和动态效应 &uI33=  
1．单模速率方程及基本物理量 AOx8OiqE:  
2．稳态输出 ".?y!VY  
3. 共振频率和3dB带宽 ?i}wm`  
4. 载流子输运效应对带宽影响 GqgJ]m  
5. 开启延迟时间  !>Q{co'  
6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 6mjD@  
7. 自发辐射引起的噪声 R9UC0D:-x  
8. 相对强度噪声 'lmjZ{k  
9. 模式线宽 0UQ DB5u  
10. 多模速率方程 c$_}  
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"Zn# FY  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 tR_DN  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 id]}10  
3.激光器寿命 01IfvK  
4.激光器阈值电流的温度特性 Uh^j;s\y  
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原来重复了，大家去：http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。