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半导体激光器的设计和工艺 6'395x_.\  
黄永箴 0}hN/2}&  
中国科学院半导体所，光电子研发中心 Y'Sxehx  
集成光电子国家重点实验室 R+8+L|\wHv  
E*>tFw&[  
一. 半导体激光器的基本结构 Ki}PO`s  
1.半导体双异质结构 bP&o]?dN  
2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) JT&CJ&#[h  
3. 侧模控制(基侧模) :2Qm*Y&_$V  
4.横模控制 -% PUY(  
5. 动态单模半导体激光器 kmNY ;b6Y$  
6. 波长可调谐半导体激光器 Y}'C'PR  
7.长波长VCSEL的进展
m,aJ(8G  
8.微腔激光器和光子晶体 8,=Ti7_  
9.半导体激光器材料的选择 IyIh0B~i  
Yi&;4vC  
二.半导体光波导 TbU\qcm]]  
1. 平板波导的模式，TE和TM模 <|k!wfHL  
2. 光限制因子和模式增益 n_AW0i.  
3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 jii2gtu'U  
4. 半导体激光器镜面反射系数 .\X/o!xC  
5. DFB激光器的藕合模理论 7<x0LW  
6. DFB半导体激光器的一维模拟 : RnjcnR  
7. 等效折射率近似 vLDMa>  
8. 数值模拟 t= "EbPE  
=t<!W  
三.半导体中的光跃迁和增益 u!oHP  
1. 费米分布函数及跃迁速率 pZ+zm6\$  
2. 电子波函数及跃迁矩阵元 ./jkY7 k  
3.简约态密度及增益谱 j\q1b:pE  
4.模式的自发辐射速率 I/jMe'Kp  
5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 8|{:N>7  
6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 1%^U=[#2`  
7.增益谱峰值的近似表达式 ,AGK O,
w  
FoWE<  
四. 速率方程和动态效应 `x~k}  
1．单模速率方程及基本物理量 LpaY Md;  
2．稳态输出 5dT-{c%w4  
3. 共振频率和3dB带宽 g10$pf+L  
4. 载流子输运效应对带宽影响 .hn{m9|U  
5. 开启延迟时间 Q/\ <rG4  
6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 [{6]iJ  
7. 自发辐射引起的噪声 jr~ +}|@{  
8. 相对强度噪声 Y<:%_]]  
9. 模式线宽 &qz&@!`  
10. 多模速率方程 i' %V}2  
RZjTUMAz4  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 T5B~CC'6  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 :RzcK>Gub=  
3.激光器寿命 M ioS  
4.激光器阈值电流的温度特性 5oGnPF  
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原来重复了，大家去：http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。