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半导体激光器的设计和工艺 =:eE!  
黄永箴 _9r
{W65s  
中国科学院半导体所，光电子研发中心 l.l~K%P'h  
集成光电子国家重点实验室
H>6;I  
Lm#d.AD)  
一. 半导体激光器的基本结构 06 s3 b  
1.半导体双异质结构 pr(\?\a  
2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) [{$0E=&0  
3. 侧模控制(基侧模) n^#LB*q  
4.横模控制 ypo=y/!  
5. 动态单模半导体激光器 IoOnS)  
6. 波长可调谐半导体激光器 !3# }ZC2  
7.长波长VCSEL的进展 ]M;! ])b$  
8.微腔激光器和光子晶体 Xm'K6JH'  
9.半导体激光器材料的选择 Y'1V(5/&  
^#se4qQ  
二.半导体光波导 ,$$$_+m\  
1. 平板波导的模式，TE和TM模 U:hC!t:  
2. 光限制因子和模式增益 %QLYNuG  
3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 [zE
P|  
4. 半导体激光器镜面反射系数 8-YrmP2k  
5. DFB激光器的藕合模理论 v"~I( kf$  
6. DFB半导体激光器的一维模拟 W=]",<  
7. 等效折射率近似 7g+]  
8. 数值模拟 C
t+%  
Qe.kNdT+_  
三.半导体中的光跃迁和增益 IQ~7vk()  
1. 费米分布函数及跃迁速率 l}c2l'  
2. 电子波函数及跃迁矩阵元 a@ }r[0O  
3.简约态密度及增益谱 ;NeEgqW"
 
4.模式的自发辐射速率 /j@ `aG(a  
5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 rxeXz<  
6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 ZY$@_DOB}  
7.增益谱峰值的近似表达式 ~la04wR28  
e/jM+%  
四. 速率方程和动态效应 |9Ks13?Ck  
1．单模速率方程及基本物理量 j88sE MZ  
2．稳态输出 h xJgxM  
3. 共振频率和3dB带宽 iDc|9"|Tf3  
4. 载流子输运效应对带宽影响 6FMW g:{  
5. 开启延迟时间 u?Mu*r?  
6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 de{YgN  
7. 自发辐射引起的噪声 *r$.1nke  
8. 相对强度噪声 "m;]6B."  
9. 模式线宽 =2)t1 H  
10. 多模速率方程 G$uOk?R#5c  
UVUO}B@[S  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 l{m~d!w`a  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 {b
qKb=nyZ  
3.激光器寿命 Go7hDmu  
4.激光器阈值电流的温度特性 +J8/,d  
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C+i"q$  
原来重复了，大家去：http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。