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半导体激光器的设计和工艺 8Pl+yiB/o` 黄永箴 pE$|2v 中国科学院半导体所， 光电子研发中心 !hwzKm=%N 集成光电子国家重点实验室 x e"4u JO 6~:W(E} 一. 半导体 激光器的基本结构 =$&7IQ? 1.半导体双异质结构 fho=<|- 2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) H ={O13 3. 侧模控制(基侧模) 7yc9`j}] 4.横模控制 Ec7{BhH) 5. 动态单模半导体激光器 c+}!yH$ 6. 波长可调谐半导体激光器 :w?:WH?2L 7.长波长VCSEL的进展 #i}# jMT 8.微腔激光器和光子 晶体 xl1L4R)6D 9.半导体激光器材料的选择 *u:;:W&5y J3]qg.B%z 二.半导体光波导 zgEr , nF 1. 平板波导的模式，TE和TM模 Nb|3? c_ 2. 光限制因子和模式增益 qcR|E`k-G 3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 jsZiARTZRl 4. 半导体激光器镜面反射系数 Fi,e}j=2f 5. DFB激光器的藕合模理论 }1X11+/ W 6. DFB半导体激光器的一维模拟 2)HxW}o 7. 等效折射率近似 'xLM>6[wz 8. 数值模拟 _WRR
3 N'lGA;}i 三.半导体中的光跃迁和增益 INN/VDsJ 1. 费米分布函数及跃迁速率 ^P3g9'WK 2. 电子波函数及跃迁矩阵元 c %xED%X9 3.简约态密度及增益谱 '$2oSd 4.模式的自发辐射速率 X] 3l| D 5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 m<X#W W)N 6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 -Fp!w "=T 7.增益谱峰值的近似表达式 i5L+8kx4 Z>>gXh<e[ 四. 速率方程和动态效应 !:g >CDA 1．单模速率方程及基本物理量 C{d 8 ~6 2．稳态输出 -@gJqoo> 3. 共振频率和3dB带宽 EyKkjEXx_ 4. 载流子输运效应对带宽影响 !9e\O5PmO 5. 开启延迟时间 iECC@g@a 6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 zezofW]a 7. 自发辐射引起的噪声 !R] CmK 8. 相对强度噪声 BCa90 9. 模式线宽 TNX%_Q< 10. 多模速率方程 RJ=c[nb QXIbFv 五.半导体激光器的基本工艺和特性 .Y^d9. 1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 qJbhPY8Ak 3.激光器寿命 @Le ^- v4 4.激光器阈值电流的温度特性 vJ'yz#tl9 ;QvvU[eb 原来重复了，大家去：http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。
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