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半导体激光器的设计和工艺 !'LW_@ 黄永箴 V`@>MOw^d 中国科学院半导体所, 光电子研发中心 IKie1!ZU{" 集成光电子国家重点实验室 3]?#he zSb PW6U 一. 半导体 激光器的基本结构 aZbw]0q@o 1.半导体双异质结构 _#vrb;.+ 2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) (rg;IXAq% 3. 侧模控制(基侧模) b%cF 4.横模控制 RoAlf+&Qb 5. 动态单模半导体激光器 sUE?v9 6. 波长可调谐半导体激光器 C!7>1I~5 7.长波长VCSEL的进展 :T9<der, 8.微腔激光器和光子 晶体 }`+B=h-dW 9.半导体激光器材料的选择 D-N8<:cA a'\o7_ 二.半导体光波导
^eoLAL 1. 平板波导的模式,TE和TM模 KF4PJi;* 2. 光限制因子和模式增益 IUtx!.]4 3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 |^@dFOz 4. 半导体激光器镜面反射系数 VE8;sGaJ 5. DFB激光器的藕合模理论 o6//IOZ 6. DFB半导体激光器的一维模拟 Ao/ jt< 7. 等效折射率近似 Qyy.IPTP 8. 数值模拟 W0}B'VS.I M`S0u~#tI 三.半导体中的光跃迁和增益 |\n_OS7 1. 费米分布函数及跃迁速率 O(_[ayE 2. 电子波函数及跃迁矩阵元 +>4;Z d!@d 3.简约态密度及增益谱 O`vTnrY 4.模式的自发辐射速率 *YlV-C<}W" 5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 6S~sVUL9` 6.能带,跃迁矩阵元和增益谱数值结果 Uo2GK3nT 7.增益谱峰值的近似表达式 ^i:B+
rl h>Hb`G< 四. 速率方程和动态效应 U)3DQ6T99 1.单模速率方程及基本物理量 cYqfsd# B 2.稳态输出 Gdg"gi!4 3. 共振频率和3dB带宽 /JT#^Y 4. 载流子输运效应对带宽影响 D1&A,2wO 5. 开启延迟时间 o;?/HE%,[ 6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 -+O
9<3ly 7. 自发辐射引起的噪声 XQS9,Hl 8. 相对强度噪声 p ]d]QMu 9. 模式线宽 'e6WDC1Am( 10. 多模速率方程 +a*tO@HG PiA0]> 五.半导体激光器的基本工艺和特性 jRL<JZ1N 1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 R+CM`4CD 3.激光器寿命 3$X'Y]5a 4.激光器阈值电流的温度特性 p QizJ6 >KJ+-QuO& 原来重复了,大家去:http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。
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