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半导体激光器的设计和工艺 "7y,d%H 黄永箴 pDlrK&;\z 中国科学院半导体所, 光电子研发中心 T+nID@"36 集成光电子国家重点实验室 te(H6c#0 FA*$ dwp 一. 半导体 激光器的基本结构 #dae^UjM 1.半导体双异质结构 #?w07/~L 2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) [TOo 9W 3. 侧模控制(基侧模) NH|I>vyN 4.横模控制 5?;<^J 5. 动态单模半导体激光器 pZ'q_Oux 6. 波长可调谐半导体激光器 Ht;Rz*} 7.长波长VCSEL的进展 cZ_)'0
8.微腔激光器和光子 晶体 vQLYWRXiA 9.半导体激光器材料的选择 ^'E^*R ,5v'hG 二.半导体光波导 86)2\uan 1. 平板波导的模式,TE和TM模 c+3`hVV 2. 光限制因子和模式增益 P6.PjK!Ar 3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 J-tqEK* 4. 半导体激光器镜面反射系数 8^}/T#l 5. DFB激光器的藕合模理论 3`yO&upk 6. DFB半导体激光器的一维模拟 3h:~NL 7. 等效折射率近似 X3G593ts 8. 数值模拟 S?b&4\: 2>9\o]ac4 三.半导体中的光跃迁和增益 3eE=>E4, 1. 费米分布函数及跃迁速率 [tkx84M8 2. 电子波函数及跃迁矩阵元 }y6@YfV${ 3.简约态密度及增益谱 V?S}%-a 4.模式的自发辐射速率 zA9q`ePS 5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 5zBA ]1PY 6.能带,跃迁矩阵元和增益谱数值结果 r1< 'l 7.增益谱峰值的近似表达式 kMCP .D45; Zq8 5q 四. 速率方程和动态效应 cxs@ph&Wk 1.单模速率方程及基本物理量 R 9`[C 2.稳态输出 `{!A1xKZ 3. 共振频率和3dB带宽 L@GICW~ 4. 载流子输运效应对带宽影响 ?YR;o4 5. 开启延迟时间 B-N//ef} 6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 C/Q20 7. 自发辐射引起的噪声 F%-@_IsG# 8. 相对强度噪声 y\^zxG*]' 9. 模式线宽 "b`#RohCi 10. 多模速率方程 VQpt1cK* aInt[D( 五.半导体激光器的基本工艺和特性 9<?w9D.1 1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 'O)v@p " 3.激光器寿命 Zzjx;SF 4.激光器阈值电流的温度特性 Dst;sLr[, f4 S:L& 原来重复了,大家去:http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。
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