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半导体激光器的设计和工艺 mm-UQ\h  
黄永箴 <SZO- -+lB  
中国科学院半导体所，光电子研发中心 )N6[rw<  
集成光电子国家重点实验室 Z<<gz[$+p  
=Zy!',,d,9  
一. 半导体激光器的基本结构 E}9ldM=]s  
1.半导体双异质结构 -z$2pXT ^  
2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) :&)/vq  
3. 侧模控制(基侧模) Pm(:M:a  
4.横模控制 (x0*(*A}  
5. 动态单模半导体激光器 `j}d=zZ  
6. 波长可调谐半导体激光器 oK:P@V6!  
7.长波长VCSEL的进展 yGGB  
8.微腔激光器和光子晶体 lY*]&8/=  
9.半导体激光器材料的选择 ]\,uF8gg)  
ko2j|*D6@~  
二.半导体光波导 F(~_L.  
1. 平板波导的模式，TE和TM模 =e8L7_;  
2. 光限制因子和模式增益 n(YHk\2  
3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 Wx)U<:^e  
4. 半导体激光器镜面反射系数 gam#6 s  
5. DFB激光器的藕合模理论 m<"fRT!Y  
6. DFB半导体激光器的一维模拟 3;S`
<  
7. 等效折射率近似 ##FNq#F  
8. 数值模拟 A{x 7  
\R\@t]>Y  
三.半导体中的光跃迁和增益 RrdtU7i3  
1. 费米分布函数及跃迁速率 g)?g7{&?>?  
2. 电子波函数及跃迁矩阵元 TTZxkK  
3.简约态密度及增益谱 7Ljj#!`lUp  
4.模式的自发辐射速率 'Rd*X6dv  
5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 #3yw   
6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 Vy^yV|`v  
7.增益谱峰值的近似表达式 L\wpS1L(  
oXlxPN39  
四. 速率方程和动态效应 vd7N&c9  
1．单模速率方程及基本物理量 fb.\V]K  
2．稳态输出 W#jZRviyq!  
3. 共振频率和3dB带宽 W
({TC  
4. 载流子输运效应对带宽影响 wEnuUC4j  
5. 开启延迟时间 ~/jxB)t  
6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 O< tnM<"(  
7. 自发辐射引起的噪声 4!~ .6cp3  
8. 相对强度噪声 3R%UPT0>  
9. 模式线宽 JV]u(PL  
10. 多模速率方程 "R2t&X[9  
q X%vRf0  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 hQ}7Z&O  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 }{wTlR.]  
3.激光器寿命 ,)rZAI  
4.激光器阈值电流的温度特性 ?(/j<,m^  
yOUX E>-  
原来重复了，大家去：http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。