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半导体激光器的设计和工艺 [^GXHE= 黄永箴 1 !`B8y) 中国科学院半导体所， 光电子研发中心 sFWH*k dP? 集成光电子国家重点实验室
{]=oOy1 b\H ! \A 一. 半导体 激光器的基本结构 (jB_uMuS 1.半导体双异质结构 A%dI8Z, 2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) @-F[3`HeA 3. 侧模控制(基侧模) +axpIjI' 4.横模控制 Y<oDv`a Z0 5. 动态单模半导体激光器 \" W _\&X 6. 波长可调谐半导体激光器 I&Y 9 7.长波长VCSEL的进展 % V3xO% 8.微腔激光器和光子 晶体 ww(. 9.半导体激光器材料的选择 S((\KL, _ZU.;0 二.半导体光波导 T)"LuC#C 1. 平板波导的模式，TE和TM模 1#2B1& 2. 光限制因子和模式增益 |g}~7*+i 3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 ] iL>Zxe x 4. 半导体激光器镜面反射系数 bEc @"^) 5. DFB激光器的藕合模理论 MY `V0 6. DFB半导体激光器的一维模拟 yJ!x`RD),w 7. 等效折射率近似 *)4 `"D 8. 数值模拟 :k*3? *'K n:d7 Tv1Z8 三.半导体中的光跃迁和增益 zBd)E21H 1. 费米分布函数及跃迁速率 K4>nBvZ?v 2. 电子波函数及跃迁矩阵元
Y;[#~3CA 3.简约态密度及增益谱 x%\m/_5w% 4.模式的自发辐射速率 )@OKL0t 5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 Cvf^3~ q 6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 DeTD.)pS 7.增益谱峰值的近似表达式 \C(dWs #(KE9h% 四. 速率方程和动态效应 :P1/ kYg 1．单模速率方程及基本物理量 Lj(y>{y 2．稳态输出 4`mF6%UC 3. 共振频率和3dB带宽 =u^{Jvl[ 4. 载流子输运效应对带宽影响 7 ,! [oY[ 5. 开启延迟时间 '7Aj0U( 6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 jLLZZPBK 7. 自发辐射引起的噪声 -WX{ y Ci 8. 相对强度噪声 XdR^, ;pWE 9. 模式线宽 hXE_OXZ 10. 多模速率方程 D+:} D*_& 4M4oI . 五.半导体激光器的基本工艺和特性 uNcE_ < 1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 yA#-}Y|]b 3.激光器寿命 z8"(Yy7m 4.激光器阈值电流的温度特性 RU'
WHk ^%:syg_RM[ 原来重复了，大家去：http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。
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