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半导体激光器的设计和工艺 KkF3E*q\H 黄永箴 u]Eyb),Gy 中国科学院半导体所， 光电子研发中心 =D"H0w <zw 集成光电子国家重点实验室 *
I{)8 [:MpOl-KIz 一. 半导体 激光器的基本结构 {TWgR2?{C 1.半导体双异质结构 Bp.z6x4 2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) 2 ~zo)G0 3. 侧模控制(基侧模) (K} Md~ 4.横模控制 *a2 y 5. 动态单模半导体激光器 7H=^~J 6. 波长可调谐半导体激光器 Mb2rHUr 7.长波长VCSEL的进展 "V> 7u{T 8.微腔激光器和光子 晶体 kV mJG# 9.半导体激光器材料的选择 ^9ZW }AAO Rw R.*?# 二.半导体光波导 =)p/p6 1. 平板波导的模式，TE和TM模 POouO/r$ 2. 光限制因子和模式增益 -nvK*r n>} 3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 4=T>Iy 4. 半导体激光器镜面反射系数 }"{NW!RfP 5. DFB激光器的藕合模理论 [)ybPIv]
6. DFB半导体激光器的一维模拟 yQ3*~d~U|L 7. 等效折射率近似 v.aSf`K 8. 数值模拟 , XZ[L?
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7mP 三.半导体中的光跃迁和增益 2qY+-yOEt 1. 费米分布函数及跃迁速率 pK M5<1J 2. 电子波函数及跃迁矩阵元 ic+tn9f\ 3.简约态密度及增益谱 Ju~8C\Dd 4.模式的自发辐射速率 1 ^k# g, 5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 ?_NhR 6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 GsG9;6c+u 7.增益谱峰值的近似表达式 z+J4XpX0, z
[qO5z~I 四. 速率方程和动态效应 OSvv\3= 1．单模速率方程及基本物理量 g[W` 4 2．稳态输出 9=-!~ _'1- 3. 共振频率和3dB带宽 HKr6h?Si^ 4. 载流子输运效应对带宽影响 fR4O ^6c: 5. 开启延迟时间 [P*w$Hn 6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 6
s+ Z 7. 自发辐射引起的噪声 L'>t:^QTh 8. 相对强度噪声 cX 64 X 9. 模式线宽 7;_./c_@ 10. 多模速率方程 !7 :~ "kk lIN`1vX ( 五.半导体激光器的基本工艺和特性 |VC/ (A 1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 x{B%TM-Ey 3.激光器寿命 fYU-pdWPT 4.激光器阈值电流的温度特性 &UWSf ye9-%~sjX 原来重复了，大家去：http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。
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