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半导体激光器的设计和工艺 Ov@gh
kr 黄永箴 &C_j\7Dq 中国科学院半导体所， 光电子研发中心 RH W]Z
Pr< 集成光电子国家重点实验室 X0HZH?V+ b! t0w{^w 一. 半导体 激光器的基本结构 HZE#A b*L 1.半导体双异质结构 :
$1?i) 2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) G[ PtkPSJ 3. 侧模控制(基侧模) #\{l"- 4.横模控制 AYBns]! 5. 动态单模半导体激光器 { l/U6]( 6. 波长可调谐半导体激光器 b=C*W,Q_# 7.长波长VCSEL的进展 aqZi:icFa 8.微腔激光器和光子 晶体 % @b0[ZC 9.半导体激光器材料的选择 qz_7%c]K[ )rU 二.半导体光波导 >58YjLXb 1. 平板波导的模式，TE和TM模 K-)]
1BG 2. 光限制因子和模式增益 xK[ou' 3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 K8|r&`X0 4. 半导体激光器镜面反射系数 /xBb[44z8 5. DFB激光器的藕合模理论 Wu/]MBM 6. DFB半导体激光器的一维模拟 $S6`}3 7. 等效折射率近似 ,_ H:J.ik 8. 数值模拟 Qp5VP@t ktXM|# 三.半导体中的光跃迁和增益 +HpA:]#Y 1. 费米分布函数及跃迁速率 {lzWrUGO 2. 电子波函数及跃迁矩阵元 U+jOTq8 M 3.简约态密度及增益谱 NG=-NxEcN 4.模式的自发辐射速率 !qQl@j O 5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 x;.Jw 6g 6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 rBzuKQK}J 7.增益谱峰值的近似表达式 k9R4Y\8P ?=msH=N<l 四. 速率方程和动态效应 >h9I M$2 1．单模速率方程及基本物理量 Tk[ $5u*, 2．稳态输出 oSKXt }sh 3. 共振频率和3dB带宽 p<FzJ 4. 载流子输运效应对带宽影响 nc29j_Id 5. 开启延迟时间 oCv.Ln1;Z 6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 x8B}ZIbT9 7. 自发辐射引起的噪声 r|8d
4 8. 相对强度噪声 n38p !oS 9. 模式线宽 @i_FTN 10. 多模速率方程 sE<V5`Z= Q$W 五.半导体激光器的基本工艺和特性 $)i")=Hy 1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 05#1w#i 3.激光器寿命 &BLJT9Frx 4.激光器阈值电流的温度特性 gs[uD5oo < k"%~" 9 原来重复了，大家去：http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。
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