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半导体激光器的设计和工艺 0eNdKE  
黄永箴 ~x
^y5[5{  
中国科学院半导体所，光电子研发中心 l$gJ^Wf2gY  
集成光电子国家重点实验室 VeWh9:"bJ  
Fqeqn[,  
一. 半导体激光器的基本结构 )Z:-qH  
1.半导体双异质结构 D,cD]tB2  
2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) xw8k<`  
3. 侧模控制(基侧模) hoFgs9  
4.横模控制 g$uiwqNA%  
5. 动态单模半导体激光器 Q#%LIkeq  
6. 波长可调谐半导体激光器 ec
!e  
7.长波长VCSEL的进展 Z;uKnJh  
8.微腔激光器和光子晶体 0XA\Ag\`G  
9.半导体激光器材料的选择 K6->{!8]k  
C1;uAw?\  
二.半导体光波导 u.2X"  
1. 平板波导的模式，TE和TM模 k M/:
n  
2. 光限制因子和模式增益 NOTG|\{  
3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 (]q ([e  
4. 半导体激光器镜面反射系数 (csk   
5. DFB激光器的藕合模理论 1|p\rHGd  
6. DFB半导体激光器的一维模拟 ;-1KPDIp`  
7. 等效折射率近似 +O8[4zn&k  
8. 数值模拟 (Mfqz
y  
(Iv@SiZf(  
三.半导体中的光跃迁和增益 I;XM4a  
1. 费米分布函数及跃迁速率 Kh3i.gm7g  
2. 电子波函数及跃迁矩阵元 s>DFAu!  
3.简约态密度及增益谱 r3Ol?p  
4.模式的自发辐射速率 YMw,C:a4  
5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 \l=A2i7TQ  
6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 iYLg[J"  
7.增益谱峰值的近似表达式 t 9(,JC0  
'{,JuX"n  
四. 速率方程和动态效应 |}77'w :  
1．单模速率方程及基本物理量 2po8n_  
2．稳态输出 qg j;E=7  
3. 共振频率和3dB带宽 Oyb9 ql^  
4. 载流子输运效应对带宽影响 Idu'+O4  
5. 开启延迟时间 e[fld,s  
6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 r`ftflNh(  
7. 自发辐射引起的噪声 9+(b7L   
8. 相对强度噪声 (Tq)!h35B  
9. 模式线宽 hzAuj0-A  
10. 多模速率方程 # 9bw'm  
F4=X(P_6  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 6U).vg<  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 v1$}[&/  
3.激光器寿命 fbI5!i#lz  
4.激光器阈值电流的温度特性 VnN(lJ  
Mprn7=I{Tg  
原来重复了，大家去：http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。