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半导体激光器的设计和工艺 P/q] u  
黄永箴 `ah"Q;d$  
中国科学院半导体所，光电子研发中心 6UqDpL7^U  
集成光电子国家重点实验室 }"kF<gG1  
ZcTjOy?  
一. 半导体激光器的基本结构 KAu>U3\/  
1.半导体双异质结构 |S:erYE,G  
2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) iYlkc  
3. 侧模控制(基侧模) $uRi/%Q9  
4.横模控制 )vuIO(8F#  
5. 动态单模半导体激光器 |=:hUp Jp  
6. 波长可调谐半导体激光器 #|=lU4Bf  
7.长波长VCSEL的进展 (rBYE[@,  
8.微腔激光器和光子晶体 u1.0-Y?  
9.半导体激光器材料的选择 q{f (T\  
d%E*P4Ua  
二.半导体光波导 )6o%6$c  
1. 平板波导的模式，TE和TM模 GsiKL4|mj  
2. 光限制因子和模式增益 |~rKDc  
3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 .>1Y-NM  
4. 半导体激光器镜面反射系数 S{{wcH$n'i  
5. DFB激光器的藕合模理论 -"#jRP]#  
6. DFB半导体激光器的一维模拟 1/?K/gL  
7. 等效折射率近似 2j]uB0  
8. 数值模拟 h$%h w+"4  
QDb8W*&<  
三.半导体中的光跃迁和增益 g{K
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1. 费米分布函数及跃迁速率 WQBV~.<Yv  
2. 电子波函数及跃迁矩阵元 /`y^z"!  
3.简约态密度及增益谱 J L1]auO*  
4.模式的自发辐射速率 /^X)>1)j  
5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 .4<lw  
6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 T?tZ?!6  
7.增益谱峰值的近似表达式 {)Shc;Qh  
w`dSc@ :  
四. 速率方程和动态效应 Ip *8R]W  
1．单模速率方程及基本物理量 8cURYg6v  
2．稳态输出 lW4 6S  
3. 共振频率和3dB带宽 e
]{=#  
4. 载流子输运效应对带宽影响 J(P'!#z^  
5. 开启延迟时间 OO,EUOh-T:  
6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 OE_V6Er  
7. 自发辐射引起的噪声 j
I<_(T  
8. 相对强度噪声 Wo,93]  
9. 模式线宽 wb##|XyK<c  
10. 多模速率方程 <@0S]jy  
152LdZevF  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 S/YHT)0x[  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 K=pG,[ChA  
3.激光器寿命 z2#k/3%o=  
4.激光器阈值电流的温度特性 :0bjPQj  
7)FYAk$@  
原来重复了，大家去：http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。