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半导体激光器的设计和工艺 &6k3*dq 黄永箴 Y\hBd$lQ~ 中国科学院半导体所， 光电子研发中心 ,]/X\t5]D 集成光电子国家重点实验室 [K Q6Ta. :MDKC /mC 一. 半导体 激光器的基本结构 $`'/+ x"% 1.半导体双异质结构 L4l!96]a 2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) ;GD]dW# 3. 侧模控制(基侧模) Z #m+ObHK1 4.横模控制 & >}5jC.I 5. 动态单模半导体激光器 {7 pli{` 6. 波长可调谐半导体激光器 U`s{Jm 7.长波长VCSEL的进展 >5SSQ\ 2~a 8.微腔激光器和光子 晶体 k|f4Cf, 9.半导体激光器材料的选择 t ZB<on<.) x$(f7?s] 1 二.半导体光波导 W n}'bqp 1. 平板波导的模式，TE和TM模 S`]k>'
l 2. 光限制因子和模式增益 Dum9lj 3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 S5EK~#-L [ 4. 半导体激光器镜面反射系数 ij U*|8n{> 5. DFB激光器的藕合模理论 K~ EmD9 6. DFB半导体激光器的一维模拟 2b8L\$1q 7. 等效折射率近似 SZCze"`[ 8. 数值模拟 rQ snhv @=f\<"$vt 三.半导体中的光跃迁和增益 f`66h M[ 1. 费米分布函数及跃迁速率 yEQs:v6L~ 2. 电子波函数及跃迁矩阵元 =H]@n|$( 3.简约态密度及增益谱 M rb) 4.模式的自发辐射速率 0C ,`h ` 5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 h!9ei6 6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 S`Rs 82> 7.增益谱峰值的近似表达式 kg\ >k2h |(^ PS8wG 四. 速率方程和动态效应 <ZR9GlIr 1．单模速率方程及基本物理量 }SCM I4\ 2．稳态输出 Y\'}a+:@Ph 3. 共振频率和3dB带宽 ~flV`wy$$1 4. 载流子输运效应对带宽影响 8*a&Jl 5. 开启延迟时间 g<
.qUBPKX 6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 Q=yg8CQ 7. 自发辐射引起的噪声 eb$#A _m 8. 相对强度噪声 DLNb o2C 9. 模式线宽 BING{ew 10. 多模速率方程 [z9Z5sLO n '6jou 五.半导体激光器的基本工艺和特性 FHI ;)wn= 1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 iO;
7t@]- 3.激光器寿命 Pj% |\kbNs 4.激光器阈值电流的温度特性 uWE^hz" Dv`c<+q(# 原来重复了，大家去：http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。
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