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半导体激光器的设计和工艺 *9wHH-# 黄永箴 WN1-J(x6 中国科学院半导体所, 光电子研发中心 wcT6d?*5 集成光电子国家重点实验室 dph6aN(49 X6
:~Rjim* 一. 半导体 激光器的基本结构 WfO$q^'?DP 1.半导体双异质结构 HN@)/5BY 2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) ?{")Wt 3. 侧模控制(基侧模) 3mz>Y*^?0 4.横模控制 B`EgL/Wg[ 5. 动态单模半导体激光器 6\@, Lb 6. 波长可调谐半导体激光器 .LHe*J C 7.长波长VCSEL的进展 zD-8#H35X" 8.微腔激光器和光子 晶体 2MeavTr 9.半导体激光器材料的选择 M3`A&*\; %;?3A# 二.半导体光波导 HE'8 1. 平板波导的模式,TE和TM模 5~0;R`D 2. 光限制因子和模式增益 ji=po;g=E 3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 bOKNWI 4. 半导体激光器镜面反射系数 B(dL`]@Xm 5. DFB激光器的藕合模理论 9%6`ZS~3 6. DFB半导体激光器的一维模拟 pjM|}i<'Q 7. 等效折射率近似 Or>[_3 8. 数值模拟 s$6#3%h z(eAwmuli 三.半导体中的光跃迁和增益 J)NpG9iN 1. 费米分布函数及跃迁速率 V1;-5L75 2. 电子波函数及跃迁矩阵元 (B#|3o 3.简约态密度及增益谱 T,>e\ 4.模式的自发辐射速率 sAlgp2- 5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 %L.+r!. 6.能带,跃迁矩阵元和增益谱数值结果 bnQO}G 7.增益谱峰值的近似表达式 i[#Tn52D V|7CYkB8 四. 速率方程和动态效应 k3XtKPO 1.单模速率方程及基本物理量 Q2=~
2.稳态输出 lh5d6VUA 3. 共振频率和3dB带宽 cqp#1oM4M 4. 载流子输运效应对带宽影响 $)V4Eu; 5. 开启延迟时间 v g]&T 6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 +dv@N3GV 7. 自发辐射引起的噪声 K e8cfd~c 8. 相对强度噪声 _: K\v8 9. 模式线宽 }Jfo(j 10. 多模速率方程 )`^:G3w kpu^:N& 五.半导体激光器的基本工艺和特性 ,L G&sa" 1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 *93 N0m4Rl 3.激光器寿命 8 Hn{CJ~' 4.激光器阈值电流的温度特性 Ui&$/%Z| 1-#tx*>AY 原来重复了,大家去:http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。
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