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半导体激光器的设计和工艺 4K #^dJnC  
黄永箴 AeQC:  
中国科学院半导体所，光电子研发中心 Gf
NWP  
集成光电子国家重点实验室 )$F6  
SyB-iQ
n  
一. 半导体激光器的基本结构 ee\Gl?VN  
1.半导体双异质结构 $68 XZCx  
2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) Y-7.Vjt^  
3. 侧模控制(基侧模) VY{,x;
O`  
4.横模控制 ,whM22Af~{  
5. 动态单模半导体激光器 T~|PU{  
6. 波长可调谐半导体激光器 c8\g"T  
7.长波长VCSEL的进展 l~{T#Q  
8.微腔激光器和光子晶体 yh$ ~*UV  
9.半导体激光器材料的选择 oHRbAE^  
{5.?'vMp  
二.半导体光波导 )#mW7m9M#  
1. 平板波导的模式，TE和TM模 MHn&; A]  
2. 光限制因子和模式增益 4SBLu%=s%  
3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 :n`0)g[(  
4. 半导体激光器镜面反射系数
bZnDd  
5. DFB激光器的藕合模理论 t5A[o7BS  
6. DFB半导体激光器的一维模拟 M'vXyb%$1  
7. 等效折射率近似 jaN
H](V  
8. 数值模拟 y
OM -;h  

;pCG9  
三.半导体中的光跃迁和增益 9XY|V<}  
1. 费米分布函数及跃迁速率 [L)V(o)v  
2. 电子波函数及跃迁矩阵元 GZ.?MnG  
3.简约态密度及增益谱 U(8I
+xZ  
4.模式的自发辐射速率 "SDsISWd  
5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 L1:}bH\y  
6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 v@]6<e$  
7.增益谱峰值的近似表达式 uk1v7#p  
+-",2d+g  
四. 速率方程和动态效应 =b|)Wnt2f  
1．单模速率方程及基本物理量 >02i8:Tp5K  
2．稳态输出 [lrmuf  
3. 共振频率和3dB带宽 YU*46 hA1B  
4. 载流子输运效应对带宽影响 = c/3^e  
5. 开启延迟时间 
yqC+P  
6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 .v$ue`  
7. 自发辐射引起的噪声 <w%Yq?^  
8. 相对强度噪声 JO]`LF]  
9. 模式线宽 e(4bx5<*  
10. 多模速率方程 2>`m<&y  
OcLg3.:L  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 vl>_e  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 n,1NJKX  
3.激光器寿命 U_.n=d~B  
4.激光器阈值电流的温度特性 H,/~=d: ^  
d#RF0,Y9  
原来重复了，大家去：http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。