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    [课件]半导体激光器的设计和工艺下载 [复制链接]

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    只看楼主 倒序阅读 楼主  发表于: 2009-07-14
    关键词: 激光器
    半导体激光的设计和工艺 S:Xs '0K_  
    黄永箴 5; f\0<-  
    中国科学院半导体所,光电子研发中心 YN^jm  
    集成光电子国家重点实验室 [$:@X V(  
    *gSO&O=  
    一. 半导体激光器的基本结构 `vEqj v  
    1.半导体双异质结构 d Uz<1^L  
    2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) !aeNq82  
    3. 侧模控制(基侧模) ysth{[<5F3  
    4.横模控制 Xu%d,T$G  
    5. 动态单模半导体激光器 3kw}CaZ6  
    6. 波长可调谐半导体激光器 jZ#UUnR%  
    7.长波长VCSEL的进展 ?#ihJt,  
    8.微腔激光器和光子晶体 u:5IjOb2^  
    9.半导体激光器材料的选择 y< ud('D  
    >)sqh ~P  
    二.半导体光波导 UT;4U;a,m  
    1. 平板波导的模式,TE和TM模 qb$_xIQpDL  
    2. 光限制因子和模式增益 5G oK"F0i  
    3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 >;}]pI0T  
    4. 半导体激光器镜面反射系数 J!<#Nc  
    5. DFB激光器的藕合模理论 :B^mV{~  
    6. DFB半导体激光器的一维模拟 Q 3X  
    7. 等效折射率近似 #^; s<YZ`  
    8. 数值模拟 U#"WrWj  
    `U#Po_hq  
    三.半导体中的光跃迁和增益 %O_t`wz  
    1. 费米分布函数及跃迁速率 *o 2#eI  
    2. 电子波函数及跃迁矩阵元 I4ctxMVP  
    3.简约态密度及增益谱 V^vLN[8_\  
    4.模式的自发辐射速率 /.)2d8,  
    5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 U%,;N\:_  
    6.能带,跃迁矩阵元和增益谱数值结果 _Z.;u0Zp8  
    7.增益谱峰值的近似表达式 ;"SZ}  
    z.j4tc9F/5  
    四. 速率方程和动态效应 p_gA/. v=  
    1.单模速率方程及基本物理量 ~zj"OG"zOw  
    2.稳态输出 a+'}XEhSC:  
    3. 共振频率和3dB带宽 6d};|#}  
    4. 载流子输运效应对带宽影响 w Oj88J)  
    5. 开启延迟时间 ;YM]K R;  
    6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 ? KF=W  
    7. 自发辐射引起的噪声 %A=|'6)k2  
    8. 相对强度噪声 :r-.r"[m-  
    9. 模式线宽 -O /T?H  
    10. 多模速率方程 *@~`d*d  
    p4y6R4kyT  
    五.半导体激光器的基本工艺和特性 e@yx}:]h  
    1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 sU0Stg8&b  
    3.激光器寿命 Vp\80D&  
    4.激光器阈值电流的温度特性 MyqiBGTb  
    q>P[nz%  
    原来重复了,大家去:http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。
     
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