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半导体激光器的设计和工艺 I8~ .Vu2  
黄永箴 &\6Buw_  
中国科学院半导体所，光电子研发中心 {,xI|u2R  
集成光电子国家重点实验室 r*_z<^d  
WRrCrXP  
一. 半导体激光器的基本结构 r{2V`h1/|  
1.半导体双异质结构 2MY
-9(no  
2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) +U9m  
3. 侧模控制(基侧模) w1U2cbCr/  
4.横模控制 T6mbGE*IeE  
5. 动态单模半导体激光器 r'*x><m'  
6. 波长可调谐半导体激光器 X?'ShXI  
7.长波长VCSEL的进展 Xf 0)i  
8.微腔激光器和光子晶体 3lr9nBR  
9.半导体激光器材料的选择 QiO4fS'~W  
T<XGG_NOl  
二.半导体光波导 @>:V?  
1. 平板波导的模式，TE和TM模 @2(7 ZxI  
2. 光限制因子和模式增益 {o>51fXc)  
3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 :DWvH,{+&  
4. 半导体激光器镜面反射系数 ,j
H<i.2R  
5. DFB激光器的藕合模理论 zP554Gr?  
6. DFB半导体激光器的一维模拟 &k53*Wo  
7. 等效折射率近似 vX?MB  
8. 数值模拟 n0)0"S|y1  
)T0%<(J  
三.半导体中的光跃迁和增益 A$ 2AYQ
 
1. 费米分布函数及跃迁速率  vNWCv  
2. 电子波函数及跃迁矩阵元 @~p
;.=1]F  
3.简约态密度及增益谱 ??5y0I6+  
4.模式的自发辐射速率 0c}pg:XT  
5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 n1XJuc~  
6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 #Sg< 9xsW  
7.增益谱峰值的近似表达式 9f=L'{  
9!XXuMWU<  
四. 速率方程和动态效应 Y9<N#h#  
1．单模速率方程及基本物理量 <b.O^_zQF  
2．稳态输出 ~?6M4!u   
3. 共振频率和3dB带宽 ;r8< Ed
  
4. 载流子输运效应对带宽影响 t_xO-fT)  
5. 开启延迟时间 ^+J3E4  
6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 *C~$<VYI  
7. 自发辐射引起的噪声 SHow~wxw  
8. 相对强度噪声 jK(]eiR$S  
9. 模式线宽 WMi
$ATq  
10. 多模速率方程 "5wer5? t  
2|a5xTzH  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 2K:Rrn/cR  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 1`& Yg(  
3.激光器寿命 [LF<aR5  
4.激光器阈值电流的温度特性 {)`tN&\  
n=F|bW  
原来重复了，大家去：http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。