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半导体激光器的设计和工艺 iEhDaC[e(b  
黄永箴 cdsQ3o  
中国科学院半导体所，光电子研发中心 #NF+UJYJ&'  
集成光电子国家重点实验室 Oxn'bh6R0  
P1QB`&8F  
一. 半导体激光器的基本结构 \UQ],+H  
1.半导体双异质结构 Qa?QbHc  
2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) tJ>d4A;8x  
3. 侧模控制(基侧模) rqC1  
4.横模控制 $K=z  
5. 动态单模半导体激光器 {G.{ad  
6. 波长可调谐半导体激光器 & =sayP  
7.长波长VCSEL的进展 t^$Div_%G  
8.微腔激光器和光子晶体 rxkBg0Z`a  
9.半导体激光器材料的选择 Na;t#,  
=+Tsknq  
二.半导体光波导 Ja=N@&Z#  
1. 平板波导的模式，TE和TM模 :wCC^Y]  
2. 光限制因子和模式增益 ]}_,U!`8  
3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 =0Y'f](2eW  
4. 半导体激光器镜面反射系数 zf")|9j  
5. DFB激光器的藕合模理论 +}]wLM}\UF  
6. DFB半导体激光器的一维模拟 tQnJS2V"{u  
7. 等效折射率近似 Q2R>lzB  
8. 数值模拟 V,'FlU  
B)d@RAk  
三.半导体中的光跃迁和增益 [r~~=b7*[  
1. 费米分布函数及跃迁速率 )XZ,bz*jn  
2. 电子波函数及跃迁矩阵元 mZ&]  
3.简约态密度及增益谱 | &\^n2`>  
4.模式的自发辐射速率 ,,2_/u\"/i  
5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 F1
3%)G(  
6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 >hesxC!  
7.增益谱峰值的近似表达式 3?6Ber y=  
h@/>?Va  
四. 速率方程和动态效应 !j'guT&9]  
1．单模速率方程及基本物理量 ,DQ >&_D
K  
2．稳态输出 BC&^]M  
3. 共振频率和3dB带宽 C890+(D~  
4. 载流子输运效应对带宽影响 QD6Z=>?S  
5. 开启延迟时间 M,Po54u  
6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 oPE.gn_$  
7. 自发辐射引起的噪声 GY
TbeY  
8. 相对强度噪声 CTh1;U20  
9. 模式线宽 n/:Z{  
10. 多模速率方程 }8X:?S %  

uof0Oc.  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 JCBnFrP  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 9Z}S]-u/  
3.激光器寿命 r]Z.`}Kkm  
4.激光器阈值电流的温度特性 34^Q5B~^J  
y& Gw.N}<r  
原来重复了，大家去：http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。