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半导体激光器的设计和工艺 {5c]\{O?[  
黄永箴 c~!ETwpHQ  
中国科学院半导体所，光电子研发中心 =tl~@~pqI  
集成光电子国家重点实验室 rnBp2'EM  
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一. 半导体激光器的基本结构 -:Bgp*S  
1.半导体双异质结构 d"thM  
2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) j? Vs"d|  
3. 侧模控制(基侧模) 9G4os!x)  
4.横模控制 AsI.8"
 
5. 动态单模半导体激光器 C#L|7M??;  
6. 波长可调谐半导体激光器 6Y9<| .  
7.长波长VCSEL的进展 {"db1Gbfg  
8.微腔激光器和光子晶体 R0-Y2v  
9.半导体激光器材料的选择 UkC'`NWF*  
@)@tIhw  
二.半导体光波导 rVp^s/A^;  
1. 平板波导的模式，TE和TM模 JX`>N(K4\  
2. 光限制因子和模式增益 l0tFj>q"  
3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 j_S3<wEJ  
4. 半导体激光器镜面反射系数 3A\Z]L  
5. DFB激光器的藕合模理论 @
@=,bO  
6. DFB半导体激光器的一维模拟 ( geV(zT  
7. 等效折射率近似 1G'pT$5&  
8. 数值模拟 VREDVLQT  
CiTWjE?|7  
三.半导体中的光跃迁和增益 V6'k\5|_  
1. 费米分布函数及跃迁速率 gBZNO! a,d  
2. 电子波函数及跃迁矩阵元 "tu*(>'~5  
3.简约态密度及增益谱 TV}=$\D  
4.模式的自发辐射速率 Sp]ov:]%f  
5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 ::@JL  
6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 qJR8fQ
  
7.增益谱峰值的近似表达式 ScRK1  
!04^E  
四. 速率方程和动态效应 &"Fz)}  
1．单模速率方程及基本物理量 61*b|.sl'#  
2．稳态输出 &iT^IkA{  
3. 共振频率和3dB带宽 m;PTO$--  
4. 载流子输运效应对带宽影响 IG~Zxn1o  
5. 开启延迟时间 1;vwreJ  
6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 S5~(3I )v  
7. 自发辐射引起的噪声 C}\kp0mz  
8. 相对强度噪声 JC}T*h>Ee  
9. 模式线宽 %h v-3L#V  
10. 多模速率方程 EW/NH&{  
ML%JTx0+Z  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 0\+$j5;  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 A@reIt  
3.激光器寿命 _,w*Rv5=  
4.激光器阈值电流的温度特性 ozA%u,\7k  
!k#N] 9D3  
原来重复了，大家去：http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。