[求助]使用TracePro模擬薄膜厚度改變後之透射率問題 [复制链接]

Dear各位大大................. apYf,"|9  
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我在做led模擬，目前遇到些瓶頸，請各位大大為我解答一下....... d:j$!@o  
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以下是我的模擬資料，其模擬目的為研究薄膜厚度與透射率改變影響光強度(lux)之關係........ >=B8PK+<  
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1.LED Chip：由substrate(300µm*300µm*100µm)及p-n junction組成(n-type為300µm *300µm*4µ L1J"_.=P  
                        m；p-type為300µm*300µm*0.3µm )。 Sx pl%  
    %f^TZ,q$  
2.基板：Sapphire substrate (藍寶石基板)，Index=1.7。 3<'n>'  
    K~Xt`  
3.材料：GaN (氮化鎵)，Index=2.4。 ABx0IdOcI  
    Nlo*vu  
4.光源：p-n junction上下面各1 流明，共2流明。 `zTVup&  
    le1'r>E$  
5.光束：p-n junction上下面各1000 rays，共2000 rays。 T}zOM%]]  
    Z3Viil:  
6.監視面：10mm*10mm之正方面。 u9?85  
    Iw48+krm>  
7.距離：LED Chip與監視面之間距離為15mm。 p;C`n)7P7  
 Qg4qjX](?  
8.模擬光源假設條件：
o05) I2  
q3 9RD  
(1)藍寶石基板其它四面(前、後、左、右)設定為全部吸收，無反射現象，上部無任何設定，下部設定為全反射(假設當作一維光子晶體模擬)。  9((v.  
6W$k^<S  
(2)LED Chip其它四面(前、後、左、右)設定為全部吸收，無反射現象，上部與下部無任何設定。 z*
kn.sW  
*O+N4tq  
9.我在p-type上再加設一層薄膜index為1.7，設定為不發光，其厚度由100nm、110nm、120nm一直到200nm，但我做研究的結果，其厚度改變，但結果卻是不變，也就是說光強度並未改變，我有設important sampling，target center z為15.003，如果薄膜厚度改變，其光強度不變的話，與光學原理不符，請問我是不是在哪裡有設定錯誤呢? 7gvkd+-*  

光形应该变的 总的光通量不会变 因为你的观测面相对chip足够大