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    [求助]使用TracePro模擬薄膜厚度改變後之透射率問題 [复制链接]

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    离线阿秋
     
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    只看楼主 倒序阅读 楼主  发表于: 2008-04-03
    Dear各位大大................. ?8GS*I  
    o,* D8[  
    我在做led模擬,目前遇到些瓶頸,請各位大大為我解答一下....... hEsi AbTyF  
    ty pbwfM]  
    以下是我的模擬資料,其模擬目的為研究薄膜厚度與透射率改變影響光強度(lux)之關係........ p@4GI[4  
    $GGaR x  
    1.LED Chip:由substrate(300µm*300µm*100µm)及p-n junction組成(n-type為300µm *300µm*4µ v*=P  
                            m;p-type為300µm*300µm*0.3µm )。 2@GizT*mA  
        N 1Ag .  
    2.基板:Sapphire substrate (藍寶石基板),Index=1.7。 bP#!U'b"=  
        Q!U}  
    3.材料:GaN (氮化鎵),Index=2.4。 7>F{.\Z  
        1hGj?L0m.  
    4.光源:p-n junction上下面各1 流明,共2流明。 NM![WvtjW  
        &s(&B>M  
    5.光束:p-n junction上下面各1000 rays,共2000 rays。 je2_ .^  
        flFdoEV.U)  
    6.監視面:10mm*10mm之正方面。 15<? [`:6  
        OVe0{} j  
    7.距離:LED Chip與監視面之間距離為15mm。 F!0iM)1o  
    K SO D(  
    8.模擬光源假設條件: z^Ikb(KC  
    %KT}Map  
    (1)藍寶石基板其它四面(前、後、左、右)設定為全部吸收,無反射現象,上部無任何設定,下部設定為全反射(假設當作一維光子晶體模擬)。 bD:0k.`  
    Q zaD\^OF  
    (2)LED Chip其它四面(前、後、左、右)設定為全部吸收,無反射現象,上部與下部無任何設定。 ^9q#,6  
    :\His{%  
    9.我在p-type上再加設一層薄膜index為1.7,設定為不發光,其厚度由100nm、110nm、120nm一直到200nm,但我做研究的結果,其厚度改變,但結果卻是不變,也就是說光強度並未改變,我有設important sampling,target center z為15.003,如果薄膜厚度改變,其光強度不變的話,與光學原理不符,請問我是不是在哪裡有設定錯誤呢? sAL ]N][Y  
     
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    离线lifeng513
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    只看该作者 1楼 发表于: 2008-04-04
    光形应该变的 总的光通量不会变 因为你的观测面相对chip足够大