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    [求助]使用TracePro模擬薄膜厚度改變後之透射率問題 [复制链接]

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    离线阿秋
     
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    只看楼主 倒序阅读 楼主  发表于: 2008-04-03
    Dear各位大大................. pYa8iQ`6U;  
    9u^PM  
    我在做led模擬,目前遇到些瓶頸,請各位大大為我解答一下....... jOa . h  
    +w[vYKSZm  
    以下是我的模擬資料,其模擬目的為研究薄膜厚度與透射率改變影響光強度(lux)之關係........ u)Y~+ [Q  
    BaZ$pO^  
    1.LED Chip:由substrate(300µm*300µm*100µm)及p-n junction組成(n-type為300µm *300µm*4µ H=9kDP${  
                            m;p-type為300µm*300µm*0.3µm )。 @)1>ba  
        7n9&@D3 :P  
    2.基板:Sapphire substrate (藍寶石基板),Index=1.7。 f_Ma~'3   
        :JH#*5%gQ:  
    3.材料:GaN (氮化鎵),Index=2.4。 y^zII5|s  
        f6vhW66:?x  
    4.光源:p-n junction上下面各1 流明,共2流明。 ayfR{RYi  
        O;z:?  
    5.光束:p-n junction上下面各1000 rays,共2000 rays。 {^=T&aCYdS  
        yhv(KI  
    6.監視面:10mm*10mm之正方面。  <K;  
        g>-pC a  
    7.距離:LED Chip與監視面之間距離為15mm。 ]$Pl[Vegy  
    FM;NA{  
    8.模擬光源假設條件: 3u#bx1  
    z/!LC;(  
    (1)藍寶石基板其它四面(前、後、左、右)設定為全部吸收,無反射現象,上部無任何設定,下部設定為全反射(假設當作一維光子晶體模擬)。 nNz1gV:0X  
    7aRtw:PQn  
    (2)LED Chip其它四面(前、後、左、右)設定為全部吸收,無反射現象,上部與下部無任何設定。 S "'0l S   
    "BT*9N=|  
    9.我在p-type上再加設一層薄膜index為1.7,設定為不發光,其厚度由100nm、110nm、120nm一直到200nm,但我做研究的結果,其厚度改變,但結果卻是不變,也就是說光強度並未改變,我有設important sampling,target center z為15.003,如果薄膜厚度改變,其光強度不變的話,與光學原理不符,請問我是不是在哪裡有設定錯誤呢? O2;FaASF  
     
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    离线lifeng513
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    只看该作者 1楼 发表于: 2008-04-04
    光形应该变的 总的光通量不会变 因为你的观测面相对chip足够大