[求助]使用TracePro模擬薄膜厚度改變後之透射率問題 [复制链接]

Dear各位大大................. *K!7R2Rat  

Q2R-z^pd  
我在做led模擬，目前遇到些瓶頸，請各位大大為我解答一下....... 0Q*-g}wXfS  
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以下是我的模擬資料，其模擬目的為研究薄膜厚度與透射率改變影響光強度(lux)之關係........ 3#<'[TF00t  
Bb_}YU2#  
1.LED Chip：由substrate(300µm*300µm*100µm)及p-n junction組成(n-type為300µm *300µm*4µ RR'(9QJ$  
                        m；p-type為300µm*300µm*0.3µm )。 {*nEKPq(_*  
    X o_] v  
2.基板：Sapphire substrate (藍寶石基板)，Index=1.7。 l)iv\j  
    v+7*R)/  
3.材料：GaN (氮化鎵)，Index=2.4。 t_Z _!Qy  
    CMKhS,,o  
4.光源：p-n junction上下面各1 流明，共2流明。 cCYl$MskZ  
    >EeAPO4  
5.光束：p-n junction上下面各1000 rays，共2000 rays。 G/%Ubi6%  
    IPkA7VhFF  
6.監視面：10mm*10mm之正方面。 7zi"caY  
    @!-aR u  
7.距離：LED Chip與監視面之間距離為15mm。 Kd TE{].d  
 w1.MhA  
8.模擬光源假設條件： wC(XRqlE  
cC'^T6  
(1)藍寶石基板其它四面(前、後、左、右)設定為全部吸收，無反射現象，上部無任何設定，下部設定為全反射(假設當作一維光子晶體模擬)。 ?bn;{c;E  
t3Qm-J}wSB  
(2)LED Chip其它四面(前、後、左、右)設定為全部吸收，無反射現象，上部與下部無任何設定。 U!.~XT=  
5@CpP-W#  
9.我在p-type上再加設一層薄膜index為1.7，設定為不發光，其厚度由100nm、110nm、120nm一直到200nm，但我做研究的結果，其厚度改變，但結果卻是不變，也就是說光強度並未改變，我有設important sampling，target center z為15.003，如果薄膜厚度改變，其光強度不變的話，與光學原理不符，請問我是不是在哪裡有設定錯誤呢? sOjF?bCdO  

光形应该变的 总的光通量不会变 因为你的观测面相对chip足够大