Dear各位大大................. gwrYLZNGI
!1T\cS#1%
我在做led模擬,目前遇到些瓶頸,請各位大大為我解答一下....... f|A
riM
CfEmT8sa
以下是我的模擬資料,其模擬目的為研究薄膜厚度與透射率改變影響光強度(lux)之關係........ zepop19
*,C(\!b
!?
1.LED Chip:由substrate(300µm*300µm*100µm)及p-n junction組成(n-type為300µm *300µm*4µ CZnK8&VDY
m;p-type為300µm*300µm*0.3µm )。 (2ur5uk+
}<@j'Ok}.
2.基板:Sapphire substrate (藍寶石基板),Index=1.7。 eg<bi@C1|
H>Q%"|
3.材料:GaN (氮化鎵),Index=2.4。 ^L1L=c;,
WH ?}~u9
4.光源:p-n junction上下面各1 流明,共2流明。 G)#$]diNuX
hc
(e$##
5.光束:p-n junction上下面各1000 rays,共2000 rays。 :.(;<b<\
~vLW.:
6.監視面:10mm*10mm之正方面。 "gd=J_Yw
i
8!zu!-0
7.距離:LED Chip與監視面之間距離為15mm。 i|
\6JpNA:
Qjx?ri//
8.模擬光源假設條件: ,h|q i[7
{NpM.;
(1)藍寶石基板其它四面(前、後、左、右)設定為全部吸收,無反射現象,上部無任何設定,下部設定為全反射(假設當作一維光子晶體模擬)。 !-s!f&_
8u[-'pV!
(2)LED Chip其它四面(前、後、左、右)設定為全部吸收,無反射現象,上部與下部無任何設定。 5tQ1fJze
Q
4CjA3
9.我在p-type上再加設一層薄膜index為1.7,設定為不發光,其厚度由100nm、110nm、120nm一直到200nm,但我做研究的結果,其厚度改變,但結果卻是不變,也就是說光強度並未改變,我有設important sampling,target center z為15.003,如果薄膜厚度改變,其光強度不變的話,與光學原理不符,請問我是不是在哪裡有設定錯誤呢? 3mPjpm