Dear各位大大................. i \@a&tw
3u9}z+q
我在做led模擬，目前遇到些瓶頸，請各位大大為我解答一下....... Lo}zT-F
Y\E7nll:.
以下是我的模擬資料，其模擬目的為研究薄膜厚度與透射率改變影響光強度(lux)之關係........ ]x6 r P
] m #*4
1.LED Chip：由substrate(300µm*300µm*100µm)及p-n junction組成(n-type為300µm *300µm*4µ i_p-|I:hQ
m；p-type為300µm*300µm*0.3µm )。 %4Yq
(e
^N O4T
2.基板：Sapphire substrate (藍寶石基板)，Index=1.7。 Oki{)Ssy
1/c+ug!y
3.材料：GaN (氮化鎵)，Index=2.4。 ]vH:@%3U
&PFK0tY
4.光源：p-n junction上下面各1 流明，共2流明。 )%HIC@MM6
g hW
5.光束：p-n junction上下面各1000 rays，共2000 rays。 )-\qo#0l
:13u{5:th
6.監視面：10mm*10mm之正方面。 LB^xdMXi
U"L-1]L
7.距離：LED Chip與監視面之間距離為15mm。 W?du ]
d/\ajQ1::
8.模擬光源假設條件： BVS
SO's
FPu$N d&\
(1)藍寶石基板其它四面(前、後、左、右)設定為全部吸收，無反射現象，上部無任何設定，下部設定為全反射(假設當作一維光子晶體模擬)。 >*$Xbj*
^t,haO4
(2)LED Chip其它四面(前、後、左、右)設定為全部吸收，無反射現象，上部與下部無任何設定。 ,Eo\(j2F.
)oZ2,]us!
9.我在p-type上再加設一層薄膜index為1.7，設定為不發光，其厚度由100nm、110nm、120nm一直到200nm，但我做研究的結果，其厚度改變，但結果卻是不變，也就是說光強度並未改變，我有設important sampling，target center z為15.003，如果薄膜厚度改變，其光強度不變的話，與光學原理不符，請問我是不是在哪裡有設定錯誤呢? }bnodb^.7
