300~380 T abs <1% , T=50%@405nm +- 10nm duk:: |{F
425~680 Tave >90% , T=50%@720nm +-10nm auS.q5
%
780~1200 nm T ave <1% ,dO$R.h
;&%G)f
用 (0.5H L 0.5H)^s (0.5L H 0.5L)^s (0.5L H 0.5L)^s 3個膜堆(2短1長 ) d$(>=gzBQ
XTOZ]H*^
H: Ta2O5 L:SiO2 oK3aW6
2>bV+[@B
該如何設計