300~380 T abs <1% , T=50%@405nm +- 10nm y"H*%]
425~680 Tave >90% , T=50%@720nm +-10nm /XzH?n/{R
780~1200 nm T ave <1% 5a hVeY
vJ-q*qM1
用 (0.5H L 0.5H)^s (0.5L H 0.5L)^s (0.5L H 0.5L)^s 3個膜堆(2短1長 ) LQngK7>
$D|e>U
H: Ta2O5 L:SiO2 3tZ]4ms}
Dk(1}%0U/
該如何設計