300~380 T abs <1% , T=50%@405nm +- 10nm NY^0$h
425~680 Tave >90% , T=50%@720nm +-10nm r-.@MbBm
780~1200 nm T ave <1% Ur>1eN%9'
<9yh:1"X
用 (0.5H L 0.5H)^s (0.5L H 0.5L)^s (0.5L H 0.5L)^s 3個膜堆(2短1長 ) p@4GI[ 4
"UNFB3
H: Ta2O5 L:SiO2 +)e|>
0*rD'?)K+
該如何設計