300~380 T abs <1% , T=50%@405nm +- 10nm k{fCU%
425~680 Tave >90% , T=50%@720nm +-10nm G%a8'3d,
780~1200 nm T ave <1% iaqhP7!
reyN5n~4U
用 (0.5H L 0.5H)^s (0.5L H 0.5L)^s (0.5L H 0.5L)^s 3個膜堆(2短1長 ) 8-N8v
*0
nt/+?Sj
H: Ta2O5 L:SiO2 >bf29tr
/\%K7\
該如何設計