300~380 T abs <1% , T=50%@405nm +- 10nm 1oG'm
425~680 Tave >90% , T=50%@720nm +-10nm k6_OP]
780~1200 nm T ave <1% QRER[8]r$
LM".]f!,
用 (0.5H L 0.5H)^s (0.5L H 0.5L)^s (0.5L H 0.5L)^s 3個膜堆(2短1長 ) Vb~;"WABo
PS??wlp7
H: Ta2O5 L:SiO2 "K*^%{
' PmBNT
該如何設計