300~380 T abs <1% , T=50%@405nm +- 10nm )K;]y-Us[
425~680 Tave >90% , T=50%@720nm +-10nm 8]bz(P#
780~1200 nm T ave <1% 6ZOy&fd,Ty
fPqr6OYz
用 (0.5H L 0.5H)^s (0.5L H 0.5L)^s (0.5L H 0.5L)^s 3個膜堆(2短1長 ) /[=E0_t+
S_b/DO
H: Ta2O5 L:SiO2 s_[VHPN
=lp1Z>
該如何設計