300~380 T abs <1% , T=50%@405nm +- 10nm ~&7MkkftM
425~680 Tave >90% , T=50%@720nm +-10nm B1>/5hV}
780~1200 nm T ave <1% $ us]35Z3
Rld!,t
用 (0.5H L 0.5H)^s (0.5L H 0.5L)^s (0.5L H 0.5L)^s 3個膜堆(2短1長 ) XF;ES3 d
~,oMz<iMV
H: Ta2O5 L:SiO2 =E.t`x=
|yQZt/*SOZ
該如何設計