300~380 T abs <1% , T=50%@405nm +- 10nm \jA~9
425~680 Tave >90% , T=50%@720nm +-10nm ,[Fb[#Qqb
780~1200 nm T ave <1% X8|EHb<
+V+a4lU14
用 (0.5H L 0.5H)^s (0.5L H 0.5L)^s (0.5L H 0.5L)^s 3個膜堆(2短1長 ) d3Rw!slIq
Fi1@MG5$2
H: Ta2O5 L:SiO2
5IN(|B0
fnY.ao1-s[
該如何設計