300~380  T abs <1%   , T=50%@405nm +- 10nm lASL8O&\  
  425~680  Tave >90%   ,  T=50%@720nm +-10nm d6{Gt"  
  780~1200 nm T ave <1%   tY${M^^<J  
 ^mWybPqx  
用 (0.5H L 0.5H)^s  (0.5L H 0.5L)^s (0.5L H 0.5L)^s     3個膜堆(2短1長 ) 5<pftTcZ  
 54;J8XT7  
H: Ta2O5     L:SiO2 u=F+(NE"  
 hf/2vt
m  
該如何設計