300~380 T abs <1% , T=50%@405nm +- 10nm p%_r0
425~680 Tave >90% , T=50%@720nm +-10nm =^O84Cp 6
780~1200 nm T ave <1% cBiv=!n
\snbU'lfP
用 (0.5H L 0.5H)^s (0.5L H 0.5L)^s (0.5L H 0.5L)^s 3個膜堆(2短1長 ) 8&f}GdZh
f!eC|:D
H: Ta2O5 L:SiO2 pu,/GBG_
WUMx:a0!
該如何設計