300~380 T abs <1% , T=50%@405nm +- 10nm Z[u,1l.T
425~680 Tave >90% , T=50%@720nm +-10nm cu!bg+,zl
780~1200 nm T ave <1%
iLcadX
v9lBk]c
用 (0.5H L 0.5H)^s (0.5L H 0.5L)^s (0.5L H 0.5L)^s 3個膜堆(2短1長 ) E:=KH\2f
AO$PuzlLh
H: Ta2O5 L:SiO2 zN/~a)
Pl&`&N;
該如何設計