300~380 T abs <1% , T=50%@405nm +- 10nm `kYcTFk
425~680 Tave >90% , T=50%@720nm +-10nm
rK[;wD<
780~1200 nm T ave <1% w2) @o>w
V [Wo9Y\
用 (0.5H L 0.5H)^s (0.5L H 0.5L)^s (0.5L H 0.5L)^s 3個膜堆(2短1長 ) Fv-~v&
Z</57w#-7
H: Ta2O5 L:SiO2 O_ d[{e=5`
cBtQ2,<6
該如何設計