300~380 T abs <1% , T=50%@405nm +- 10nm ;"Qq/knVL
425~680 Tave >90% , T=50%@720nm +-10nm ?]Hs~n-
780~1200 nm T ave <1% g2TK(S|#
Zf}2c8Vc4
用 (0.5H L 0.5H)^s (0.5L H 0.5L)^s (0.5L H 0.5L)^s 3個膜堆(2短1長 ) ~&p]kmwXSX
AZhI~QWo
H: Ta2O5 L:SiO2 T88$sD.2
'
JS8pN5
該如何設計