300~380 T abs <1% , T=50%@405nm +- 10nm &"R`:`XF
425~680 Tave >90% , T=50%@720nm +-10nm g)L?C'BG
780~1200 nm T ave <1% y\C_HCU H
W Z_yaG$U
用 (0.5H L 0.5H)^s (0.5L H 0.5L)^s (0.5L H 0.5L)^s 3個膜堆(2短1長 ) w4<n=k
F5+)=P#
H: Ta2O5 L:SiO2 u]<_6;_
'ZiTjv]
該如何設計