300~380 T abs <1% , T=50%@405nm +- 10nm te_2"Z
425~680 Tave >90% , T=50%@720nm +-10nm kA:Y^2X'
780~1200 nm T ave <1% R@e'=z[%1
H]TdW;ZbZ
用 (0.5H L 0.5H)^s (0.5L H 0.5L)^s (0.5L H 0.5L)^s 3個膜堆(2短1長 ) @gUp9ZwtH
m</m9h8
H: Ta2O5 L:SiO2 V<ESjK8
`e[S Zj\
該如何設計