300~380 T abs <1% , T=50%@405nm +- 10nm 0l-m:6
425~680 Tave >90% , T=50%@720nm +-10nm }G^Bc4@b
780~1200 nm T ave <1% VB6EM|bphl
APxy%0Q
用 (0.5H L 0.5H)^s (0.5L H 0.5L)^s (0.5L H 0.5L)^s 3個膜堆(2短1長 ) weQC9e~d{-
|rJ1/T.9
H: Ta2O5 L:SiO2 c%1<O!c
"=)i'x"0"
該如何設計