300~380 T abs <1% , T=50%@405nm +- 10nm f>\OT
425~680 Tave >90% , T=50%@720nm +-10nm 834(kw+#9
780~1200 nm T ave <1% )w];eF0c
5Nc~cD%0tK
用 (0.5H L 0.5H)^s (0.5L H 0.5L)^s (0.5L H 0.5L)^s 3個膜堆(2短1長 ) ^{&Vv(~!Q
v(D{_
H: Ta2O5 L:SiO2 Qb}7lm{r
le*mr0a
該如何設計