300~380 T abs <1% , T=50%@405nm +- 10nm O:
,$%
425~680 Tave >90% , T=50%@720nm +-10nm 'X =p7 d|'
780~1200 nm T ave <1% .L9']zXc`
qysTjGwa]
用 (0.5H L 0.5H)^s (0.5L H 0.5L)^s (0.5L H 0.5L)^s 3個膜堆(2短1長 ) *GQDfs`m
.VT;H1#
H: Ta2O5 L:SiO2 *YWk1Cwjo
d1v<DU>M
該如何設計