300~380 T abs <1% , T=50%@405nm +- 10nm ciblj?"Wi
425~680 Tave >90% , T=50%@720nm +-10nm )ros-dp`
780~1200 nm T ave <1% 2FMmANH0ev
0t7N yKU
用 (0.5H L 0.5H)^s (0.5L H 0.5L)^s (0.5L H 0.5L)^s 3個膜堆(2短1長 ) i!a!qE.1
Z[#8F&QV!m
H: Ta2O5 L:SiO2 G"/;Cq=t
eC-&.Fl
該如何設計