300~380 T abs <1% , T=50%@405nm +- 10nm %B s. XW,
425~680 Tave >90% , T=50%@720nm +-10nm w0Qtr>"
780~1200 nm T ave <1% spEdq}
UcRP/LR%C
用 (0.5H L 0.5H)^s (0.5L H 0.5L)^s (0.5L H 0.5L)^s 3個膜堆(2短1長 ) TZn
15-O
%w;qu1j
H: Ta2O5 L:SiO2 slQn
CMt<oT6.?
該如何設計