300~380 T abs <1% , T=50%@405nm +- 10nm :mCGY9d4L
425~680 Tave >90% , T=50%@720nm +-10nm Ue,eEer
780~1200 nm T ave <1% #\Q)7pgi.
}l]r-
用 (0.5H L 0.5H)^s (0.5L H 0.5L)^s (0.5L H 0.5L)^s 3個膜堆(2短1長 ) E6G;fPd= E
uF|[MWcy0#
H: Ta2O5 L:SiO2 I|>IV
R~TG5^(
該如何設計