300~380 T abs <1% , T=50%@405nm +- 10nm XJ{b_h#N
425~680 Tave >90% , T=50%@720nm +-10nm p|,3X*-ynx
780~1200 nm T ave <1% hQPNxpe
Y}UVC|Ef
用 (0.5H L 0.5H)^s (0.5L H 0.5L)^s (0.5L H 0.5L)^s 3個膜堆(2短1長 ) #V#sg}IhM?
NpN-''B\
H: Ta2O5 L:SiO2 \\{+t<?J
Wv4o:_}
該如何設計