300~380 T abs <1% , T=50%@405nm +- 10nm /v&`!nKu
425~680 Tave >90% , T=50%@720nm +-10nm silp<13HN
780~1200 nm T ave <1% ct\<;I(H
p#b{xK
用 (0.5H L 0.5H)^s (0.5L H 0.5L)^s (0.5L H 0.5L)^s 3個膜堆(2短1長 ) A;%kl`~iyz
-HT L5
H: Ta2O5 L:SiO2 -q(:%;
P`!Ak@N
該如何設計