300~380 T abs <1% , T=50%@405nm +- 10nm cqSo%a2
425~680 Tave >90% , T=50%@720nm +-10nm 5BAGIO<w
780~1200 nm T ave <1% Pz77\DpFi
l RM7s(^l
用 (0.5H L 0.5H)^s (0.5L H 0.5L)^s (0.5L H 0.5L)^s 3個膜堆(2短1長 ) |J^}BXW'^)
aJ3.D
H: Ta2O5 L:SiO2 q?0&&"T}
- xE%`X
該如何設計