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    [分享]LED基础理论知识解析 [复制链接]

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    离线991518
     
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    只看楼主 倒序阅读 楼主  发表于: 2007-08-16
    一、 半导体发光二极管工作原理、特性及应用 {VW\EOPV~  
    n=V|NrU  
    (一)LED发光原理 * 3fl}l  
    P dqvXc  
        发光二极管是由Ⅲ-Ⅳ族化合物,如GaAs(砷化镓)、GaP(磷化镓)、GaAsP(磷砷化镓)等半导体制成的,其核心是PN结。因此它具有一般P-N结的I-N特性,即正向导通,反向截止、击穿特性。此外,在一定条件下,它还具有发光特性。在正向电压下,电子由N区注入P区,空穴由P区注入N区。进入对方区域的少数载流子(少子)一部分与多数载流子(多子)复合而发光,如图1所示。 `gx\m=xG  
    Ye&/O<G'V  
        假设发光是在P区中发生的,那么注入的电子与价带空穴直接复合而发光,或者先被发光中心捕获后,再与空穴复合发光。除了这种发光复合外,还有些电子被非发光中心(这个中心介于导带、介带中间附近)捕获,而后再与空穴复合,每次释放的能量不大,不能形成可见光。发光的复合量相对于非发光复合量的比例越大,光量子效率越高。由于复合是在少子扩散区内发光的,所以光仅在靠近PN结面数μm以内产生。 jI7 x<=  
    W+1nf:AI.  
        理论和实践证明,光的峰值波长λ与发光区域的半导体材料禁带宽  H=C~h\me?  
    度Eg有关,即 t!Cz;ajNi  
    3 0[Xkz  
    ????λ≈1240/Eg(mm) 9 d a=q  
    Os-Z_zSl6  
        式中Eg的单位为电子伏特(eV)。若能产生可见光(波长在380nm紫光~780nm红光),半导体材料的Eg应在3.26~1.63eV之间。比红光波长长的光为红外光。现在已有红外、红、黄、绿及蓝光发光二极管,但其中蓝光二极管成本、价格很高,使用不普遍。 T&dNjx  
    pNOE KiJ  
    (二)LED的特性 +;lDU}$  
    jH9PD8D\  
      1.极限参数的意义 b4cTn 6  
    XXum2eA  
        (1)允许功耗Pm:允许加于LED两端正向直流电压与流过它的电流之积的最大值。超过此值,LED发热、损坏。 +bLP+]7oZ  
    H`)eT6:|/  
        (2)最大正向直流电流IFm:允许加的最大的正向直流电流。超过此值可损坏二极管。 En9J7es_  
    y EfAa6  
        (3)最大反向电压VRm:所允许加的最大反向电压。超过此值,发光二极管可能被击穿损坏。 GqL&hbpi  
    >W] Wc4 \  
        (4)工作环境topm:发光二极管可正常工作的环境温度范围。低于或高于此温度范围,发光二极管将不能正常工作,效率大大降低。 ~6kF`}5  
    e8("G[P >  
        2.电参数的意义 fYy w2"  
    yKl^-%Uq<  
        (1)光谱分布和峰值波长:某一个发光二极管所发之光并非单一波长,其波长大体按图2所示。 z@3gNY&7.8  
    >8I~i:hn  
        由图可见,该发光管所发之光中某一波长λ0的光强最大,该波长为峰值波长。
     
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    离线mybscoo
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    只看该作者 1楼 发表于: 2007-08-22
    怎么就没有了呢? *Ci&1Mu^Z  
    正在状态中 P_0X+Tz  
    谢谢啊
    离线zhangsf
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    只看该作者 2楼 发表于: 2008-04-11
    yong deshang
    离线sz520cd
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    只看该作者 3楼 发表于: 2008-04-23
    谢谢!!!!!!最近在做SMD LED贴片灯的销售`~~有高手能给我知识帮助的+QQ124754912 嘿嘿