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    [分享]LED基础理论知识解析 [复制链接]

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    离线991518
     
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    只看楼主 正序阅读 楼主  发表于: 2007-08-16
    一、 半导体发光二极管工作原理、特性及应用 (3 B; V  
    %1xo|6hm-  
    (一)LED发光原理 27gK Y Zf;  
    Z1*y$=D?3[  
        发光二极管是由Ⅲ-Ⅳ族化合物,如GaAs(砷化镓)、GaP(磷化镓)、GaAsP(磷砷化镓)等半导体制成的,其核心是PN结。因此它具有一般P-N结的I-N特性,即正向导通,反向截止、击穿特性。此外,在一定条件下,它还具有发光特性。在正向电压下,电子由N区注入P区,空穴由P区注入N区。进入对方区域的少数载流子(少子)一部分与多数载流子(多子)复合而发光,如图1所示。 skr^m%W  
    *"4 OXyV  
        假设发光是在P区中发生的,那么注入的电子与价带空穴直接复合而发光,或者先被发光中心捕获后,再与空穴复合发光。除了这种发光复合外,还有些电子被非发光中心(这个中心介于导带、介带中间附近)捕获,而后再与空穴复合,每次释放的能量不大,不能形成可见光。发光的复合量相对于非发光复合量的比例越大,光量子效率越高。由于复合是在少子扩散区内发光的,所以光仅在靠近PN结面数μm以内产生。 nz+DPk["  
    lO)p  
        理论和实践证明,光的峰值波长λ与发光区域的半导体材料禁带宽  O+c@B}[!  
    度Eg有关,即 spgY &OI;  
    NaLec|6<t  
    ????λ≈1240/Eg(mm) dxxD%lHCF  
    oE)tK1>;H  
        式中Eg的单位为电子伏特(eV)。若能产生可见光(波长在380nm紫光~780nm红光),半导体材料的Eg应在3.26~1.63eV之间。比红光波长长的光为红外光。现在已有红外、红、黄、绿及蓝光发光二极管,但其中蓝光二极管成本、价格很高,使用不普遍。 >H[&Wa+_  
     Trm)7B*  
    (二)LED的特性 fok OjTE  
    /1t(e._  
      1.极限参数的意义 ss |<\DE+  
    8la.N*  
        (1)允许功耗Pm:允许加于LED两端正向直流电压与流过它的电流之积的最大值。超过此值,LED发热、损坏。 q4Qm: |-  
    n omtP }  
        (2)最大正向直流电流IFm:允许加的最大的正向直流电流。超过此值可损坏二极管。 NSj}?hz  
    ,Rz,[KI|  
        (3)最大反向电压VRm:所允许加的最大反向电压。超过此值,发光二极管可能被击穿损坏。 vY6eg IO  
    ;OE{&  
        (4)工作环境topm:发光二极管可正常工作的环境温度范围。低于或高于此温度范围,发光二极管将不能正常工作,效率大大降低。 \2pJ ]  
    &A]*"lt|w  
        2.电参数的意义 l 8n#sGA%  
    , )u}8ty3j  
        (1)光谱分布和峰值波长:某一个发光二极管所发之光并非单一波长,其波长大体按图2所示。 PUF"^9v  
    ^pAqe8u_  
        由图可见,该发光管所发之光中某一波长λ0的光强最大,该波长为峰值波长。
     
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    离线sz520cd
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    只看该作者 3楼 发表于: 2008-04-23
    谢谢!!!!!!最近在做SMD LED贴片灯的销售`~~有高手能给我知识帮助的+QQ124754912 嘿嘿
    离线zhangsf
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    只看该作者 2楼 发表于: 2008-04-11
    yong deshang
    离线mybscoo
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    只看该作者 1楼 发表于: 2007-08-22
    怎么就没有了呢? av&dGsFP  
    正在状态中 ZZ)bTLu  
    谢谢啊