一、 半导体发光二极管工作原理、特性及应用
uuj"Er31 :w_F<2d0
0 (一)LED发光原理
+C;ZO6%w y- k?_$M 发光二极管是由Ⅲ-Ⅳ族化合物,如GaAs(砷化镓)、GaP(磷化镓)、GaAsP(磷砷化镓)等半导体制成的,其核心是PN结。因此它具有一般P-N结的I-N特性,即正向导通,反向截止、击穿特性。此外,在一定条件下,它还具有发光特性。在正向电压下,电子由N区注入P区,空穴由P区注入N区。进入对方区域的少数载流子(少子)一部分与多数载流子(多子)复合而发光,如图1所示。
E E?v~6"&
cYx=8~- 假设发光是在P区中发生的,那么注入的电子与价带空穴直接复合而发光,或者先被发光中心捕获后,再与空穴复合发光。除了这种发光复合外,还有些电子被非发光中心(这个中心介于导带、介带中间附近)捕获,而后再与空穴复合,每次释放的能量不大,不能形成可见光。发光的复合量相对于非发光复合量的比例越大,光量子效率越高。由于复合是在少子扩散区内发光的,所以光仅在靠近PN结面数μm以内产生。
N-^\X3X g|<)J-`Q 理论和实践证明,光的峰值波长λ与发光区域的半导体材料禁带宽
X2@mQ&n 度Eg有关,即
~p;<H dQM# -t4* ????λ≈1240/Eg(mm)
4:r^6m%% >|0yH9af 式中Eg的单位为电子伏特(eV)。若能产生可见光(波长在380nm紫光~780nm红光),半导体材料的Eg应在3.26~1.63eV之间。比红光波长长的光为红外光。现在已有红外、红、黄、绿及蓝光发光二极管,但其中蓝光二极管成本、价格很高,使用不普遍。
P},S[GaZ VK`_Qc#B (二)LED的特性
uW>AH@Pij -Kg@Sj/U}R 1.极限参数的意义
yD1*^~ loJ e::5|6x (1)允许功耗Pm:允许加于LED两端正向直流电压与流过它的电流之积的最大值。超过此值,LED发热、损坏。
Y@eHp-[ 1@)]+* F*z (2)最大正向直流电流IFm:允许加的最大的正向直流电流。超过此值可损坏二极管。
SJU93n"G/ {J})f>x<xM (3)最大反向电压VRm:所允许加的最大反向电压。超过此值,发光二极管可能被击穿损坏。
i`&