hyperlith光刻软件hyperlith光刻功能 极紫外光刻 (EUV) 严格的 OPC 和源优化 嵌入式多层镜面缺陷任意缺陷几何形状 可检测性 印刷适性 离轴阴影效应、HV 偏差(包括非常量散射系数)吸收器堆栈分析(EM-Stack)吸收器轮廓(侧壁和拐角圆化吸收体缺陷EUV 的 OPC(小面积)多层镜面结构 (PSM) 双重图案 光刻蚀刻 光刻蚀刻 光刻冻结 光刻蚀刻 侧壁间隔物 晶圆形貌效应 非平面光阻 首次接触时的潜在特征 相移掩模版
交替 PSM:移位和不移位开场之间的强度不平衡 相位缺陷 湿法蚀刻/双沟槽 无铬相光刻 衰减相移掩模版 脱保护收缩的 NTD SEM 诱导收缩 EUV 和 DUV 的随机效应 PEB 扩散效应 表面抑制 温度效应 侧壁分析 内外角偏差分析 拉回 最高亏损
薄膜堆叠分析
BARC 优化 多层镜反射率 抵抗厚度效应 分享到:
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