hyperlith光刻软件

极紫外光刻 (EUV) j<VFn~*_  
wsZF;8ut  
严格的 OPC 和源优化 59Xi3KY  
嵌入式多层镜面缺陷任意缺陷几何形状 :t8b39
  
可检测性 }@'$b<!B  
印刷适性 K/j3a[.  
离轴阴影效应、HV 偏差（包括非常量散射系数）吸收器堆栈分析（EM-Stack）吸收器轮廓（侧壁和拐角圆化吸收体缺陷EUV 的 OPC（小面积）多层镜面结构 (PSM) *`ua'"="k  
V3Q+s8OIF  
双重图案 4:$4u@   
6}[I2F_^  
光刻蚀刻 光刻蚀刻 cl[BF'.H  
光刻冻结 光刻蚀刻 lT(WD}OS  
侧壁间隔物 Z_};|B}  
晶圆形貌效应 ZM!CaR  
非平面光阻 C*)3e*T
*  
首次接触时的潜在特征 A&.WH?p  
n'wU;!W9  
相移掩模版 ,Ys %:>?  
+%T\`6  
交替 PSM：移位和不移位开场之间的强度不平衡 =9'RM>  
相位缺陷 [YF>:ydk  
湿法蚀刻/双沟槽 g]<4&)~  
无铬相光刻 ov`h  
衰减相移掩模版 ]HKQDc'  
脱保护收缩的 NTD WejYy|  
SEM 诱导收缩 m4hX 'F  
EUV 和 DUV 的随机效应 [')m|u~FS4  
PEB 扩散效应 jSh5!6O
  
表面抑制 8Wrh]egu1  
温度效应 L[oui,}_  
侧壁分析 &gVN&  
内外角偏差分析 R} eN@#"D  
拉回 gf#{k2r  
最高亏损 ~
-4{B  
YSr9VpqWV  
薄膜堆叠分析 [;4g  
.0S~872  
BARC 优化 f=(?JT  
多层镜反射率 Ygm`ZA y  
抵抗厚度效应