1.模拟任务 BT d$n!'$n DKIDLf 本
教程将介绍设计和分析生成Top Hat图案的折射率调制扩散器图层。
4CX * 设计包括两个步骤:
J[LGa:`` - 设计相位函数来生成一个角谱Top Hat分布。
F\-qXSA - 基于相位调制来计算对应的折射率调制。
*i5&x/ds 设计相位函数是基于案例DO.002。在开始设计一个梯度折射率扩散器之前,我们迫切地推荐您先阅读这个案例。
Z`b,0[rG[ '-w G An]*J|nFIY 照明光束参数 XFK$p^qu \FVR'A1 9Od
Kh\F ( 波长:632.8nm
RG*Nw6A 激光光束直径(1/e2):700um
cY\-e?`=4 ( Y/
DMQ 理想输出场参数 CoJaVLl {j:{wW. zKfb 直径:1°
*WMcE$w/D 分辨率:≤0.03°
4Iy\
效率:>70%
H7qda'%> 杂散光:<20%
Mqw&%dz'_ LfgR[! Q.\+
XR_| 2.设计相位函数 / d6mlQS IHxX:a/iv Pq7YJ"Z?: k(VA5upCs 相位的设计请参考会话编辑器
[FyE{NfiJ% Sc563_GRIN_Diffuser_1.seditor和
优化文档Sc563_GRIN_Diffuser_2.dp。
[gv2fqpP 设计没有离散相位级的phase-only传输。
OkzfQ
hC} zKiKda%) 3.计算GRIN扩散器 a |z{Bb GRIN扩散器应该包含一个1mm厚度石英玻璃作为基板,和一个折射率调制的丙烯酸薄层。
0JNG\ARC 最大折射率调制为△n=+0.05。
&,)9cV / 最大层厚度如下:
Atfon&^
h+Dg"j<[ 4.计算折射率调制 AFMAgf{bD GueqpEd2 从IFTA优化文档中显示优化的传输
]4z?sk@ ?c>j^}A/N 将传输相位转变为实部,通过函数Manipulation→Field Quantity Operations→Move→Phase to Real。
.4KXe"~E u1]5qtg" eKStt|M' 生成正向函数,通过Manipulation→Amplitude/Real Part Manipulation→Lift Positive函数。
N{Is2Ia /6 P()Upe
U.wgae].O; 乘以最大调制折射率(0.05),通过Manipulation→Operation with Constant→Multiply Constant函数。
CH9#<?l jr!x)yd !Rsx) 将数据转换成数据阵列:Manipulation→Create Numerical Data Array(参见下一张)。
&NGlkn 7J>n;8{%? }GGFJ" A E7>jkHB 数据阵列可用于存储折射率调制。
oz[E>% 选择在下一个对话框中将实部转化为一个数据阵列图。
$,h*xb. 插值应该设置为Nearest Neighbor来得到一个像素化折射率调制。
Ah)7A|0rT {SROg;vA 5.X/Y采样介质 i 3?zYaT
H%])>
z
^a,7}4 GRIN扩散器层将由双界面元件
模拟。
>Y{.)QS 这个元件可以在平面层和任意折射率调制之间进行模拟。
urog.Q 元件厚度对应于层厚度12.656μm。
tb@/E 折射率调制由采样x/y调制介质模拟。
$fC= v *AxKV5[H 4H1s"mP< WVwNjQ2PM 基材丙烯酸的离散数据应该从miscellaneous材料目录中加载。
y4shW|>5_ 折射率调制的数据阵列必须设置到介质中。
%C)U
F 应该选择像素化折射率调制。
Q) FL| &:{|nDT_2 TH6g:YP`7 优化的GRIN介质是周期性结构。 只优化和指定一个单周期。
X8*q[@$ 介质必须切换到周期模式。周期是1.20764μm×1.20764μm。
YTYYb#"Q U'lrdc"Q 6.通过GRIN介质传播 yl3iU:+V =2`s Uw} uOBpMAJ GbNVcP.ocP 通过折射率调制层传播的传播模型:
ulVHsWg - 薄元近似
*(r85lEou) - 分步光束传播方法。
B VPf8!- 对于这个案例,薄元近似足够准确。
\8F$85g 在传播面板上选择传播方法,并且编辑传播设置。
qtgj"4,:` 场采样必须设置为手动模式并且采样距离为4.5μm(半像素尺寸)。
:.sK:W("v $wX5`d1 7.模拟结果 zHu:Ec7 角强度分布
(参见Sc563_GRIN_Diffuser_3.lpd)
nC`=quM9 u2U@Qrs2 8.结论 LXw&d]P ][_:{ N/ VirtualLab Fusion支持设计GRIN衍射
光学元件和全息图。
N8mK^{ 优化的GRIN元件可以生成任意的二维强度分布。
AY * 可以模拟通过x/y平面上任意调制的介质中的光传播。