1.模拟任务 bAeN>~WvY Auhw(b>}TW 本
教程将介绍设计和分析生成Top Hat图案的折射率调制扩散器图层。
:W5*fE(i 设计包括两个步骤:
yWIM,2x} - 设计相位函数来生成一个角谱Top Hat分布。
$Aww5G5e - 基于相位调制来计算对应的折射率调制。
[|UW_Bz 设计相位函数是基于案例DO.002。在开始设计一个梯度折射率扩散器之前,我们迫切地推荐您先阅读这个案例。
x8p#WB *iF>}yh e Df;FOTTi% 照明光束参数 .<v0y"amJ |0(Z)s, F#_7m C 波长:632.8nm
HZ=Dd4! 激光光束直径(1/e2):700um
daBu<0\ rWbuoG+8 理想输出场参数 !B?/6XRUx Ns9cx VL"ZC:n)- 直径:1°
!mpRLBH 分辨率:≤0.03°
wP1dPl_j:0 效率:>70%
9QJ=?bIC# 杂散光:<20%
h 88iZK .hgc1 1rC8]M.N 2.设计相位函数 q
/|<>s =HP_IG_ lfu1PCe5 }Evy fc#D 相位的设计请参考会话编辑器
cl2@p@av Sc563_GRIN_Diffuser_1.seditor和
优化文档Sc563_GRIN_Diffuser_2.dp。
J{$C}8V 设计没有离散相位级的phase-only传输。
%Ua*}C 3P/T`)V 3.计算GRIN扩散器 }.gDaxj GRIN扩散器应该包含一个1mm厚度石英玻璃作为基板,和一个折射率调制的丙烯酸薄层。
tjOfekU 最大折射率调制为△n=+0.05。
'jcDfv(v< 最大层厚度如下:
>0+m '2z o
4.计算折射率调制 MLmc]nL= `a:@[0r0U 从IFTA优化文档中显示优化的传输
|x{:GWq i>T{s-3v 将传输相位转变为实部,通过函数Manipulation→Field Quantity Operations→Move→Phase to Real。
*P:`{ZV7=W )aquf<u@ *ok89ad 生成正向函数,通过Manipulation→Amplitude/Real Part Manipulation→Lift Positive函数。
X =S;8=N yqlkf$?
e@p` -;< 乘以最大调制折射率(0.05),通过Manipulation→Operation with Constant→Multiply Constant函数。
?`\<t$M +Qu~UK\ B/E1nBobC 将数据转换成数据阵列:Manipulation→Create Numerical Data Array(参见下一张)。
wx(|$2{h GfQMdLy\Z D.qbzJz S~YrXQ{_>- 数据阵列可用于存储折射率调制。
ceVej' 选择在下一个对话框中将实部转化为一个数据阵列图。
&Z=}H0y
q 插值应该设置为Nearest Neighbor来得到一个像素化折射率调制。
XnWr~h{b DXKk1u?Tq 5.X/Y采样介质 L7n->8Qk
B_`A[0H {>QrI4*A GRIN扩散器层将由双界面元件
模拟。
~u%9@}Oo> 这个元件可以在平面层和任意折射率调制之间进行模拟。
BEPDyy 元件厚度对应于层厚度12.656μm。
A &w)@DOe 折射率调制由采样x/y调制介质模拟。
:Iwe> ;} y+Q!4A E_WiQ?p
o [ar.+[ 基材丙烯酸的离散数据应该从miscellaneous材料目录中加载。
!SiZA" 折射率调制的数据阵列必须设置到介质中。
TKoO\\ 应该选择像素化折射率调制。
tDEpR `ZV;Le' iv#9{T 优化的GRIN介质是周期性结构。 只优化和指定一个单周期。
7_#v_ A^ 介质必须切换到周期模式。周期是1.20764μm×1.20764μm。
? ]kIztH U <4<8' 6.通过GRIN介质传播 _PNU*E%s< hpWAQ#%oHm LfOGq%& 5?9}^s4 通过折射率调制层传播的传播模型:
a;*&q/{o - 薄元近似
b^Rg_,s - 分步光束传播方法。
}qV4]*+{ 对于这个案例,薄元近似足够准确。
.vQ2w 在传播面板上选择传播方法,并且编辑传播设置。
e"^1- U\ 场采样必须设置为手动模式并且采样距离为4.5μm(半像素尺寸)。
9IMRWtZWT UfcM2OmbK 7.模拟结果 ;1{S"UY 角强度分布
(参见Sc563_GRIN_Diffuser_3.lpd)
= \X<UA} f=/ S]o4/3 8.结论 s%4)}w;z s)/i_Oe$\ VirtualLab Fusion支持设计GRIN衍射
光学元件和全息图。
,iSs2&$m 优化的GRIN元件可以生成任意的二维强度分布。
\,p) 可以模拟通过x/y平面上任意调制的介质中的光传播。