1.模拟任务 INOw0E[ ?~$0;5)QC 本
教程将介绍设计和分析生成Top Hat图案的折射率调制扩散器图层。
;t{Ew+s 设计包括两个步骤:
^6bU4bA - 设计相位函数来生成一个角谱Top Hat分布。
Q"n*`#Yt' - 基于相位调制来计算对应的折射率调制。
@tWyc%t 设计相位函数是基于案例DO.002。在开始设计一个梯度折射率扩散器之前,我们迫切地推荐您先阅读这个案例。
OW-[#r
X}Bo[YoY$ :3M2zV
cf 照明光束参数 <RS@, m!3b.2/h z 0]K:YV_ 波长:632.8nm
AC@WhL 激光光束直径(1/e2):700um
3zo]*6p0 8Eyi`~cAiH 理想输出场参数 U:ggZ`. %Sr/'7 K `[p*qsp_ 直径:1°
zV_U/]y 分辨率:≤0.03°
T&c0j( 效率:>70%
{L5!_]6 杂散光:<20%
s!esk%h{K ^AkVmsv;; `mXbF 2.设计相位函数 `,gGmh -B-?z?+(O REUWK#> ifTMoC% 相位的设计请参考会话编辑器
i_Dv+^&zV Sc563_GRIN_Diffuser_1.seditor和
优化文档Sc563_GRIN_Diffuser_2.dp。
bwR_ uF 设计没有离散相位级的phase-only传输。
eR PmN 23 j{bK 3.计算GRIN扩散器 7p%W)=v GRIN扩散器应该包含一个1mm厚度石英玻璃作为基板,和一个折射率调制的丙烯酸薄层。
^-?5=\`5 最大折射率调制为△n=+0.05。
C` ?6`$Y 最大层厚度如下:
dznHR6x 47>IT 4.计算折射率调制 L1A0->t ,S5tkTa 从IFTA优化文档中显示优化的传输
H=Rqr ,3l=44* 将传输相位转变为实部,通过函数Manipulation→Field Quantity Operations→Move→Phase to Real。
~SgW+sDFu $zS0]@Dj 7?a@i;E< 生成正向函数,通过Manipulation→Amplitude/Real Part Manipulation→Lift Positive函数。
yQ5&S]Xk$$ _i{$5JJ+K2
/nEt%YYh;x 乘以最大调制折射率(0.05),通过Manipulation→Operation with Constant→Multiply Constant函数。
NBHS
wQbN5*82 lc9aDt 将数据转换成数据阵列:Manipulation→Create Numerical Data Array(参见下一张)。
0vOt.LC/S 5[l9`Cn&A /+2;". u=NpL^6s< 数据阵列可用于存储折射率调制。
RzCC>- 选择在下一个对话框中将实部转化为一个数据阵列图。
fq(r,h=| 插值应该设置为Nearest Neighbor来得到一个像素化折射率调制。
CBw/a0Uck i(P/=B
5.X/Y采样介质 g&9E>w T
~>u]ow= ?w6zq| GRIN扩散器层将由双界面元件
模拟。
7|4hs:4mD 这个元件可以在平面层和任意折射率调制之间进行模拟。
c@9jc^CJ 元件厚度对应于层厚度12.656μm。
V
;Kzh$^rk 折射率调制由采样x/y调制介质模拟。
vJ5` :4n" 7L~LpB <Wc98m w{uqy] 基材丙烯酸的离散数据应该从miscellaneous材料目录中加载。
bl@0+NiM 折射率调制的数据阵列必须设置到介质中。
/N6sH!w 应该选择像素化折射率调制。
~XAtt\WS
Y@x }b{3 /MFy%=0l 优化的GRIN介质是周期性结构。 只优化和指定一个单周期。
Vj?{T(K1[ 介质必须切换到周期模式。周期是1.20764μm×1.20764μm。
#?%akQ+w [DrG;k ? 6.通过GRIN介质传播 "q@OMf o=i)s2 3C'`c= G8xM]'y 通过折射率调制层传播的传播模型:
-L e:%q2 - 薄元近似
*:t]|$;E\ - 分步光束传播方法。
hnWo.5;$ 对于这个案例,薄元近似足够准确。
*zoAD|0N 在传播面板上选择传播方法,并且编辑传播设置。
wn*<.s 场采样必须设置为手动模式并且采样距离为4.5μm(半像素尺寸)。
B.w ihJVDg ;#c|ZnX 7.模拟结果 R^zTgyr 角强度分布
(参见Sc563_GRIN_Diffuser_3.lpd)
MQ;c'?!5[! `L<f15][ 8.结论 L~e\uP xK4b(KJj VirtualLab Fusion支持设计GRIN衍射
光学元件和全息图。
g-^Cf 优化的GRIN元件可以生成任意的二维强度分布。
A*l(0`aWq 可以模拟通过x/y平面上任意调制的介质中的光传播。