1.模拟任务 3}+/\:q* q[#\qT&QU 本
教程将介绍设计和分析生成Top Hat图案的折射率调制扩散器图层。
7q?YdAUz 设计包括两个步骤:
*K)v&}uw - 设计相位函数来生成一个角谱Top Hat分布。
l&rDa=m.J - 基于相位调制来计算对应的折射率调制。
<hea%6 设计相位函数是基于案例DO.002。在开始设计一个梯度折射率扩散器之前,我们迫切地推荐您先阅读这个案例。
yO6i "3 ~U1iB ?1{`~)" 照明光束参数 GW W@8GNI )FP|}DCxQ G^R;~J*TDE 波长:632.8nm
*Z]|
Z4Q/` 激光光束直径(1/e2):700um
}}2kA UqHO S{\Sz 理想输出场参数
ZBXGuf r:q#l~;^ l=oVC6C 直径:1°
D;L :a`Y 分辨率:≤0.03°
B -KOf 效率:>70%
=j{jylC 杂散光:<20%
e\dT~)c <Hp"ZCN *"5a5.`%, 2.设计相位函数 R*y[/Aw rNAu@B z>{KeX: EH3G|3^xz 相位的设计请参考会话编辑器
)k1,oUx Sc563_GRIN_Diffuser_1.seditor和
优化文档Sc563_GRIN_Diffuser_2.dp。
H>]z=w~ 设计没有离散相位级的phase-only传输。
|x4yPYBL |:?.-tq 3.计算GRIN扩散器 %8tN$8P GRIN扩散器应该包含一个1mm厚度石英玻璃作为基板,和一个折射率调制的丙烯酸薄层。
<It7s1O 最大折射率调制为△n=+0.05。
3oKGeB;Ja 最大层厚度如下:
=,
0a3D6b ;!}SgzSH} 4.计算折射率调制 h=tu+pn Psa8OJan 从IFTA优化文档中显示优化的传输
p^:Lj 9Qax 9H}&Ri% 将传输相位转变为实部,通过函数Manipulation→Field Quantity Operations→Move→Phase to Real。
7`/qL " c 2@@Rd~M OW}A48X[+ 生成正向函数,通过Manipulation→Amplitude/Real Part Manipulation→Lift Positive函数。
+m.8*^ $iPN5@F
tb{{oxa,k 乘以最大调制折射率(0.05),通过Manipulation→Operation with Constant→Multiply Constant函数。
_pGviGR }ELCnN |BkY"F7m9 将数据转换成数据阵列:Manipulation→Create Numerical Data Array(参见下一张)。
?>8zU;Aj Bg
h$P iq:[+ EAB+kY 数据阵列可用于存储折射率调制。
lnWiE}F 选择在下一个对话框中将实部转化为一个数据阵列图。
F"H!CJJu& 插值应该设置为Nearest Neighbor来得到一个像素化折射率调制。
w2+]C&B* aTm.10{^ 5.X/Y采样介质 j*u9+.
W~F/ZrT3A \,!q[nC GRIN扩散器层将由双界面元件
模拟。
SU'9+=_$ 这个元件可以在平面层和任意折射率调制之间进行模拟。
C<t>m_t9 元件厚度对应于层厚度12.656μm。
HdUW(FZ 折射率调制由采样x/y调制介质模拟。
F\R}no5C emB D@r -l@W)?$ 0|!<|N< 基材丙烯酸的离散数据应该从miscellaneous材料目录中加载。
bJF/daC5 折射率调制的数据阵列必须设置到介质中。
l&Ghs@>Kl 应该选择像素化折射率调制。
()#tR^T &i^NStqu ?1:/
6 优化的GRIN介质是周期性结构。 只优化和指定一个单周期。
@!/fvP 介质必须切换到周期模式。周期是1.20764μm×1.20764μm。
DB%AO:8 "EYjY-> 6.通过GRIN介质传播 (y=o]Vy &]F|U3 W+
'}O< #(+HSZm 通过折射率调制层传播的传播模型:
Qz(T[H5%W - 薄元近似
(OcNC/9 - 分步光束传播方法。
!TL}~D:J 对于这个案例,薄元近似足够准确。
xO-U]%oq 在传播面板上选择传播方法,并且编辑传播设置。
)UZ0gfx 场采样必须设置为手动模式并且采样距离为4.5μm(半像素尺寸)。
/)?P>!#;\ r&3o~! 7.模拟结果 Fg\| e% 角强度分布
(参见Sc563_GRIN_Diffuser_3.lpd)
w1#jVcUQ KBRg95E~]l 8.结论 HL}~W}!j E
D^rWE_ VirtualLab Fusion支持设计GRIN衍射
光学元件和全息图。
5[2.5/ 优化的GRIN元件可以生成任意的二维强度分布。
`vxrC&,As 可以模拟通过x/y平面上任意调制的介质中的光传播。