1.模拟任务 W^l-Y%a/o -FaJ^CN~ 本
教程将介绍设计和分析生成Top Hat图案的折射率调制扩散器图层。
@:#eb1<S 设计包括两个步骤:
@Jw-8Q{ - 设计相位函数来生成一个角谱Top Hat分布。
-uf|w? - 基于相位调制来计算对应的折射率调制。
uKHxe~ 设计相位函数是基于案例DO.002。在开始设计一个梯度折射率扩散器之前,我们迫切地推荐您先阅读这个案例。
u'BaKWPS jNk%OrP] T_4/C2 照明光束参数 q(84+{>B
}.6[qk aPL+=5 8r 波长:632.8nm
W'M*nR|xo 激光光束直径(1/e2):700um
Y76gJ[yjn 6=Otq=WH 理想输出场参数 sQZhXaMa $ 61U09s%\0 )Pv%#P-< 直径:1°
+
{'.7# 分辨率:≤0.03°
Qo|\-y-# 效率:>70%
}O
p;
g^W 杂散光:<20%
o }m3y EfT=? TB31-
() 2.设计相位函数 |`FY1NN
?}Y]|c^W =Dj#gV xyXa . 相位的设计请参考会话编辑器
MF'JeM;H Sc563_GRIN_Diffuser_1.seditor和
优化文档Sc563_GRIN_Diffuser_2.dp。
f
_:A0 设计没有离散相位级的phase-only传输。
)boE/4 g<qaXv 3.计算GRIN扩散器 )t%b838l% GRIN扩散器应该包含一个1mm厚度石英玻璃作为基板,和一个折射率调制的丙烯酸薄层。
7zj{wp! 最大折射率调制为△n=+0.05。
{n=|Db~S 最大层厚度如下:
2~[juWbz m]&SN z= 4.计算折射率调制 DHRlWQox 4skD(au8 从IFTA优化文档中显示优化的传输
k}rbim FP>2C9:d 将传输相位转变为实部,通过函数Manipulation→Field Quantity Operations→Move→Phase to Real。
-'Mf\h8 `d(ThP;g vih9KBT 生成正向函数,通过Manipulation→Amplitude/Real Part Manipulation→Lift Positive函数。
0*v2y*2V \{D"
!e
w!XD/jN 乘以最大调制折射率(0.05),通过Manipulation→Operation with Constant→Multiply Constant函数。
xyxy`qR A HVAYPerH u%!@(eKM- 将数据转换成数据阵列:Manipulation→Create Numerical Data Array(参见下一张)。
%l%HHT ptaKf4P^r A=>u
1h69 y)<q/ 数据阵列可用于存储折射率调制。
8?C5L8) 选择在下一个对话框中将实部转化为一个数据阵列图。
|l!aB(NW 插值应该设置为Nearest Neighbor来得到一个像素化折射率调制。
"wc<B4" J~- 4C) 5.X/Y采样介质 v-Sd*( 6
eV~goj S]{oPc[7 GRIN扩散器层将由双界面元件
模拟。
!_(Tqyg& 这个元件可以在平面层和任意折射率调制之间进行模拟。
#A.@i+Zv 元件厚度对应于层厚度12.656μm。
IRbfNq^: 折射率调制由采样x/y调制介质模拟。
)`}:8y? %XTI-B/K y?#
Loe c`Wa^( 基材丙烯酸的离散数据应该从miscellaneous材料目录中加载。
S
tyfB 折射率调制的数据阵列必须设置到介质中。
eQ}4;^;M- 应该选择像素化折射率调制。
@ .KGfNu PaN"sf E)3NxmM# 优化的GRIN介质是周期性结构。 只优化和指定一个单周期。
YbLW/E\T 介质必须切换到周期模式。周期是1.20764μm×1.20764μm。
/7LR;>B j =Runf
+} 6.通过GRIN介质传播 {: W$LWET B\n[.(].r 5(8@%6>ruj 4/)k)gLI 通过折射率调制层传播的传播模型:
ZG@q`<:j - 薄元近似
/Q )\ + - 分步光束传播方法。
,2)6s\]/b 对于这个案例,薄元近似足够准确。
GH
xp7H 在传播面板上选择传播方法,并且编辑传播设置。
yppo6HGD 场采样必须设置为手动模式并且采样距离为4.5μm(半像素尺寸)。
8i,K~Bu= fn!KQ`,# 7.模拟结果 TB^$1C 角强度分布
(参见Sc563_GRIN_Diffuser_3.lpd)
KG5>]_GH 4Xv*wB1 8.结论 yOKI*.} ]+$?u&0?w VirtualLab Fusion支持设计GRIN衍射
光学元件和全息图。
6`-jPR 优化的GRIN元件可以生成任意的二维强度分布。
bYPK h 可以模拟通过x/y平面上任意调制的介质中的光传播。