1.模拟任务 tAep_GR 3l`"(5 本
教程将介绍设计和分析生成Top Hat图案的折射率调制扩散器图层。
sVP\EF8PY 设计包括两个步骤:
Ufi#y<dP - 设计相位函数来生成一个角谱Top Hat分布。
O,^s)>c - 基于相位调制来计算对应的折射率调制。
Oz_CEMcy 设计相位函数是基于案例DO.002。在开始设计一个梯度折射率扩散器之前,我们迫切地推荐您先阅读这个案例。
nIB eZof '
ZTRl+ p}!)4EI= 照明光束参数 n2AoEbd ./7-[d 6K8v:yYPa 波长:632.8nm
S3U]AH)C 激光光束直径(1/e2):700um
@%u}|iF| n;xzjq- 理想输出场参数 7u^wO< />9`Mbg[G U{lf$ 直径:1°
#2Q%sE? 分辨率:≤0.03°
jM6$R1HX 效率:>70%
Ym]g0a 杂散光:<20%
pcscNUp zSsBbu: RB""(< 2.设计相位函数 hr'?#K t W n@bkZ/G sP@XV/`3L6 相位的设计请参考会话编辑器
Qz{Vl>" Sc563_GRIN_Diffuser_1.seditor和
优化文档Sc563_GRIN_Diffuser_2.dp。
{*CG&-k2D 设计没有离散相位级的phase-only传输。
&"tQpw5 (kK8
Ox fF 3.计算GRIN扩散器 ';v2ld 9 GRIN扩散器应该包含一个1mm厚度石英玻璃作为基板,和一个折射率调制的丙烯酸薄层。
GpXf).a@ 最大折射率调制为△n=+0.05。
a>8]+@ 最大层厚度如下:
t,XbF leizjL\P 4.计算折射率调制 d9e~><bPJ ]+qd|}^ 从IFTA优化文档中显示优化的传输
;VCFDE{K= *Y53bZ 将传输相位转变为实部,通过函数Manipulation→Field Quantity Operations→Move→Phase to Real。
ZZ!6O /M q(s0dkrj l&] %APL 生成正向函数,通过Manipulation→Amplitude/Real Part Manipulation→Lift Positive函数。
xK1w->[ zKYN5|17
,T 3M 乘以最大调制折射率(0.05),通过Manipulation→Operation with Constant→Multiply Constant函数。
~k
6V?z} }L{GwiDMDl 1#>uqUxah 将数据转换成数据阵列:Manipulation→Create Numerical Data Array(参见下一张)。
*E|3Vy{4 O6-';H:I]L +\PLUOk ep48 r> 数据阵列可用于存储折射率调制。
_Eq,udCso 选择在下一个对话框中将实部转化为一个数据阵列图。
t?weD{O 插值应该设置为Nearest Neighbor来得到一个像素化折射率调制。
8193d%Wb i}<fg*6@E 5.X/Y采样介质 4uE/!dT
ZL!5dT&@W T0@<u GRIN扩散器层将由双界面元件
模拟。
JGzEm>_m 这个元件可以在平面层和任意折射率调制之间进行模拟。
Jl6biJx 元件厚度对应于层厚度12.656μm。
|w_l~xYV) 折射率调制由采样x/y调制介质模拟。
@v/Ae_q! ] TZ/=Id OCqknA h:z$uG 基材丙烯酸的离散数据应该从miscellaneous材料目录中加载。
G&6`?1k 折射率调制的数据阵列必须设置到介质中。
fE>JoQs38 应该选择像素化折射率调制。
&,/-<y-S *'n=LB8R mG*Yv 优化的GRIN介质是周期性结构。 只优化和指定一个单周期。
4>HQ2S{t 介质必须切换到周期模式。周期是1.20764μm×1.20764μm。
YZ->ep} cSTL.QF 6.通过GRIN介质传播 VjiwW%UOM _w5c-\-PUM hx~rq`{ ;Q5o38( 通过折射率调制层传播的传播模型:
q?0&0 - 薄元近似
\/m-G:| - 分步光束传播方法。
xWWVU}fd1 对于这个案例,薄元近似足够准确。
=|
r%
lx 在传播面板上选择传播方法,并且编辑传播设置。
lj*=bK 场采样必须设置为手动模式并且采样距离为4.5μm(半像素尺寸)。
WZbRR.TxO j2hp*C'^ 7.模拟结果 ~Bt>Y 角强度分布
(参见Sc563_GRIN_Diffuser_3.lpd)
4 `}6W>*R [/J(E\9 8.结论 B-$ps=G+z j#VR>0oC]\ VirtualLab Fusion支持设计GRIN衍射
光学元件和全息图。
_#<7s`i 优化的GRIN元件可以生成任意的二维强度分布。
&c=
3BEh 可以模拟通过x/y平面上任意调制的介质中的光传播。