1.模拟任务 +yP!7] %)lp]Y33 本
教程将介绍设计和分析生成Top Hat图案的折射率调制扩散器图层。
[7@g*!+d 设计包括两个步骤:
U+!RIF[Je - 设计相位函数来生成一个角谱Top Hat分布。
"|8oFf)l@B - 基于相位调制来计算对应的折射率调制。
=npE?wK 设计相位函数是基于案例DO.002。在开始设计一个梯度折射率扩散器之前,我们迫切地推荐您先阅读这个案例。
<T_3s\ [KK
|_ ?),b902C 照明光束参数 6j6CA?| #|b*l/t8 {fXkbMO| 波长:632.8nm
vXDs/,`r 激光光束直径(1/e2):700um
9[.HWe, ^~H}N$W"-q 理想输出场参数 KOy{? i|^Q{3?o# 6iU&9Z<% 直径:1°
#%E`~&[ 分辨率:≤0.03°
~tp]a]yV 效率:>70%
K}l3t2uk 杂散光:<20%
/whaY4__O\ ,sL'T[tuiU 59Pc:Gg; 2.设计相位函数 ?Y~t{5NJR [bh?p+V TWRP|i!i H+[?{+"#@l 相位的设计请参考会话编辑器
kOQ)QX Sc563_GRIN_Diffuser_1.seditor和
优化文档Sc563_GRIN_Diffuser_2.dp。
B"GC|}N)v 设计没有离散相位级的phase-only传输。
o+1(N#?m9 7%^G]AFi 3.计算GRIN扩散器 O)dnr8* GRIN扩散器应该包含一个1mm厚度石英玻璃作为基板,和一个折射率调制的丙烯酸薄层。
wp?:@XM 最大折射率调制为△n=+0.05。
S8#0Vo$)a 最大层厚度如下:
-$Fj-pO\
DN2 ]Y' 4.计算折射率调制 ]U>MYdGWb !eyLh&]5 从IFTA优化文档中显示优化的传输
v?`R8 IBT>&(cnV 将传输相位转变为实部,通过函数Manipulation→Field Quantity Operations→Move→Phase to Real。
vvxxwZa=O `yfZ{< xTAfVN 生成正向函数,通过Manipulation→Amplitude/Real Part Manipulation→Lift Positive函数。
2b$>1O&2 Orq/38:4G
_5p$#U` 乘以最大调制折射率(0.05),通过Manipulation→Operation with Constant→Multiply Constant函数。
WzzA:X TUp\,T^2 |=}+%>y_ 将数据转换成数据阵列:Manipulation→Create Numerical Data Array(参见下一张)。
]K(a32V CH e@h{Ns.1- G+c&e:ip< &hWELZe0vv 数据阵列可用于存储折射率调制。
*u$aItx 选择在下一个对话框中将实部转化为一个数据阵列图。
,l>w9?0Z 插值应该设置为Nearest Neighbor来得到一个像素化折射率调制。
]KFh 1 CF;Gy L1M 5.X/Y采样介质 x@
=p
v<1@"9EH Z[@ i/. I GRIN扩散器层将由双界面元件
模拟。
oKn$g[,SJh 这个元件可以在平面层和任意折射率调制之间进行模拟。
N?@^BZ 元件厚度对应于层厚度12.656μm。
zB%~=@Q^6 折射率调制由采样x/y调制介质模拟。
f+:iz'b#U [E9iuym ,Q"'q0hM= ;<FAcR 基材丙烯酸的离散数据应该从miscellaneous材料目录中加载。
o9xc$hX} 折射率调制的数据阵列必须设置到介质中。
[Hx}#Kds 应该选择像素化折射率调制。
?AFb& s@L ;3WdO )q<VZ|V 优化的GRIN介质是周期性结构。 只优化和指定一个单周期。
Y(,RJ&7 介质必须切换到周期模式。周期是1.20764μm×1.20764μm。
2?
E;(]dQ 5p.rd0T]l3 6.通过GRIN介质传播 ]xvA2!)Q g(&cq R2)@Q ?xaUWD 通过折射率调制层传播的传播模型:
9tpyrGv - 薄元近似
:j]6vp6 - 分步光束传播方法。
<Y)14w% 对于这个案例,薄元近似足够准确。
5X0ex. 在传播面板上选择传播方法,并且编辑传播设置。
,3?=W/Um4 场采样必须设置为手动模式并且采样距离为4.5μm(半像素尺寸)。
phDIUhL$z b()8l'x_|K 7.模拟结果 J^"_H:1[ 角强度分布
(参见Sc563_GRIN_Diffuser_3.lpd)
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