1.模拟任务 QmQ=q7 ]i|h(>QWP 本
教程将介绍设计和分析生成Top Hat图案的折射率调制扩散器图层。
I,E?h?6Y 设计包括两个步骤:
*z5.vtfu! - 设计相位函数来生成一个角谱Top Hat分布。
U\g/ 2dM - 基于相位调制来计算对应的折射率调制。
ew>XrT=Zm 设计相位函数是基于案例DO.002。在开始设计一个梯度折射率扩散器之前,我们迫切地推荐您先阅读这个案例。
8o3E0k1 vDp8__^ S ^!n45l 照明光束参数 P}Gj%4/G _zR+i]9 ~uj#4>3T 波长:632.8nm
LD+{o 4i
激光光束直径(1/e2):700um
T-'OwCB1q y`L>wq,KU 理想输出场参数 y%&q/tk ]3D0R; :N:yLd} & 直径:1°
S(k3 `;K 分辨率:≤0.03°
=rMUov h 效率:>70%
pd:WEI
, 杂散光:<20%
piJu+tUy `{f}3bO7C >"??!|XG^ 2.设计相位函数 ^ sOQi6pL *l"T$H NG=@ -eu `"Jj1O@ 相位的设计请参考会话编辑器
LGq'WU31:) Sc563_GRIN_Diffuser_1.seditor和
优化文档Sc563_GRIN_Diffuser_2.dp。
YDIG,%uv 设计没有离散相位级的phase-only传输。
2bv=N4ly U&g@.,Y# 3.计算GRIN扩散器 1D7nkAy GRIN扩散器应该包含一个1mm厚度石英玻璃作为基板,和一个折射率调制的丙烯酸薄层。
Ab~3{Q]# 最大折射率调制为△n=+0.05。
uF X#`^r` 最大层厚度如下:
{dhXIs 1rNzJ;' 4.计算折射率调制 WQx?[tW(U B?OFe'* 从IFTA优化文档中显示优化的传输
[T|aw1SoN 2Sle#nw3 将传输相位转变为实部,通过函数Manipulation→Field Quantity Operations→Move→Phase to Real。
KKb,d0T[ E:,/!9n ?so=;gh 生成正向函数,通过Manipulation→Amplitude/Real Part Manipulation→Lift Positive函数。
4(#'_jS kVuUjP6(c
,cXD.y 乘以最大调制折射率(0.05),通过Manipulation→Operation with Constant→Multiply Constant函数。
ADz ^\ Z|&MKG24 fnpYT:%fG
将数据转换成数据阵列:Manipulation→Create Numerical Data Array(参见下一张)。
M f}~{+ 272q1~& 9)D6Nm B+$%*%b 数据阵列可用于存储折射率调制。
'@a}H9>} 选择在下一个对话框中将实部转化为一个数据阵列图。
-{KQr1{5UM 插值应该设置为Nearest Neighbor来得到一个像素化折射率调制。
MH
=%-S _no/F2>!/n 5.X/Y采样介质 On8v//=&
5u,{6 TeMHm?1^ GRIN扩散器层将由双界面元件
模拟。
eJrQ\>z]V& 这个元件可以在平面层和任意折射率调制之间进行模拟。
55G+; 元件厚度对应于层厚度12.656μm。
:W"~
{~#? 折射率调制由采样x/y调制介质模拟。
n|6Ic,:[ bc7/V#W 2\)xpOj _Ym]Mj' ln 基材丙烯酸的离散数据应该从miscellaneous材料目录中加载。
<S5BDk 折射率调制的数据阵列必须设置到介质中。
'HO$C,1] 应该选择像素化折射率调制。
@Y?#Sl* ,xw#NG6 ~]nRV *^ 优化的GRIN介质是周期性结构。 只优化和指定一个单周期。
,D5cjaX< 介质必须切换到周期模式。周期是1.20764μm×1.20764μm。
biL s+\C *~2,/D 6.通过GRIN介质传播 Tg7an&# ajve~8/& ~Q*%DRd&Z- i9rN9Mq?O 通过折射率调制层传播的传播模型:
j SHk{T!J - 薄元近似
['b}QW@Fx - 分步光束传播方法。
{Je[ZQ$ 对于这个案例,薄元近似足够准确。
gBd]B03 在传播面板上选择传播方法,并且编辑传播设置。
bAdn & 场采样必须设置为手动模式并且采样距离为4.5μm(半像素尺寸)。
.7O*pJ2(H f<-Jg 7.模拟结果 LmRy1T,act 角强度分布
(参见Sc563_GRIN_Diffuser_3.lpd)
2"COP> )Fc%+TpKi 8.结论 .[YuRLGz H
h4WMZJG VirtualLab Fusion支持设计GRIN衍射
光学元件和全息图。
n#mA/H;wV 优化的GRIN元件可以生成任意的二维强度分布。
X
enE^e+9 可以模拟通过x/y平面上任意调制的介质中的光传播。