1.模拟任务 *'QD!Tc nr!kx)j 本
教程将介绍设计和分析生成Top Hat图案的折射率调制扩散器图层。
Fj7cI + 设计包括两个步骤:
km}%7|R? - 设计相位函数来生成一个角谱Top Hat分布。
Yr,e7da - 基于相位调制来计算对应的折射率调制。
.?<,J 设计相位函数是基于案例DO.002。在开始设计一个梯度折射率扩散器之前,我们迫切地推荐您先阅读这个案例。
RnIL>Akp UKZsq5Q yw{GO([ZQ 照明光束参数 -SlLX\>p e#0R9+"Ba rKg5?. 波长:632.8nm
Z<0M_q9?MO 激光光束直径(1/e2):700um
n*9)Y~ Ih{(d O; 理想输出场参数 >(|T]u](q -nV]%vJ$R} vO&%sjvH 直径:1°
vc^qpOk 分辨率:≤0.03°
=CFO]9 效率:>70%
Oq|RMl 杂散光:<20%
f]qPxRw ;xN4L *=$Jv1"Q
+ 2.设计相位函数 7Fh%jRHZ` TXv3@/>ZlG ) 'j7Ra #B88w9
b`D 相位的设计请参考会话编辑器
jri=UGf Sc563_GRIN_Diffuser_1.seditor和
优化文档Sc563_GRIN_Diffuser_2.dp。
AcwLs%'sx 设计没有离散相位级的phase-only传输。
-L NJ*?b 3T'9_v[Y 3.计算GRIN扩散器 4@u*#Bp`| GRIN扩散器应该包含一个1mm厚度石英玻璃作为基板,和一个折射率调制的丙烯酸薄层。
lSPQXu*[ 最大折射率调制为△n=+0.05。
?R(fxx 最大层厚度如下:
%u,H2* yrSmI)&% 4.计算折射率调制
D8m1:kU MXh0 a@*] 从IFTA优化文档中显示优化的传输
QgqR93Ic 2TXrVaM 将传输相位转变为实部,通过函数Manipulation→Field Quantity Operations→Move→Phase to Real。
7.,C'^ci H!y1& u3a"[DB9c 生成正向函数,通过Manipulation→Amplitude/Real Part Manipulation→Lift Positive函数。
t3}>5cAxy CCNrjaA
h#dp_# 乘以最大调制折射率(0.05),通过Manipulation→Operation with Constant→Multiply Constant函数。
08n2TL;EsX w<!F& kQB V`fp%7W 将数据转换成数据阵列:Manipulation→Create Numerical Data Array(参见下一张)。
c$Z3P%aP'V z\]]d?d?; zVKbM3(^ l~b# Y& 数据阵列可用于存储折射率调制。
UMILAoR 选择在下一个对话框中将实部转化为一个数据阵列图。
)"/.2S; 插值应该设置为Nearest Neighbor来得到一个像素化折射率调制。
X4_1kY; l+HmG< P 5.X/Y采样介质 7hQXGY,q
2Nrb}LH
P(a!I{A( GRIN扩散器层将由双界面元件
模拟。
fd!bs*\X 这个元件可以在平面层和任意折射率调制之间进行模拟。
j#G4A%_ 元件厚度对应于层厚度12.656μm。
4
3V{q 折射率调制由采样x/y调制介质模拟。
OyH>N/ eS-akx^@ L1ro\ H |(u6xPs;P 基材丙烯酸的离散数据应该从miscellaneous材料目录中加载。
\5M1; 折射率调制的数据阵列必须设置到介质中。
i=T!4'Zu 应该选择像素化折射率调制。
[U'I3x, #J~
!k@(}CN_* 优化的GRIN介质是周期性结构。 只优化和指定一个单周期。
v+Mi"ZAd 介质必须切换到周期模式。周期是1.20764μm×1.20764μm。
VUnO&zV{ ]dIcW9a 6.通过GRIN介质传播 r&+8\/{ sB`.G i]x_W@h 3N c#6VI 通过折射率调制层传播的传播模型:
Gf71udaa - 薄元近似
^% ZbjJ7|j - 分步光束传播方法。
#0$fZ 对于这个案例,薄元近似足够准确。
7"Qj(N 在传播面板上选择传播方法,并且编辑传播设置。
#djby}hi 场采样必须设置为手动模式并且采样距离为4.5μm(半像素尺寸)。
n x4:n@J qJ(XW N H 7.模拟结果 O{^8dwg 角强度分布
(参见Sc563_GRIN_Diffuser_3.lpd)
RGEgYOO F3nYMf 8.结论 MTXh-9DA 8k +^jj VirtualLab Fusion支持设计GRIN衍射
光学元件和全息图。
=EFCd=i 优化的GRIN元件可以生成任意的二维强度分布。
Z<D8{&AjS 可以模拟通过x/y平面上任意调制的介质中的光传播。