1.模拟任务 2:/u2K Z3I L8 本
教程将介绍设计和分析生成Top Hat图案的折射率调制扩散器图层。
iZu:uMoc 设计包括两个步骤:
G#g{3}dcK - 设计相位函数来生成一个角谱Top Hat分布。
S^)WYF5 - 基于相位调制来计算对应的折射率调制。
%,Q;<axzi 设计相位函数是基于案例DO.002。在开始设计一个梯度折射率扩散器之前,我们迫切地推荐您先阅读这个案例。
dd19z% afV
P-m4L 0JrK/Ma3 照明光束参数 eTT^KqE>& @?j@yRe "sSjVu 波长:632.8nm
6HB]T)n 激光光束直径(1/e2):700um
sOjF?bCdO s|BX>1 理想输出场参数 D'85VZEFyo /H.(d 4C *+NZQjl' 直径:1°
D@}St:m} 分辨率:≤0.03°
Kyyih|{ 效率:>70%
Sn+FV+D 杂散光:<20%
''%;EW> c-ttds .O;!W<Ef$ 2.设计相位函数 EI%M
Azj} KuU3DTS85Z e2qpJ4i A4}JZi6@ 相位的设计请参考会话编辑器
zuUQ."#i Sc563_GRIN_Diffuser_1.seditor和
优化文档Sc563_GRIN_Diffuser_2.dp。
fuQ4rt[i 设计没有离散相位级的phase-only传输。
Rd .U;> D l4d'&! 3.计算GRIN扩散器 3^j~~"2,w GRIN扩散器应该包含一个1mm厚度石英玻璃作为基板,和一个折射率调制的丙烯酸薄层。
8H&_, ; 最大折射率调制为△n=+0.05。
]VzqQ=U% 最大层厚度如下:
,^n-L& Y1m}@k,+M 4.计算折射率调制 Zj:a-= NW}>pb9 从IFTA优化文档中显示优化的传输
e~tr^$/ ( %H 8A= 将传输相位转变为实部,通过函数Manipulation→Field Quantity Operations→Move→Phase to Real。
ev)rOcOU ',L{CQA?c cZCGnzy 生成正向函数,通过Manipulation→Amplitude/Real Part Manipulation→Lift Positive函数。
N)9pz?*V Y]D7i?3N
*(@L+D0N 乘以最大调制折射率(0.05),通过Manipulation→Operation with Constant→Multiply Constant函数。
8=lHUn9l HVtr,jg deR$ 将数据转换成数据阵列:Manipulation→Create Numerical Data Array(参见下一张)。
;"d?_{>7 bbE bf !E CsJ)Z%4_ :;" aUHU' 数据阵列可用于存储折射率调制。
Eqz4{\
选择在下一个对话框中将实部转化为一个数据阵列图。
.Z(S4wV 插值应该设置为Nearest Neighbor来得到一个像素化折射率调制。
Xtu: HA$^ *qn 5.X/Y采样介质 V%X:1 8j
xn%l o(B<!ji~' GRIN扩散器层将由双界面元件
模拟。
;zfQ3$@9 这个元件可以在平面层和任意折射率调制之间进行模拟。
>reaIBT 元件厚度对应于层厚度12.656μm。
NB|RZf9M 折射率调制由采样x/y调制介质模拟。
~rVKQ-+4& t(Q&H!~e
zbF:R[) [ u`17hyX 基材丙烯酸的离散数据应该从miscellaneous材料目录中加载。
Ov0O#` 折射率调制的数据阵列必须设置到介质中。
~zXG<}n 应该选择像素化折射率调制。
n"^/UQ|#j !=~s/{$PE ~!a~C~_ 优化的GRIN介质是周期性结构。 只优化和指定一个单周期。
?.rH;:9To 介质必须切换到周期模式。周期是1.20764μm×1.20764μm。
t
1Ir4 i6!T`Kau 6.通过GRIN介质传播 @%I_&!d b7W=HR y(aAp.S> X/-
W8 通过折射率调制层传播的传播模型:
wW6mYgPN% - 薄元近似
7G<KrKal - 分步光束传播方法。
Y|GJph 对于这个案例,薄元近似足够准确。
FqT,4SIR 在传播面板上选择传播方法,并且编辑传播设置。
#{)r*"% 场采样必须设置为手动模式并且采样距离为4.5μm(半像素尺寸)。
2$j
Ot} j#Ky0+@V 7.模拟结果 .-O@UQx.I 角强度分布
(参见Sc563_GRIN_Diffuser_3.lpd)
c&| '3i+ xN{"%>Mx 8.结论 rm5T=fNJ &viwo}ls0 VirtualLab Fusion支持设计GRIN衍射
光学元件和全息图。
t?du+: 优化的GRIN元件可以生成任意的二维强度分布。
Gh)sw72 可以模拟通过x/y平面上任意调制的介质中的光传播。