1.模拟任务 zEJZ, < H}f}Y8J{ 本
教程将介绍设计和分析生成Top Hat图案的折射率调制扩散器图层。
FVo_=O) 设计包括两个步骤:
%9HL" - 设计相位函数来生成一个角谱Top Hat分布。
;5.S" - 基于相位调制来计算对应的折射率调制。
<<iwJ
U%: 设计相位函数是基于案例DO.002。在开始设计一个梯度折射率扩散器之前,我们迫切地推荐您先阅读这个案例。
c&]nAn( ),%(A~\ {zmh0c;| 照明光束参数 >I&'Rj&Mc xkPH_+4i8 Ug~]!L 波长:632.8nm
h!4jl0oX] 激光光束直径(1/e2):700um
g/_j"Nn Z<A BK`rEO 理想输出场参数 {g@?\ &40# _>W7 r,FPTf
直径:1°
='U>P(
R- 分辨率:≤0.03°
n72+X 效率:>70%
1{0 L~ 杂散光:<20%
by0@G"AE+ ?ZS/`P0}[ M7x*LiKc2 2.设计相位函数 jVxX! V BnwYyh %c`P`~sp fZ7Ap3dmP 相位的设计请参考会话编辑器
Rg,]du u? Sc563_GRIN_Diffuser_1.seditor和
优化文档Sc563_GRIN_Diffuser_2.dp。
J.;{`U=: 设计没有离散相位级的phase-only传输。
O% }EpIP_ U1,f$McZs 3.计算GRIN扩散器 u.~`/O GRIN扩散器应该包含一个1mm厚度石英玻璃作为基板,和一个折射率调制的丙烯酸薄层。
E{B8+T:3 最大折射率调制为△n=+0.05。
POl_chq 最大层厚度如下:
+"8-)' c1>:|D7w 4.计算折射率调制 :u4q.^&!e EH2a 从IFTA优化文档中显示优化的传输
[)S7`K; gfU@`A_N" 将传输相位转变为实部,通过函数Manipulation→Field Quantity Operations→Move→Phase to Real。
5+yT{,(5 -]$=.0 l 6U!zc]> 生成正向函数,通过Manipulation→Amplitude/Real Part Manipulation→Lift Positive函数。
qy$1+>f1 ]\ DIJ>JZ
9~Ve}NB#z& 乘以最大调制折射率(0.05),通过Manipulation→Operation with Constant→Multiply Constant函数。
P"k`h=>!4 {S*:pG:+q '}pe$= 将数据转换成数据阵列:Manipulation→Create Numerical Data Array(参见下一张)。
7~H.\4HB <JkmJ/X
"'zVwU Uk0Fo(HY 数据阵列可用于存储折射率调制。
;mtv 选择在下一个对话框中将实部转化为一个数据阵列图。
tg|7\Z7i 插值应该设置为Nearest Neighbor来得到一个像素化折射率调制。
J\fu6Ti hxX-iQya
5.X/Y采样介质 [:Y`^iR.
Duh[(r_ wB0Ke GRIN扩散器层将由双界面元件
模拟。
Rk(2|I 这个元件可以在平面层和任意折射率调制之间进行模拟。
Sb,lY<= 元件厚度对应于层厚度12.656μm。
p+7ZGB 折射率调制由采样x/y调制介质模拟。
{DVu* %| iM'rl0 UX!)\5- ! {c"C 基材丙烯酸的离散数据应该从miscellaneous材料目录中加载。
J*}Qnl + 折射率调制的数据阵列必须设置到介质中。
B(/)mB 应该选择像素化折射率调制。
gT8% ?U: W{js9$oJ -ZKo/N>6} 优化的GRIN介质是周期性结构。 只优化和指定一个单周期。
XaH%i~}3 介质必须切换到周期模式。周期是1.20764μm×1.20764μm。
XI8rU)q ouO<un 6.通过GRIN介质传播 (Ymj
#OE]'k
Ss KH_~DZU*5 ^+b ??K 通过折射率调制层传播的传播模型:
jJU9~5i? - 薄元近似
!y 7SCz
g - 分步光束传播方法。
)cUFb:D*" 对于这个案例,薄元近似足够准确。
^Ox|q_E
w} 在传播面板上选择传播方法,并且编辑传播设置。
%"{jNC? 场采样必须设置为手动模式并且采样距离为4.5μm(半像素尺寸)。
5L% \rH&N a-(OAzQ_ 7.模拟结果 k6|wiSyu 角强度分布
(参见Sc563_GRIN_Diffuser_3.lpd)
8O='Q-&8 uU;]/ 8.结论 8/oO}SLF XZ1oV?Z4 VirtualLab Fusion支持设计GRIN衍射
光学元件和全息图。
),53(=/hl 优化的GRIN元件可以生成任意的二维强度分布。
+D&aE$< 可以模拟通过x/y平面上任意调制的介质中的光传播。