1.模拟任务 b\=0[kBQw `~@BU 本
教程将介绍设计和分析生成Top Hat图案的折射率调制扩散器图层。
vm8QKPy 设计包括两个步骤:
U%gP2]t%cs - 设计相位函数来生成一个角谱Top Hat分布。
px4Z - 基于相位调制来计算对应的折射率调制。
WNm,r>6m 设计相位函数是基于案例DO.002。在开始设计一个梯度折射率扩散器之前,我们迫切地推荐您先阅读这个案例。
2Q9s?C ,e.y4
vnU Oq+C<}eg 照明光束参数 71K6] ~< $|(roC( .]r[0U 波长:632.8nm
ik&loM_ 激光光束直径(1/e2):700um
'd(}bYr) R0. `2= 理想输出场参数 kdxs{b"t jy&p_v1 i"JF~6c< 直径:1°
JG/sKOlA 分辨率:≤0.03°
qmxkmO+Qur 效率:>70%
=i:?4pIZ 杂散光:<20%
YnJ=&21 !vImmhI!I W!IK>IW" 2.设计相位函数 'J!P:.=a> v`wPdb O~qB zKT \i 相位的设计请参考会话编辑器
3c9v~5og4 Sc563_GRIN_Diffuser_1.seditor和
优化文档Sc563_GRIN_Diffuser_2.dp。
s?0r\ cc|: 设计没有离散相位级的phase-only传输。
%eD&2$q* ge[\% 3.计算GRIN扩散器 kx'6FkZPIr GRIN扩散器应该包含一个1mm厚度石英玻璃作为基板,和一个折射率调制的丙烯酸薄层。
&p=~=&g= 最大折射率调制为△n=+0.05。
c:=Z<0S; 最大层厚度如下:
PicO3m q/4PX 4.计算折射率调制 g@nE7H1V W9eR3q 从IFTA优化文档中显示优化的传输
T( ;BEyc? 4{fi=BA 将传输相位转变为实部,通过函数Manipulation→Field Quantity Operations→Move→Phase to Real。
&=02.E@ anl?4q3;9 {?5EOp~ 生成正向函数,通过Manipulation→Amplitude/Real Part Manipulation→Lift Positive函数。
-Ep-v4} oO= 6Kd+T
3FNj~=N 乘以最大调制折射率(0.05),通过Manipulation→Operation with Constant→Multiply Constant函数。
61gZZM DbOWnXV"o ,j5fzA 将数据转换成数据阵列:Manipulation→Create Numerical Data Array(参见下一张)。
:=~([oSNW" ?+5K2Zk QV?\?9( N:&^ql4 数据阵列可用于存储折射率调制。
2RM0ca_F 选择在下一个对话框中将实部转化为一个数据阵列图。
{a(YV\^y|H 插值应该设置为Nearest Neighbor来得到一个像素化折射率调制。
Xq J@NgsY ^-=,q.[7 5.X/Y采样介质 @Vb-BC,
"G4{;!0C #>>-:?X GRIN扩散器层将由双界面元件
模拟。
a
nIdCOh 这个元件可以在平面层和任意折射率调制之间进行模拟。
I.(/j 元件厚度对应于层厚度12.656μm。
_-^KqNyy 折射率调制由采样x/y调制介质模拟。
4;&( D $ `yxc a&y%|Gs^f RJd55+h 基材丙烯酸的离散数据应该从miscellaneous材料目录中加载。
hg\$>W~2 折射率调制的数据阵列必须设置到介质中。
u1>| 2D 应该选择像素化折射率调制。
*!.'1J:YJ( (c[|k nwV\[E 优化的GRIN介质是周期性结构。 只优化和指定一个单周期。
(<3'LhFII 介质必须切换到周期模式。周期是1.20764μm×1.20764μm。
L4Kkbt<x E5 Y92vu 6.通过GRIN介质传播 AZtZa'hbkQ ~Jq<FVK pT[C[h: 3 YRhqp"E 通过折射率调制层传播的传播模型:
KeXQ'.x5O - 薄元近似
GS)l{bS#[O - 分步光束传播方法。
Y{2\==~ 对于这个案例,薄元近似足够准确。
xT=|Uc0 在传播面板上选择传播方法,并且编辑传播设置。
Fdvex$r& 场采样必须设置为手动模式并且采样距离为4.5μm(半像素尺寸)。
5$zC,g*# (^057 7.模拟结果 b]*9![_ 角强度分布
(参见Sc563_GRIN_Diffuser_3.lpd)
<$7*yV xJZbax[ 8.结论 ~":?}) =DF7l<&km VirtualLab Fusion支持设计GRIN衍射
光学元件和全息图。
)!M:=}." 优化的GRIN元件可以生成任意的二维强度分布。
P_i2yhpK 可以模拟通过x/y平面上任意调制的介质中的光传播。