1.模拟任务 q'awV5y Kf7v_T/ 本
教程将介绍设计和分析生成Top Hat图案的折射率调制扩散器图层。
#EdsB 设计包括两个步骤:
eMC0
)B - 设计相位函数来生成一个角谱Top Hat分布。
VN9C@ ;'$ - 基于相位调制来计算对应的折射率调制。
,t_Fo-i7vI 设计相位函数是基于案例DO.002。在开始设计一个梯度折射率扩散器之前,我们迫切地推荐您先阅读这个案例。
%phv <AW KFMEY\ 6\h {]\!vG6 照明光束参数 oVSq#I4 YV0K&d {$mj9?n=v 波长:632.8nm
FsYsQ_,R3 激光光束直径(1/e2):700um
(Q09$ .)eX(2j\ 理想输出场参数 j;']L}R 9fL48f$ Lcyj,R 直径:1°
\hwz;V.J" 分辨率:≤0.03°
%,M(-G5j; 效率:>70%
=-qv[;%&6 杂散光:<20%
P7GF"/ (7g1eEK% Q@lJ| 2.设计相位函数 x
p#+{} Ll L8Q bJE$> M(2c{TT 相位的设计请参考会话编辑器
i`1QR@11 Sc563_GRIN_Diffuser_1.seditor和
优化文档Sc563_GRIN_Diffuser_2.dp。
Vi~F
Q 设计没有离散相位级的phase-only传输。
{
+%S{=j ?g$dz?^CK& 3.计算GRIN扩散器 :8~*NSEFd GRIN扩散器应该包含一个1mm厚度石英玻璃作为基板,和一个折射率调制的丙烯酸薄层。
Rg6e7JVu 最大折射率调制为△n=+0.05。
GUyc1{6 最大层厚度如下:
/#M|V6n wb
}W;C@ 4.计算折射率调制 f`jRLo*L ? h$>7| 从IFTA优化文档中显示优化的传输
vO)nqtw ^r<bi%@C$ 将传输相位转变为实部,通过函数Manipulation→Field Quantity Operations→Move→Phase to Real。
H[{ch t
h @"m?
# v?7.)2XcX 生成正向函数,通过Manipulation→Amplitude/Real Part Manipulation→Lift Positive函数。
c!BiGw,; hD>O LoO
U9KnW]O%" 乘以最大调制折射率(0.05),通过Manipulation→Operation with Constant→Multiply Constant函数。
5"[Qs|VjA6 TY=BP!s m*BtD-{ 将数据转换成数据阵列:Manipulation→Create Numerical Data Array(参见下一张)。
}>w;(R *HwTq[y q
lL6wzq, l\yFx 数据阵列可用于存储折射率调制。
#isBE}sT{ 选择在下一个对话框中将实部转化为一个数据阵列图。
j!;?=s 插值应该设置为Nearest Neighbor来得到一个像素化折射率调制。
.s_wP H!ZPP8]j> 5.X/Y采样介质 ?hS n)
3H%oTgWk g|PVOY+|^ GRIN扩散器层将由双界面元件
模拟。
7K`A2 这个元件可以在平面层和任意折射率调制之间进行模拟。
3`&2- 元件厚度对应于层厚度12.656μm。
7 3k3(rZ 折射率调制由采样x/y调制介质模拟。
_AQ :<0/# l|fOi A*K :_tsS)Q2m 5vL]Y)l 基材丙烯酸的离散数据应该从miscellaneous材料目录中加载。
{O6f1LuH 折射率调制的数据阵列必须设置到介质中。
:Q\b$=,: 应该选择像素化折射率调制。
w $7*za2 4b8!LzKS n2R{$^JxO 优化的GRIN介质是周期性结构。 只优化和指定一个单周期。
6P'
m0 介质必须切换到周期模式。周期是1.20764μm×1.20764μm。
m?_S&/+* Gt[!q\^? 6.通过GRIN介质传播 f4zd(J & h9ji[ 3_IuK6K2 i` Es7 } 通过折射率调制层传播的传播模型:
v"L<{HN - 薄元近似
}abM:O
"Y - 分步光束传播方法。
~?dPF;.6_ 对于这个案例,薄元近似足够准确。
_.Y?BAQ 在传播面板上选择传播方法,并且编辑传播设置。
+GWeu0b(~ 场采样必须设置为手动模式并且采样距离为4.5μm(半像素尺寸)。
@7%nMTZ@&v POc<
G^ 7.模拟结果 kzGD* 角强度分布
(参见Sc563_GRIN_Diffuser_3.lpd)
VuFH
>8n `I<*R0Qe 8.结论 UGEC_ 7vV3"uns VirtualLab Fusion支持设计GRIN衍射
光学元件和全息图。
.8CR
\- 优化的GRIN元件可以生成任意的二维强度分布。
JPgV7+{b[ 可以模拟通过x/y平面上任意调制的介质中的光传播。