1.模拟任务 k5S;G"iJ +NPL.b| 本
教程将介绍设计和分析生成Top Hat图案的折射率调制扩散器图层。
F<* / J] 设计包括两个步骤:
3^o(\=-JX - 设计相位函数来生成一个角谱Top Hat分布。
RehmVkT - 基于相位调制来计算对应的折射率调制。
6$k#B ~~ 设计相位函数是基于案例DO.002。在开始设计一个梯度折射率扩散器之前,我们迫切地推荐您先阅读这个案例。
ebk>e* IK2da@V gpV4qDXV 照明光束参数 \3 SY2g8+ >H;i#!9, XQ]K,# i 波长:632.8nm
?.?)5
&4 激光光束直径(1/e2):700um
$xbC^ k 7=l~fKu 理想输出场参数 p27Dcwov Hy.u6Jt*/ }e[ E 直径:1°
0WUBj:@g 分辨率:≤0.03°
_ .v G) 效率:>70%
,"%C.9a 杂散光:<20%
^{+ry<rS> pp"X0 4era5= 2.设计相位函数 2}vibDq p KUI{Z I m!V,W*RNr +Iyyk02V 相位的设计请参考会话编辑器
TjW!-s?S Sc563_GRIN_Diffuser_1.seditor和
优化文档Sc563_GRIN_Diffuser_2.dp。
uwNJM 设计没有离散相位级的phase-only传输。
]&*POri& Ds`e-X)O;\ 3.计算GRIN扩散器 -H-U8/W C GRIN扩散器应该包含一个1mm厚度石英玻璃作为基板,和一个折射率调制的丙烯酸薄层。
)pWgt5:7~ 最大折射率调制为△n=+0.05。
!7N:cx'Qy 最大层厚度如下:
E'QAsU8pP FOTe,F.8 4.计算折射率调制 R|st<P kuEXNi1l 从IFTA优化文档中显示优化的传输
UUt"8]@[ F\:~^` 将传输相位转变为实部,通过函数Manipulation→Field Quantity Operations→Move→Phase to Real。
37U8< `0d0T~ V*p[6{U0 生成正向函数,通过Manipulation→Amplitude/Real Part Manipulation→Lift Positive函数。
y~9wxK )@g[aRFa
b;i*}4h! 乘以最大调制折射率(0.05),通过Manipulation→Operation with Constant→Multiply Constant函数。
8em'7hR9 o=m5AUe?J 'n &p5% 将数据转换成数据阵列:Manipulation→Create Numerical Data Array(参见下一张)。
t>bzo6cj iQG!-.aX H,7='n7" X|of87 数据阵列可用于存储折射率调制。
9[eiN 选择在下一个对话框中将实部转化为一个数据阵列图。
S:xXD^n#H 插值应该设置为Nearest Neighbor来得到一个像素化折射率调制。
,1-%C) 14,)JZN 5.X/Y采样介质 {]CZgqE{
q\fbrv%I4 ]iV]7g8: GRIN扩散器层将由双界面元件
模拟。
Hv/C40uM- 这个元件可以在平面层和任意折射率调制之间进行模拟。
(XZ[-M7 元件厚度对应于层厚度12.656μm。
e{)giJY9 折射率调制由采样x/y调制介质模拟。
1c$pz:$vX V.~kG ,Ht \8{SQ% ?JuJu1 基材丙烯酸的离散数据应该从miscellaneous材料目录中加载。
1$*8F 折射率调制的数据阵列必须设置到介质中。
+t7HlAXB# 应该选择像素化折射率调制。
579Q&|L. x\yM|WGL > X~\(|EM 优化的GRIN介质是周期性结构。 只优化和指定一个单周期。
_}{KS, f]0 介质必须切换到周期模式。周期是1.20764μm×1.20764μm。
ZU\$x<, WIWo4[( 6.通过GRIN介质传播 ]3,'U(!+ !r/i<~'Bx [@K'}\U^+ Y>$5j}K 通过折射率调制层传播的传播模型:
rZI63S - 薄元近似
%`Ce#b()' - 分步光束传播方法。
(B#FLoK 对于这个案例,薄元近似足够准确。
lxn/97rA 在传播面板上选择传播方法,并且编辑传播设置。
htB2?%S=T 场采样必须设置为手动模式并且采样距离为4.5μm(半像素尺寸)。
]OpGD5jZ HNZ$CaJh 7.模拟结果 E~y8X9HZ) 角强度分布
(参见Sc563_GRIN_Diffuser_3.lpd)
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QA 8.结论 <@J$hs9s g~<[;6&