1.模拟任务 eU12*( [cH/Y2[ 本
教程将介绍设计和分析生成Top Hat图案的折射率调制扩散器图层。
y%GV9 设计包括两个步骤:
2`},;i~[ - 设计相位函数来生成一个角谱Top Hat分布。
y~d W=zO - 基于相位调制来计算对应的折射率调制。
Vnl~AQfk| 设计相位函数是基于案例DO.002。在开始设计一个梯度折射率扩散器之前,我们迫切地推荐您先阅读这个案例。
JBYQ7SsAS0 @V-ZV _9-Ajv 照明光束参数 :#L B}=HQ
h43k
'Oc8[8 波长:632.8nm
[L\w]6 激光光束直径(1/e2):700um
V4"AFArI z=xHk|+' 理想输出场参数 @Yg7F>s \x+DEy'4;5 b'&pJ1]]} 直径:1°
g PfaiVY 分辨率:≤0.03°
<
d]|5 效率:>70%
;z?XT\C$ 杂散光:<20%
[0}471 _5)#{o< UtutdkaS 2.设计相位函数 @U)'UrNr~ d!d
3r W;A )FP|}DCxQ G^R;~J*TDE 相位的设计请参考会话编辑器
*Z]|
Z4Q/` Sc563_GRIN_Diffuser_1.seditor和
优化文档Sc563_GRIN_Diffuser_2.dp。
izKk@{Md 设计没有离散相位级的phase-only传输。
w(yU\
N ,VZ&Gc 3.计算GRIN扩散器 ^AM_A>HnG GRIN扩散器应该包含一个1mm厚度石英玻璃作为基板,和一个折射率调制的丙烯酸薄层。
l=oVC6C 最大折射率调制为△n=+0.05。
D;L :a`Y 最大层厚度如下:
B -KOf =j{jylC 4.计算折射率调制 e\dT~)c \(CW?9) 从IFTA优化文档中显示优化的传输
^"Y'zIL WY,t> 1c 将传输相位转变为实部,通过函数Manipulation→Field Quantity Operations→Move→Phase to Real。
1^;h:,e6 d{he :}-u`K* 生成正向函数,通过Manipulation→Amplitude/Real Part Manipulation→Lift Positive函数。
0
mQ3P.9 w?*KO?K
yjO7/<2 乘以最大调制折射率(0.05),通过Manipulation→Operation with Constant→Multiply Constant函数。
KCFwO' o
,!"E^ %8tN$8P 将数据转换成数据阵列:Manipulation→Create Numerical Data Array(参见下一张)。
[E^X=+Jnz $O>@(K vraU&ze\1 >SJ$41"E 数据阵列可用于存储折射率调制。
""+*Gn7^8 选择在下一个对话框中将实部转化为一个数据阵列图。
3azc `[hl 插值应该设置为Nearest Neighbor来得到一个像素化折射率调制。
e^GW[lT C{Ug ?hVP 5.X/Y采样介质 B#MW`7c
d{hYT\7~1( ]aRD6F:L GRIN扩散器层将由双界面元件
模拟。
S=g-&lK 这个元件可以在平面层和任意折射率调制之间进行模拟。
5% `Ul 元件厚度对应于层厚度12.656μm。
J9FNjM[qe 折射率调制由采样x/y调制介质模拟。
`Y;gMrp Vr1|%*0Tv =Q}mJs Sg$\ab $ 基材丙烯酸的离散数据应该从miscellaneous材料目录中加载。
0%F.]+6[O4 折射率调制的数据阵列必须设置到介质中。
E,fp=. 应该选择像素化折射率调制。
~K96y$ DTE hyKg=Foq QL2y,?Mz7 优化的GRIN介质是周期性结构。 只优化和指定一个单周期。
orHD3T%& 介质必须切换到周期模式。周期是1.20764μm×1.20764μm。
KUut C
: cv4M[]U~ 6.通过GRIN介质传播 \Ji2uGT ;8T=uCi 1^#Q/J, \#jDQ 通过折射率调制层传播的传播模型:
HdUW(FZ - 薄元近似
F\R}no5C - 分步光束传播方法。
emB D@r 对于这个案例,薄元近似足够准确。
-l@W)?$ 在传播面板上选择传播方法,并且编辑传播设置。
0|!<|N< 场采样必须设置为手动模式并且采样距离为4.5μm(半像素尺寸)。
bJF/daC5 l&Ghs@>Kl 7.模拟结果 ^6oqq[$ 角强度分布
(参见Sc563_GRIN_Diffuser_3.lpd)
{l&2Kd* X9A[
8.结论 5{0>7c|. 8@KFln )[ VirtualLab Fusion支持设计GRIN衍射
光学元件和全息图。
pf@}4PN} 优化的GRIN元件可以生成任意的二维强度分布。
FTnQqDuT 可以模拟通过x/y平面上任意调制的介质中的光传播。