请问各位前辈 7UGc2J
已知LD条件为光源发射面为一椭圆面,长轴3 短轴1 (单位:micrometer) 远场发散角为8度及40度 Y3FFi M[s~
若使用Source Diode OPE+:TvW^
虽然有两发散角(x-divergence y-divergence)可设定 WQ.{Ag?1
但其所建立的光源为一点光源 km5gO|V>m
若使用Source Two Angle,虽然可以设定光源初始面的大小、角度,但看手册上的说明其强度分布又好像是均匀? P]y{3y:XxM
至于Source Ellipse感觉又无法把已知的条件当做设定套入 ?E
V^H-rr
请求前辈们不吝指教 这问题困惑我半年了 THX ! ZsXw]Wa