请问各位前辈 $P)-o?eer
已知LD条件为光源发射面为一椭圆面,长轴3 短轴1 (单位:micrometer) 远场发散角为8度及40度 n5efHJU
若使用Source Diode ;Jb%2?+=!
虽然有两发散角(x-divergence y-divergence)可设定 h,-i\8gq
但其所建立的光源为一点光源 9b&;4Yq!f
若使用Source Two Angle,虽然可以设定光源初始面的大小、角度,但看手册上的说明其强度分布又好像是均匀? R?,v:S&i7;
至于Source Ellipse感觉又无法把已知的条件当做设定套入 gNZ"Kr o6
请求前辈们不吝指教 这问题困惑我半年了 THX ! 3RI6+Cgmn