请问各位前辈 xka&,`z
已知LD条件为光源发射面为一椭圆面，长轴3 短轴1 (单位:micrometer) 远场发散角为8度及40度 )
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若使用Source Diode 9mRP%c#(
虽然有两发散角(x-divergence y-divergence)可设定 IB\O[R$x
但其所建立的光源为一点光源 vMYL( ]e
若使用Source Two Angle，虽然可以设定光源初始面的大小、角度，但看手册上的说明其强度分布又好像是均匀? ?8]g&V
至于Source Ellipse感觉又无法把已知的条件当做设定套入 ,y}@I"
请求前辈们不吝指教 这问题困惑我半年了 THX ! @P @{%I
