请问各位前辈 I`KQ|h0%
已知LD条件为光源发射面为一椭圆面,长轴3 短轴1 (单位:micrometer) 远场发散角为8度及40度 @c9^q>Uv
若使用Source Diode X4l@woh%
虽然有两发散角(x-divergence y-divergence)可设定 &e-U5'(6v_
但其所建立的光源为一点光源 LJk%#yV|_
若使用Source Two Angle,虽然可以设定光源初始面的大小、角度,但看手册上的说明其强度分布又好像是均匀? K*UgX(xu4P
至于Source Ellipse感觉又无法把已知的条件当做设定套入 ,1OyN]f3
请求前辈们不吝指教 这问题困惑我半年了 THX ! w}Uhd,