3C!|!N1Hn 1. 建模任务 $H3C/| 1.1
模拟条件
1yF9zKs&_ 模拟区域:0~10
H74'I} 边界条件:Periodic
p@Os 偏移
角度:12°(Domain A),-12°(Domain B)
q7aqbkwz} 单位长度:0.5
'=+N
)O
Z)xcxSo Q`J U[nY 1.2堆栈
结构 @eBo7#Zr e^~dx}X 2. 建模过程 ,)\G<q
yO6 2.1设置模拟条件
yO8@ .-j b
1S(oi n7ZJ< ~wl 2.2创建堆栈结构,修改各层
参数 Gl{'a1 V]Ccj\Oi ,ynN801\m 2.3创建掩膜并生成多畴结构
"dndhoMq w_`;Mn%p 3. 结果分析 r`FTiPD.C 3.1 指向矢分布和透过率
n3V$Xtxw .
&}x[~g d<ES 3.2所有畴的V-T曲线
`xv Uq\ ]S?G]/k} R3_;!/1 3.3不同电压透过率图,为了方便查看,对每一个电压下的图例范围都初始化,请注意图例颜色轴的范围
[m< jM[w{