(qglD 1. 建模任务 5EU~T.4C< 1.1
模拟条件
V6Mt;e)C 模拟区域:0~10
3P@D!lV&K 边界条件:Periodic
CRBj> 偏移
角度:12°(Domain A),-12°(Domain B)
TyDh\f!w 单位长度:0.5
<qg4Rz\c]
m8@&-,T G/*;h,NbNr 1.2堆栈
结构 |Dt_lQp# sSd/\Ap 2. 建模过程 H2H`7 +I, 2.1设置模拟条件
CYRZ2Yrk?"
+F-EgF+J !O,Sq/=. 2.2创建堆栈结构,修改各层
参数 K!]a+M]> _f'v>"K >
vdmN] 2.3创建掩膜并生成多畴结构
}R`Rqg-W NV7k@7_{B 3. 结果分析 W1 k]P. 3.1 指向矢分布和透过率
0:f]&Ng \?pyax8 Y{D%v 3.2所有畴的V-T曲线
3pg=9*{ ]?pQu '-( K>dB{w#gS 3.3不同电压透过率图,为了方便查看,对每一个电压下的图例范围都初始化,请注意图例颜色轴的范围
jUE gu