p>c` GDU 1. 建模任务 +uY)MExs2 1.1
模拟条件
;N FTdP 模拟区域:0~10
ydyGPZt 边界条件:Periodic
7wU$P 偏移
角度:12°(Domain A),-12°(Domain B)
ERE1XOe=D 单位长度:0.5
sMikTwR/^ /0J1_g =`l).GnN2` 1.2堆栈
结构 Po:)b d5x>kO'[l 2. 建模过程 HcrI3v|6 2.1设置模拟条件
a V4p0s6ZZ 0H6^2T< ^.d97rSm 2.2创建堆栈结构,修改各层
参数 tv+H4/ mu(EmAoenQ 'Si1r%'m# 2.3创建掩膜并生成多畴结构
^:0epj7 \(C_t1 3. 结果分析 vIoV(rc+ 3.1 指向矢分布和透过率
.i7bI2^ W|PKcZ ]Uc }/%(7Ff{ 3.2所有畴的V-T曲线
-n-rKN.T jZm57{C#*? ' Vp6=,P 3.3不同电压透过率图,为了方便查看,对每一个电压下的图例范围都初始化,请注意图例颜色轴的范围
\gh`PS-B