Sm$p\ORa 1. 建模任务 i{o#3 1.1
模拟条件
zP_ ] 模拟区域:0~10
v6wRME;JA 边界条件:Periodic
^oS$>6| 偏移
角度:12°(Domain A),-12°(Domain B)
\Dn&"YG7 单位长度:0.5
2 ]L=s3
#v{ Y=$L T>d\%*Q+B 1.2堆栈
结构 V?OuIg%=: d; 9*l!CF 2. 建模过程 *i@sUM?K
2.1设置模拟条件
}7K@e;YUg
he"L*p*H n'THe|:I 2.2创建堆栈结构,修改各层
参数 TYYp"wx e|yX QTlvL M)L/d_4ka 2.3创建掩膜并生成多畴结构
1j11|~ z<hFK+j,'^ 3. 结果分析 Q8p=!K 3.1 指向矢分布和透过率
_1ew(x2J t#Th9G]1 ^o YPyk`9 3.2所有畴的V-T曲线
~/2g)IS Q
$]YD
pCM 6Opa{] 3.3不同电压透过率图,为了方便查看,对每一个电压下的图例范围都初始化,请注意图例颜色轴的范围
+td<{4oq8