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Od_uk% 1. 建模任务 Egm-PoPe 1.1
模拟条件
O|e/(s?$ 模拟区域:0~10
KkPr08 边界条件:Periodic
+rOfQ'lQ 偏移
角度:12°(Domain A),-12°(Domain B)
z#Cgd-^7.# 单位长度:0.5
xN>+!&3%w
cHw-; ApotRr$) 1.2堆栈
结构 r34 GO1d +V,Ld&r 2. 建模过程 }Zp5d7(@w 2.1设置模拟条件
V5up/ 6b,1
MngfXm "SFs\] Z 2.2创建堆栈结构,修改各层
参数 wpepi8w, x)prI6YMv\ |W;EPQ+< 2.3创建掩膜并生成多畴结构
ibxtrt= Z*kZUx7I< 3. 结果分析 ?t"bF :! 3.1 指向矢分布和透过率
N,?D<NjXl MtXd}/ Mb\[` 4z 3.2所有畴的V-T曲线
uTIl} N {3kI~s kOLS<>. 3.3不同电压透过率图,为了方便查看,对每一个电压下的图例范围都初始化,请注意图例颜色轴的范围
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