q/4PX 1. 建模任务 |nm,5gPNC 1.1
模拟条件
&mY<e4 模拟区域:0~10
M.|hnGXN 边界条件:Periodic
#wC4$y<> 偏移
角度:12°(Domain A),-12°(Domain B)
|W#^L`!G 单位长度:0.5
oxGOn('
apw8wL2 k)S7SbQ 1.2堆栈
结构 1%1-j Zqx5I~ 2. 建模过程 zEks4yd 2.1设置模拟条件
i ;X'1TN(y
A;2?!i#f }]g>PY 2.2创建堆栈结构,修改各层
参数 E"u>&uPH J+z0,N[ *d,SI[c%e 2.3创建掩膜并生成多畴结构
rRsLl/d 2OK%eVba 3. 结果分析 A>d*<#x 3.1 指向矢分布和透过率
/D~z}\k {H0B"i (U|W=@8` 3.2所有畴的V-T曲线
C9bf1ddCW& =&}dP%3LC) |@d7o]eM| 3.3不同电压透过率图,为了方便查看,对每一个电压下的图例范围都初始化,请注意图例颜色轴的范围
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