<\uz",e} 1. 建模任务 2(~Y ^_ 1.1
模拟条件
>Hb>wlYR 模拟区域:0~10
$@k[Xh 边界条件:Periodic
VbR/k,Co 偏移
角度:12°(Domain A),-12°(Domain B)
ue8C pn^M 单位长度:0.5
S0?4}7`A
C%P)_)--V $t.i)wg + 1.2堆栈
结构 xE%1C6~C< o|#Mq"od 2. 建模过程 |Y#KMi ~ 2.1设置模拟条件
j/"{tMqQp
b=[gK|fu #>~<rcE(
2.2创建堆栈结构,修改各层
参数 R'bmE:nL bH+x `]{A =*EIe z*.x 2.3创建掩膜并生成多畴结构
jM`)Nd ($a ?zJr 3. 结果分析 Pp-\#WJ 3.1 指向矢分布和透过率
~<b/%l>h1 ~&-8lD];LM g$C-G5/bjD 3.2所有畴的V-T曲线
5)X;q- ];BGJ5^j VxD_:USIF 3.3不同电压透过率图,为了方便查看,对每一个电压下的图例范围都初始化,请注意图例颜色轴的范围
C'8v\C9Ag