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F<:}Tx)C 1. 建模任务 vyU!+mlc 1.1
模拟条件
1EsqQz*$u 模拟区域:0~10
/b%Q[
Ck_ 边界条件:Periodic
Yqj+hC6>, 偏移
角度:12°(Domain A),-12°(Domain B)
bV6V02RF 单位长度:0.5
[h-norB(( i/$SN-5}1 eY}V9*.v 1.2堆栈
结构 j^EbO3 WeVi]n 2. 建模过程 uJ8{HB 2.1设置模拟条件
CDCC1B G" 6+PGwCS c;!9 \1sr 2.2创建堆栈结构,修改各层
参数 WQKj]:qk0 AP w6 v8'5pLt" 2.3创建掩膜并生成多畴结构
.@k *p >K *s\sa+2al 3. 结果分析 Sk=N [hwU 3.1 指向矢分布和透过率
y x;h @]?R2bI asz?p\k:bC 3.2所有畴的V-T曲线
:Tb7r6 ps+:</;Z N-%#\rPq. 3.3不同电压透过率图,为了方便查看,对每一个电压下的图例范围都初始化,请注意图例颜色轴的范围
!<r8~A3!(