[分享]TechWiz LCD 2D应用：多畴IPS仿真 [复制链接]

4<Y?#bm'  
1. 建模任务 fI|1@e1  
1.1 模拟条件 #n7{ 3)   
模拟区域：0~10 "<(~  
边界条件：Periodic +W1rm$Q  
偏移角度：12°（Domain A），-12°（Domain B） ,rdM{ r  
单位长度：0.5 OG+$F  
D5p22WY  
1.2堆栈结构 4jW{IGW  
nr^p H.  
2. 建模过程 r__M1 !3  
2.1设置模拟条件 40E[cGz$*  
?xet:#R'  
2.2创建堆栈结构，修改各层参数 hMQ
aT-v  
6uyf  
!jbjrzv9  
2.3创建掩膜并生成多畴结构 >gE_?%a[  
9s)oC$\  
3. 结果分析 V_pBM  
3.1 指向矢分布和透过率 'zb7:[[7%  
i&$uG[&P  
h]#)41y<  
3.2所有畴的V-T曲线 P33E\O  
vn<S"  
C0%%
@ 2+  
3.3不同电压透过率图，为了方便查看，对每一个电压下的图例范围都初始化，请注意图例颜色轴的范围 ]@>|y2