"oTwMU 1. 建模任务 D)!k 1.1
模拟条件
oZzE.Q1T 模拟区域:0~10
V8N<%/A= 边界条件:Periodic
`bx gg'V 偏移
角度:12°(Domain A),-12°(Domain B)
= F:d#j>F 单位长度:0.5
}SOj3.9{c
2[:`w),. _mn4z+ 1.2堆栈
结构 V&f3>#n\ Zwq_&cJK 2. 建模过程 8,H 2.1设置模拟条件
[`
i;gx[^
M`5^v0,C y%T'e(5Ed 2.2创建堆栈结构,修改各层
参数 `rM-b'D KpK'?WhX7^ WIbU^WJ0 2.3创建掩膜并生成多畴结构
4+uAd" sDwSEg>#B 3. 结果分析 1 8&^k| 3.1 指向矢分布和透过率
\dCdyl6V )>?K:y8I~ x2nNkd0h
3.2所有畴的V-T曲线
OgzPX^q/= iKdC2m M9i u#6P 3.3不同电压透过率图,为了方便查看,对每一个电压下的图例范围都初始化,请注意图例颜色轴的范围
PgxU;N7Y