R;+vE'&CO 1. 建模任务 ,B|~V 3)( 1.1
模拟条件
dg[&5D1Q 模拟区域:0~10
c#'t][Ii 边界条件:Periodic
7:7i}`O 偏移
角度:12°(Domain A),-12°(Domain B)
^NZq1c 单位长度:0.5
KQ0Zy
yVQ0;h ZmSe>}B= 1.2堆栈
结构 YlfzHeN1 'Rbv3U 2. 建模过程 $ M?VJ\8 2.1设置模拟条件
S<Z]gY @c
wLn,x;;< F_>OpT 2.2创建堆栈结构,修改各层
参数 ) #G5XS+) '1'#,u! VF8pH< 2.3创建掩膜并生成多畴结构
;vM&se63 lu~<pfg 3. 结果分析 5>z`==N) 3.1 指向矢分布和透过率
xUT]6T0dB 9<qAf` a,<l_#' 3.2所有畴的V-T曲线
9H^$cM9C ^0oOiZs #mhR^60, 3.3不同电压透过率图,为了方便查看,对每一个电压下的图例范围都初始化,请注意图例颜色轴的范围
u.!}s2wT#