zD)/Q FILy 1. 建模任务 :*f 2Bn 1.1
模拟条件
B*Q 9g r 模拟区域:0~10
jr,N+K(@T 边界条件:Periodic
FA%_jM 偏移
角度:12°(Domain A),-12°(Domain B)
Mg#yl\v 单位长度:0.5
8EI9&L>
m9vX8;. vJL Gy] 1.2堆栈
结构 }}"pQ!Z 84vd~Cf9 2. 建模过程 z/u^ 2.1设置模拟条件
,AmwsXN"F
SE'!j]6jI `^52IkM) 2.2创建堆栈结构,修改各层
参数 6<2H 7' D"J',YN$ %xN${4)6 2.3创建掩膜并生成多畴结构
T'9ZR,{F Y=p!xr> 3. 结果分析 >))CXGE 3.1 指向矢分布和透过率
ki?h7 y~fKLIoz" 4;fuS_(X 3.2所有畴的V-T曲线
2 /FQ;<L jMgXIK\ #~!"`B?#* 3.3不同电压透过率图,为了方便查看,对每一个电压下的图例范围都初始化,请注意图例颜色轴的范围
3V<@Vkf5