e0:[,aF` 1. 建模任务 ;O~k{5.iS 1.1
模拟条件
Kl/n>qEt 模拟区域:0~10
IzI2w6a 边界条件:Periodic
ss0`9:z 偏移
角度:12°(Domain A),-12°(Domain B)
g-LMct8$ 单位长度:0.5
M/a40uK
5<$8.a# w!|jL
$5L 1.2堆栈
结构 Y/<`C BqtUL_jm 2. 建模过程 (jp!q,) 2.1设置模拟条件
S
Rb-eDk'
y2M]z:Y U 7U1^=Y@t} 2.2创建堆栈结构,修改各层
参数 Dq[Z0"8 ^61;0 ?1.WF}X' 2.3创建掩膜并生成多畴结构
nKnQ%R 5ktFL<^5T 3. 结果分析 !O 0{ .k 3.1 指向矢分布和透过率
J3QL%# 3lsfT-|Wt& 2DNB?,uP,' 3.2所有畴的V-T曲线
qYP;`L}o# ]o?r(1 =Cc]ugl7- 3.3不同电压透过率图,为了方便查看,对每一个电压下的图例范围都初始化,请注意图例颜色轴的范围
AL{iQxQ6