)EZ#BF<0| 1. 建模任务 8Ux3,X= 1.1
模拟条件
-\O%f)R 模拟区域:0~10
|dcRDOTe 边界条件:Periodic
I]t ",s/j 偏移
角度:12°(Domain A),-12°(Domain B)
o,dO.isgh> 单位长度:0.5
8R<2I1xn2 BO)K=gl;8 4n_f7'GZg 1.2堆栈
结构 f mu `o- oKjQ?
4 2. 建模过程 mxUM&`[ 2.1设置模拟条件
3m:[o`L J%]</J \@8j&],dl 2.2创建堆栈结构,修改各层
参数 Nr 5h%<`I s3?pv |t](4 2.3创建掩膜并生成多畴结构
iv@ey-,< !@j5 yYf 3. 结果分析 yv1Z*wTpO 3.1 指向矢分布和透过率
>~C*m `# Z#w@ /!"}T x
xMV2&,Jq 3.2所有畴的V-T曲线
RE~:+.eB <Sw>5M!j ^0"W/ 3.3不同电压透过率图,为了方便查看,对每一个电压下的图例范围都初始化,请注意图例颜色轴的范围
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