Tw-;7Ae 1. 建模任务 8<QdMkI 1.1
模拟条件
Hquc
o 模拟区域:0~10
I=`U7Bis" 边界条件:Periodic
{'NvG 偏移
角度:12°(Domain A),-12°(Domain B)
g,!L$,/F 单位长度:0.5
S4_YT@VD%
vg32y /l]S M /"I2m
1.2堆栈
结构 rX2.i7i, u. F9g
# 2. 建模过程 z7fp#>uw 2.1设置模拟条件
N5lDS
UM"- nZ>[ kaVxT_ 2.2创建堆栈结构,修改各层
参数 4O^xY
6m !Wntd\w gCB |DY 2.3创建掩膜并生成多畴结构
) vE~'W Rl?_^dPx 3. 结果分析 c(xrP/yOwi 3.1 指向矢分布和透过率
;U+3w~ 12b(A+M
Yg||{ 3.2所有畴的V-T曲线
4V)kx[j ^ B fC 8e1UmM[ 3.3不同电压透过率图,为了方便查看,对每一个电压下的图例范围都初始化,请注意图例颜色轴的范围
S%Uutj\/W