'|IcL1c=I 1. 建模任务 uxf,95<g) 1.1
模拟条件
5tlRrf 模拟区域:0~10
t neTOj 边界条件:Periodic
U+!RIF[Je 偏移
角度:12°(Domain A),-12°(Domain B)
"|8oFf)l@B 单位长度:0.5
|qw0:c=7!
z;qDl%AF [KK
|_ 1.2堆栈
结构 ?),b902C 072C!F 2. 建模过程 }emUpju<C 2.1设置模拟条件
gs'M^|e)
NpH8=H9 9[.HWe, 2.2创建堆栈结构,修改各层
参数 2`f{D~w \(\a= LE8<JMB 2.3创建掩膜并生成多畴结构
p1KhI;^ Ljy797{f 3. 结果分析
aN0[6+KP; 3.1 指向矢分布和透过率
stRM*.
~71U s K3!3[dR* 3.2所有畴的V-T曲线
ETHcZ WN'AQ~qA ws0qwv# 3.3不同电压透过率图,为了方便查看,对每一个电压下的图例范围都初始化,请注意图例颜色轴的范围
r{R-X3s