1. 建模任务
K}vYE7n: 1.1
模拟条件
A$n: 模拟区域:0~10
jt0f*eYE8 边界条件:Periodic
?(Xy 2%v 偏移
角度:12°(Domain A),-12°(Domain B)
s)#TT9BbV 单位长度:0.5
&hJQHlyJM0
y$9XHubu U^kk0OT^
1.2堆栈
结构 RBpv40n0 IM_SZs 2. 建模过程
gkDXt^Ob 2.1设置模拟条件
2>g!+p Ox WO*dO9O NbK67p:
2.2创建堆栈结构,修改各层
参数 !`dMTW sj&1I.@,> l4YTR4D 2.3创建掩膜并生成多畴结构
W^i[7 r |Y30B,=M 3. 结果分析
/}k?Tg/ 3.1 指向矢分布和透过率
h7PIF*7m
e .ZupsS9l +&.39q! 3.2所有畴的V-T曲线
x_- SAyH ++BQ==@ 2BO"mc<#$ 3.3不同电压透过率图,为了方便查看,对每一个电压下的图例范围都初始化,请注意图例颜色轴的范围
0GQKM~|H Pu(kCH{