1. 建模任务
O_4B>
)zd 1.1
模拟条件
@P75f5p}< 模拟区域:0~10
1 Ga3[g 边界条件:Periodic
;
YQB 偏移
角度:12°(Domain A),-12°(Domain B)
7kE+9HmfMk 单位长度:0.5
([>__c/Nd };9s8VZE H{=G\N{ 1.2堆栈
结构 `NgQ>KV! l7^^MnkC 2. 建模过程
u^{p'a' 2.1设置模拟条件
7I"~a<f0X` Y)5O %@Rl =d^hiR!GN 2.2创建堆栈结构,修改各层
参数 GU2TQx{V tJ >>cFx Ti_G 2.3创建掩膜并生成多畴结构
Q*ELMib z7`|N`$Z#s 3. 结果分析
t^YtP3`?b 3.1 指向矢分布和透过率
{%9@{Q'T.s !'F1Ht X5[t6q! 3.2所有畴的V-T曲线
63Gq5dF H8? Y{H 0,DrVGa 3.3不同电压透过率图,为了方便查看,对每一个电压下的图例范围都初始化,请注意图例颜色轴的范围
>L4F'#I 2xO[ ?fR