1. 建模任务
$'a]lR 1.1
模拟条件
aH500 模拟区域:0~10
`\BBdQ#bH 边界条件:Periodic
AMK3I`=8WO 偏移
角度:12°(Domain A),-12°(Domain B)
k5)IBO 单位长度:0.5
c Ct5m k.Z?BNP Jx4~ o{Z}c
1.2堆栈
结构 ]HG>Og @$!"}xDR' 2. 建模过程
\/y&l\ k) 2.1设置模拟条件
FQMA0"(G$ fX&g. fH :3}K$
2.2创建堆栈结构,修改各层
参数 `-rtU Tl^)O^/ k@9q5lu;T 2.3创建掩膜并生成多畴结构
6HVGqx j8t_-sU9 i 3. 结果分析
7H[.o~\ 3.1 指向矢分布和透过率
#Pq6q.UB B8V85R wS:`c
J 3.2所有畴的V-T曲线
-dUXd<=ue 0@#d($'1?Z 6
)Qe*S 3.3不同电压透过率图,为了方便查看,对每一个电压下的图例范围都初始化,请注意图例颜色轴的范围
3\P/4GK) /Dk`?