1. 建模任务
<Hh5u~ 1.1
模拟条件
PG6L]o^ 模拟区域:0~10
1rv$?=Z 边界条件:Periodic
!jAWNK6 偏移
角度:12°(Domain A),-12°(Domain B)
UOu6LD/|h 单位长度:0.5
&*aer5?` D#d8 ^U G&@-R{i
1.2堆栈
结构 Qb?y@>-[ Wg`+u 2. 建模过程
QP$nDK< 2.1设置模拟条件
7~ *;=,mw r}R^<y@I AJ\VY;m7F
2.2创建堆栈结构,修改各层
参数 niYz9YX }0BL0N`_ G}P)vfcH 2.3创建掩膜并生成多畴结构
3q#"i& 8B *E+f0 3. 结果分析
VR4E
2^ 3.1 指向矢分布和透过率
KP=D! l&q Mu'^OX82 X:G&5 3.2所有畴的V-T曲线
7MO H}h~~7E [xtK"E# 3.3不同电压透过率图,为了方便查看,对每一个电压下的图例范围都初始化,请注意图例颜色轴的范围
wX)efLmyhY DYo<5^0