1. 建模任务
Rgo rkZlVM 1.1
模拟条件
SVlua@]ChU 模拟区域:0~10
)D'^3)FF 边界条件:Periodic
UX3BeUi.) 偏移
角度:12°(Domain A),-12°(Domain B)
pMg3fUIM 单位长度:0.5
&Cim!I 93+"D` ;=j@,
yu
1.2堆栈
结构 8(.mt/MR 9odJr] 2. 建模过程
=~Ynz7 /x 2.1设置模拟条件
pL1Q7&&c0 n?\ nn3 !Fw?H3X!"q
2.2创建堆栈结构,修改各层
参数 qm Tb-~ (>6*#9#p *#%9Rp2| 2.3创建掩膜并生成多畴结构
o-xDh7v x\&`>>uA 3. 结果分析
HkV1sT 3.1 指向矢分布和透过率
QB:i/9 MS(JR ~^u16z, 3.2所有畴的V-T曲线
[S.ZJUns 9jN)I(^D6 ,\ 2a=Fp 3.3不同电压透过率图,为了方便查看,对每一个电压下的图例范围都初始化,请注意图例颜色轴的范围
D'Z|}(d& %8*64T")