1. 建模任务
V#sANi?mpo 1.1
模拟条件
geT<vh Z6 模拟区域:0~10
'9RHwKu&s 边界条件:Periodic
Wc+ e>* 偏移
角度:12°(Domain A),-12°(Domain B)
\w`Il"}V 单位长度:0.5
L-=^GNh *9*I:Uh57
'rd{fe_g! 1.2堆栈
结构 =>BT]WK> `Y+p7*Qr2 2. 建模过程
"h)+fAT|, 2.1设置模拟条件
>Axe7<l t,RR\S
7AtJ6 2.2创建堆栈结构,修改各层
参数 p%,JWZ[ O0~[]3Y[= 1_<'S34 2.3创建掩膜并生成多畴结构
^mG-O 7$b78wax 3. 结果分析
6idYz"P % 3.1 指向矢分布和透过率
<hS >L1ZSr B\N,%vsx#U L18Olu 3.2所有畴的V-T曲线
\N;s@j W jIuE1ve 'JRkS'ay 3.3不同电压透过率图,为了方便查看,对每一个电压下的图例范围都初始化,请注意图例颜色轴的范围
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