1. 建模任务
]j57Gk%z 1.1
模拟条件
n0tVAH'> 模拟区域：0~10
6;#Rd| 边界条件：Periodic
6>j0geFyE2 偏移
角度：12°（Domain A），-12°（Domain B）
W;!)Sj4<T! 单位长度：0.5
q1vsvL9Q -1c{Jo 
j xTYW)E 1.2堆栈
结构 i'`[dwfS dI)
9@UL 2. 建模过程
jRNDi_u?Wb 2.1设置模拟条件
&@/25Y2 m$}Jw< .W 
gMUCVKGf 2.2创建堆栈结构，修改各层
参数 E 9v<VoNP` ^{l$>e] `F4gal^ ^ 2.3创建掩膜并生成多畴结构
!nt [J$.z^ =uD^#AX 3. 结果分析
mk]8}+^. 3.1 指向矢分布和透过率
^@OdY& 5^ =9L1Z \f a/dq+ 3.2所有畴的V-T曲线
m\e?'-( s t(:w):zE >S'IrnH'! 3.3不同电压透过率图，为了方便查看，对每一个电压下的图例范围都初始化，请注意图例颜色轴的范围
9q_c` Y[Eq;a132
