1. 建模任务
Senb_? 1.1
模拟条件
?UBhM,;XK 模拟区域:0~10
iu+rg(*% 边界条件:Periodic
G|LcTV 偏移
角度:12°(Domain A),-12°(Domain B)
D {N,7kT 单位长度:0.5
~+&Z4CYb l.%[s6 - -ZSl
1.2堆栈
结构 %-O[%Dy v]U0@#/p 2. 建模过程
_8s1Wh G 2.1设置模拟条件
a+e8<fM yT m<GJ1)%3i K&;;{~md.
2.2创建堆栈结构,修改各层
参数 E-b3#\^: KB a
tS
sDW!!M 2.3创建掩膜并生成多畴结构
WXX08" (k<__W c_t 3. 结果分析
,7^,\ ,-m 3.1 指向矢分布和透过率
:M\3.7q VN
>X/ ]oE:p 3.2所有畴的V-T曲线
A>Xt 5vk+ |YK4V(5x C^9bur/ 3.3不同电压透过率图,为了方便查看,对每一个电压下的图例范围都初始化,请注意图例颜色轴的范围
4qg]
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