1. 建模任务
FxX3Pq8h 1.1
模拟条件
5;
[|k$ v 模拟区域:0~10
q$rA-`jw 边界条件:Periodic
Y]K]]Ehp 偏移
角度:12°(Domain A),-12°(Domain B)
Av>j+O ; 单位长度:0.5
1n(}Q1fa * _lo; xm0#4GFUS 1.2堆栈
结构 y;Ln ao7i kw:D~E( 2. 建模过程
\87J~K' 2.1设置模拟条件
I?g__u=n~ MEnHC'nI AS_+}*WSFQ 2.2创建堆栈结构,修改各层
参数 }2A1Yt:^P AJd.K'=8 U(=9&c@] 2.3创建掩膜并生成多畴结构
m =,c,*> 786_QV 3. 结果分析
5l/l] 3.1 指向矢分布和透过率
Z*>/@ J} LC\:xia{X XW Q0V 3.2所有畴的V-T曲线
KBqaI(( cu?(P;mQi {/xs9.8:JX 3.3不同电压透过率图,为了方便查看,对每一个电压下的图例范围都初始化,请注意图例颜色轴的范围
DjzBG*f/ gNN"
H#=2