1. 建模任务
OM?FpRVU8 1.1
模拟条件
sq{=TB{ 模拟区域:0~10
ca<OG;R^ 边界条件:Periodic
LjCUkbzQF 偏移
角度:12°(Domain A),-12°(Domain B)
=
( 4l 单位长度:0.5
QXEz[R 9D]bCi\
mC}
b>\ 1.2堆栈
结构 QYc/f"9 B*:W`}G]_c 2. 建模过程
lUd4`r" 2.1设置模拟条件
BAojP1}+, BvP++,a&Sa
'm0_pM1:D 2.2创建堆栈结构,修改各层
参数 jH k.]4&0 %LBf'iA )M*Sg?L 2.3创建掩膜并生成多畴结构
9r>iP L2H r4Xaa< 3. 结果分析
{t|Q9& 3.1 指向矢分布和透过率
ce:wF#Qs .rQcg.8/B +2>, -V 3.2所有畴的V-T曲线
N
;Cs? C w5=<}1`St gfiFRwC`v 3.3不同电压透过率图,为了方便查看,对每一个电压下的图例范围都初始化,请注意图例颜色轴的范围
`NfwW: f.0HIc