1. 建模任务
$ WFhBak8 1.1
模拟条件
Ry%YM,K3 模拟区域:0~10
mvf
_@2^ 边界条件:Periodic
p6blD-v 偏移
角度:12°(Domain A),-12°(Domain B)
c=t*I0-OVS 单位长度:0.5
@bQ!zCI Kpu<rKP`
`p"U 1.2堆栈
结构 l Z~+u s4IKSX 2. 建模过程
$T)d!$ 2.1设置模拟条件
x\;GoGsez #6FaIq92V
0P:F97"1, 2.2创建堆栈结构,修改各层
参数 59qnEIi WB"$u2{|i mSj76'L# 2.3创建掩膜并生成多畴结构
!`h~`-]O I;iR(Hf)?q 3. 结果分析
VEo^ :o)r 3.1 指向矢分布和透过率
&(\@sxAyZ wR1K8b".DC >\-3P$ 3.2所有畴的V-T曲线
y%g`FC ,yi2O]5e>! = P8~n2V 3.3不同电压透过率图,为了方便查看,对每一个电压下的图例范围都初始化,请注意图例颜色轴的范围
9_`3IJ K-Y*T}?