1. 建模任务
eCbf9B 1.1
模拟条件
{=:#S+^ER 模拟区域:0~10
i\?*=\a 边界条件:Periodic
#&.]"
d 偏移
角度:12°(Domain A),-12°(Domain B)
Ww3wsy x 单位长度:0.5
VRng=, i?@M #$ thPZ 1.2堆栈
结构 w|Cx>8P8@ "eAy^, 2. 建模过程
P1>AOH2yG 2.1设置模拟条件
]c)_&{:V b{M7w R3.*dqo$ 2.2创建堆栈结构,修改各层
参数 (K..k-o`. B}?IEpYp |Bo .4lX 2.3创建掩膜并生成多畴结构
PgM (l3x yx{3J
3. 结果分析
dR^"X3$ 3.1 指向矢分布和透过率
D1s4`V - *Ust[u M" lg%j 3.2所有畴的V-T曲线
b-5y9 K m6mwyom. _D7 ]-3uC! 3.3不同电压透过率图,为了方便查看,对每一个电压下的图例范围都初始化,请注意图例颜色轴的范围
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