1. 建模任务
Ou5,7Ne 1.1
模拟条件
"ZR^w5 模拟区域:0~10
=SK{|fBB 边界条件:Periodic
Senb_? 偏移
角度:12°(Domain A),-12°(Domain B)
w1,6%?p(O 单位长度:0.5
P~@.(hed qlg?'l$03)
f}:W1&LhI? 1.2堆栈
结构 iUOGuiP AkX8v66:
2. 建模过程
aMO+y91Y( 2.1设置模拟条件
.]LP327u 2X`5YN;
icXeB_&cS 2.2创建堆栈结构,修改各层
参数 @YI-@ kWxcB7)uk sSsRn*LN-: 2.3创建掩膜并生成多畴结构
!3Ed0h]Bfa F(;95TB 3. 结果分析
R zn%!d^$> 3.1 指向矢分布和透过率
8+8P{_ ;oJCV"y6$ 2|}KBny 3.2所有畴的V-T曲线
q":0\ar&QT jB0ED0)wX /u pDbP.O 3.3不同电压透过率图,为了方便查看,对每一个电压下的图例范围都初始化,请注意图例颜色轴的范围
a{4RG(I_ jbs)]fqC;