1. 建模任务
be.*#[ 1.1
模拟条件
%5(I/zB 模拟区域:0~10
'@_d(N1jTw 边界条件:Periodic
YNQY4\( 偏移
角度:12°(Domain A),-12°(Domain B)
Gefne[ 单位长度:0.5
k$blEa4 gEy?s8_,
,U2*FZ[" 1.2堆栈
结构 A1O'|7X M/b Sud?@% 2. 建模过程
]s<[D$ <, 2.1设置模拟条件
AE[b},-[ e"|efE
hgPa6Kd 2.2创建堆栈结构,修改各层
参数 {*G9|#[/@ ZrpU <
*\
R ]NV 2.3创建掩膜并生成多畴结构
b3=rG(0f H?yK~bGQ 3. 结果分析
MTuV^0%jD 3.1 指向矢分布和透过率
Tp/6,EE 9jM}~XvV C5o#i*| 3.2所有畴的V-T曲线
ekWD5,G 0X6YdW _2X ;U/&I3dzV 3.3不同电压透过率图,为了方便查看,对每一个电压下的图例范围都初始化,请注意图例颜色轴的范围
Z^3rLCa >g1~CEMN#