1. 建模任务
)/Oldyp 1.1
模拟条件
3;R`_#t+ 模拟区域:0~10
.I%B$eH 边界条件:Periodic
/'^BHA|h 偏移
角度:12°(Domain A),-12°(Domain B)
j?VHR$ 单位长度:0.5
^MVOaV65 P1<McQ #z}0]GJKj 1.2堆栈
结构 ScRK1 8yM8O
#S 2. 建模过程
bG+Gg*0p 2.1设置模拟条件
{ea*dX872: &iT^IkA{ zR?1iV.] 2.2创建堆栈结构,修改各层
参数 qJw\<7m /mwDVP<z / 2~hQ 2.3创建掩膜并生成多畴结构
D3y4e8+Z' _:JV-lM 3. 结果分析
^UyN)eX 3.1 指向矢分布和透过率
Pt'=_^Io lo36b zbT c$_} 3.2所有畴的V-T曲线
>"Zn#
FY tR_DN /K_*Drk> 3.3不同电压透过率图,为了方便查看,对每一个电压下的图例范围都初始化,请注意图例颜色轴的范围
;XXEvRk Vc+~yh.)