1. 建模任务
v-OGY[|97 1.1
模拟条件
LhV4 ^\+ 模拟区域:0~10
|!IJ/ivEgw 边界条件:Periodic
TvM{ QGN 偏移
角度:12°(Domain A),-12°(Domain B)
;|9VPv/ 单位长度:0.5
lWnV{/q\X &
}k=V4L
Zj`eR\7~ 1.2堆栈
结构 tk_y~-xz .[K{;^> 2. 建模过程
vP&*(WfO) 2.1设置模拟条件
zIRa%%.i< ilFM+x@
?Vt$ 2.2创建堆栈结构,修改各层
参数 "@`M>)*o q@Q|oB0W$) I+u=H2][2 2.3创建掩膜并生成多畴结构
Fi*6ud\n! Z<ke!H 3. 结果分析
I0)iC[s8; 3.1 指向矢分布和透过率
oHeo]<Fbv jY ^ndr0; B[b'OtH 3.2所有畴的V-T曲线
`.[hOQ7 FcfN]! }yB@? 3.3不同电压透过率图,为了方便查看,对每一个电压下的图例范围都初始化,请注意图例颜色轴的范围
zU1rjhv+ <-FZ-asem