摘要
pi;'! d[l% 8~ wP? 光栅结构广泛应用于各种
光学应用场景,如
光谱仪、近眼显示
系统、脉冲整形等。快速物理光学软件VirtualLab Fusion通过使用傅里叶模态方法(FMM,也称为RCWA),为任意光栅结构的严格分析提供了通用和方便的工具。为此,复杂的一维或二维周期结构可以使用界面和调制介质进行配置,这允许任何类型的光栅形貌进行自由的配置。在此用例中,详细讨论了衍射级次的偏振态的研究。
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{e>L EaKbG> 任务说明
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"c@s gAr=fq-| 简要介绍衍射效率与偏振理论
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b'Br 某个衍射级次(𝑛)的效率表示有多少的辐射功率被衍射到这个特定的级次中。它是由复数值瑞利系数计算出来的,瑞利系数包含了每个衍射级次(矢量)电磁场的全部信息。瑞利系数本身是由FMM对光栅的特征值问题进行严格分析的结果。
PWk\#dJN& 如果在TE/TM坐标系(CS)中给出瑞利系数,则可以计算衍射效率:
oe<DP7e
hMnm> 其中,n_in/n_out为覆盖层和衬底层的折射率,ϑ_in/ϑ_out为所分析的阶次的入射角和衍射角。此外,𝐴表示辐射光的振幅。
mnL+@mm 如果瑞利系数沿𝑥、𝑦和𝑧给出瑞利系数,则必须应用以下方程:
l!mx,O`
@UQ421Z` 因此,必须考虑所给出的瑞利系数的坐标系。默认情况下,光栅坐标系中为

。
$0XR<D ;(&S1Rv9 光栅结构
参数 L30$ 研究了一种矩形光栅结构。
t-Uo 为了简化设置,选择光栅配置,只允许零阶(R_0)反射传播。
<S3s==Cg 根据上述参数选择以下光栅参数:
vEw8<<cgg 光栅周期:250 nm
|8?e4yVd 填充因子:0.5
53WCF[ 光栅高度:200 nm
X^Fc^U8 材料n_1:熔融石英(来自目录)
i
?PgYk&} 材料n_2:二氧化钛(来自目录)
s;cGf+ PUmgcMt
1YNw= 89Ir}bCr 偏振态分析
K5!OvqzG 现在,用TE偏振光照射光栅,并应用圆锥入射角(𝜑)变量。
H3LuRGe&2 如前所述,瑞利系数的平方振幅将提供关于特定级次的偏振态的信息。
yw1-4*$c 为了接收瑞利系数作为检测器的结果,需要选择光栅级次分析器件中的单个级次输出,并选择所需的系数。
+Jh1D_+!9 +w/B3b
K[yP{01 {mUt|m7! 模拟光栅的偏振态
+{0v@6<(02 /j-c29nz
-&l%CR,U [kf6bf@ 瑞利系数现在提供了偏振态的信息:
c9x&:U 在圆锥入射角为0(𝜑=0)时,

。这说明衍射光是完全偏振的。
,b4oV 对于𝜑=22°,

。此时,67%的光是TM偏振的。
_L+j6N.h1 对于𝜑>50°,系数接近为常数,因此偏振态也是常数。
WPAT\Al&AE u+^KP>rM( Passilly等人更深入的光栅案例。
1,P\dGmu Passilly等人的工作研究并
优化了亚
波长光栅下衍射光谱的偏振态,以获得不同状态之间的高度转换。
}U ' 因此,他们将模拟结果与制作样品的测量数据进行了比较。
Y"L |D,ex #p
;O3E@
3CH>!QOA OG9 '[o`8 光栅结构参数
U\(71= 在本文中,研究了两种不同的制备光栅结构。
$[Q;{Q 由于加工造成的光栅的理想二元形状的一些偏差是可以预料的,而且确实可以观察到:在基板和侧壁上存在不完全平行的欠刻蚀部分。
w' E(9gV 由于缺少关于制作结构的细节,我们将其简化为VirtulLab Fusion中的模拟。
>#)%/Ti}DU 但是如果有可用数据,就可以详细分析光栅的复杂形状。
%o5'M^U
Mh{244|o[ >qs/o$+t} 光栅#1——参数
H+Aidsn 假设侧壁倾斜为线性。
&u~Pp=kv 忽略了衬底中的欠刻蚀部分。
4/%Y@Z5 为了实现光栅脊的梯形形状,采用了倾斜光栅介质。
AGm=0Om 光栅周期:250 nm
TOhWfl; 光栅高度:660 nm
mx#%oJnsi 填充因子:0.75(底部)
#m17cDL 侧壁角度:±6°
N\];{pe> n_1:1.46
\E[6wB>uN% n_2:2.08
9J?lNq ,"Fl/AjO
_a f $0! 8
/%{xB^ 光栅#1——结果
g)R 2V 这两幅图对比之下匹配度很高,特别是图表的趋势。
@v#,SF { 与参考文献相比,仿真中光栅结构进行了简化,存在一些小的偏差。由于缺乏关于实际的更详细的光栅结构的数据,这种简化是必要的。
684|Uuf7 zvVo-{6
`a!9_%|8 {
0-on"o 光栅#2——参数
\7%#4@;? 假设光栅为矩形。
T9XUNR{& 忽略了衬底中的欠刻蚀部分。
TEh.?
矩形光栅足以表示这种光栅结构。
!\$V?*p7 光栅周期:250 nm
O@4 J=P=w 光栅高度:490 nm
gO)":!_n W 填充因子:0.5
e#,(a n_1:1.46
DIw_"$'At n_2:2.08
lx=tOfj8 #]6{>n1*+w
P%H Dz ~\8(+qIv%f 光栅#2——结果
kiyc ^s 这两幅图对比之下再次显示出非常好的匹配度,特别是图表的趋势。
UfPHV%Wd 与参考文献相比,仿真中光栅结构进行了简化,存在一些小的偏差。由于缺乏关于实际的更详细的光栅结构的数据,这种简化是必要的。
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