光迅科技“一种新型结构的热调谐激光器芯片及其制作方法”专利公布

发布:cyqdesign 2024-01-02 19:22 阅读:735
据国家知识产权局公告,武汉光迅科技股份有限公司申请一项名为“一种新型结构的热调谐激光芯片及其制作方法”,公开号CN117335261A,申请日期为2022年6月。 .h[:xYm  
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专利摘要显示,本发明涉及半导体激光器芯片技术领域,提供了一种新型结构的热调谐激光器芯片及其制作方法。其中包括衬底和依次生长在衬底之上的多个功能层,具体的:在脊波导的两侧沟道分别刻蚀有导通至衬底的隔热凹槽,所述脊波导下方的至少一个功能层被挖空形成空洞隔热区域,所述空洞隔热区域的两侧与所述隔热凹槽相邻。本发明避免了芯片内部的热量散失,提高了芯片的隔温效果,从而提高芯片的热调谐效率。 25T18&R  
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最新评论

phisfor 2024-01-03 07:10
光迅科技“一种新型结构的热调谐激光器芯片及其制作方法”专利公布
牛开心 2024-01-03 08:27
本发明避免了芯片内部的热量散失,提高了芯片的隔温效果,从而提高芯片的热调谐效率。
personking 2024-01-03 08:43
[资讯]光迅科技“一种新型结构的热调谐激光器芯片及其制作方法”专利公布 [复制链接] /efUjkP  
liulin666 2024-01-03 08:46
光迅科技“一种新型结构的热调激光器芯片及其制作方式”
likaihit 2024-01-03 08:47
专利结果
redplum 2024-01-03 08:49
太厉害了
wmh1985 2024-01-03 08:53
本发明涉及半导体激光器芯片技术领域,提供了一种新型结构的热调谐激光器芯片及其制作方法。其中包括衬底和依次生长在衬底之上的多个功能层,具体的:在脊波导的两侧沟道分别刻蚀有导通至衬底的隔热凹槽,所述脊波导下方的至少一个功能层被挖空形成空洞隔热区域,所述空洞隔热区域的两侧与所述隔热凹槽相邻。本发明避免了芯片内部的热量散失,提高了芯片的隔温效果,从而提高芯片的热调谐效率。
bairuizheng 2024-01-03 08:56
看看新闻 D9df=lv mD  
churuiwei 2024-01-03 09:20
本发明涉及半导体激光器芯片技术领域,提供了一种新型结构的热调谐激光器芯片及其制作方法
liu.wade 2024-01-03 09:21
光迅科技“一种新型结构的热调激光器芯片及其制作方式”
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