日本与法国合作开发1nm制程半导体

据《日本经济新闻》报道，日本芯片制造商 Rapidus、东京大学将与法国半导体研究机构 Leti 合作，共同开发电路线宽为 1nm 级的新一代半导体设计的基础技术。 -s]@8VJA"  
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报道称，双方将从明年开始展开人员交流、技术共享，法国研究机构 Leti 将贡献其在芯片元件方面的专业技术，以构建供应 1nm 产品的基础设施。 #@F.wV0  
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双方的目标是确立设计开发线宽为 1.4nm-1nm 的半导体所需要的基础技术。制造 1nm 产品需要不同于传统的晶体管结构，Leti 在该领域的成膜等关键技术上具备较为雄厚的实力。 eg24.W9c  
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与 2nm 相比，1nm 技术可将计算性能和效率提升 10-20%。Rapidus 已经与 IBM 和比利时研发集团 Imec 合作，以实现 2027 年量产 2nm 芯片的目标，预计 1nm 半导体最快在 2030 年代进入主流。同时，IBM 也考虑在 1nm 领域与 Rapidus 进行合作。 DKF '*  
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另据IT之家此前报道，荷兰大型半导体制造设备厂商 ASML 将在 2024 年下半年之前在日本北海道新建技术支持基地。Rapidus 公司正在力争量产最先进半导体，ASML 将为 Rapidus 提供工厂建设和维护检查等协助，到 2028 年前后将日本国内人员增加 40%。