镀膜工艺:1.AL2O3+H4+AL2O3+H4+AL2O3+H4+MGF2(高温镀膜:320度,无IAD,有这种现状)
<;lkUU(WT2 2.SIO2+OS50+SIO2+OS50+SIO2+OS50+SIO2(高温镀膜:120度,IAD,有这种现状)
QRw"H 8nW z[N`s$;
aHD]k8m z RTYvS5G
!M(xG%M-V &s(^@OayE 镀膜要求:440-660nmRabs<0.3% AOI:5°
rm7ANMB: 镀膜下机确认无这种现象,放置24H后,表面开始吸附东西。