镀膜工艺:1.AL2O3+H4+AL2O3+H4+AL2O3+H4+MGF2(高温镀膜:320度,无IAD,有这种现状)
c"0CHrd 2.SIO2+OS50+SIO2+OS50+SIO2+OS50+SIO2(高温镀膜:120度,IAD,有这种现状)
8K1+ttjm kW/ksz0) R?]>8o, LFh(.
} {`1zVT p[< %0"o(y+zt 镀膜要求:440-660nmRabs<0.3% AOI:5°
-98bX]8 镀膜下机确认无这种现象,放置24H后,表面开始吸附东西。