镀膜工艺:1.AL2O3+H4+AL2O3+H4+AL2O3+H4+MGF2(高温镀膜:320度,无IAD,有这种现状)
8V}|(b# 2.SIO2+OS50+SIO2+OS50+SIO2+OS50+SIO2(高温镀膜:120度,IAD,有这种现状)
x`FTy&g _3D9>8tzE7
@87Y/_l \q*-9_M
X.S<",a{qz 9a=>gEF],@ 镀膜要求:440-660nmRabs<0.3% AOI:5°
7G^Q2w 镀膜下机确认无这种现象,放置24H后,表面开始吸附东西。