镀膜工艺:1.AL2O3+H4+AL2O3+H4+AL2O3+H4+MGF2(高温镀膜:320度,无IAD,有这种现状)
0UJ`<Bfd 2.SIO2+OS50+SIO2+OS50+SIO2+OS50+SIO2(高温镀膜:120度,IAD,有这种现状)
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"yTh + = 2.D!4+& 镀膜要求:440-660nmRabs<0.3% AOI:5°
rcx;3Vne 镀膜下机确认无这种现象,放置24H后,表面开始吸附东西。