镀膜工艺:1.AL2O3+H4+AL2O3+H4+AL2O3+H4+MGF2(高温镀膜:320度,无IAD,有这种现状)
d=B
DR^/wA 2.SIO2+OS50+SIO2+OS50+SIO2+OS50+SIO2(高温镀膜:120度,IAD,有这种现状)
D9|?1+Kc )=)=]|3 "T_OLegdK CdN,R"V0$@ pWwB<F K(M@#t1_& 镀膜要求:440-660nmRabs<0.3% AOI:5°
*8*E\nZx! 镀膜下机确认无这种现象,放置24H后,表面开始吸附东西。