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01 说明 *aW:Z6N Pl\ NzB,` 本文旨在介绍Ansys Lumerical针对有源光子集成电路中PN耗尽型移相器的仿真分析方法。通过FDE和CHARGE求解器模拟并计算移相器的性能指标（如电容、有效折射率扰动和损耗等），并创建用于INTERCONNECT的紧凑模型，然后将其表征到INTERCONNECT的测试电路中实现，模拟反向偏置电压对电路中信号相移的影响。 bXi(]5 L @"&s#~=3  T/234;Uf| @%BsQm 02 综述 wC?>,LOl N qS]dH61  S$ n? _$_ ,r H 这里假设移相器的结构沿光传播方向是均匀的，因此仅模拟器件的横截面。我们将演示每个部分的仿真及结果。 _N:GZLG + CN! 3(r 步骤1：电学模拟 ]Z?jo# F gH
yJ~ 利用CHARGE求解器对移相器组件进行电学模拟，获得电荷载流子的空间分布作为偏置电压的函数，并将电荷分布数据导出为charge.mat文件。根据载流子浓度，我们也可以估计器件电容。 2Mu@P8O& I,W `s 施加于器件的偏置电压为0V(上)和-4V(下)时，移相器横截面的电子分布曲线如下图所示： qSt \ 6~ M|fC2[]v B  RTr"#[ W`uq,r0Xsy  %7[q%S MM6PaD{ 由图可知，在没有施加偏置电压情况下，波导横截面上的电荷分布是对称的。通过施加足够强的反向偏压，由于pn结上耗尽区的加宽，电子被部分推出波导(向左)，导致波导上电荷分布发生相当显著的变化。 Q^*4FH!W u#UtPF7q 电荷分布和耗尽区宽度的变化将改变结电容，器件的C-V曲线如下图所示：
&H[7UyC liM w( F2  ,P%i%YPj 5mX^{V&^ 由图可知，电子和空穴对结电容的贡献非常相似，且由于耗尽区加宽，随着施加更高的反向偏置电压，二者对结电容的贡献降低。电容的大小会影响移相器的工作速度(带宽)，因此可以在电路模型中考虑这种影响。 WO6R04+WV Qb|@D Mq% 步骤2：光学模拟 .}Eckqkp Ibg~.>.u{ 利用MODE求解器中的FDE模块进行光学模拟，从电学模拟获得的变化的载流子浓度改变了波导的折射率，所以波导的有效折射率与偏置电压有关。将第一步得到的电荷分布数据charge.mat加载到FDE求解器中，这里需要两个模拟来表征波导。 "}vxHN# *7w!~mn[m ·偏置电压设置为0，使用频率扫描获得波导在0偏压的有效折射率关于频率的函数，波导数据导出为ps_active_0.ldf。 9_O6Sl ·使用Sweep进行电压参数扫描，计算中心波长处的有效折射率和损耗随偏置电压的变化，数据导出为neff_V.dat。 ~O Wpk)Vq m d `=2l 有效折射率、损耗和偏置电压的关系曲线以及模场分布如下图所示： <}T7;knO "7eL&  9/_~YY=/h (|>rDk;  r
uIgo B ^ *w}+tB  |{JI=$ @_wJN Qo` 由图可知，较大的反向偏置引起较高的有效折射率扰动和较低的损耗。这是因为施加了反向偏压后，波导内自由载流子的耗尽会减少沿波导方向的光吸收量，较高的折射率扰动可以减小移相器实现π相移所需的长度。在-4V偏压下，移相器在1550 nm下的TE模被很好地限制在波导内，与波导内的载流子分布显著重叠，这可以显著地影响模式的有效折射率。 ?aI. Z+# )2 Bb,p<Wr 步骤3：电路模拟 G[6i\Et Lrmhr3
w5 将步骤2中的仿真结果加载到INTERCONNECT电路中的相关元件中，利用INTERCONNECT测试移相器元件在简单电路中的性能，使用光网络分析仪计算器件的频域响应。 p[ &b@U# a?xZsR  +,cd$, 18 {$#88Qa\- 不同偏置电压下的相移曲线如下图所示： 'j-U=2,n 4)8e0L*[B?  G1\F7A %w?C)$Kn\ 由图可知，随着偏置电压的变化，相位发生了变化。仿真结果表明，对于 500 微米的长度，在 4 伏偏置电压下相移约为 0.2 弧度，这表明移相器的 Vπ.Lπ 品质因数约为 0.03 Vm。
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