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01 说明 .Xz"NyW pD_eo6xX 本文旨在介绍Ansys Lumerical针对有源光子集成电路中PN耗尽型移相器的仿真分析方法。通过FDE和CHARGE求解器模拟并计算移相器的性能指标(如电容、有效折射率扰动和损耗等),并创建用于INTERCONNECT的紧凑模型,然后将其表征到INTERCONNECT的测试电路中实现,模拟反向偏置电压对电路中信号相移的影响。 1\J1yOL +6)kX4 \3(|c#c :mV7)oWH 02 综述 dms:i)L2 }%ZG>LG5J `MYK XBM '"fU2M<. 这里假设移相器的结构沿光传播方向是均匀的,因此仅模拟器件的横截面。我们将演示每个部分的仿真及结果。 g yH7((#i 3G/ mB 步骤1:电学模拟 ))69a -k[tFBlw 利用CHARGE求解器对移相器组件进行电学模拟,获得电荷载流子的空间分布作为偏置电压的函数,并将电荷分布数据导出为charge.mat文件。根据载流子浓度,我们也可以估计器件电容。
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