《光学光刻和极紫外光刻》

发布:cyqdesign 2023-04-12 19:25 阅读:5809
光学光刻和极紫外光刻》是一本最新的光刻技术专著,内容涉及该领域的各个重要方面。在介绍光刻技术应用上,涵盖了全面又丰富的内容;在论述光刻技术的物理机制和数学模型时,采用了完整而不繁琐的方法,增加了可读性。本书在系统地阐述了光学光刻技术的基本内容后,还专门开辟章节,介绍了最先进的极紫外光刻技术的特点和难点,揭示了极紫外光刻的技术奥秘。本书具有全面、完整、翔实和新颖的特点,它凝聚了作者三十多年光刻领域科研和教学的精华。 =Nyq1~   
({"jL*S,q  
|OgtAI9  
KdBE[A-1^M  
cO&(&*J r  
第1章光刻工艺概述 scXY~l]I*  
1.1微型化: 从微电子到纳米技术_1 2J>v4EWC  
1.2光刻技术的发展史_3 )D_\~n/5  
1.3投影光刻机的空间成像_5 anM]khs?  
1.4光刻胶工艺_10 td}%reH  
1.5光刻工艺特性_12 _LVi}mM  
1.6小结_18 Tz PG(f  
参考文献_18 3lkz:]SsE  
OoG Nij  
第2章投影光刻的成像原理 2{- };  
2.1投影光刻机_20 PVNDvUce  
2.2成像理论_21 a#U2y"  
2.2.1傅里叶光学描述_21 g>@T5&1q*  
2.2.2倾斜照明与部分相干成像_26  ZQY]c  
2.2.3其他成像仿真方法_30 c.<bz  
2.3阿贝瑞利准则及其影响_30 M%U1?^j8  
2.3.1分辨率极限和焦深_31 EF Z]|Z7  
2.3.2影响_36 vtm?x,h  
2.4小结_39 R#K,/b%SV  
参考文献_39 *bOgRM[  
oqXs2F  
第3章光刻胶 JB}jt)ol%  
3.1光刻胶概述、常规反应原理和现象学描述_42 []\=(Uc;  
3.1.1光刻胶的分类_42 Vo G`@^s  
3.1.2基于重氮萘醌的光刻胶_45 >[$j(k^  
3.1.3先进的正型化学放大光刻胶_46 {.,-lFb\  
3.1.4现象学模型_48 ./Y5Vk#Rp\  
3.2光刻胶工艺步骤和建模方法_50 I(bxCiRV  
3.2.1技术方面_50 +\Zr\fOe|%  
3.2.2曝光_51 Q5kf-~Jx+  
3.2.3曝光后烘焙_54 v` G[6Z  
3.2.4化学显影_58 i_[nW  
3.3建模方法和紧凑光刻胶模型概述_61 dTATJ)NH  
3.4负型与正型光刻胶材料和工艺_65 y)Y0SY1\j  
3.5小结_68 l-~ o&n  
参考文献_69 a7Xa3 vlpO  
h#e((j3-2Z  
第4章光学分辨率增强技术 rQrh(~\:  
4.1离轴照明_74 y} .?`/Q#  
4.1.1线空图形的最佳离轴照明形态_76 x_k @hGSC  
4.1.2接触孔阵列的离轴照明_78 6 _Cc+}W  
4.1.3从传统/参数化的照明形态到自由照明形态_80 HZ_,f"22  
4.2光学邻近效应校正_81 )<>1Q{j@  
4.2.1孤立密集线宽偏差补偿_82 qs Uob   
4.2.2线端缩短补偿_84 v\#1&</qd^  
4.2.3从基于规则到基于模型的OPC和反演光刻技术_85 K:<0!C!  
4.2.4OPC模型和工艺流程_88 #rps2nf.j  
4.3相移掩模_89 y%wjQC 0~  
4.3.1强相移掩模: 交替型相移掩模_90 d i;Fj  
4.3.2衰减型或弱相移掩模_97 ]"T1clZKd(  
4.4光瞳滤波_100 'Cq)/}0  
4.5光源掩模协同优化_102 _d J"2rx  
4.6多重曝光技术_106 GcHy`bQbiX  
4.7小结_109 r ?e''r  
参考文献_110 +{7/+Zz  
@D3|Ak1  
第5章材料驱动的分辨率增强 asLvJ{d8s  
5.1分辨率极限的回顾_115 /Y7Yy jMi  
5.2非线性双重曝光_119 ]Av)N6$&-Z  
5.2.1双光子吸收材料_119 #[<XN s!"  
5.2.2光阈值材料_120 :krdG%r  
5.2.3可逆对比增强材料_121 b-Uy&+:X*d  
5.3双重和多重成形技术_124 k% -S7iQ  
5.3.1光刻刻蚀光刻刻蚀_124 >'MT]@vez  
5.3.2光刻固化光刻刻蚀_125 (G#QRSXc\  
5.3.3自对准双重成形_126 V']{n7a-  
5.3.4双色调显影_127 \c .^^8r  
5.3.5双重和多重成形技术的选项_128 Q=}U  
5.4定向自组装_129 `;\<Fr  
5.5薄膜成像技术_133 Bq# l8u  
5.6小结_135 [\|p~Qb)s  
参考文献_135 VW%eB  
RY\[[eG  
第6章极紫外光刻 V39`J*fI  
6.1EUV光源_141 6.0/asN}  
6.2EUV和多层膜中的光学材料特性_143 nUy2)CL[L  
6.3EUV掩模_146 ' Akt5q  
6.4EUV曝光设备和图像形成_151 `{ 6K~(  
6.5EUV光刻胶_156 ~ V:@4P  
6.6EUV掩模缺陷_157 ^~65M/  
6.7EUV光刻的光学分辨率极限_161 5m(V(@a3  
6.7.16.xnm波长的超极紫外光刻_162 ?A\[EI^  
6.7.2高数值孔径EUV光刻_162 w<54mGMOLr  
6.7.3低k1技术: EUV光刻的光学分辨率增强技术_166 o$[alh;c+W  
6.8小结_167 YS|Ve*t(L=  
参考文献_168 q<2b,w==  
z~R:!O-  
第7章投影成像以外的光刻技术 x]X!nx6G  
7.1非投影式光学光刻: 接触式和接近式光刻_176 0)Wrfa  
7.1.1图像形成和分辨率限制_176 }o  {6  
7.1.2技术实现_179 qEW3k),  
7.1.3先进的掩模对准光刻_182 )8244;  
7.2无掩模光刻_186 7z@Jw  
7.2.1干涉光刻_186 x[w!buV0\  
7.2.2激光直写光刻_189 hZ;[}5T\<S  
7.3无衍射限制的光刻_194 p0b2n a !  
7.3.1近场光刻_195 XSDudL  
7.3.2利用光学非线性_198 DFUW^0N  
7.4三维光刻_203 99]&Xj  
7.4.1灰度光刻_203  Q&d"uLsx  
7.4.2三维干涉光刻_205 ' 6#en9{L  
7.4.3立体光刻和三维微刻印_206 x,~ys4  
7.5浅谈无光刻印_209 D3MRRv#  
7.6小结_210 MPxe|Wws  
参考文献_211 N%K%0o-  
nsM :\t+ p  
第8章光刻投影系统: 高级技术内容 41'|~3\X  
8.1实际投影系统中的波像差_220 M6mJ'Q482  
8.1.1波像差的泽尼克多项式表示_221 pk&;5|cCD  
8.1.2波前倾斜_226 7yDWcm_y  
8.1.3离焦像差_226 ?~_[/  
8.1.4像散_228 I_\#(  
8.1.5彗差_229 >I^_kBa  
8.1.6球差_231 (uk-c~T!u  
8.1.7三叶像差_233 ow!NH,'Hy  
8.1.8泽尼克像差小结_233 x_K8Gr#Z0  
8.2杂散光_234 6 $k"B/k  
8.2.1恒定杂散光模型_235 u#&ZD|  
8.2.2功率谱密度(PSD)杂散光模型_236 ivb?B,Lz0  
8.3高数值孔径投影光刻中的偏振效应_239 TTSyDl  
8.3.1掩模偏振效应_240  q(C <w  
8.3.2成像过程中的偏振效应_241 0K *|B.O  
8.3.3光刻胶和晶圆堆栈界面的偏振效应_243 +YA,HhX9  
8.3.4投影物镜中的偏振效应和矢量成像模型_246 i;GF/pi  
8.3.5偏振照明_248 zZ11J0UI  
8.4投影光刻机中的其他成像效应_250 8qi6>}A  
8.5小结_250 e71dNL'$  
参考文献_251 ys#V_ysb  
:w+2L4lGs  
第9章光刻中的掩模和晶圆形貌效应 4U1!SR]s  
9.1严格电磁场仿真的方法_256 >Y\$9W=t  
9.1.1时域有限差分法_257 pm 4"Q!K  
9.1.2波导法_260 gq+|Hr  
9.2掩模形貌效应_262 0:SR29(p1  
9.2.1掩模衍射分析_263 i4XE26B;e  
9.2.2斜入射效应_266 \j$q';9p  
9.2.3掩模引起的成像效应_268 s?g`ufF.t  
9.2.4EUV光刻中的掩模形貌效应及缓解策略_272 )PNeJf|@  
9.2.5各种三维掩模模型_277 jZ5 mpYUO  
9.3晶圆形貌效应_279 >cE@m=[  
9.3.1底部抗反射涂层的沉积策略_279 BnL[C:|  
9.3.2靠近栅极的光刻胶底部残余_281 NGYUZ\m  
9.3.3双重成形技术中的线宽变化_282 2 u{"R  
9.4小结_283 _K#LOSMfj/  
参考文献_283 "B~ow{3  
PI5a 'k0F  
第10章先进光刻中的随机效应 0';U3:=i,  
10.1随机变量和过程_288 ^q$m>|KI  
10.2现象_291 `]0E)  
10.3建模方法_294 REe<k<>p~  
10.4依存性及其影响_297 u*aFWl]=  
10.5小结_299 9t1aR*b&@  
参考文献_299 MBO3y&\S4  
专业词汇中英文对照表 _?+gfi+  
-S7y1 )7  
关键词: 光刻
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最新评论

谭健 2023-05-21 15:58
好书籍,不错的分享 Y@+e)p{  
helengalaxy 2023-09-14 21:38
感谢分享
头哥给我球 2023-11-03 14:31
非常感谢楼主的分享,nice
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