《光学光刻和极紫外光刻》

发布:cyqdesign 2023-04-12 19:25 阅读:4564
光学光刻和极紫外光刻》是一本最新的光刻技术专著,内容涉及该领域的各个重要方面。在介绍光刻技术应用上,涵盖了全面又丰富的内容;在论述光刻技术的物理机制和数学模型时,采用了完整而不繁琐的方法,增加了可读性。本书在系统地阐述了光学光刻技术的基本内容后,还专门开辟章节,介绍了最先进的极紫外光刻技术的特点和难点,揭示了极紫外光刻的技术奥秘。本书具有全面、完整、翔实和新颖的特点,它凝聚了作者三十多年光刻领域科研和教学的精华。 =5`@:!t7  
Q8x{V_Pot  
4I*Mc%dD  
`k&K"jA7$  
qJA.+q.e$e  
第1章光刻工艺概述 sJoi fl 7  
1.1微型化: 从微电子到纳米技术_1 DKl7|zG4  
1.2光刻技术的发展史_3 50&F#v%YB  
1.3投影光刻机的空间成像_5 ~N9-an  
1.4光刻胶工艺_10 6\;1<Sw*  
1.5光刻工艺特性_12 YZl%JX  
1.6小结_18 ^rwSbM$  
参考文献_18 _w;+Jh  
dLf8w>i`T  
第2章投影光刻的成像原理 fO^6q1a  
2.1投影光刻机_20 Bx- ,"Z \  
2.2成像理论_21 Aa>gN  
2.2.1傅里叶光学描述_21 K]8wW;N4  
2.2.2倾斜照明与部分相干成像_26 !h!9SE  
2.2.3其他成像仿真方法_30 ts<dUO  
2.3阿贝瑞利准则及其影响_30 Td*Oljj._U  
2.3.1分辨率极限和焦深_31 .,Qnn}:l  
2.3.2影响_36 ?MM3LA! <  
2.4小结_39 Fz&ilB  
参考文献_39 Qiw4'xQm  
TEyx((SK  
第3章光刻胶 J~3T8e#  
3.1光刻胶概述、常规反应原理和现象学描述_42 gF6j6  
3.1.1光刻胶的分类_42 Ok&>[qu  
3.1.2基于重氮萘醌的光刻胶_45 b:Kw_Q  
3.1.3先进的正型化学放大光刻胶_46 ]Cn*C{  
3.1.4现象学模型_48 EAw#$Aq=  
3.2光刻胶工艺步骤和建模方法_50 *"FLkC4  
3.2.1技术方面_50 v8bl-9DQ  
3.2.2曝光_51 !`[I>:Ex  
3.2.3曝光后烘焙_54 ""3m!qn#  
3.2.4化学显影_58 ~88 Tz+  
3.3建模方法和紧凑光刻胶模型概述_61 9}cuAVI  
3.4负型与正型光刻胶材料和工艺_65 sLdUrD%  
3.5小结_68 |.O!zRm  
参考文献_69 Pmlgh&Z  
otf%kG w  
第4章光学分辨率增强技术 5`'=Ko,N  
4.1离轴照明_74 "P5bYq%0v  
4.1.1线空图形的最佳离轴照明形态_76 A}bHfn|  
4.1.2接触孔阵列的离轴照明_78 ^>8]3@ Nh  
4.1.3从传统/参数化的照明形态到自由照明形态_80 U?fN3  
4.2光学邻近效应校正_81 F[D0x26 ^  
4.2.1孤立密集线宽偏差补偿_82 QYfAf3te  
4.2.2线端缩短补偿_84 nX\]i~  
4.2.3从基于规则到基于模型的OPC和反演光刻技术_85 S~Iw?SK3  
4.2.4OPC模型和工艺流程_88 S"TMsi  
4.3相移掩模_89 LQ\ ELJj  
4.3.1强相移掩模: 交替型相移掩模_90 *C@[5#CA2z  
4.3.2衰减型或弱相移掩模_97 DJYXC,r  
4.4光瞳滤波_100 N~; khS]  
4.5光源掩模协同优化_102 &U$8zn~[k  
4.6多重曝光技术_106 9id~NNr7  
4.7小结_109 j22#Bw  
参考文献_110 _Sgk^i3v  
zLw h6^?Y  
第5章材料驱动的分辨率增强 ;q,)NAr&  
5.1分辨率极限的回顾_115 %Mng8r  
5.2非线性双重曝光_119 fE%[j?[  
5.2.1双光子吸收材料_119 xcZ%,7  
5.2.2光阈值材料_120 qIGu#zXW  
5.2.3可逆对比增强材料_121 z[\W\g*|ri  
5.3双重和多重成形技术_124 _d[2_b1  
5.3.1光刻刻蚀光刻刻蚀_124 ?FV7|)f  
5.3.2光刻固化光刻刻蚀_125 37 O#aJ,K  
5.3.3自对准双重成形_126 OKZam ik~  
5.3.4双色调显影_127 lii ]4k+z  
5.3.5双重和多重成形技术的选项_128 Stw+Dm\!  
5.4定向自组装_129 RUk<=! U  
5.5薄膜成像技术_133 _Hd1sx  
5.6小结_135 hGA!1a4 c  
参考文献_135 ,/?%y\:J  
5&HT$"H :  
第6章极紫外光刻 -S,ir  
6.1EUV光源_141 E]H   
6.2EUV和多层膜中的光学材料特性_143 Sz|Y$,  
6.3EUV掩模_146 g/ l0}%  
6.4EUV曝光设备和图像形成_151 /;<e.  
6.5EUV光刻胶_156 762o~vY6$  
6.6EUV掩模缺陷_157 ~w1{zxs  
6.7EUV光刻的光学分辨率极限_161 "6E1W,|{  
6.7.16.xnm波长的超极紫外光刻_162 nI*(a:  
6.7.2高数值孔径EUV光刻_162 n=G>y7b  
6.7.3低k1技术: EUV光刻的光学分辨率增强技术_166 RUS7Z~5  
6.8小结_167 9uw,-0*5  
参考文献_168 D]pK=247  
jA-5X?!In  
第7章投影成像以外的光刻技术 vfJ3idvo*w  
7.1非投影式光学光刻: 接触式和接近式光刻_176 +e0dV_T_>  
7.1.1图像形成和分辨率限制_176 5:l*Ib:s7  
7.1.2技术实现_179 uXQ7eXX  
7.1.3先进的掩模对准光刻_182 yZ;k@t_WRD  
7.2无掩模光刻_186 kJurUDo  
7.2.1干涉光刻_186 MdVCD^B  
7.2.2激光直写光刻_189 ?GUz?'d  
7.3无衍射限制的光刻_194 }RA3$%3  
7.3.1近场光刻_195 Bbl)3$`,  
7.3.2利用光学非线性_198 Y( 1L>4  
7.4三维光刻_203 {+ C%D'  
7.4.1灰度光刻_203 ^_*jp[!`b$  
7.4.2三维干涉光刻_205 ;.nP%jD  
7.4.3立体光刻和三维微刻印_206 P~Te+ -jX}  
7.5浅谈无光刻印_209 YQ8j  
7.6小结_210 j8[`~p b  
参考文献_211 ]cF1c90%  
W(uP`M%][0  
第8章光刻投影系统: 高级技术内容 VY+(,\ )U  
8.1实际投影系统中的波像差_220 x{NNx:T1  
8.1.1波像差的泽尼克多项式表示_221 ><;l:RGK|  
8.1.2波前倾斜_226 A*7Io4e!  
8.1.3离焦像差_226 qJ{r!NJJ 8  
8.1.4像散_228 f?=r3/AO  
8.1.5彗差_229 c&7Do}  
8.1.6球差_231 ="3a%\  
8.1.7三叶像差_233 vQ-i xh  
8.1.8泽尼克像差小结_233 %_B:EMPd  
8.2杂散光_234 '2|1%NSW9  
8.2.1恒定杂散光模型_235 Bs+c2R  
8.2.2功率谱密度(PSD)杂散光模型_236 JqI6k6~Q^  
8.3高数值孔径投影光刻中的偏振效应_239 v87$NQvwQ  
8.3.1掩模偏振效应_240 M1AZ}b c0]  
8.3.2成像过程中的偏振效应_241 6}VUD -}B  
8.3.3光刻胶和晶圆堆栈界面的偏振效应_243 .9T.3yQ  
8.3.4投影物镜中的偏振效应和矢量成像模型_246 o &BPG@n  
8.3.5偏振照明_248 hAV2F #  
8.4投影光刻机中的其他成像效应_250 4R& *&GZ#  
8.5小结_250 hl AR[]  
参考文献_251 KWFyw>*)  
Sk8%(JD7  
第9章光刻中的掩模和晶圆形貌效应 \We"?1^  
9.1严格电磁场仿真的方法_256 `fQM  
9.1.1时域有限差分法_257 'RDWU7c9]  
9.1.2波导法_260 La`h$=#`  
9.2掩模形貌效应_262 R#Y50h zT  
9.2.1掩模衍射分析_263 jZXVsd  
9.2.2斜入射效应_266 uz*d^gr}  
9.2.3掩模引起的成像效应_268 \e?.h m q  
9.2.4EUV光刻中的掩模形貌效应及缓解策略_272 OOCQsoN  
9.2.5各种三维掩模模型_277 n_<mPU  
9.3晶圆形貌效应_279 Y.DwtfE  
9.3.1底部抗反射涂层的沉积策略_279 oJP< 'l1  
9.3.2靠近栅极的光刻胶底部残余_281 sW;7m[o  
9.3.3双重成形技术中的线宽变化_282 }Q/G &F  
9.4小结_283 WwW"fkv  
参考文献_283 !+m@AQ:,  
.D+RLO z  
第10章先进光刻中的随机效应 ]}BB/KQy^  
10.1随机变量和过程_288 FQ+8J7  
10.2现象_291 ?ouV  
10.3建模方法_294  %)pP[[h  
10.4依存性及其影响_297 ,/~[S  
10.5小结_299 /wr6\53J  
参考文献_299 O x{Q.l  
专业词汇中英文对照表 Oc7 >S.1  
-Bj.hx*  
关键词: 光刻
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最新评论

谭健 2023-05-21 15:58
好书籍,不错的分享 fVYiwE=F  
helengalaxy 2023-09-14 21:38
感谢分享
头哥给我球 2023-11-03 14:31
非常感谢楼主的分享,nice
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