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光学光刻和极紫外光刻》是一本最新的光刻技术专著,内容涉及该领域的各个重要方面。在介绍光刻技术应用上,涵盖了全面又丰富的内容;在论述光刻技术的物理机制和数学模型时,采用了完整而不繁琐的方法,增加了可读性。本书在系统地阐述了光学光刻技术的基本内容后,还专门开辟章节,介绍了最先进的极紫外光刻技术的特点和难点,揭示了极紫外光刻的技术奥秘。本书具有全面、完整、翔实和新颖的特点,它凝聚了作者三十多年光刻领域科研和教学的精华。
=f23lA OO'zIC<z ZmycK:f
f3imkZ( OI8}v 第1章光刻工艺概述
8C?E1fH\ 1.1微型化: 从微电子到
纳米技术_1
ktRGl>J 1.2光刻技术的发展史_3
G*,7pc 1.3投影光刻机的空间成像_5
ef!f4u\ 1.4光刻胶工艺_10
^go3F{;4i 1.5光刻工艺特性_12
;JMmr-@ 1.6小结_18
1|AY&u%fiP 参考文献_18
dt>9mF q j/F('r~L 第2章投影光刻的
成像原理
m>3\1`ZF~< 2.1投影光刻机_20
:6Tv4ZUvcG 2.2成像理论_21
=diGuIB 2.2.1傅里叶光学描述_21
}$sTnea 2.2.2倾斜
照明与部分相干成像_26
xJnN95`R@ 2.2.3其他成像仿真方法_30
NTO.;S|2% 2.3阿贝瑞利准则及其影响_30
W`P>vK@= 2.3.1分辨率极限和焦深_31
MttFB;Tp 2.3.2影响_36
uRYq.`v, 2.4小结_39
nywC]T 参考文献_39
]rNxvFN*j d{7)_Sbky 第3章光刻胶
UI'fzlB 3.1光刻胶概述、常规反应原理和现象学描述_42
vP+qwvpGr 3.1.1光刻胶的分类_42
$dWYu"2CD 3.1.2基于重氮萘醌的光刻胶_45
(i?9/8I 3.1.3先进的正型化学放大光刻胶_46
FD~
UF;VQ 3.1.4现象学模型_48
1~},}S]id 3.2光刻胶工艺步骤和建模方法_50
)D)4=LJ 3.2.1技术方面_50
fU\;\ 3.2.2曝光_51
6#.9T;& 3.2.3曝光后烘焙_54
F~hH>BH9 3.2.4化学显影_58
.TDg`O24c, 3.3建模方法和紧凑光刻胶模型概述_61
VR%*8= 3.4负型与正型光刻胶材料和工艺_65
ykH@kv Qt 3.5小结_68
xP;>p|
M 参考文献_69
1C]BaPbL NB86+2stu 第4章光学分辨率增强技术
Y*O
Bky 4.1离轴照明_74
$9xp@8b\_ 4.1.1线空图形的最佳离轴照明形态_76
vA[7i*D{w 4.1.2接触孔阵列的离轴照明_78
HD1/1?y!@q 4.1.3从传统/参数化的照明形态到自由照明形态_80
|5&7;;$ 4.2光学邻近效应校正_81
q}0I`$MU 4.2.1孤立密集线宽偏差补偿_82
i el@"E 4 4.2.2线端缩短补偿_84
!&`\MD>;~R 4.2.3从基于规则到基于模型的OPC和反演光刻技术_85
c,M"a 4.2.4OPC模型和工艺流程_88
B@*!>R 4.3相移掩模_89
}RY Pr 4.3.1强相移掩模: 交替型相移掩模_90
Ts|;5ya5m 4.3.2衰减型或弱相移掩模_97
<OJqeUo+*\ 4.4光瞳滤波_100
-j:yE Z4Oy 4.5光源掩模协同优化_102
)K`tnb.Pf 4.6多重曝光技术_106
AxF$7J( 4.7小结_109
rusYNb1J 参考文献_110
QFoCi& L/%{,7l<^? 第5章材料驱动的分辨率增强
Fg}t{e]3a 5.1分辨率极限的回顾_115
T&bB8tQk 5.2非线性双重曝光_119
tp }Bz&V 5.2.1双
光子吸收材料_119
#`l&HV 5.2.2光阈值材料_120
s8qpK; O 5.2.3可逆对比增强材料_121
\"
m&WFm 5.3双重和多重成形技术_124
'<*%<J{( 5.3.1光刻刻蚀光刻刻蚀_124
,^<39ng 5.3.2光刻固化光刻刻蚀_125
1,U)rx$H 5.3.3自对准双重成形_126
86dz Jh 5.3.4双色调显影_127
@+)T"5_Y[ 5.3.5双重和多重成形技术的选项_128
"Vp:Sq9y 5.4定向自组装_129
yX%> %#$ 5.5薄膜成像技术_133
Ol>/^3a= 5.6小结_135
Ge=\IAj 参考文献_135
q|IU+r:! 3 hstGe>f[6 第6章极紫外光刻
~ahu{A4Bw 6.1EUV光源_141
V`YmGo 6.2EUV和多层膜中的光学材料特性_143
A`>^A]% 6.3EUV掩模_146
Z@$'fX?~9 6.4EUV曝光设备和图像形成_151
e 0Z2B2 6.5EUV光刻胶_156
]"YXa~b 6.6EUV掩模缺陷_157
&Fjyi"8(r 6.7EUV光刻的光学分辨率极限_161
a5d_= :S; 6.7.16.xnm波长的超极紫外光刻_162
:<0lC j 6.7.2高数值孔径EUV光刻_162
kGakdLl 6.7.3低k1技术: EUV光刻的光学分辨率增强技术_166
Qv;b$by3 6.8小结_167
>?G!>kw 参考文献_168
c?GV TC@F*B; 第7章投影成像以外的光刻技术
N+H[Y4c?F& 7.1非投影式光学光刻: 接触式和接近式光刻_176
6Bexwf<u 7.1.1图像形成和分辨率限制_176
De>,i%`Q,D 7.1.2技术实现_179
]=/?Ooh 7.1.3先进的掩模对准光刻_182
}jFRuT;35 7.2无掩模光刻_186
"-AFWWKtx 7.2.1干涉光刻_186
g:p`.KuB 7.2.2激光直写光刻_189
[D?d~pB 7.3无衍射限制的光刻_194
V>UlL&V 7.3.1近场光刻_195
8=
82x 7.3.2利用光学非线性_198
>fkV65w{* 7.4三维光刻_203
f}ch1u> 7.4.1灰度光刻_203
s.KfMJ"u[ 7.4.2三维干涉光刻_205
3Q )" 7.4.3立体光刻和三维微刻印_206
ra_TN;( 7.5浅谈无光刻印_209
|RqCI9N6 7.6小结_210
Ys?0hd<cn 参考文献_211
M-F{I%Vx +#A~O4%t 第8章光刻投影系统: 高级技术内容
73{<;z}i 8.1实际投影系统中的波像差_220
Gf9O\wrs 8.1.1波像差的泽尼克多项式表示_221
T8W^qrx.v 8.1.2波前倾斜_226
)oM%
N 8.1.3离焦像差_226
km`";gUp> 8.1.4像散_228
TQ[J, 8.1.5彗差_229
&XXr5ne~C 8.1.6球差_231
2n#H%&^?a 8.1.7三叶像差_233
]~ S
zb 8.1.8泽尼克像差小结_233
1Vz3N/AP%? 8.2杂散光_234
lYr4gFOs 8.2.1恒定杂散光模型_235
,zJ:a>v 8.2.2功率谱密度(PSD)杂散光模型_236
R?}%rP+^e 8.3高数值孔径投影光刻中的偏振效应_239
q%)."10}] 8.3.1掩模偏振效应_240
0U#m7j 8.3.2成像过程中的偏振效应_241
.R@XstQ
8.3.3光刻胶和晶圆堆栈界面的偏振效应_243
Vyc 8.3.4投影物镜中的偏振效应和矢量成像模型_246
ld5+/"$ 8.3.5偏振照明_248
wNNg"}&P 8.4投影光刻机中的其他成像效应_250
aqQ
U7 8.5小结_250
zU4*FXt 参考文献_251
(&_^1 1&Mpx!K*T 第9章光刻中的掩模和晶圆形貌效应
"-G7eGQ 9.1严格电磁场仿真的方法_256
SK*<H~2 9.1.1时域有限差分法_257
, 0?_?
GO 9.1.2波导法_260
5B3sRF} 9.2掩模形貌效应_262
&k`lbkq 9.2.1掩模衍射分析_263
bZj5qjl`x 9.2.2斜入射效应_266
+]~}kvk: 9.2.3掩模引起的成像效应_268
z$(`{
o%a 9.2.4EUV光刻中的掩模形貌效应及缓解策略_272
*w6F0>u 9.2.5各种三维掩模模型_277
wX!0KxR/Z 9.3晶圆形貌效应_279
_5OxESE 9.3.1底部抗反射涂层的沉积策略_279
Vp1Nk#H 9.3.2靠近栅极的光刻胶底部残余_281
KsqS{VVCh 9.3.3双重成形技术中的线宽变化_282
wawJZ+V 9.4小结_283
gXY]NWI 参考文献_283
U_UN& /f $2Bll 5!] 第10章先进光刻中的随机效应
fEGnI\ 10.1随机变量和过程_288
':f,RG 10.2现象_291
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