《光学光刻和极紫外光刻》

发布:cyqdesign 2023-04-12 19:25 阅读:4239
光学光刻和极紫外光刻》是一本最新的光刻技术专著,内容涉及该领域的各个重要方面。在介绍光刻技术应用上,涵盖了全面又丰富的内容;在论述光刻技术的物理机制和数学模型时,采用了完整而不繁琐的方法,增加了可读性。本书在系统地阐述了光学光刻技术的基本内容后,还专门开辟章节,介绍了最先进的极紫外光刻技术的特点和难点,揭示了极紫外光刻的技术奥秘。本书具有全面、完整、翔实和新颖的特点,它凝聚了作者三十多年光刻领域科研和教学的精华。 C& +MRP  
XQ]K,# i  
+94)BxrY  
2zBk#c+  
Js,!G  
第1章光刻工艺概述 NfgXOLthM  
1.1微型化: 从微电子到纳米技术_1 _ .vG)  
1.2光刻技术的发展史_3 *4cuWkQ,  
1.3投影光刻机的空间成像_5 <&5z0rDKWw  
1.4光刻胶工艺_10 _\WR3Q!V  
1.5光刻工艺特性_12 A WR :~{  
1.6小结_18 >f]/VaMH{  
参考文献_18 AjVC{\Ik  
CY1WT  
第2章投影光刻的成像原理 E=sh^Q(A  
2.1投影光刻机_20 %6m/ve  
2.2成像理论_21 Mg2+H+C~:  
2.2.1傅里叶光学描述_21 |p|Zv H  
2.2.2倾斜照明与部分相干成像_26 )(}[S:`  
2.2.3其他成像仿真方法_30 boo361L  
2.3阿贝瑞利准则及其影响_30 iiPVqU%  
2.3.1分辨率极限和焦深_31 ;s B=f  
2.3.2影响_36 l;; 2\mL?  
2.4小结_39 :R;w<Tbz"  
参考文献_39 8?yIixhw  
7H6Ts8^S  
第3章光刻胶 \]ib%,:YU  
3.1光刻胶概述、常规反应原理和现象学描述_42 4>gfLK\R:  
3.1.1光刻胶的分类_42 I5Vn#_q+b  
3.1.2基于重氮萘醌的光刻胶_45 n ay\)  
3.1.3先进的正型化学放大光刻胶_46 1W USp;JMl  
3.1.4现象学模型_48 22l'kvo4"  
3.2光刻胶工艺步骤和建模方法_50 /Ew()>Y  
3.2.1技术方面_50 CNB weM  
3.2.2曝光_51 "-4|HA  
3.2.3曝光后烘焙_54 V}E['fzBFV  
3.2.4化学显影_58 VI! \+A  
3.3建模方法和紧凑光刻胶模型概述_61 P3oYk_oW  
3.4负型与正型光刻胶材料和工艺_65 PQHztS"  
3.5小结_68 GkAd"<B  
参考文献_69 c1H.v^Y5  
*lfjsrPu  
第4章光学分辨率增强技术  {53FR  
4.1离轴照明_74 CmU@8-1  
4.1.1线空图形的最佳离轴照明形态_76 K9<8FSn  
4.1.2接触孔阵列的离轴照明_78 9jal D X  
4.1.3从传统/参数化的照明形态到自由照明形态_80 m<gdyY   
4.2光学邻近效应校正_81 *p{p.%Qs:  
4.2.1孤立密集线宽偏差补偿_82 |~9rak,  
4.2.2线端缩短补偿_84 vXJs.)D7  
4.2.3从基于规则到基于模型的OPC和反演光刻技术_85 Jf^3nBZ  
4.2.4OPC模型和工艺流程_88 @2Z|\ojJ  
4.3相移掩模_89 wT@Z|.)  
4.3.1强相移掩模: 交替型相移掩模_90 x;mw?B[  
4.3.2衰减型或弱相移掩模_97 yFE0a"0y  
4.4光瞳滤波_100 $(1t~u<17  
4.5光源掩模协同优化_102 a*M|_&MH*  
4.6多重曝光技术_106 }<Ydj .85  
4.7小结_109 vl (``5{  
参考文献_110 '(]Wtx%9"  
NEBhVh  
第5章材料驱动的分辨率增强 ,EQ0""G!  
5.1分辨率极限的回顾_115 <&eJIz=  
5.2非线性双重曝光_119 {z oGwB  
5.2.1双光子吸收材料_119 `_J&*Kk5  
5.2.2光阈值材料_120 gwaSgV$z  
5.2.3可逆对比增强材料_121 1j2U,_-  
5.3双重和多重成形技术_124 c)EYX o  
5.3.1光刻刻蚀光刻刻蚀_124 Zg+.`>z  
5.3.2光刻固化光刻刻蚀_125 \`k=9{R.  
5.3.3自对准双重成形_126 a~KtH;7<  
5.3.4双色调显影_127 +w0Wg.4V  
5.3.5双重和多重成形技术的选项_128 eF3NyL(A  
5.4定向自组装_129 ^#5'` #t  
5.5薄膜成像技术_133 )!(gS,  
5.6小结_135 I Fw7?G,  
参考文献_135 AbNr]w&pXC  
W6?=9].gc  
第6章极紫外光刻 RE!WuLs0"  
6.1EUV光源_141 +Xg:*b9So  
6.2EUV和多层膜中的光学材料特性_143 ,ei9 ?9J1  
6.3EUV掩模_146 ~&:-c v  
6.4EUV曝光设备和图像形成_151 q/?*|4I  
6.5EUV光刻胶_156 imOIO[<;  
6.6EUV掩模缺陷_157 0A} X hX  
6.7EUV光刻的光学分辨率极限_161 2I:P}!  
6.7.16.xnm波长的超极紫外光刻_162 ]ZLF=  
6.7.2高数值孔径EUV光刻_162 sI\NX$M  
6.7.3低k1技术: EUV光刻的光学分辨率增强技术_166 m{>1# 1;$t  
6.8小结_167 bB@=J~l4  
参考文献_168 smCACQ$ (  
- ~z@W3\  
第7章投影成像以外的光刻技术 6$"IeBRO  
7.1非投影式光学光刻: 接触式和接近式光刻_176 IB|!51H  
7.1.1图像形成和分辨率限制_176 :h@V,m Z  
7.1.2技术实现_179 ij:xr% FJ  
7.1.3先进的掩模对准光刻_182 iv`G}.Bo  
7.2无掩模光刻_186 LR&MhG7  
7.2.1干涉光刻_186 zd_N' :6  
7.2.2激光直写光刻_189 1n8y4k)  
7.3无衍射限制的光刻_194 PE{<' K\g  
7.3.1近场光刻_195 "OwM' n8  
7.3.2利用光学非线性_198 x)80:A}  
7.4三维光刻_203 #~Xj=M%  
7.4.1灰度光刻_203 d8Vqmrc~  
7.4.2三维干涉光刻_205 km>ZhsqD  
7.4.3立体光刻和三维微刻印_206 FqyxvL.  
7.5浅谈无光刻印_209 {]Mwuqn  
7.6小结_210 n\9IRuYO  
参考文献_211 tnpEfi-  
3ZT3I1/D  
第8章光刻投影系统: 高级技术内容 6O?zi|J[:  
8.1实际投影系统中的波像差_220 $\/i t  
8.1.1波像差的泽尼克多项式表示_221 YUSrZ9Yg  
8.1.2波前倾斜_226 aVr(*s;/  
8.1.3离焦像差_226 U/FysN_N!  
8.1.4像散_228 ,'C*?mms  
8.1.5彗差_229 #2|biTJ  
8.1.6球差_231 M_0f{  
8.1.7三叶像差_233 "3_X$`v"!  
8.1.8泽尼克像差小结_233 tF[) Y#  
8.2杂散光_234 L%[>z'Zp  
8.2.1恒定杂散光模型_235 RH,x);J|  
8.2.2功率谱密度(PSD)杂散光模型_236 ~ !ei]UP  
8.3高数值孔径投影光刻中的偏振效应_239 1.%|Er 4  
8.3.1掩模偏振效应_240 m p_7$#{l  
8.3.2成像过程中的偏振效应_241 lDBAei3iB  
8.3.3光刻胶和晶圆堆栈界面的偏振效应_243 'Rnzu0<lF  
8.3.4投影物镜中的偏振效应和矢量成像模型_246 Bor_(eL^  
8.3.5偏振照明_248 Ot.v%D`e 5  
8.4投影光刻机中的其他成像效应_250 xd `MEOY  
8.5小结_250 UNSXr`9  
参考文献_251 L5UZ@R,  
RKrNmD*rk*  
第9章光刻中的掩模和晶圆形貌效应 I>rTqOK  
9.1严格电磁场仿真的方法_256 _zbIS&4  
9.1.1时域有限差分法_257 %1 RWF6  
9.1.2波导法_260 1z|bQ,5  
9.2掩模形貌效应_262 +DQUL|\  
9.2.1掩模衍射分析_263 B0 A`@9  
9.2.2斜入射效应_266 9PV]bt,  
9.2.3掩模引起的成像效应_268 eSIG+{;&  
9.2.4EUV光刻中的掩模形貌效应及缓解策略_272 %4` U' j  
9.2.5各种三维掩模模型_277 =84EX<B  
9.3晶圆形貌效应_279 >/RFff]Fh0  
9.3.1底部抗反射涂层的沉积策略_279 6wT ])84  
9.3.2靠近栅极的光刻胶底部残余_281 ).HA #!SE  
9.3.3双重成形技术中的线宽变化_282 |[r7B*fw  
9.4小结_283 zT}vaU 6  
参考文献_283 R68:=E4  
l(x0d  
第10章先进光刻中的随机效应 3ouy-SQ  
10.1随机变量和过程_288 AEM;ZQU  
10.2现象_291 &kvmLOI  
10.3建模方法_294 c ?<)!9:  
10.4依存性及其影响_297 [&P @0F n  
10.5小结_299 &2%|?f|  
参考文献_299 gP|-A`y  
专业词汇中英文对照表 s% rmfIp"  
RIUJX{?  
关键词: 光刻
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最新评论

谭健 2023-05-21 15:58
好书籍,不错的分享 +-),E.  
helengalaxy 2023-09-14 21:38
感谢分享
头哥给我球 2023-11-03 14:31
非常感谢楼主的分享,nice
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