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光学光刻和极紫外光刻》是一本最新的光刻技术专著,内容涉及该领域的各个重要方面。在介绍光刻技术应用上,涵盖了全面又丰富的内容;在论述光刻技术的物理机制和数学模型时,采用了完整而不繁琐的方法,增加了可读性。本书在系统地阐述了光学光刻技术的基本内容后,还专门开辟章节,介绍了最先进的极紫外光刻技术的特点和难点,揭示了极紫外光刻的技术奥秘。本书具有全面、完整、翔实和新颖的特点,它凝聚了作者三十多年光刻领域科研和教学的精华。
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Q^fli"_: ^BNg^V. 第1章光刻工艺概述
? 76jz>;b 1.1微型化: 从微电子到
纳米技术_1
~(I\O?k>H 1.2光刻技术的发展史_3
LAMTf"a 1.3投影光刻机的空间成像_5
Vs{|:L+ 1.4光刻胶工艺_10
*]x]U >EF 1.5光刻工艺特性_12
*(o~pxFTR 1.6小结_18
!u\ X,.h 参考文献_18
`n5)oU2q #[I`VA\x 第2章投影光刻的
成像原理
hz\7Z+ $L_ 2.1投影光刻机_20
lD
!^MqK 2.2成像理论_21
xQaN\):^8 2.2.1傅里叶光学描述_21
nBGk %NM 8 2.2.2倾斜
照明与部分相干成像_26
ZZl)p\r 2.2.3其他成像仿真方法_30
:j?Lil%R 2.3阿贝瑞利准则及其影响_30
v9M;W+J 2.3.1分辨率极限和焦深_31
bhuA,} 2.3.2影响_36
7U?x8%H* 2.4小结_39
#G9S[J=xe 参考文献_39
]'T-6 T-|z18|! 第3章光刻胶
#\t?`\L3 3.1光刻胶概述、常规反应原理和现象学描述_42
AbLOq@lrK 3.1.1光刻胶的分类_42
->K*r\T 3.1.2基于重氮萘醌的光刻胶_45
NsWyxcty 3.1.3先进的正型化学放大光刻胶_46
rC/m}`b 3.1.4现象学模型_48
H$1R\rE` 3.2光刻胶工艺步骤和建模方法_50
Xv=n+uo 3.2.1技术方面_50
+XFF@h&=t 3.2.2曝光_51
Ds0^/bYp& 3.2.3曝光后烘焙_54
nJ'O(Wh,) 3.2.4化学显影_58
j6IWdqXe 3.3建模方法和紧凑光刻胶模型概述_61
UKk~)Of 3.4负型与正型光刻胶材料和工艺_65
0[9A* 3.5小结_68
v0=^Hym 参考文献_69
uF@Q8 7G
C4Bh#C 第4章光学分辨率增强技术
jk 9K>4W 4.1离轴照明_74
]hv4EL(zi 4.1.1线空图形的最佳离轴照明形态_76
mm:\a-8j 4.1.2接触孔阵列的离轴照明_78
z#bOFVg# 4.1.3从传统/参数化的照明形态到自由照明形态_80
.xCO_7Rd 4.2光学邻近效应校正_81
In^$+l%O[ 4.2.1孤立密集线宽偏差补偿_82
Td"f(&Hk& 4.2.2线端缩短补偿_84
pS*vwYA 4.2.3从基于规则到基于模型的OPC和反演光刻技术_85
).-B@&Eu% 4.2.4OPC模型和工艺流程_88
e[w)U{|40 4.3相移掩模_89
2x3&o|J 4.3.1强相移掩模: 交替型相移掩模_90
hD # Yz< 4.3.2衰减型或弱相移掩模_97
<E$5LP;: 4.4光瞳滤波_100
}MXZ 4.5光源掩模协同优化_102
VJZ
4.6多重曝光技术_106
/g@.1z1w 4.7小结_109
R}>Gk 参考文献_110
K^s!0[6 @ZD1HA,h" 第5章材料驱动的分辨率增强
h_x"/z& 5.1分辨率极限的回顾_115
^Zydy 5.2非线性双重曝光_119
TQ>kmHWf/ 5.2.1双
光子吸收材料_119
}UQBaqDH 5.2.2光阈值材料_120
l)=Rj`M 5.2.3可逆对比增强材料_121
Z"% = 5.3双重和多重成形技术_124
vL\wA_z"<H 5.3.1光刻刻蚀光刻刻蚀_124
9[6xo! 5.3.2光刻固化光刻刻蚀_125
##1[/D( 5.3.3自对准双重成形_126
dl(cYP8L 5.3.4双色调显影_127
mcp}F|ws 5.3.5双重和多重成形技术的选项_128
,MuLu,$/ 5.4定向自组装_129
(lS&P"Xi 5.5薄膜成像技术_133
1th|n 5.6小结_135
B.0(}@ 参考文献_135
3DMfR
ofg 'S E%9 第6章极紫外光刻
Q5{i#F7nJm 6.1EUV光源_141
IWuR=I$t 6.2EUV和多层膜中的光学材料特性_143
HrEZ]iQ@O0 6.3EUV掩模_146
T~=NY,n 6.4EUV曝光设备和图像形成_151
5JIa?i>B 6.5EUV光刻胶_156
,?<jue/bd 6.6EUV掩模缺陷_157
YDC[s ^d5 6.7EUV光刻的光学分辨率极限_161
X2q$i 6.7.16.xnm波长的超极紫外光刻_162
YeYFPi# 6.7.2高数值孔径EUV光刻_162
lNls8@ 6.7.3低k1技术: EUV光刻的光学分辨率增强技术_166
se2+X>@> 6.8小结_167
IEjKI" 参考文献_168
!$qNugLg W&TPrB 第7章投影成像以外的光刻技术
#CHsH{d 7.1非投影式光学光刻: 接触式和接近式光刻_176
$2 ~A^#"0 7.1.1图像形成和分辨率限制_176
Y'%sA~g 7.1.2技术实现_179
X.%Xi'H 7.1.3先进的掩模对准光刻_182
E/Eny5 7.2无掩模光刻_186
2
os&d| 7.2.1干涉光刻_186
i1\xZ<|0 7.2.2激光直写光刻_189
b ]1SuL 7.3无衍射限制的光刻_194
=JX.*
MEB 7.3.1近场光刻_195
#@3RYx 7.3.2利用光学非线性_198
\,ir]e,1 7.4三维光刻_203
dxUq5`#G, 7.4.1灰度光刻_203
Hx62x X 7.4.2三维干涉光刻_205
vA;ml$ 7.4.3立体光刻和三维微刻印_206
:sk7`7v 7.5浅谈无光刻印_209
xHZx5GJp9 7.6小结_210
LN" bGe 参考文献_211
`-qSvjX Ga+\b>C 第8章光刻投影系统: 高级技术内容
CZxQz
8.1实际投影系统中的波像差_220
]J5[ZVz 8.1.1波像差的泽尼克多项式表示_221
>p}d:t/ 8.1.2波前倾斜_226
e7>)Z 8.1.3离焦像差_226
ORp6 8.1.4像散_228
FavU"QU&| 8.1.5彗差_229
8 y/YX 8.1.6球差_231
&5O 8.1.7三叶像差_233
LV4x9?& 8.1.8泽尼克像差小结_233
!|}J{
8.2杂散光_234
eP(%+[g 8.2.1恒定杂散光模型_235
k2j:s}RHY 8.2.2功率谱密度(PSD)杂散光模型_236
DTlM} 8.3高数值孔径投影光刻中的偏振效应_239
7==Uz?}C 8.3.1掩模偏振效应_240
@HMt}zD 8.3.2成像过程中的偏振效应_241
0A9x9l9Wd 8.3.3光刻胶和晶圆堆栈界面的偏振效应_243
rRYP~
$c 8.3.4投影物镜中的偏振效应和矢量成像模型_246
bxqXFy/I 8.3.5偏振照明_248
j<R,}nmD3\ 8.4投影光刻机中的其他成像效应_250
{!o-y= 8.5小结_250
h"
P4 参考文献_251
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