《光学光刻和极紫外光刻》

发布:cyqdesign 2023-04-12 19:25 阅读:4712
光学光刻和极紫外光刻》是一本最新的光刻技术专著,内容涉及该领域的各个重要方面。在介绍光刻技术应用上,涵盖了全面又丰富的内容;在论述光刻技术的物理机制和数学模型时,采用了完整而不繁琐的方法,增加了可读性。本书在系统地阐述了光学光刻技术的基本内容后,还专门开辟章节,介绍了最先进的极紫外光刻技术的特点和难点,揭示了极紫外光刻的技术奥秘。本书具有全面、完整、翔实和新颖的特点,它凝聚了作者三十多年光刻领域科研和教学的精华。 {Ynr(J.  
j:fL_1m  
+p_SKk!%+  
PDtaL  
\=nY&Ml  
第1章光刻工艺概述 ?6a:!^eL  
1.1微型化: 从微电子到纳米技术_1 sKNN ahGjh  
1.2光刻技术的发展史_3 C:H9C  
1.3投影光刻机的空间成像_5 |)0kvf?  
1.4光刻胶工艺_10 I|08[ mO  
1.5光刻工艺特性_12 7Xw #  
1.6小结_18 \N!k)6\  
参考文献_18 &"25a[x{B  
?z?IEj}  
第2章投影光刻的成像原理 0OlB;  
2.1投影光刻机_20 eH75: `  
2.2成像理论_21 &a7KdGP8V  
2.2.1傅里叶光学描述_21 k(V#{ YP  
2.2.2倾斜照明与部分相干成像_26 3F<My+J  
2.2.3其他成像仿真方法_30 W4X=.vr  
2.3阿贝瑞利准则及其影响_30 <@JK;qm>S  
2.3.1分辨率极限和焦深_31 e)GFJ3sW_  
2.3.2影响_36 A5 /Q:8b  
2.4小结_39 #W* 5=Cf  
参考文献_39 {Pdy KgM  
vrQ/Yf:\B  
第3章光刻胶 !m:SRNPg  
3.1光刻胶概述、常规反应原理和现象学描述_42 }Vk#w%EJ  
3.1.1光刻胶的分类_42 #_|6yo}  
3.1.2基于重氮萘醌的光刻胶_45 -2bu`oD `  
3.1.3先进的正型化学放大光刻胶_46 +Z /Pj_.o  
3.1.4现象学模型_48 h=?#D0  
3.2光刻胶工艺步骤和建模方法_50 TLw.rEN!;  
3.2.1技术方面_50 P>Pw;[b>O  
3.2.2曝光_51 YY'46  
3.2.3曝光后烘焙_54 O57 eq.aT  
3.2.4化学显影_58 /tDwgxJ  
3.3建模方法和紧凑光刻胶模型概述_61 j<e`8ex?  
3.4负型与正型光刻胶材料和工艺_65 v2/@Pu!kg  
3.5小结_68 qfx=   
参考文献_69 l3rr2t  
a%V6RyT4qW  
第4章光学分辨率增强技术 9qIjs$g  
4.1离轴照明_74 ):kDWc  
4.1.1线空图形的最佳离轴照明形态_76 gT?:zd=;  
4.1.2接触孔阵列的离轴照明_78 |*K AqTO0  
4.1.3从传统/参数化的照明形态到自由照明形态_80 E&#cU}ErN  
4.2光学邻近效应校正_81 2E;UHR  
4.2.1孤立密集线宽偏差补偿_82 `[X5mEe  
4.2.2线端缩短补偿_84 R:fERj<s  
4.2.3从基于规则到基于模型的OPC和反演光刻技术_85 /X9Kg  
4.2.4OPC模型和工艺流程_88 tp7cc;0  
4.3相移掩模_89 ^FIpkhw  
4.3.1强相移掩模: 交替型相移掩模_90 0 z.oPV@  
4.3.2衰减型或弱相移掩模_97 p gW BW9\  
4.4光瞳滤波_100 M4~^tML>Ey  
4.5光源掩模协同优化_102 )E;B'^RVR  
4.6多重曝光技术_106 F4`ud;1H  
4.7小结_109 M&wf4)*%0+  
参考文献_110 Gx,<|v  
e5W 8YNA  
第5章材料驱动的分辨率增强 6F !B;D-Q  
5.1分辨率极限的回顾_115 =C gcRxng  
5.2非线性双重曝光_119 4,4S5u[|  
5.2.1双光子吸收材料_119 w&8N6gA14  
5.2.2光阈值材料_120 IT!u4iH[  
5.2.3可逆对比增强材料_121 1P;J%.{  
5.3双重和多重成形技术_124 ] -iMo4H  
5.3.1光刻刻蚀光刻刻蚀_124 !Z]#1"A8  
5.3.2光刻固化光刻刻蚀_125 bvzNur_  
5.3.3自对准双重成形_126 <$metN~9j  
5.3.4双色调显影_127 vgKZr  
5.3.5双重和多重成形技术的选项_128 sVWOh|O[W  
5.4定向自组装_129 ObnQ,x(  
5.5薄膜成像技术_133 A6eIf  
5.6小结_135 >BFUts%  
参考文献_135 76epkiz;=  
wIeF(}VM  
第6章极紫外光刻 }w&W\g+E$  
6.1EUV光源_141 (q o ?e2K  
6.2EUV和多层膜中的光学材料特性_143 K@U[x,Sx  
6.3EUV掩模_146 qca,a3k  
6.4EUV曝光设备和图像形成_151 f"9aL= 3  
6.5EUV光刻胶_156 /;E{(%U)t  
6.6EUV掩模缺陷_157 -j& A;G  
6.7EUV光刻的光学分辨率极限_161 5NGQWg  
6.7.16.xnm波长的超极紫外光刻_162 6,Z.R T{5  
6.7.2高数值孔径EUV光刻_162 ,! b9  
6.7.3低k1技术: EUV光刻的光学分辨率增强技术_166 V?t56n Y}  
6.8小结_167 )IBvm1  
参考文献_168 <<WqL?8W  
? $$Xg3w_#  
第7章投影成像以外的光刻技术 )@(IhU )  
7.1非投影式光学光刻: 接触式和接近式光刻_176 W=G8l%  
7.1.1图像形成和分辨率限制_176 }jdMo83  
7.1.2技术实现_179 (sDZ&R  
7.1.3先进的掩模对准光刻_182 1#tFO  
7.2无掩模光刻_186 2 Sgv  
7.2.1干涉光刻_186 fbg:rH\_  
7.2.2激光直写光刻_189 kLE("I:7  
7.3无衍射限制的光刻_194 "~2SHM@q  
7.3.1近场光刻_195 s$g3__|Y  
7.3.2利用光学非线性_198 e92,@  
7.4三维光刻_203 W79Sz}):  
7.4.1灰度光刻_203 MxLg8,M  
7.4.2三维干涉光刻_205 >bRoQ8  
7.4.3立体光刻和三维微刻印_206 +,xluwv$9  
7.5浅谈无光刻印_209 .D3k(zZ  
7.6小结_210 [b:0j-  
参考文献_211 )gVz?-u+D  
&TT vX% T  
第8章光刻投影系统: 高级技术内容 >Py :9~g,  
8.1实际投影系统中的波像差_220 0?,<7}"<X  
8.1.1波像差的泽尼克多项式表示_221 M!R=&a=Z  
8.1.2波前倾斜_226 |1%eo.  
8.1.3离焦像差_226 L_`D  
8.1.4像散_228 L/ g8@G ;  
8.1.5彗差_229 slnvrel  
8.1.6球差_231 w<LV5w+  
8.1.7三叶像差_233 */'j[uj  
8.1.8泽尼克像差小结_233 N(J'h$E  
8.2杂散光_234 #J'V,_ wH  
8.2.1恒定杂散光模型_235 ]xxE_B7  
8.2.2功率谱密度(PSD)杂散光模型_236 V7<w9MM  
8.3高数值孔径投影光刻中的偏振效应_239 ~F " w  
8.3.1掩模偏振效应_240 w ,*#z  
8.3.2成像过程中的偏振效应_241 .QW@rV:T  
8.3.3光刻胶和晶圆堆栈界面的偏振效应_243 {ui{Yc  
8.3.4投影物镜中的偏振效应和矢量成像模型_246 qDS~|<Y5  
8.3.5偏振照明_248 (M# m BS  
8.4投影光刻机中的其他成像效应_250 NOSL b];  
8.5小结_250 RF}R~m9]  
参考文献_251 ujWC!*W(Q  
SuA  @S  
第9章光刻中的掩模和晶圆形貌效应 'YB{W8bR  
9.1严格电磁场仿真的方法_256 8;d./!|'&g  
9.1.1时域有限差分法_257 /$d #9Uv  
9.1.2波导法_260 9 K>~9Za  
9.2掩模形貌效应_262 Nd He::  
9.2.1掩模衍射分析_263 cTja<*W^xv  
9.2.2斜入射效应_266 0nPg`@e.  
9.2.3掩模引起的成像效应_268 weMufT  
9.2.4EUV光刻中的掩模形貌效应及缓解策略_272 o'_eLp  
9.2.5各种三维掩模模型_277 P>EG;u@.  
9.3晶圆形貌效应_279 ;w;+<Rd  
9.3.1底部抗反射涂层的沉积策略_279 =4uO"o  
9.3.2靠近栅极的光刻胶底部残余_281 |RH^|2:x9Q  
9.3.3双重成形技术中的线宽变化_282 :z`L)  
9.4小结_283 BPSi e0  
参考文献_283 -amNz.`[PR  
zmg :Z p=  
第10章先进光刻中的随机效应 oXQI"?^+  
10.1随机变量和过程_288 Y,m=&U  
10.2现象_291 8&:dzS  
10.3建模方法_294 t(99m=9>  
10.4依存性及其影响_297 <9[>+X  
10.5小结_299 B A i ^t  
参考文献_299 iow"X6_l_  
专业词汇中英文对照表 ikb;,Js  
!jg< S>S5  
关键词: 光刻
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最新评论

谭健 2023-05-21 15:58
好书籍,不错的分享 8#|PJc  
helengalaxy 2023-09-14 21:38
感谢分享
头哥给我球 2023-11-03 14:31
非常感谢楼主的分享,nice
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