《光学光刻和极紫外光刻》

发布:cyqdesign 2023-04-12 19:25 阅读:4846
光学光刻和极紫外光刻》是一本最新的光刻技术专著,内容涉及该领域的各个重要方面。在介绍光刻技术应用上,涵盖了全面又丰富的内容;在论述光刻技术的物理机制和数学模型时,采用了完整而不繁琐的方法,增加了可读性。本书在系统地阐述了光学光刻技术的基本内容后,还专门开辟章节,介绍了最先进的极紫外光刻技术的特点和难点,揭示了极紫外光刻的技术奥秘。本书具有全面、完整、翔实和新颖的特点,它凝聚了作者三十多年光刻领域科研和教学的精华。 a 5w E{K  
A43[i@o  
&oFgZ.  
VArMFP)cz  
 (8 /&  
第1章光刻工艺概述 {D [z>I;D  
1.1微型化: 从微电子到纳米技术_1 ;H?tcb*  
1.2光刻技术的发展史_3 Ov.oyke4  
1.3投影光刻机的空间成像_5 7sVO?:bj}  
1.4光刻胶工艺_10 A\.{(,;kp  
1.5光刻工艺特性_12 ykGA.wo7/P  
1.6小结_18 /<o?T{z<-  
参考文献_18 ,z+n@sUR:  
1{qG?1<zZ6  
第2章投影光刻的成像原理 xBqZ: BQ  
2.1投影光刻机_20 8Qkwg]X  
2.2成像理论_21 fA), ^  
2.2.1傅里叶光学描述_21 8N4E~*>C  
2.2.2倾斜照明与部分相干成像_26 \GGyz{i  
2.2.3其他成像仿真方法_30 1XHE:0!dQ  
2.3阿贝瑞利准则及其影响_30 ~O3VX75f  
2.3.1分辨率极限和焦深_31 JPg^h  
2.3.2影响_36 %V#? 1{  
2.4小结_39 UcB2Aauji  
参考文献_39 SJsbuLxR  
Z)}2bJwA  
第3章光刻胶 %+C6#cj  
3.1光刻胶概述、常规反应原理和现象学描述_42 ^<j =.E  
3.1.1光刻胶的分类_42 &NI\<C7_Gw  
3.1.2基于重氮萘醌的光刻胶_45 zN\C  
3.1.3先进的正型化学放大光刻胶_46 q$}gQ9'z'  
3.1.4现象学模型_48 ')(U<5y)  
3.2光刻胶工艺步骤和建模方法_50 5BM6Pnle  
3.2.1技术方面_50 NezE]'}  
3.2.2曝光_51 Zk31|dL  
3.2.3曝光后烘焙_54 hE4qs~YB!  
3.2.4化学显影_58 B}N1}i+  
3.3建模方法和紧凑光刻胶模型概述_61 LO38}w<k  
3.4负型与正型光刻胶材料和工艺_65 =RofC9,  
3.5小结_68 U8<C4  
参考文献_69 Z55C4F5v  
iY5V4Gbo  
第4章光学分辨率增强技术 pLMaXX~4_  
4.1离轴照明_74 YuoIhT  
4.1.1线空图形的最佳离轴照明形态_76 '7.4!I0'  
4.1.2接触孔阵列的离轴照明_78 KfQR(e9n   
4.1.3从传统/参数化的照明形态到自由照明形态_80 $A T kCO  
4.2光学邻近效应校正_81 UM^~a$t  
4.2.1孤立密集线宽偏差补偿_82 8,&Y\b`..  
4.2.2线端缩短补偿_84 D@c@Dt  
4.2.3从基于规则到基于模型的OPC和反演光刻技术_85 R|_._Btu!  
4.2.4OPC模型和工艺流程_88 CKC5S^Mx  
4.3相移掩模_89 bE3mOml  
4.3.1强相移掩模: 交替型相移掩模_90 ^RYq !l$  
4.3.2衰减型或弱相移掩模_97 }|Bs|$q  
4.4光瞳滤波_100 bP4}a!t+n  
4.5光源掩模协同优化_102 2{B ScI5K  
4.6多重曝光技术_106 ZM [Z9/S8  
4.7小结_109 6LabFX@{&  
参考文献_110 *0<)PJ T  
Fj"/jdM  
第5章材料驱动的分辨率增强 y!_8m#n S  
5.1分辨率极限的回顾_115 F;BCSoO4  
5.2非线性双重曝光_119 (,cG+3r ]  
5.2.1双光子吸收材料_119 $\PU Y8  
5.2.2光阈值材料_120 M6].V*k'2  
5.2.3可逆对比增强材料_121 q*cEosi'F?  
5.3双重和多重成形技术_124 *<X*)A{C  
5.3.1光刻刻蚀光刻刻蚀_124 #RHt;SFx  
5.3.2光刻固化光刻刻蚀_125 sFsf~|  
5.3.3自对准双重成形_126 .-Dc%ap]  
5.3.4双色调显影_127 6.6?Rp".  
5.3.5双重和多重成形技术的选项_128 2)-4?uz~  
5.4定向自组装_129 NnaO!QW%  
5.5薄膜成像技术_133 m!]J{OGG:  
5.6小结_135 SnM^T(gtS3  
参考文献_135 Bi>]s%zp  
amWKykVS5  
第6章极紫外光刻 FwD q@Oj  
6.1EUV光源_141 F&    
6.2EUV和多层膜中的光学材料特性_143 z|\n^ZK=  
6.3EUV掩模_146 ^1_CS*  
6.4EUV曝光设备和图像形成_151 ,RP9v*  
6.5EUV光刻胶_156 iU(B#ohW"  
6.6EUV掩模缺陷_157 kU.@HJ[@j  
6.7EUV光刻的光学分辨率极限_161 .bj:tmz  
6.7.16.xnm波长的超极紫外光刻_162 8]rObT9>  
6.7.2高数值孔径EUV光刻_162 :39arq  
6.7.3低k1技术: EUV光刻的光学分辨率增强技术_166 ES8(:5  
6.8小结_167 sd =bw  
参考文献_168 SwM=?<  
):y^g:  
第7章投影成像以外的光刻技术 jB l$r{L  
7.1非投影式光学光刻: 接触式和接近式光刻_176 `7[!bCl  
7.1.1图像形成和分辨率限制_176 0|8cSE< i  
7.1.2技术实现_179 .i^ @v<+  
7.1.3先进的掩模对准光刻_182 7zIfsb  
7.2无掩模光刻_186 e>bARK<  
7.2.1干涉光刻_186 'pB?  
7.2.2激光直写光刻_189 X8A.ag0Uu  
7.3无衍射限制的光刻_194 O- LwX >  
7.3.1近场光刻_195 E[4 vUnm-  
7.3.2利用光学非线性_198 1aUg({  
7.4三维光刻_203 fzvyR2 I  
7.4.1灰度光刻_203 w\{#nrhYU  
7.4.2三维干涉光刻_205 XL'\$f  
7.4.3立体光刻和三维微刻印_206 (]PH2<3t  
7.5浅谈无光刻印_209 qk(bA/+e  
7.6小结_210 M0OIcMTv  
参考文献_211 s!>9od6^  
=%s6QFR  
第8章光刻投影系统: 高级技术内容 g yhy0  
8.1实际投影系统中的波像差_220 =K}T; c  
8.1.1波像差的泽尼克多项式表示_221 B]6Lbp"oo  
8.1.2波前倾斜_226 %5nEyZOq  
8.1.3离焦像差_226 Wu(^k25  
8.1.4像散_228 B]E c  
8.1.5彗差_229 C[d1n#@r  
8.1.6球差_231 E&5S[n9{3  
8.1.7三叶像差_233 L4bYVTm|  
8.1.8泽尼克像差小结_233 :{B']~Xf  
8.2杂散光_234 ?<Lm58p8  
8.2.1恒定杂散光模型_235 0WYu5|  
8.2.2功率谱密度(PSD)杂散光模型_236 }X/YMgJ  
8.3高数值孔径投影光刻中的偏振效应_239 Dsb Tx.vA  
8.3.1掩模偏振效应_240 A}&YK,$5ED  
8.3.2成像过程中的偏振效应_241 D5f[:  
8.3.3光刻胶和晶圆堆栈界面的偏振效应_243 'GiN^Y9dcc  
8.3.4投影物镜中的偏振效应和矢量成像模型_246 gGx(mX._L?  
8.3.5偏振照明_248 lNl.lI\t)y  
8.4投影光刻机中的其他成像效应_250 .yFO] r1aL  
8.5小结_250 \fuz`fK:  
参考文献_251 lnm@DWhf  
lP*=4Jh  
第9章光刻中的掩模和晶圆形貌效应  |=![J?  
9.1严格电磁场仿真的方法_256 t%0c$c  
9.1.1时域有限差分法_257 b;#_?2c  
9.1.2波导法_260 YMU""/(  
9.2掩模形貌效应_262 %[M0TE=J  
9.2.1掩模衍射分析_263 ^:}C,lIrG  
9.2.2斜入射效应_266 n&zEYCSI  
9.2.3掩模引起的成像效应_268 S8v?H|rm  
9.2.4EUV光刻中的掩模形貌效应及缓解策略_272 R.F l5B  
9.2.5各种三维掩模模型_277 1i_%1Oip  
9.3晶圆形貌效应_279 5X>~39(r  
9.3.1底部抗反射涂层的沉积策略_279 g j]8/~lr  
9.3.2靠近栅极的光刻胶底部残余_281 X%kJ3{  
9.3.3双重成形技术中的线宽变化_282 UUb0[oy  
9.4小结_283 c 3o3i  
参考文献_283 ,^Q~w b!{  
" a,4E{7  
第10章先进光刻中的随机效应 1~3dX[&  
10.1随机变量和过程_288 >VQLC&u(  
10.2现象_291 |@yYM-;6  
10.3建模方法_294  N&kUTSd  
10.4依存性及其影响_297 9F?-zn;2s  
10.5小结_299 ~TeOl|!lE+  
参考文献_299 0a#v}w^ *  
专业词汇中英文对照表 (E&M[hH+  
\Q1&w2mw  
关键词: 光刻
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最新评论

谭健 2023-05-21 15:58
好书籍,不错的分享 KG9-ac  
helengalaxy 2023-09-14 21:38
感谢分享
头哥给我球 2023-11-03 14:31
非常感谢楼主的分享,nice
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