《光学光刻和极紫外光刻》

《光学光刻和极紫外光刻》是一本最新的光刻技术专著，内容涉及该领域的各个重要方面。在介绍光刻技术应用上，涵盖了全面又丰富的内容；在论述光刻技术的物理机制和数学模型时，采用了完整而不繁琐的方法，增加了可读性。本书在系统地阐述了光学光刻技术的基本内容后，还专门开辟章节，介绍了最先进的极紫外光刻技术的特点和难点，揭示了极紫外光刻的技术奥秘。本书具有全面、完整、翔实和新颖的特点，它凝聚了作者三十多年光刻领域科研和教学的精华。 )c11_1;  
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第1章光刻工艺概述 ,>B11Z}PH  
1.1微型化：　从微电子到纳米技术_1 Zu"qTJE/1  
1.2光刻技术的发展史_3 ^SpQtW118  
1.3投影光刻机的空间成像_5 gXI-{R7Me  
1.4光刻胶工艺_10 {F<0e^*  
1.5光刻工艺特性_12 %_|KiW  
1.6小结_18 3wfcGQn|sD  
参考文献_18 4. R(`#f  
 bUcp8
 
第2章投影光刻的成像原理 T`e`nQ0nn  
2.1投影光刻机_20 RG'iWA,9m`  
2.2成像理论_21 IR$
{a)  
2.2.1傅里叶光学描述_21 O[d#-0s  
2.2.2倾斜照明与部分相干成像_26 nXn@|J&z~U  
2.2.3其他成像仿真方法_30 # `^nmC/F  
2.3阿贝瑞利准则及其影响_30 QD7KE6KP'  
2.3.1分辨率极限和焦深_31 K<^p~'f4P  
2.3.2影响_36 $IQPB_:  
2.4小结_39 "s|P,*Xf  
参考文献_39 
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l73% y  
第3章光刻胶 ]$ d ;P  
3.1光刻胶概述、常规反应原理和现象学描述_42 'xta/@Sq  
3.1.1光刻胶的分类_42 9\EW~OgTu  
3.1.2基于重氮萘醌的光刻胶_45 VzXVy)d  
3.1.3先进的正型化学放大光刻胶_46 rN9qH  
3.1.4现象学模型_48 Dn)yBA%  
3.2光刻胶工艺步骤和建模方法_50 \Vme\Ke*v)  
3.2.1技术方面_50 P;.roD9  
3.2.2曝光_51  0J+WCm
`  
3.2.3曝光后烘焙_54 CcUF)$kz  
3.2.4化学显影_58 R3G\Gchd  
3.3建模方法和紧凑光刻胶模型概述_61 ;+DEU0|pe  
3.4负型与正型光刻胶材料和工艺_65 [yMSCCswW  
3.5小结_68 <TVJ
9l  
参考文献_69 }W^@mi  
ow'G&<0b  
第4章光学分辨率增强技术 nFJW\B&(`  
4.1离轴照明_74 rCF=m]1zxT  
4.1.1线空图形的最佳离轴照明形态_76 S*<Jy(:n  
4.1.2接触孔阵列的离轴照明_78 QKjn/%l"@  
4.1.3从传统/参数化的照明形态到自由照明形态_80 rf=l1
GW  
4.2光学邻近效应校正_81 ZV--d'YiEm  
4.2.1孤立密集线宽偏差补偿_82 /k/X[/WO  
4.2.2线端缩短补偿_84 f$FO 1B)  
4.2.3从基于规则到基于模型的OPC和反演光刻技术_85 "_&ZRcd*  
4.2.4OPC模型和工艺流程_88 /W.s1N  
4.3相移掩模_89 \d;)U4__!  
4.3.1强相移掩模：　交替型相移掩模_90 _]@u)$  
4.3.2衰减型或弱相移掩模_97 Lk|`\I T  
4.4光瞳滤波_100 oz=V|7,  
4.5光源掩模协同优化_102 }Hb0@ b_  
4.6多重曝光技术_106 HWV A5E[`Y  
4.7小结_109 O1~7#nJ*4[  
参考文献_110 by+xK~>  
*f 7rLM*  
第5章材料驱动的分辨率增强 w<H2#d>5!@  
5.1分辨率极限的回顾_115 sg=G<50i  
5.2非线性双重曝光_119 "*HM8\  
5.2.1双光子吸收材料_119 [;{xiW4V]  
5.2.2光阈值材料_120 ^oav-R&  
5.2.3可逆对比增强材料_121 p0W<K  
5.3双重和多重成形技术_124 ^.:&ZsqV  
5.3.1光刻刻蚀光刻刻蚀_124 eGT&&Y  
5.3.2光刻固化光刻刻蚀_125 6:wk=#w  
5.3.3自对准双重成形_126 Je|:\Qk  
5.3.4双色调显影_127 kcUn GiP  
5.3.5双重和多重成形技术的选项_128 (.=ig X  
5.4定向自组装_129 Pm6U:RL  
5.5薄膜成像技术_133 WyOav6/*K^  
5.6小结_135 d-b<_k{p  
参考文献_135 1Du5Z9AM  
8?8V; 
 
第6章极紫外光刻 0rL.~2)V  
6.1EUV光源_141 %Mj,\J!  
6.2EUV和多层膜中的光学材料特性_143 9n is8  
6.3EUV掩模_146 'Z#_"s#L  
6.4EUV曝光设备和图像形成_151 w2xD1oK~o  
6.5EUV光刻胶_156 ^~N:lW#=  
6.6EUV掩模缺陷_157 /:]<z6R  
6.7EUV光刻的光学分辨率极限_161 y0Gblza  
6.7.16.xnm波长的超极紫外光刻_162 2H w7V3q  
6.7.2高数值孔径EUV光刻_162 842v^ 2  
6.7.3低k1技术：　EUV光刻的光学分辨率增强技术_166 4 .c1  
6.8小结_167 }'tJc $!  
参考文献_168 k={1zl ;  
]&H"EHC<$  
第7章投影成像以外的光刻技术 7k,BE2]"  
7.1非投影式光学光刻：　接触式和接近式光刻_176 #lMcAYH,  
7.1.1图像形成和分辨率限制_176 va_u4  
7.1.2技术实现_179 ^[.}DNR95(  
7.1.3先进的掩模对准光刻_182 L754odc  
7.2无掩模光刻_186 bvJ@H Z$  
7.2.1干涉光刻_186 {St-
 
7.2.2激光直写光刻_189 k62s|VeU  
7.3无衍射限制的光刻_194 q#AIN`H  
7.3.1近场光刻_195 9[JUJ,#X'0  
7.3.2利用光学非线性_198 pYzop4  
7.4三维光刻_203 im9w|P5  
7.4.1灰度光刻_203 LZ_0=Xx%  
7.4.2三维干涉光刻_205 D
qo#+_v  
7.4.3立体光刻和三维微刻印_206 pTGGJ,  
7.5浅谈无光刻印_209 p?#T^{Quz~  
7.6小结_210 C_>XtcU  
参考文献_211 ;^bfLSWm{  
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第8章光刻投影系统：　高级技术内容 IV!`~\@  
8.1实际投影系统中的波像差_220 uWKmINjv'  
8.1.1波像差的泽尼克多项式表示_221 l!XCYg@67  
8.1.2波前倾斜_226 c*7|>7C$i  
8.1.3离焦像差_226 vu@.;-2E%  
8.1.4像散_228 f6K.F  
8.1.5彗差_229 .-iW T4Dn  
8.1.6球差_231 7'esJ)2  
8.1.7三叶像差_233 T0dD:sN  
8.1.8泽尼克像差小结_233 /d}"s.3p  
8.2杂散光_234 RHBQgD$  
8.2.1恒定杂散光模型_235 O'IU1sU  
8.2.2功率谱密度（PSD）杂散光模型_236 mST8+R@S  
8.3高数值孔径投影光刻中的偏振效应_239  s&pnB  
8.3.1掩模偏振效应_240 }\S'oC\[  
8.3.2成像过程中的偏振效应_241 Cp/f18zO  
8.3.3光刻胶和晶圆堆栈界面的偏振效应_243 Uc:NW   
8.3.4投影物镜中的偏振效应和矢量成像模型_246 rxX4Cw]\"y  
8.3.5偏振照明_248 j24 3oD  
8.4投影光刻机中的其他成像效应_250 r!fUMDS  
8.5小结_250 '4{=x]K  
参考文献_251 m-azd~r[  
Dq~;h \='  
第9章光刻中的掩模和晶圆形貌效应 NjZ~b/  
9.1严格电磁场仿真的方法_256 tnnGM,"ol  
9.1.1时域有限差分法_257 o$</At  
9.1.2波导法_260 ?-:2f#bC  
9.2掩模形貌效应_262 2Q%7J3I  
9.2.1掩模衍射分析_263 4j=K3m  
9.2.2斜入射效应_266 AvrvBz[  
9.2.3掩模引起的成像效应_268 2`riI*fQ  
9.2.4EUV光刻中的掩模形貌效应及缓解策略_272 DqQp47kp  
9.2.5各种三维掩模模型_277 0D2I)E72o  
9.3晶圆形貌效应_279 cQhr{W,Un  
9.3.1底部抗反射涂层的沉积策略_279 :p}8#rb  
9.3.2靠近栅极的光刻胶底部残余_281 CR'%=N04^  
9.3.3双重成形技术中的线宽变化_282 "g5{NjimY  
9.4小结_283 f%.Ngf9  
参考文献_283 2rT^OGw6
  
m=l'9j"D  
第10章先进光刻中的随机效应 $O*@Jg=  
10.1随机变量和过程_288 D {Ol8:  
10.2现象_291 >-N(o2j3  
10.3建模方法_294 aA#79LS  
10.4依存性及其影响_297 -MS#YcsV  
10.5小结_299 uEJ8Lmi
 
参考文献_299
B }%2FUv  
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