《光学光刻和极紫外光刻》

《光学光刻和极紫外光刻》是一本最新的光刻技术专著，内容涉及该领域的各个重要方面。在介绍光刻技术应用上，涵盖了全面又丰富的内容；在论述光刻技术的物理机制和数学模型时，采用了完整而不繁琐的方法，增加了可读性。本书在系统地阐述了光学光刻技术的基本内容后，还专门开辟章节，介绍了最先进的极紫外光刻技术的特点和难点，揭示了极紫外光刻的技术奥秘。本书具有全面、完整、翔实和新颖的特点，它凝聚了作者三十多年光刻领域科研和教学的精华。 md Gwh7/3  
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第1章光刻工艺概述 tkKJh !Q7  
1.1微型化：　从微电子到纳米技术_1 kxB.,'  
1.2光刻技术的发展史_3 5Av=3[kh"%  
1.3投影光刻机的空间成像_5 @{HrJ/4%:&  
1.4光刻胶工艺_10 ,H kj1x  
1.5光刻工艺特性_12 ]0j9>s2|Z  
1.6小结_18 nv/[I,nw  
参考文献_18  %Y nmuZ  
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第2章投影光刻的成像原理 f'Mop= .  
2.1投影光刻机_20 ,FSrn~-j9  
2.2成像理论_21 gFN9jM  
2.2.1傅里叶光学描述_21 k;^ :  
2.2.2倾斜照明与部分相干成像_26 Y3U9:VB  
2.2.3其他成像仿真方法_30 V"KS[>>f  
2.3阿贝瑞利准则及其影响_30 z8_XX$Mnt  
2.3.1分辨率极限和焦深_31 Fke//- R  
2.3.2影响_36 {8RFK4! V@  
2.4小结_39 0y#Ih {L  
参考文献_39 @'2m$a  
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第3章光刻胶 8At<Wic  
3.1光刻胶概述、常规反应原理和现象学描述_42 :l\V'=%9'@  
3.1.1光刻胶的分类_42 v3[@1FQ"  
3.1.2基于重氮萘醌的光刻胶_45 2f:^S/.A  
3.1.3先进的正型化学放大光刻胶_46 ~mz%E
 
3.1.4现象学模型_48 5TKJWO.  
3.2光刻胶工艺步骤和建模方法_50 eVh-_  
3.2.1技术方面_50 $iw%
(H  
3.2.2曝光_51 QO;4}rq  
3.2.3曝光后烘焙_54 `)$_YZq|SR  
3.2.4化学显影_58 b7:
0#l$  
3.3建模方法和紧凑光刻胶模型概述_61 5]Ajf;W\  
3.4负型与正型光刻胶材料和工艺_65 $&I'o  
3.5小结_68
olux6RP[B  
参考文献_69 5jcte< 5I_  
Yl cbW0'c  
第4章光学分辨率增强技术 1OaXo!  
4.1离轴照明_74 V A^l+Z,d  
4.1.1线空图形的最佳离轴照明形态_76 $%k1fa C  
4.1.2接触孔阵列的离轴照明_78 J5M+FwZq  
4.1.3从传统/参数化的照明形态到自由照明形态_80 tOl e>]  
4.2光学邻近效应校正_81 a:STQk V  
4.2.1孤立密集线宽偏差补偿_82 7A$B{  
4.2.2线端缩短补偿_84 Qx3eLfm  
4.2.3从基于规则到基于模型的OPC和反演光刻技术_85 5z$,6T  
4.2.4OPC模型和工艺流程_88 V4w=/e_  
4.3相移掩模_89 n$L51#'  
4.3.1强相移掩模：　交替型相移掩模_90 W&Y"K)`  
4.3.2衰减型或弱相移掩模_97 {tP%epQ  
4.4光瞳滤波_100 _"a=8a06G  
4.5光源掩模协同优化_102 )u:Q) %$t  
4.6多重曝光技术_106 '-$XX%TOAc  
4.7小结_109 7;:#;YSha  
参考文献_110 %
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第5章材料驱动的分辨率增强 giY80!GX  
5.1分辨率极限的回顾_115 k"UO c=  
5.2非线性双重曝光_119 `6=-WEo  
5.2.1双光子吸收材料_119 D=f7NVc>Q  
5.2.2光阈值材料_120 YvL?j  
5.2.3可逆对比增强材料_121 z9/G4^qF  
5.3双重和多重成形技术_124 L71!J0@a#  
5.3.1光刻刻蚀光刻刻蚀_124 ]jMKC8uz  
5.3.2光刻固化光刻刻蚀_125 >`RRP}u=u  
5.3.3自对准双重成形_126 PyC0Q\$%  
5.3.4双色调显影_127 x[_=#8~.1x  
5.3.5双重和多重成形技术的选项_128 "8)z=n  
5.4定向自组装_129 I&yVx8aH}  
5.5薄膜成像技术_133 )=pD%$iq  
5.6小结_135 Rfb?f}j  
参考文献_135 d50Vtm\  
>pyj]y^3  
第6章极紫外光刻  l~s7Ae  
6.1EUV光源_141 `(y(w-:W1  
6.2EUV和多层膜中的光学材料特性_143 l~:v (R5
 
6.3EUV掩模_146 R6;Phdh<>  
6.4EUV曝光设备和图像形成_151 E\7m<'R  
6.5EUV光刻胶_156 UKd'+R]  
6.6EUV掩模缺陷_157 'fV%Z  
6.7EUV光刻的光学分辨率极限_161 +\ _{x/u1  
6.7.16.xnm波长的超极紫外光刻_162 {Bvj"mL]j  
6.7.2高数值孔径EUV光刻_162 }Rvm &?~O  
6.7.3低k1技术：　EUV光刻的光学分辨率增强技术_166 H;ZHqcUX  
6.8小结_167 /hWd/H]  
参考文献_168 <E|s\u  
>zvY\{WY  
第7章投影成像以外的光刻技术 #U7_a{cn"M  
7.1非投影式光学光刻：　接触式和接近式光刻_176 BcWcdr+}9  
7.1.1图像形成和分辨率限制_176 `1` f*d v  
7.1.2技术实现_179 YB))S!;Ok  
7.1.3先进的掩模对准光刻_182 S:
Q! "U  
7.2无掩模光刻_186 pcS+o  
7.2.1干涉光刻_186 k
lOp ^w  
7.2.2激光直写光刻_189 0*%&>  
7.3无衍射限制的光刻_194 LHCsk{3
 
7.3.1近场光刻_195 }ucIH@U{  
7.3.2利用光学非线性_198 Xt/Ksw"wn  
7.4三维光刻_203 v9RW5  
7.4.1灰度光刻_203 8;P2A\X  
7.4.2三维干涉光刻_205 =s97Z-  
7.4.3立体光刻和三维微刻印_206 WKM)*@#,  
7.5浅谈无光刻印_209 V~MiO.B  
7.6小结_210 bUy,5gk-  
参考文献_211 \YJy#2K  
cR{>IH4^  
第8章光刻投影系统：　高级技术内容 w FtN+  
8.1实际投影系统中的波像差_220 Ds8 EMtS  
8.1.1波像差的泽尼克多项式表示_221 [dX`K`k  
8.1.2波前倾斜_226 *4Fr&^M\  
8.1.3离焦像差_226 imL_lw^?  
8.1.4像散_228 7^TV~E#  
8.1.5彗差_229 5`[n8mU  
8.1.6球差_231 5~ 'Ie<Y_  
8.1.7三叶像差_233 U]~^ZR  
8.1.8泽尼克像差小结_233 i8X`HbmN  
8.2杂散光_234 ~ AQp|  
8.2.1恒定杂散光模型_235 &N
ZfJs  
8.2.2功率谱密度（PSD）杂散光模型_236 HjNxqaljt  
8.3高数值孔径投影光刻中的偏振效应_239 B6P|Z%E;D6  
8.3.1掩模偏振效应_240 hqSJ(gs{  
8.3.2成像过程中的偏振效应_241 4\5uY  
8.3.3光刻胶和晶圆堆栈界面的偏振效应_243 t%1^Li  
8.3.4投影物镜中的偏振效应和矢量成像模型_246 WP**a Bp  
8.3.5偏振照明_248 zzGYiF?  
8.4投影光刻机中的其他成像效应_250 [`=LTBt  
8.5小结_250 `\|ssC8u  
参考文献_251 &F$:Q:* *  
oS,I~}\kQ  
第9章光刻中的掩模和晶圆形貌效应 :VmHfOO  
9.1严格电磁场仿真的方法_256 X26   
9.1.1时域有限差分法_257 " K*  
9.1.2波导法_260 SF]@|  
9.2掩模形貌效应_262 +?D6T!
)  
9.2.1掩模衍射分析_263 th5g\h%j*  
9.2.2斜入射效应_266 m#H3:-h,  
9.2.3掩模引起的成像效应_268 +A_J1iJ<  
9.2.4EUV光刻中的掩模形貌效应及缓解策略_272 o`,Qku k  
9.2.5各种三维掩模模型_277 ^cvl:HOog  
9.3晶圆形貌效应_279 @R~5-m  
9.3.1底部抗反射涂层的沉积策略_279 'Yy&G\S  
9.3.2靠近栅极的光刻胶底部残余_281 @+,pN6}g  
9.3.3双重成形技术中的线宽变化_282 SU_SU".  
9.4小结_283 gieJ}Bv  
参考文献_283 :7N3N  
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第10章先进光刻中的随机效应 0"k|H&  
10.1随机变量和过程_288 ?ne
_m:J[  
10.2现象_291 Eu<1Bse;  
10.3建模方法_294 i=FQGWAUu  
10.4依存性及其影响_297 N@o?b  
10.5小结_299 s$h] G[x  
参考文献_299 (kBP(2V  
专业词汇中英文对照表 9<CG s3\  
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