《光学光刻和极紫外光刻》

《光学光刻和极紫外光刻》是一本最新的光刻技术专著，内容涉及该领域的各个重要方面。在介绍光刻技术应用上，涵盖了全面又丰富的内容；在论述光刻技术的物理机制和数学模型时，采用了完整而不繁琐的方法，增加了可读性。本书在系统地阐述了光学光刻技术的基本内容后，还专门开辟章节，介绍了最先进的极紫外光刻技术的特点和难点，揭示了极紫外光刻的技术奥秘。本书具有全面、完整、翔实和新颖的特点，它凝聚了作者三十多年光刻领域科研和教学的精华。 .&^M Z8  
OQuTM
[W  
\4*i;a.kU  
=*y{y)B^g  
X)
[QEq^  
第1章光刻工艺概述 mUb2U&6(  
1.1微型化：　从微电子到纳米技术_1 F 'H
YWH0?  
1.2光刻技术的发展史_3 Uf[Gs/!NV  
1.3投影光刻机的空间成像_5 %-!:$ 1;  
1.4光刻胶工艺_10 'xM\txZ;  
1.5光刻工艺特性_12 uA%F0oM  
1.6小结_18 iqXsDgkr  
参考文献_18 !:g\
Fe]  
u`*
$EP-%  
第2章投影光刻的成像原理 )[t3-'  
2.1投影光刻机_20 F
EA/}*2F  
2.2成像理论_21
zfml^N  
2.2.1傅里叶光学描述_21 ju"j?2+F  
2.2.2倾斜照明与部分相干成像_26 k}{K7,DM  
2.2.3其他成像仿真方法_30 =&U7:u  
2.3阿贝瑞利准则及其影响_30 VD=F{|^  
2.3.1分辨率极限和焦深_31 _j_c&  
2.3.2影响_36 V
K4"  
2.4小结_39 ~BI! l  
参考文献_39 y=}a55:qE  
KR4RIJZ_t  
第3章光刻胶 gD6BPW~0  
3.1光刻胶概述、常规反应原理和现象学描述_42 G{|FV m  
3.1.1光刻胶的分类_42 'BEM:1)  
3.1.2基于重氮萘醌的光刻胶_45 yucbEDO.  
3.1.3先进的正型化学放大光刻胶_46 sWLH"'Z  
3.1.4现象学模型_48 <{1 3Nd'o  
3.2光刻胶工艺步骤和建模方法_50 pC)S
9Kl  
3.2.1技术方面_50 gJZ9XLPC  
3.2.2曝光_51 FkoN+\d  
3.2.3曝光后烘焙_54 vnz}Pr! c  
3.2.4化学显影_58 Zxv{qbF
 
3.3建模方法和紧凑光刻胶模型概述_61 /lvH p  
3.4负型与正型光刻胶材料和工艺_65 ;\+A6(GX{  
3.5小结_68 ga91#NWgK  
参考文献_69 X_I.
f6v{  
NslaG  
第4章光学分辨率增强技术 <QE/p0.  
4.1离轴照明_74 r\{; ~V  
4.1.1线空图形的最佳离轴照明形态_76 =CO#Q$
 
4.1.2接触孔阵列的离轴照明_78 y `w5u.'  
4.1.3从传统/参数化的照明形态到自由照明形态_80  qZP>h4  
4.2光学邻近效应校正_81 <H!;/p/S  
4.2.1孤立密集线宽偏差补偿_82 gLv";"4S  
4.2.2线端缩短补偿_84 ?Wp{tB9N0  
4.2.3从基于规则到基于模型的OPC和反演光刻技术_85 ps?B;P  
4.2.4OPC模型和工艺流程_88 Sb
pO<8}8  
4.3相移掩模_89 <0)@Ikhx  
4.3.1强相移掩模：　交替型相移掩模_90 1hgmlY`  
4.3.2衰减型或弱相移掩模_97 5fa_L'L#  
4.4光瞳滤波_100 })r[qsv  
4.5光源掩模协同优化_102 @AkD-}^[  
4.6多重曝光技术_106 1Xu^pc  
4.7小结_109 ;tLu  
参考文献_110 ~x}=lKN  
LaiUf_W#X  
第5章材料驱动的分辨率增强 s"]LQM1|  
5.1分辨率极限的回顾_115 uBC*7Mkm  
5.2非线性双重曝光_119 X<"W@  
5.2.1双光子吸收材料_119 g8w5X!Z  
5.2.2光阈值材料_120 )Ikx0vDFQ  
5.2.3可逆对比增强材料_121 <El6?ml@  
5.3双重和多重成形技术_124 A@"CrVE  
5.3.1光刻刻蚀光刻刻蚀_124 r&ex<(I{  
5.3.2光刻固化光刻刻蚀_125 4
7XQZ-}4  
5.3.3自对准双重成形_126 EGyQhZ mO  
5.3.4双色调显影_127 Y1vSwS%{T  
5.3.5双重和多重成形技术的选项_128 PDssEb7  
5.4定向自组装_129 a|@^N  
5.5薄膜成像技术_133 G%K<YyAP  
5.6小结_135 nPUq+cXy]C  
参考文献_135 Jk7[}Jc$  
Eyu?T  
第6章极紫外光刻 1)M>vdrP  
6.1EUV光源_141 K]q OLtc  
6.2EUV和多层膜中的光学材料特性_143 aKC3T-  
6.3EUV掩模_146 asI:J/%+2  
6.4EUV曝光设备和图像形成_151 EmR#)c~(W  
6.5EUV光刻胶_156 9Kyr/6w4-k  
6.6EUV掩模缺陷_157 U;4:F{3m   
6.7EUV光刻的光学分辨率极限_161 hQgi--Msw'  
6.7.16.xnm波长的超极紫外光刻_162 pOip$Z  
6.7.2高数值孔径EUV光刻_162 '?k*wEu  
6.7.3低k1技术：　EUV光刻的光学分辨率增强技术_166 ~z!U/QR2  
6.8小结_167 Piz/vH6M}  
参考文献_168 d&0^AvM@  
&`63"^y  
第7章投影成像以外的光刻技术 A:ef}OCL  
7.1非投影式光学光刻：　接触式和接近式光刻_176 /\_ s  
7.1.1图像形成和分辨率限制_176 Y0U<l1(|  
7.1.2技术实现_179 ?ei7jM",  
7.1.3先进的掩模对准光刻_182 q$s0
zqV5  
7.2无掩模光刻_186 *,o)`  
7.2.1干涉光刻_186 #x&1kHu<  
7.2.2激光直写光刻_189 =2{^qvP  
7.3无衍射限制的光刻_194 m`-{ V<(M  
7.3.1近场光刻_195 pFD L5  
7.3.2利用光学非线性_198 W!z=AL{  
7.4三维光刻_203 I/MYS5}
 
7.4.1灰度光刻_203 X4Eq/q"  
7.4.2三维干涉光刻_205 NQ%lwE~  
7.4.3立体光刻和三维微刻印_206 [3rvRJ.  
7.5浅谈无光刻印_209 g(MeCoCc  
7.6小结_210 ?!~CX`eMZ  
参考文献_211 !K1[o'o#  
/'p(X~X:l  
第8章光刻投影系统：　高级技术内容 bY;ah;<  
8.1实际投影系统中的波像差_220 U)+Yh  
8.1.1波像差的泽尼克多项式表示_221 UMw1&"0:  
8.1.2波前倾斜_226 3m?3I2k  
8.1.3离焦像差_226 _y),C   
8.1.4像散_228 $q{-)=-BXQ  
8.1.5彗差_229 j
#0@%d  
8.1.6球差_231 Ry0n_J:7  
8.1.7三叶像差_233 Yt
7R[|  
8.1.8泽尼克像差小结_233 4jj@"*^a  
8.2杂散光_234 5+'1 :Sa(i  
8.2.1恒定杂散光模型_235 \ M8;CN  
8.2.2功率谱密度（PSD）杂散光模型_236 x2[A(O=  
8.3高数值孔径投影光刻中的偏振效应_239 *<
zfe.  
8.3.1掩模偏振效应_240 ;2-,Xzz8  
8.3.2成像过程中的偏振效应_241 0S;H`w_S  
8.3.3光刻胶和晶圆堆栈界面的偏振效应_243 ; 7[
5%xM  
8.3.4投影物镜中的偏振效应和矢量成像模型_246 4E}/{1  
8.3.5偏振照明_248 }i./,  
8.4投影光刻机中的其他成像效应_250 !i
A0u  
8.5小结_250 (5re'Pl  
参考文献_251 me#
VCkr#  
_1f!9ghT\  
第9章光刻中的掩模和晶圆形貌效应 hkee,PiiP  
9.1严格电磁场仿真的方法_256 dmW0SK   
9.1.1时域有限差分法_257 :aR&t#<"E  
9.1.2波导法_260 Tz]t.]!&E  
9.2掩模形貌效应_262 _K3?0<=4  
9.2.1掩模衍射分析_263 #)2'I`_E  
9.2.2斜入射效应_266 KQj5o>} 6  
9.2.3掩模引起的成像效应_268 =U!M
,zw4  
9.2.4EUV光刻中的掩模形貌效应及缓解策略_272 DDyeNuK  
9.2.5各种三维掩模模型_277 Ua)ARi %  
9.3晶圆形貌效应_279 { ,qm=Xjq  
9.3.1底部抗反射涂层的沉积策略_279 X<m#:0iD  
9.3.2靠近栅极的光刻胶底部残余_281 _<|NVweFS  
9.3.3双重成形技术中的线宽变化_282 (V)nHF*<>  
9.4小结_283 U@
!e&QPn  
参考文献_283 Ro`9Ibqr  
\L-o>O  
第10章先进光刻中的随机效应 <<
W{nSm#  
10.1随机变量和过程_288 ] hGU.C"(  
10.2现象_291 $+!/=8R)  
10.3建模方法_294 x4Mq{MrWp  
10.4依存性及其影响_297 x}$SB%9/  
10.5小结_299 9`81br+~  
参考文献_299 UR44 iA]  
专业词汇中英文对照表 @r^a/]5D  
A'HFpsa